本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，特別來說，涉及一種具有納米線的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

本發(fā)明涉及一種形成包含有鰭狀結(jié)構(gòu)(fin structure)半導(dǎo)體集成電路中形成納米線(nanowire)的方法。由于現(xiàn)今的集成電路正朝向更高積集度的方向發(fā)展，三維結(jié)構(gòu)的鰭狀結(jié)構(gòu)已逐漸取代熟知的平面晶體管(planar transistor)，由此增加電子電路的積集度。除此之外，納米線也較多采用鍺(germanium)材質(zhì)，相較于熟知的硅(silicon)，可以獲得優(yōu)選的載流子移動(dòng)率(carrier mobility)。

現(xiàn)今已有一些使用鍺納米線的鰭狀結(jié)構(gòu)。然而，由于鍺納米線的尺寸極為精細(xì)，其中的制作步驟如磊晶成長(zhǎng)制程(epitaxial growth)則有許多限制且難以控管，這提高了制作上述鍺納米線的困難度。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供了一種在半導(dǎo)體基底上形成納米線的新穎方法。根據(jù)本發(fā)明其中一個(gè)實(shí)施方案，可以在半導(dǎo)體基底上形成不同尺寸的半導(dǎo)體納米線。本發(fā)明的方法包含：形成半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)包含多個(gè)具有半導(dǎo)體材料的鰭，以及淺溝槽隔離設(shè)置在鰭之間。接著形成多個(gè)鰭凹部，包含移除鰭的上部分，以使鰭的上表面低于淺溝槽隔離的上表面。后續(xù)在鰭凹部中形成鍺基半導(dǎo)體材料，以形成多個(gè)鍺基插塞。形成鍺基插塞后，移除部分的淺溝槽隔離的上部分，以暴露出鍺基插塞的側(cè)壁。進(jìn)行退火制程，以使鍺基插塞的周圍形成氧化層，形成氧化層包覆的納米線，并使淺溝槽隔離的至少一部分形成絕緣層。

根據(jù)本發(fā)明的另外一個(gè)實(shí)施方案，提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包含基底、第一納米線、第二納米線、第一接觸墊、第二接觸墊與柵極結(jié)構(gòu)。第一納米線 設(shè)置在基底上。第二納米線設(shè)置在基底上。第一接觸墊設(shè)置在第一納米線的第一端與該第二納米線的第一端。第二接觸墊設(shè)置在第一納米線的第二端與第二納米線的第二端，其中第一接觸墊、第二接觸墊的材質(zhì)與第一納米線、第二納米線的材質(zhì)不同。柵極結(jié)構(gòu)包圍第一納米線的一部分與第二納米線的一部分。

附圖說明

圖1A、圖1B、圖1C、圖1D、圖1E、圖1F、圖1G、圖1H、圖1I與圖1J，所繪示為本發(fā)明一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的其中一個(gè)實(shí)施方案的示意圖。

圖2A、圖2B、圖2C、圖2D、圖2E、圖2F、圖2G、圖2H、圖2I、圖2J、圖2K與圖2L，所繪示為本發(fā)明一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的另一實(shí)施方案的示意圖。

圖3A、圖3B、圖3C、圖3D，所繪示為本發(fā)明一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的另一實(shí)施方案的示意圖。

圖4A、圖4B、圖4C、圖4D，所繪示為本發(fā)明一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的另一實(shí)施方案的示意圖。

圖5A、圖5B、圖5C，所繪示為本發(fā)明一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的另一實(shí)施方案的示意圖。

圖6A、圖6B、圖6C、圖6D、圖6E、圖6F、圖6G、圖6H、圖6I、圖6J，所繪示為本發(fā)明一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的另一實(shí)施方案的示意圖。

圖7A、圖7B、圖7C、圖7D、圖7E、圖7F、圖7G、圖7H、圖7I、圖7J、圖7K、圖7L與圖7M，所繪示為本發(fā)明一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的另一實(shí)施方案的示意圖。

具體實(shí)施方式

為使熟知本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能更進(jìn)一步了解本發(fā)明，下文特列舉本發(fā)明的數(shù)個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案，并配合附圖，詳細(xì)說明本發(fā)明的構(gòu)成內(nèi)容及所期望達(dá)成的功效。

