技術(shù)編號：11955599
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，特別來說，涉及一種具有納米線的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)本發(fā)明涉及一種形成包含有鰭狀結(jié)構(gòu)(finstructure)半導(dǎo)體集成電路中形成納米線(nanowire)的方法。由于現(xiàn)今的集成電路正朝向更高積集度的方向發(fā)展，三維結(jié)構(gòu)的鰭狀結(jié)構(gòu)已逐漸取代熟知的平面晶體管(planartransistor)，由此增加電子電路的積集度。除此之外，納米線也較多采用鍺(germanium)材質(zhì)，相較于熟知的硅(silicon)，可以獲得優(yōu)選的載流子移動率(carriermobility)?，F(xiàn)今...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。