本發(fā)明涉及整流器件領(lǐng)域，特別是涉及一種微型表面貼裝半導(dǎo)體整流器件。

背景技術(shù)：

微型表面貼裝半導(dǎo)體整流器件是一種具有單向傳導(dǎo)電流的電子器件，現(xiàn)有微型表面貼裝半導(dǎo)體整流器件主要存以下技術(shù)問(wèn)題：一方面，器件的內(nèi)部材料連接方式主要是通過(guò)焊片在高溫下融化將芯片與引線牢固的連接在一起，但銅質(zhì)引線與焊錫很難做到100%的融合，通常芯片與連接片有效焊接面積為85%，而引線這一端只有60%左右，導(dǎo)致在大電流通過(guò)時(shí)，電流分布不均勻，降低了產(chǎn)品承受浪涌的能力。

“焊接”是整流器件生產(chǎn)的關(guān)鍵工藝，特別是二極管類整流器件，設(shè)計(jì)到芯片與導(dǎo)電引線位置是否工整、焊片是否重復(fù)擺放、爐溫溫度設(shè)計(jì)是否合理等等，焊接產(chǎn)生的不良品占不良品總量達(dá)到80%以上，焊接環(huán)節(jié)是否處理得當(dāng)直接影響產(chǎn)品的最終品質(zhì)，本項(xiàng)目即在整流器件產(chǎn)品設(shè)計(jì)和生產(chǎn)工藝進(jìn)行一系列的改良。生產(chǎn)出新一代二極管整流器件。

另一方面，除大功率器件外，普通整流器件芯片是正方形，焊片為圓形。在通過(guò)高溫焊接隧道爐中，焊片即融化為液體，分別連接芯片和導(dǎo)電引線。由于焊片在高溫后呈現(xiàn)不規(guī)則形狀，融化后與芯片的四個(gè)邊距離均小于0.2mm，一旦芯片與焊片位置有輕微的傾斜或者焊接溫度以及焊接速度有輕微的偏差，焊錫降流向芯片的邊緣處，從而接觸到芯片的另一面，流過(guò)的焊錫將會(huì)變成一條導(dǎo)線，整流器件直接變?yōu)閷?dǎo)線，形成短路而無(wú)法使用；另一種情況是即使焊錫沒(méi)有接觸到芯片邊緣，客戶在使用過(guò)程中產(chǎn)生高溫使焊片融化也會(huì)有上述情況，導(dǎo)致客戶損失加大。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明主要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種微型表面貼裝半導(dǎo)體整流器件，增加了接觸面積，連接片與引線接觸區(qū)將增加了65%以上，二極管器件與PCB焊接強(qiáng)度提高，從而提高了拉伸強(qiáng)度并改善了電性能。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種微型表面貼裝半導(dǎo)體整流器件，包括位于環(huán)氧封裝體內(nèi)的第一引線條、第二引線條、連接片和二極管芯片，該第一引線條一端是與二極管芯片連接的支撐區(qū)，所述二極管芯片一端通過(guò)焊錫膏與該支撐區(qū)電連接，第一引線條另一端是第一引腳區(qū)，該第一引線條的第一引腳區(qū)作為所述整流器的電流傳輸端；所述連接片兩端分別為第一焊接端和第二焊接端；所述第二引線條一端是與所述連接片的第一焊接端連接的焊接區(qū)，該第二引線條另一端為第二引腳區(qū)，該第二引線條的第二引腳區(qū)作為所述整流器的電流傳輸端；所述連接片第二焊接端與二極管芯片另一端通過(guò)焊錫膏電連接；所述二極管芯片包括表面設(shè)有重?fù)诫sN型區(qū)的重?fù)诫sP型單晶硅片，此重?fù)诫sN型區(qū)與重?fù)诫sP型單晶硅片接觸，重?fù)诫sN型區(qū)四周設(shè)有溝槽，此溝槽位于重?fù)诫sP型單晶硅片和重?fù)诫sN型區(qū)四周并延伸至重?fù)诫sP型單晶硅片的中部；所述溝槽的表面覆蓋有絕緣鈍化保護(hù)層，此絕緣鈍化保護(hù)層由溝槽底部延伸至重?fù)诫sN型區(qū)表面的邊緣區(qū)域，重?fù)诫sP型區(qū)表面覆蓋有作為電極的第二金屬層；