請(qǐng)參考圖1A至圖1J，所繪示為本發(fā)明一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的其中一個(gè)實(shí)施方案的示意圖。請(qǐng)先參考圖1A與圖1B。首先，在基底10的表面上覆蓋光阻層11。基底10可以包含各種形式的元素硅或鍺、III/V族復(fù)合材料如 砷化鎵(GaAs)、硅覆絕緣(silicon on insulator，SOI)或埋入氧化物半導(dǎo)體層(buried oxide semiconductor，BOX)，但并不以此為限。接著圖案化光阻層11以形成陣列圖案(array)，其包含多條平行的線圖案12L以及溝槽12S。如圖1C所示，進(jìn)行干蝕刻制程，蝕刻未被圖案化光阻層11覆蓋的基底10，以形成多個(gè)溝槽13T。在一個(gè)實(shí)施方案中，可使用六氟化硫(sulfur hexafluoride，SF₆)作為蝕刻氣體以形成溝槽13T，使該溝槽13T被鰭(fin)13F分隔。如圖1D所示，在溝槽13T中形成淺溝槽隔離(shallow trench isolation，STI)14，其材質(zhì)優(yōu)選包含介電材料如氧化硅(silicon oxide)。如圖1E，進(jìn)行平坦化制程以形成半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)，其包含多個(gè)鰭13F以及位于鰭13F之間的淺溝槽隔離14。平坦化制程主要施加在介電材料上，在一個(gè)實(shí)施方案中，平坦化制程可以是化學(xué)機(jī)械拋光(chemical mechanical polish，CMP)、回蝕刻制程或是兩者的組合。在圖中僅繪示了兩個(gè)鰭13F，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員均應(yīng)了解，本發(fā)明也可能包含兩個(gè)以上的鰭13F以及位于其中的淺溝槽隔離14，以構(gòu)成半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)。

此外，本發(fā)明形成前述鰭狀結(jié)構(gòu)的方法并不限于前述實(shí)施方案，而也可包含其他不同方法或改良的實(shí)施方式。

在形成半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)后，移除半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)的頂部以形成鰭凹部(fin recess)13R。通過圖案化以及蝕刻步驟，可移除具有半導(dǎo)體材質(zhì)的鰭的部分。在一個(gè)實(shí)施方案中，將光阻層(圖中未示出)圖案化后，隨之可利用該圖案化光阻層進(jìn)行例如干蝕刻步驟，以移除部分的鰭13F，如圖1F所示。除前述以六氟化硫?yàn)槲g刻氣體的實(shí)施方式外，蝕刻氣體也可包含溴化氫(HBr)、氯氣(Cl₂)、氧氣(O₂)、氦氣(He)或其結(jié)合。干蝕刻步驟會(huì)移除未被覆蓋或是暴露出來的基底10的部分。在其他實(shí)施方案中，蝕刻氣體也可以包含如碳氟化合物(fluorocarbon)、硼(boron)、三氯化合物(trichloride)或其他適合的蝕刻氣體。

形成鰭凹部13R后，在該鰭凹部13R中形成鍺基(germanium-based)的半導(dǎo)體材質(zhì)，以形成鍺基插塞(germanium-based plug)15，如圖1G所示。在一個(gè)實(shí)施方案中，鍺基半導(dǎo)體材質(zhì)可以包含如鍺(Ge)、硅鍺(SiGe)或鍺錫(GeSn)，但并不以此為限。鍺基半導(dǎo)體材質(zhì)可以用任何適合的方式形成，例如是磊晶成長(zhǎng)制程，舉例來說，以磊晶成長(zhǎng)形成如硅鍺Si_1-xGe_x，其中.05<x<.15，或.15<x<.25或是.25<x<.35。磊晶成長(zhǎng)制程可沿著不同軸向生 長(zhǎng)，其優(yōu)選沿著暴露的鰭表面的晶格方向(crystal lattice)成長(zhǎng)。此外，通過移除基底時(shí)的半導(dǎo)體晶格方向控制，也可調(diào)控磊晶成長(zhǎng)制程。因鍺基插塞15的尺寸范圍是由鰭凹部13R的區(qū)域所界定，故可忽略硅基底10晶格方向的影響。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案中，鍺基插塞15的尺寸范圍是由微影(光刻)步驟來控制，相較于單純以磊晶成長(zhǎng)制成，微影步驟的控制力較佳。

