技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開一種碳化硅接面能障蕭特基整流器，包含一碳化硅基板、一漂移層、一p型摻雜區(qū)域、多個(gè)接面場(chǎng)效應(yīng)區(qū)域、一第一金屬層以及一第二金屬層。所述漂移層設(shè)置于所述碳化硅基板上，所述接面場(chǎng)效應(yīng)區(qū)域設(shè)置于所述漂移層內(nèi)，且由所述p型摻雜區(qū)域環(huán)繞，所述第一金屬層設(shè)置于所述漂移層上，所述第二金屬層設(shè)置于所述碳化硅基板遠(yuǎn)離所述漂移層的一側(cè)。本發(fā)明借由于所述接面場(chǎng)效應(yīng)區(qū)域設(shè)置N個(gè)圓區(qū)域以及(N-1)個(gè)連接于兩所述圓區(qū)域之間的連接區(qū)域，利用所述圓區(qū)域及所述連接區(qū)域的幾何特性，有效降低元件的漏電流并提升耐壓，改善現(xiàn)有蕭特基障壁二極管具有較大漏電流的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：顏誠(chéng)廷;洪建中;李傳英;李隆盛
受保護(hù)的技術(shù)使用者：瀚薪科技股份有限公司
文檔號(hào)碼：201510162864
技術(shù)研發(fā)日：2015.04.08
技術(shù)公布日：2016.11.23