1.一種MOS晶體管的形成方法，其特征在于，包括：
提供半導(dǎo)體襯底；
在所述半導(dǎo)體襯底上形成柵極結(jié)構(gòu)；
在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底內(nèi)形成源極材料層和漏極材料層；
在所述半導(dǎo)體襯底、柵極結(jié)構(gòu)、源極材料層和漏極材料層上形成第一介質(zhì)層；
在所述第一介質(zhì)層內(nèi)形成底部露出所述源極材料層的第一源極通孔和底部露出所述漏極材料層的第一漏極通孔；
刻蝕去除所述第一源極通孔底部的部分源極材料層和所述第一漏極通孔底部的部分漏極材料層；
在剩余的源極材料層和剩余的漏極材料層上形成金屬硅化物層。
2.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，刻蝕去除部分源極材料層和部分漏極材料層之前，對(duì)所述第一源極通孔底部露出的源極材料層和所述第一漏極通孔底部露出的漏極材料層進(jìn)行非晶化離子注入。
3.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述非晶化離子注入的注入離子類(lèi)型為鍺、硅、碳、氮和氬離子中的至少一種。
4.如權(quán)利要求3所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述非晶化離子注入的注入離子類(lèi)型為鍺，離子注入能量為大于等于2keV小于等于7keV，離子注入劑量為大于等于1E13atom/cm2且小于等于1E15atom/cm2。
5.如權(quán)利要求3所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述非晶化離子注入的注入離子類(lèi)型為硅，離子注入能量為大于等于2keV小于等于8keV，離子注入劑量為大于等于1E13atom/cm2且小于等于1E15atom/cm2。
6.如權(quán)利要求3所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述非晶化離子注入的注入離子類(lèi)型為碳，離子注入能量為大于等于2keV小于等于22keV，離子注入劑量為大于等于1E13atom/cm2且小于等于1E15atom/cm2。
7.如權(quán)利要求2所述的晶體管的形成方法，其特征在于，刻蝕去除第一源極 通孔底部的部分源極材料層和第一漏極通孔底部的部分漏極材料層之后，形成金屬硅化物層之前，還包括對(duì)剩余的源極材料層和剩余的漏極材料層進(jìn)行退火處理。
8.如權(quán)利要求7所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述退火為激光退火，所述退火處理的溫度為大于等于800℃且小于等于1200℃。
9.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述刻蝕為濕法腐蝕或干法刻蝕。
10.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述刻蝕為濕法腐蝕時(shí)，所述濕法腐蝕劑為四甲基氫氧化銨溶液。
11.如權(quán)利要求2所述的晶體管的形成方法，其特征在于，去除部分源極材料層和漏極材料層的深度小于等于所述非晶化離子注入的深度。
12.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述晶體管為PMOS，所述源極材料層和漏極材料層包括鍺硅層；所述晶體管為NMOS，所述源極材料層和漏極材料層包括碳化硅層。
13.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，形成金屬硅化物層后，在所述第一源極通孔內(nèi)和第一漏極通孔內(nèi)填充滿第二介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層與所述第一介質(zhì)層相平。
14.如權(quán)利要求13所述的晶體管的形成方法，其特征在于，在所述第一源極通孔內(nèi)的第二介質(zhì)層內(nèi)形成第二源極通孔，所述第二源極通孔底部露出所述金屬硅化物層；
在所述第一漏極通孔內(nèi)的第二介質(zhì)層內(nèi)形成第二漏極通孔，所述第二漏極通孔底部露出所述金屬硅化物層。
15.如權(quán)利要求1所述的晶體管的形成方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底具有鰭部，所述柵極結(jié)構(gòu)橫跨所述鰭部，并覆蓋所述鰭部的頂部和側(cè)壁；
在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭部?jī)?nèi)形成源極材料層和漏極材料層。