鍺基插塞15后續(xù)進(jìn)行氧化/退火階段，以使之后形成納米線具有高載流子遷移率(carrier mobility)。由于退火制程可能可以改變鍺基插塞15的尺寸或形狀，因此，在一個(gè)實(shí)施方案中，所形成的鰭13F的寬度和鰭凹部13R的深度，優(yōu)選還須考慮到鍺基插塞15的材料。

例如，當(dāng)使用鍺沉積以形成鍺基插塞15時(shí)，退火制程并不會(huì)改變太多其體積；故如果預(yù)計(jì)形成的納米線的直徑為10納米，在設(shè)計(jì)上，鰭凹部13R的深度(或?qū)挾?將接近或稍大于10nm。另一方面，如果以硅鍺沉積作為鍺基插塞15時(shí)，退火之后所得到的納米線的大小取決于鍺的濃度。例如，在50％的鍺含量的情況下，若期望形成的納米線直徑為10nm，則鰭凹部13R的深度(或?qū)挾?應(yīng)接近或稍大于20nm。

當(dāng)鰭凹部13R的寬度與深度比大約為1:1時(shí)，在退火制程后，將形成具有近似圓形橫截面的納米線。如果寬度與深度比偏離1:1，得到的納米線將具有橢圓形橫截面。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案中，鍺基插塞15包含鍺，且形成鰭凹部13R時(shí)，該鰭凹部13R的寬度與深度比為1:1。而在本發(fā)明另外一個(gè)實(shí)施方案中，鍺基插塞15包含鍺錫，且形成鰭凹部13R時(shí)，鰭凹部13R的寬度與深度比為1:2。

如圖1H所示，在磊晶成長(zhǎng)形成鍺基插塞15后，部分地移除淺溝槽隔離14，以暴露鍺基插塞15的側(cè)面。該淺溝槽隔離14的回蝕刻可以包含濕蝕刻或干蝕刻。在一個(gè)實(shí)施方案中，蝕刻淺溝槽隔離14至預(yù)定深度為止，以暴露鍺基插塞15，可使用含有氫原子的蝕刻氣體，例如氫氟酸(HF)或氨(NH₃)，但并不以此為限。在另一個(gè)實(shí)施方案中，還可使用選擇性材料去除技術(shù)，例如由應(yīng)用材料公司(Applied Material)所提供的SiCoNi^TM，以去除淺溝槽隔離14并控制剩余材料的高度。

如圖1I所示，進(jìn)行氧化/退火步驟，以露出鍺基插塞15和淺溝槽隔離14。在一個(gè)實(shí)施方案中，氧化和退火可以同時(shí)進(jìn)行，或是先進(jìn)行氧化再進(jìn)行退火。在一個(gè)實(shí)施方案中，可在進(jìn)行數(shù)次的氧化循環(huán)之后進(jìn)行適當(dāng)溫度的退 火制程，故在鍺基插塞15為SiGe的實(shí)施方案中，可調(diào)控鍺達(dá)到一定的比例。一個(gè)實(shí)施方案中，氧化/退火是在低于鍺基插塞15熔點(diǎn)的溫度下進(jìn)行，例如，在約950℃時(shí)，會(huì)產(chǎn)生具有粘稠流動(dòng)的氧化硅。

在一個(gè)實(shí)施方案中，氧化制程包含使用氧氣(dry oxygen)并搭配稀釋氣體或載氣(carrier gas)。在一個(gè)實(shí)施方案中，稀釋氣體或載氣是非氧化性氣體，如氮?dú)?N₂)或氫氣/氮?dú)?H₂/N₂)。另一個(gè)實(shí)施方案中，稀釋氣體或載氣是惰性氣體，如氬氣或氦氣。另一方面，退火制程若是在低于大氣壓或半真空的環(huán)境下進(jìn)行，其使用的氣體可包含如前述氧化制程的稀釋氣體或是載氣。