靠近所述絕緣鈍化保護(hù)層內(nèi)側(cè)的重?fù)诫sN型區(qū)區(qū)域開(kāi)有一U形凹槽，此重?fù)诫sN型區(qū)下表面且位于U形凹槽正下方設(shè)有一向下的凸起部，裸露出的所述重?fù)诫sN型區(qū)和U形凹槽的表面覆蓋作為電極的第一金屬層；所述連接片的第二焊接端為由若干個(gè)波峰面和波谷面交替排列組成的波浪形表面，該波浪形表面通過(guò)焊錫膏層與二極管芯片電連接，所述連接片的波浪形表面末端位于U形凹槽正上方；所述環(huán)氧封裝體底部設(shè)有一條形凸起絕緣部，此條形凸起絕緣部位于第一引線條的第一引腳區(qū)與第二引線條的第二引腳區(qū)之間，位于條形凸起絕緣部的兩側(cè)表面和下表面分別設(shè)有第一弧形凹陷區(qū)、第二弧形凹陷區(qū)和第三弧形凹陷區(qū)，第一弧形凹陷區(qū)和第二弧形凹陷區(qū)分別與第一引線條的第一引腳區(qū)和第二引線條的第二引腳區(qū)相對(duì)設(shè)置；所述環(huán)氧封裝體的上表面設(shè)有凹陷區(qū)，此凹陷區(qū)位于二極管芯片正上方。

優(yōu)選的，所述第一引線條的支撐區(qū)與第一引腳區(qū)之間區(qū)域設(shè)有一第一折彎處，從而使得第一引線條的支撐區(qū)低于第一引腳區(qū)；所述第二引線條的焊接區(qū)與第二引腳區(qū)之間區(qū)域設(shè)有一第二折彎處，從而使得第二引線條的焊接區(qū)低于第二引腳區(qū)；所述連接片的第一焊接端和第二焊接端之間設(shè)有第三折彎處，從而使得第一焊接端低于第二焊接端。

優(yōu)選的，所述第二引線條的焊接區(qū)兩側(cè)設(shè)有擋塊。

優(yōu)選的，所述第二引線條的焊接區(qū)的面積大于所述第一焊接端的面積。

本發(fā)明的有益效果是：1、本發(fā)明微型表面貼裝半導(dǎo)體整流器件，其連接片的第二焊接端為由若干個(gè)波峰面和波谷面交替排列組成的波浪形表面，該波浪形表面通過(guò)所述焊錫膏與二極管芯片電連接，所述連接片的波浪形表面末端位于U形凹槽正上方，根據(jù)產(chǎn)品的規(guī)格不同可以設(shè)計(jì)3~6個(gè)紋路，在焊接過(guò)程中，連接片在高溫的作用下變成流動(dòng)的液體，將填充到波浪區(qū)中，增加了接觸面積，連接片與引線接觸區(qū)將增加了65%以上，二極管器件與PCB焊接強(qiáng)度提高，從而提高了拉伸強(qiáng)度，電性能改善了，在不改變引線、芯片以及本體面積的情況下，僅在引線設(shè)計(jì)時(shí)增加10%的引線長(zhǎng)度即可解決長(zhǎng)期困擾焊接工藝的難題，在僅增加1.3%的成本下創(chuàng)造了產(chǎn)品利潤(rùn)提升了7個(gè)百分點(diǎn)；同時(shí)由于采用新型的引線焊接點(diǎn)，在采用本工藝，使分立器件關(guān)鍵的焊接工藝水平得到了大幅度的提高，產(chǎn)品在承受不穩(wěn)定或大電流時(shí)，器件始終處于良好的使用狀態(tài)；其次，其采用本項(xiàng)目設(shè)計(jì)的新型引線焊接點(diǎn)，能使從外部傳遞到焊接區(qū)的硬拉力逐步被吸收，保證了焊接點(diǎn)免受機(jī)械損傷，在生產(chǎn)過(guò)程中不會(huì)發(fā)生任何的內(nèi)部開(kāi)裂等不良品，客戶對(duì)芯片開(kāi)裂的投訴從每年8件下降到不超過(guò)2件。

2、本發(fā)明微型表面貼裝半導(dǎo)體整流器件，其靠近所述絕緣鈍化保護(hù)層內(nèi)側(cè)的重?fù)诫sN型區(qū)區(qū)域開(kāi)有一U形凹槽，此重?fù)诫sN型區(qū)下表面且位于U形凹槽正下方設(shè)有一向下的凸起部，裸露出的所述重?fù)诫sN型區(qū)和U形凹槽的表面覆蓋作為電極的第一金屬層；圓形焊片在大于260℃的焊接隧道中開(kāi)始融化并呈不規(guī)則狀，開(kāi)始在導(dǎo)電引線的壓迫下流向芯片的邊緣，在焊接時(shí)間和溫度不能絕對(duì)控制的情況下，焊錫流過(guò)芯片的外保護(hù)層形成“錫橋”，設(shè)有導(dǎo)流槽的芯片此時(shí)開(kāi)始吸收融化的焊片，由于導(dǎo)流槽是環(huán)形設(shè)計(jì)，任何方向的多余焊錫都將進(jìn)入焊接的導(dǎo)流槽，且導(dǎo)流槽內(nèi)具有良好的流動(dòng)性，能將多余的焊錫平均進(jìn)行分配，保證了均勻焊接，增加了焊接的強(qiáng)度，使多余的焊錫進(jìn)行了再次利用，焊接面積至少增加了15%，焊接良率也將提升6個(gè)百分點(diǎn)。2.。對(duì)于大功率整流器件設(shè)計(jì)了與焊片面積更為相近的六角形芯片，保證了最大有效焊接面積，使芯片的過(guò)壓保護(hù)能力得以充分發(fā)揮，U型導(dǎo)流槽的寬度與深度根據(jù)芯片面積的大小單獨(dú)設(shè)計(jì)。通過(guò)實(shí)驗(yàn)認(rèn)證，由于焊接面得到了13%以上的擴(kuò)大，使芯片面積從現(xiàn)有的80mil下降到60-65mil，在不影響過(guò)壓保護(hù)能力的的情況下，芯片成本下降了11%，大功率器件焊機(jī)良率達(dá)到97%以上。

