1.一種在半導(dǎo)體基底上形成納米線的方法，包含：
形成半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)包含多個(gè)具有半導(dǎo)體材料的鰭，以及淺溝槽隔離設(shè)置在所述鰭之間；
形成多個(gè)鰭凹部，包含移除所述鰭的上部分，以使各所述鰭的上表面低于該淺溝槽隔離的上表面；
在各所述鰭凹部中形成鍺基半導(dǎo)體材料，以形成多個(gè)鍺基插塞；
形成所述鍺基插塞后，移除部分的該淺溝槽隔離的上部分，以暴露出所述鍺基插塞的側(cè)壁；以及
進(jìn)行退火制程，以使所述鍺基插塞的周?chē)纬裳趸瘜樱纬杀辉撗趸瘜影驳募{米線，并使該淺溝槽隔離的至少一部分形成絕緣層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的在半導(dǎo)體基底上形成納米線的方法，其中在形成該半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)的步驟中，包含使其中一個(gè)該鰭的寬度與其他所述鰭的寬度不同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的在半導(dǎo)體基底上形成納米線的方法，在移除部分的該淺溝槽隔離的上部分以暴露出所述鍺基插塞的側(cè)壁之后，以及進(jìn)行該退火制程之前，還包含：
形成遮罩，覆蓋在至少一個(gè)該鍺基插塞上，并暴露至少一個(gè)該鍺基插塞，以形成一部分遮罩的半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)；
對(duì)該部分遮罩的半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)進(jìn)行氧化制程；以及
進(jìn)行該氧化制程后，移除該遮罩。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的在半導(dǎo)體基底上形成納米線的方法，其中該鍺基插塞包含鍺(Ge)或鍺錫(GeSn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的在半導(dǎo)體基底上形成納米線的方法，其中該鍺基插塞包含鍺，且形成該鰭凹部時(shí)，該鰭凹部的寬度與深度比為1:1。
6.根據(jù)權(quán)利要求4的在半導(dǎo)體基底上形成納米線的方法，其中該鍺基插塞包含鍺錫，且形成該鰭凹部時(shí)，該鰭凹部的寬度與深度比為1:2。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的在半導(dǎo)體基底上形成納米線的方法，在形成該半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)之前，進(jìn)一步包含決定其中一個(gè)納米線的第一目標(biāo)尺寸，并根據(jù)該第一目標(biāo)尺寸以形成該半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)中的所述鰭的尺寸，以及所述鰭凹 部的尺寸。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的在半導(dǎo)體基底上形成納米線的方法，在形成該半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)之前，進(jìn)一步包含決定其中一個(gè)納米線的第二目標(biāo)尺寸，并根據(jù)該第一目標(biāo)尺寸與該第二目標(biāo)尺寸以形成該半導(dǎo)體鰭狀結(jié)構(gòu)中的所述鰭的尺寸，以及所述鰭凹部的尺寸，其中該第一目標(biāo)尺寸與該第二目標(biāo)尺寸不同。
9.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包含：
基底；
第一納米線設(shè)置在該基底上；
第二納米線設(shè)置在該基底上；
第一接觸墊設(shè)置在該第一納米線的第一端與該第二納米線的第一端；
第二接觸墊設(shè)置在該第一納米線的第二端與該第二納米線的第二端，其中該第一接觸墊、該第二接觸墊的材質(zhì)與該第一納米線、該第二納米線的材質(zhì)不同；以及
柵極結(jié)構(gòu)包圍該第一納米線的部分與該第二納米線的部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第一納米線的剖面具有第一尺寸，該第二納米線的剖面具有第二尺寸，該第一尺寸不同于該第二尺寸，且兩者的比值為預(yù)定值。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該預(yù)定值為整數(shù)。
12.根據(jù)權(quán)利要求9的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第一接觸墊與該第二接觸墊共用該第一納米線與該第二納米線，且設(shè)置在該第一納米線與該第二納米線的兩端。
13.根據(jù)權(quán)利要求9的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中第一納米線與該第二納米線透過(guò)其端點(diǎn)介面電性連接該第一接觸墊與該第二接觸墊。
14.根據(jù)權(quán)利要求9的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第一納米線與該第二納米線設(shè)置在該第一接觸墊與該第二接觸墊的頂面上。
15.根據(jù)權(quán)利要求9的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第一接觸墊、該第二接觸墊的材質(zhì)與該第一納米線、該第二納米線具有不同的半導(dǎo)體材質(zhì)。
16.根據(jù)權(quán)利要求9的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該第一納米線包含源極區(qū)、漏極區(qū)以及通道區(qū)，該通道區(qū)在該源極區(qū)和該漏極區(qū)之間，其中該通道區(qū)的材質(zhì)與該源極區(qū)與該漏極區(qū)的不同。
17.根據(jù)權(quán)利要求9的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該基底具有鰭，對(duì)應(yīng)該第一納 米線與該第二納米線。