當(dāng)鍺基插塞15為鍺硅材質(zhì)時(shí)，鍺和硅在氧化和退火制程中具有特殊的重新分配機(jī)制。在鍺與硅的比例與含量在特定值時(shí)，氧相較于鍺在氧化制程中在表面處較容易被氧化。因此，當(dāng)在硅鰭13F上鍺基插塞15接受加熱時(shí)，如圖1J所示，硅會(huì)朝著氧化表面(向外)擴(kuò)散，形成具有氧化硅的外殼(shell)16，而鍺則遠(yuǎn)離表面(向內(nèi))擴(kuò)散，而形成鍺納米線通道。在一般情況下，硅的重新分配速率隨溫度的增加而增加，而隨著壓力增加而減小。如圖所示，氧化/退火制程形成鍺納米線通道17，并且鰭狀結(jié)構(gòu)也被氧化，而形成在基底10上的絕緣層18。

在一個(gè)實(shí)施方案中，可用熟知的蝕刻步驟以挖深氧化材料，使前述納米線通道形成納米線，并懸浮遠(yuǎn)離基底。請(qǐng)參考圖2A至圖2L，所繪示為本發(fā)明一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的另一個(gè)實(shí)施方案的示意圖。其中，本實(shí)施方案在圖2A至圖2G與前實(shí)施方案中圖1A至圖1G大致相同，在此不加以贅述。和前述實(shí)施方案中的圖1H與圖1J相比，本實(shí)施方案去除淺溝槽隔離14的量可以變化，以利后續(xù)形成一個(gè)獨(dú)立的納米線。如圖2H，將淺溝槽隔離14蝕刻至較深的深度。圖2I中進(jìn)行將鍺基插塞15與暴露的鰭13F的氧化步驟。圖2J中移除氧化部分，以形成懸浮的半導(dǎo)體插塞15。圖2L表示退火后形成的懸浮的納米線17。圖2L中雖然繪示了殘留的鰭13F”，但在另一個(gè)實(shí)施方案中，在圖2H的步驟中也可完成移除淺溝槽隔離14而暴露鰭的整個(gè)側(cè)面，故在圖2L中不會(huì)有殘留的鰭部分。

此外，納米線所暴露的長(zhǎng)度也可通過形成鰭凹部13R的蝕刻步驟(如圖2F)來決定。請(qǐng)參考圖3A與圖4A，其對(duì)應(yīng)了在圖2E中的鰭13F的上視圖。在一個(gè)實(shí)施方案中，形成如圖2F的鰭凹部所使用的遮罩會(huì)覆蓋整個(gè)鰭13F，如圖3B所示。而在另一個(gè)實(shí)施方案中，僅有部分的鰭13被遮罩覆蓋，如圖 4B所示。

在進(jìn)行完圖3B和圖4B以形成鰭凹部的步驟后，接著形成鍺基插塞(圖2G)。在懸浮的納米線的實(shí)施方案中，當(dāng)形成鍺基插塞形成后，形成蓋氧化物(掩蔽氧化物，cap oxide)20并暴露出其中央部(如圖3C與圖4C中的虛線表示)。該中央的開口部是通過微影與蝕刻制程來形成。當(dāng)開口部被暴露出來后，透過如圖2I至圖2J的步驟來移除鍺基插塞15下方的具有硅材質(zhì)的鰭，接著如圖2K進(jìn)行氧化/退火制程，以形成懸浮的納米線，最后再移除蓋氧化物20。圖3C與圖4C對(duì)應(yīng)顯示了鍺基插塞15進(jìn)行氧化/退火制程后形成納米線17的步驟，而圖3D與圖4D則是沿著圖3C與圖4C的Y切線所繪制的剖面示意圖。如圖3D的實(shí)施方案，整個(gè)納米線17會(huì)被暴露出來，但在圖4D的實(shí)施方案中，則僅有部分的納米線17被暴露出來。在圖3D中，該納米線17連接位在底下的硅接墊(silicon pad)30，且需注意的是為了繪圖的簡(jiǎn)潔，圖3D并沒有顯示出外殼16。在圖4D中，納米線的兩終端點(diǎn)連接至硅接墊30。

