1.一種芯片封裝基板，其包括：助焊層，第一導(dǎo)電線路層、導(dǎo)電柱與防焊層，所述防焊層包括多個第一開口，所述助焊層與所述第一導(dǎo)電線路層均形成在多個所述第一開口中，所述第一導(dǎo)電線路層形成在所述助焊層的表面，所述導(dǎo)電柱形成于所述第一導(dǎo)電線路層的表面，并向遠(yuǎn)離所述第一導(dǎo)電線路層的表面延伸。
2.如權(quán)利要求1所述的芯片封裝基板，其特征在于，所述芯片封裝基板還包括模塑材料，所述模塑材料形覆蓋部分所述第一導(dǎo)電線路層且包覆所述導(dǎo)電柱，所述導(dǎo)電柱遠(yuǎn)離所述第一導(dǎo)電線路層的表面的與所述模塑材料相齊平。
3.如權(quán)利要求2所述的芯片封裝基板，其特征在于，所述封裝基板還包括線路基板，所述線路基板包括位于防焊層表面的第一金屬層，位于第一金屬層表面的絕緣層以及第二導(dǎo)電線路層，所述絕緣層中設(shè)置有導(dǎo)電孔，所述導(dǎo)電孔導(dǎo)通第一金屬層與第二導(dǎo)電線路層，所述線路基板包括一個第三開口，所述第三開口暴露所述助焊層與部分所述防焊層，所述第三開口的位置設(shè)置芯片。
4.如權(quán)利要求3所述的芯片封裝基板，其特征在于，所述助焊層包括金層與鎳層，所述第三開口暴露所述金層與部分所述防焊層，所述第一導(dǎo)電線路層形成在所述鎳層的表面。
5.一種芯片封裝結(jié)構(gòu)，其包括：芯片封裝基板與芯片；所述芯片封裝基板其包括助焊層，第一導(dǎo)電線路層、導(dǎo)電柱與防焊層，所述防焊層包括多個第一開口，所述助焊層與所述第一導(dǎo)電線路層均形成在多個所述第一開口中，所述第一導(dǎo)電線路層形成在所述助焊層的表面，所述導(dǎo)電柱形成于所述第一導(dǎo)電線路層的表面并向遠(yuǎn)離所述第一導(dǎo)電線路層的表面延伸，所述芯片與所述助焊層電性連接。
6.如權(quán)利要求5所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片封裝基板還包括模塑材料，所述模塑材料形覆蓋部分所述第一導(dǎo)電線路層且包覆所述導(dǎo)電柱，所述導(dǎo)電柱遠(yuǎn)離所述第一導(dǎo)電線路層的表面的與所述模塑材料相齊 平。
7.如權(quán)利要求6所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述模塑材料的熱膨脹系數(shù)與所述芯片的熱膨脹系數(shù)相接近。
8.如權(quán)利要求6所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝基板還包括線路基板，所述線路基板包括位于防焊層表面的第一金屬層，位于第一金屬層表面的絕緣層以及第二導(dǎo)電線路層，所述絕緣層中設(shè)置有導(dǎo)電孔，所述導(dǎo)電孔導(dǎo)通第一金屬層與第二導(dǎo)電線路層，所述線路基板包括一個第三開口，所述第三開口暴露部分所述助焊層與部分所述防焊層，所述芯片收容于所述第三開口。
9.一種芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，包括步驟：
提供雙面覆銅基板，所述雙面覆銅基板包括絕緣層、位于絕緣層相背兩個表面的第一金屬層與第二金屬層；
在所述第一金屬層表面形成防焊層，所述防焊層包括多個第一開口，第一開口裸露出部分所述第一金屬層；
在所述第一開口中形成助焊層，在助焊層表面形成第一導(dǎo)電線路層，在所述第一導(dǎo)電線路層的遠(yuǎn)離所述第一金屬層的表面形成導(dǎo)電柱；
在雙面覆銅基板中從第二金屬層向第一金屬層的方向形成第三開口，所述第三開口裸露出部分防焊層與所述助焊層；
在所述第三開口內(nèi)容置一芯片，并使所述芯片電連接所述助焊層，形成所述芯片封裝結(jié)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求9所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，在形成芯片之前還包括在所述防焊層的表面上形成模塑材料，所述模塑材料包覆所述第一導(dǎo)電線路層與所述導(dǎo)電柱，所述導(dǎo)電柱遠(yuǎn)離所述第一導(dǎo)電線路層的表面與所述模塑材料遠(yuǎn)離所述導(dǎo)電線路層的表面相齊平。
11.如權(quán)利要求9所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述助焊層括鎳層與金層，所述金層先于所述鎳層形成，所述第一導(dǎo)電線路層形成在所述鎳層的表面，所述芯片設(shè)置在所述金層表面。
12.如權(quán)利要求9所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，形成所述導(dǎo)電柱包括步驟：
在所述第一導(dǎo)電線路層的表面與防焊層的表面形成第二阻擋層與第三阻擋層，對所述第二阻擋層進(jìn)行曝光顯影，使第二組當(dāng)成形成多個第二開口，所述第二開口暴露部分所述第一導(dǎo)電線路層；
對從所述第二開口露出的所述第一導(dǎo)電線路層上進(jìn)行電鍍形成導(dǎo)電柱；
移除所述第三阻擋層與第四阻擋層。
13.如權(quán)利要求9所述的芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，形成所述模塑材料包括步驟：
制作模穴，所述模穴的結(jié)構(gòu)與所述導(dǎo)電柱的結(jié)構(gòu)互補(bǔ)；
將形成導(dǎo)電柱后的載體放入所述模穴中；
以模流的方式將成型材料流入并填滿所述模穴，使成型材料包覆所述第一導(dǎo)電線路層與所述導(dǎo)電柱，待所述成型材料干燥后進(jìn)行脫模，所述模塑材料即包覆所述第一導(dǎo)電線路層與所述導(dǎo)電柱。