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檢測(cè)裝置及半導(dǎo)體加工設(shè)備的制作方法

文檔序號(hào):11836237閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種檢測(cè)裝置,用于檢測(cè)腔室內(nèi)的檢測(cè)位置是否存在晶片,所述檢測(cè)裝置包括發(fā)射部和接收部;其特征在于,還包括反射部,其中,

所述發(fā)射部用于朝向所述反射部發(fā)送光;

所述反射部用于將所述發(fā)射部發(fā)送的光反射至少一次且反射至所述接收部;

所述接收部用于接收所述反射部反射回來的光;

所述發(fā)射部和所述反射部對(duì)應(yīng)設(shè)置在位于檢測(cè)位置的晶片的上下兩側(cè),所述接收部與所述發(fā)射部設(shè)置在同一側(cè),光傳輸路徑經(jīng)過位于所述檢測(cè)位置的晶片所在位置,通過判斷所述接收部是否接收到光來判斷檢測(cè)位置是否存在晶片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)裝置,其特征在于,所述反射部為具有鏡面反射功能的反射部。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測(cè)裝置,其特征在于,在所述反射部的朝向晶片的表面上形成有凹部,所述凹部的側(cè)壁為具有鏡面反射功能的表面,且其與水平面之間的夾角為45°;

所述發(fā)射部用于沿豎直方向朝向所述凹部的側(cè)壁發(fā)送光,以實(shí)現(xiàn)光在所述凹部的側(cè)壁經(jīng)過兩次反射后沿豎直方向朝向所述接收部射出。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的檢測(cè)裝置,其特征在于,所述反射部采用不銹鋼材料制成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)裝置,其特征在于,所述反射部為具有全反射功能的反射部,所述發(fā)射部用于沿垂直所述反射部上表面的方向朝向所述反射部發(fā)送光,以實(shí)現(xiàn)光在所述反射部內(nèi)經(jīng)過兩次反射后朝向所述接收部全反射射出。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的檢測(cè)裝置,其特征在于,所述反射部采用石英或玻璃材料制成。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的檢測(cè)裝置,其特征在于,所述反射部的上表面水平設(shè)置,所述反射部的側(cè)壁與水平面之間的夾角為45°。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的檢測(cè)裝置,其特征在于,所述反射部為棱鏡。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)裝置,其特征在于,所述發(fā)射部和所述接收部均設(shè)置在所述腔室的外壁上,

在所述腔室的腔室壁上的發(fā)射部和接收部所在位置處安裝有透明窗。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)裝置,其特征在于,所述反射部設(shè)置在所述腔室的內(nèi)壁上。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)裝置,其特征在于,所述反射部設(shè)置在所述腔室的外壁上,

在所述腔室的腔室壁上的反射部所在位置處安裝有透明窗。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所示的檢測(cè)裝置,其特征在于,所述發(fā)射部與所述反射部之間以及所述反射部與所述接收部之間的光傳輸路徑均經(jīng)過位于所述檢測(cè)位置的晶片所在位置。

13.一種半導(dǎo)體加工設(shè)備,包括檢測(cè)裝置,其特征在于,所述檢測(cè)裝置采用權(quán)利要求1-12任意一項(xiàng)所述的檢測(cè)裝置。

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