本發(fā)明所示的鍺基納米線結(jié)構(gòu)可作為柵極結(jié)構(gòu)3中的通道3’部位，其位在漏極1與源極2之間，而構(gòu)成了如圖5A與圖5B所示的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(field effect transistor，F(xiàn)ET)結(jié)構(gòu)。圖5A繪示了立體示意圖，圖5B則繪示了上視圖。在圖5B中，共用源極墊4與共用漏極墊5使用了與納米線17不同的材料。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案中，納米線17包含了硅材質(zhì)的源極區(qū)1與漏極區(qū)2，以及鍺材質(zhì)的通道區(qū)3’。而根據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)品的設(shè)計(jì)不同，其源極區(qū)與漏極區(qū)也可各自包含相同或不同的材料。圖5A顯示了納米線兩端終點(diǎn)延伸終點(diǎn)為硅接墊4和5；圖5C顯示了納米線設(shè)置在硅接墊4和5的上方。

上文中描述了一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，由此形成的納米線大致相同的直徑。然而，具有納米線的FET結(jié)構(gòu)，需要考慮不同的驅(qū)動(dòng)電流強(qiáng)度和不同閾值電壓，而在具有全部相同直徑的納米線若需要呈現(xiàn)不同的驅(qū)動(dòng)電流強(qiáng)度和不同閥值電壓，則必須個(gè)別調(diào)控其柵極功函數(shù)。這對(duì)于裝置的設(shè)計(jì)以及制作流程都是極大的考驗(yàn)，也增加了制作的成本。

本發(fā)明的另外的實(shí)施方案中，提供了具有不同直徑的納米線結(jié)構(gòu)與其制作方法。不同直徑的納米線可以被用來連接具有不同的半導(dǎo)體特性或類似的半導(dǎo)體特性的場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的源極和漏極區(qū)。

請(qǐng)參考圖6A至圖6J，其繪示了本發(fā)明中用來形成有不同納米線的實(shí)施 方案示意圖，其中部分步驟與實(shí)施方式與前述實(shí)施方案中圖1A至圖1J相同或類似，故重復(fù)的部分不再加以描述。本實(shí)施方案特別之處在于，鰭13F與鰭13F’具有不同的寬度，這可以通過圖案化遮罩11的微影或蝕刻步驟來定義。舉例來說，在圖6B中，兩大體上平行的線圖案12L與12L’具有不同的寬度，并通過微影步驟的調(diào)控，后續(xù)形成的鰭13F與鰭13F’的寬度即可不同。并且，由于鰭凹部的深度可以調(diào)控，經(jīng)過退火后的納米線的尺寸也可以被精確控制，而各自形成所期望的不同直徑的納米線。因此，這些不同直徑比例的納米線可根據(jù)產(chǎn)品設(shè)計(jì)而形成。圖6I顯示了不同尺寸形成的鍺基插塞15與鍺基插塞15’，因此，在圖6J中所形成的納米線17與納米線17’也具有不同的尺寸。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案中，納米線17與納米線17’的截面的尺寸具有預(yù)定比值，且該比值可為整數(shù)。

由于鰭13F與鰭13F’存在著寬度上的差異，因此，氧化/退火制程必須也有調(diào)整。一般來說，氧化/退火過程是由時(shí)間和濃度來控制。如果鰭13F’的寬度與鰭13F的寬度比例為2:1，在兩者都在相同氧化回火的環(huán)境下，則兩者充分完成退火的時(shí)間會(huì)正比于其寬度，也就是近似于2:1。在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案中，可以控制退火時(shí)間以個(gè)別控制每個(gè)納米線的退火程度。而在本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方案中，退火時(shí)間以能滿足最寬的鍺基插塞15’或納米線17’為主，故能使所有的納米線都被完全退火。以此方式，鍺基插塞15的尺寸主要是由鰭凹部13R的寬度來決定，而非由退火制程的制程變異來決定。

請(qǐng)參考圖7A至圖7M，其繪示了本發(fā)明一種形成具有不同直徑的納米線的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的步驟示意圖。本實(shí)施方案一開始的步驟大致上與前述實(shí)施方案的圖1A至圖1H相同。然而，在進(jìn)行如圖7H的回蝕刻氧化物后，額外地進(jìn)行遮罩(masking)步驟。如圖7I所示，遮罩40會(huì)覆蓋在鰭13F與鍺基插塞15以及部分位在淺溝槽隔離14中的氧化層上，但會(huì)暴露鰭13F’、鍺基插塞15’與部分位在淺溝槽隔離14的氧化層。遮罩40可避免鰭13F與鍺基插塞15接受其他制程的修飾。遮罩40可以是光阻層或是硬遮罩的材質(zhì)，例如氮化硅(Si₃N₄)。而未被遮罩40覆蓋而暴露的鰭13F’與鍺基插塞15’，則施加處理，例如是氧化處理或是蝕刻步驟。如圖7J所示，氧化處理使一部分的鰭13F’以及部分的鍺基插塞15’形成二氧化硅。由于鰭13F與鍺基插塞15被遮罩40覆蓋，因此，其并不會(huì)被氧化所消耗。因此如圖7K所示，鰭13F’與鍺基插塞15’，相較于鰭13F與鍺基插塞15而言，具有較小的尺寸。這種 尺寸的差異將會(huì)導(dǎo)致后續(xù)納米線的不同。如圖7L所示，進(jìn)行氧化/退火步驟以部分地氧化半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)，詳細(xì)的步驟如前述實(shí)施方案的圖1I所示。最后圖7M所示，即可形成具有不同尺寸的納米線17與17’。值得注意的是，前述以薄化暴露的鰭13F’與鍺基插塞15’的步驟可以用一次性的步驟完成，或者透過多次的工序來完成，以達(dá)到選擇性薄化尺寸的目的。

在本發(fā)明另外一個(gè)實(shí)施方案中，前述未被遮罩40覆蓋的鰭13F’與鍺基插塞15’也可進(jìn)行額外的處理以增加其尺寸。舉例來說，該處理包含清洗步驟(以剝離原生氧化物)以及選擇性磊晶生長(zhǎng)制程。在選擇性磊晶成長(zhǎng)制程中，可以使用含氯的硅前體，如四氯化硅(SiCl₄)和二氯硅烷(H₂SiCl₂)，或是使用硅烷(SiH₄)和鹽酸(HCl)的混合物。選擇性磊晶成長(zhǎng)的溫度取決于所使用的硅前體材料。

本發(fā)明具有不同尺寸的納米線可以具有不同的驅(qū)動(dòng)電流和/或不同的閾值電壓。如此一來，可以通過這種控制不同氧化處理后的插塞的相對(duì)尺寸的方式，而進(jìn)行調(diào)控由鍺基插塞15與15’所生成的納米線的電路特性。

另一方面，也可參考搭配圖2A至圖2L的實(shí)施方式，而形成具有懸浮結(jié)構(gòu)且不同尺寸的納米線結(jié)構(gòu)。

綜上所述，本發(fā)明提供了一種鍺基質(zhì)的納米線結(jié)構(gòu)，以增加其載流子遷移率。本發(fā)明還提供一種得以形成不同尺寸的納米線結(jié)構(gòu)的方法，并可通過適當(dāng)?shù)闹瞥陶{(diào)控彼此之間尺寸的比例。

以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案，所有依本發(fā)明權(quán)利要求書所做的各種變化與修飾，均應(yīng)屬于本發(fā)明的涵蓋范圍。

符號(hào)說明

10 基底 18 絕緣層

11 光阻層 1 源極

12L、12L’ 線圖案 2 漏極

12S 溝槽 3 柵極結(jié)構(gòu)

13T 溝槽 3’ 通道區(qū)

13F、13F’、13F” 鰭 4 接觸墊

13R 鰭 5 接觸墊

14 淺溝槽隔離 20 蓋氧化物

15、15’ 鍺基插塞 30 硅接墊

16、16’ 外殼 40 遮罩

17、17’ 納米線