3、本發(fā)明微型表面貼裝半導(dǎo)體整流器件，其所述環(huán)氧封裝體底部設(shè)有一條形凸起絕緣部，此條形凸起絕緣部位于第一引線條的引腳區(qū)與第二引線條的引腳區(qū)，位于條形凸起絕緣部的兩側(cè)表面分別設(shè)有第一弧形凹陷區(qū)和第二弧形凹陷區(qū)，此第一弧形凹陷區(qū)和第二弧形凹陷區(qū)分別與第一引線條的引腳區(qū)和第二引線條的引腳區(qū)相對(duì)設(shè)置，實(shí)現(xiàn)在緊湊型產(chǎn)品中，有效的增加了引腳爬電距離，增加了產(chǎn)品本體散熱面積，提高了器件的可靠性和安全性；其次，其環(huán)氧封裝體的上表面設(shè)有凹陷區(qū)，此凹陷區(qū)位于二極管芯片正上方，本體局部減薄設(shè)計(jì)，兼顧了避免本體變形與節(jié)省環(huán)氧，本體局部減薄，有利于內(nèi)部芯片散熱。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明微型表面貼裝半導(dǎo)體整流器件一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是所示微型表面貼裝半導(dǎo)體整流器件中二極管芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖中各部件的標(biāo)記如下：1、第一引線條；2、第二引線條；3、連接片；31、第一焊接端；32、第二焊接端；4、二極管芯片；41、重?fù)诫sP型單晶硅片；42、重?fù)诫sN型區(qū)；43、凸起部；44、溝槽；45、絕緣鈍化保護(hù)層；46、第一金屬層；47、第二金屬層；48、U形凹槽；5、支撐區(qū)；61、第一引腳區(qū)；62、第二引腳區(qū)；7、焊接區(qū)；9、第一折彎處；10、第二折彎處；11、第三折彎處；12、環(huán)氧封裝體；13、波峰面；14、波谷面；15、焊錫膏層；16、條形凸起絕緣部；17、第一弧形凹陷區(qū)；18、第二弧形凹陷區(qū)；19、第三弧形凹陷區(qū)；20、凹陷區(qū)。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)闡述，以使本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對(duì)本發(fā)明的保護(hù)范圍做出更為清楚明確的界定。

請(qǐng)參閱圖1和圖2，本發(fā)明實(shí)施例包括：

實(shí)施例1：一種微型表面貼裝半導(dǎo)體整流器件，包括環(huán)氧封裝體12和設(shè)于環(huán)氧封裝體12內(nèi)的第一引線條1、第二引線條2、連接片3和二極管芯片4，該第一引線條1一端是與二極管芯片4連接的支撐區(qū)5，所述二極管芯片4一端通過(guò)焊錫膏與該支撐區(qū)5電連接，第一引線條1另一端是第一引腳區(qū)61，該第一引線條1的第一引腳區(qū)61作為所述整流器的電流傳輸端；

所述第二引線條2一端是與所述連接片3的第一焊接端31連接的焊接區(qū)7，該第二引線條2另一端為第二引腳區(qū)62，該第二引線條2的第二引腳區(qū)62作為所述整流器的電流傳輸端；所述連接片3第二焊接端32與二極管芯片4另一端通過(guò)焊錫膏電連接；

所述二極管芯片4包括表面設(shè)有重?fù)诫sN型區(qū)42的重?fù)诫sP型單晶硅片41，此重?fù)诫sN型區(qū)42與重?fù)诫sP型單晶硅片41接觸，重?fù)诫sN型區(qū)42四周設(shè)有溝槽44，此溝槽44位于重?fù)诫sP型單晶硅片41和重?fù)诫sN型區(qū)42四周并延伸至重?fù)诫sP型單晶硅片41的中部；所述溝槽44的表面覆蓋有絕緣鈍化保護(hù)層45，此絕緣鈍化保護(hù)層45由溝槽44底部延伸至重?fù)诫sN型區(qū)42表面的邊緣區(qū)域，重?fù)诫sP型區(qū)41表面覆蓋有一層作為另一個(gè)電極的第二金屬層47；

靠近所述絕緣鈍化保護(hù)層45內(nèi)側(cè)的重?fù)诫sN型區(qū)42區(qū)域開(kāi)有一U形凹槽，此重?fù)诫sN型區(qū)42下表面且位于U形凹槽正下方設(shè)有一向下的凸起部43，裸露出的所述重?fù)诫sN型區(qū)42和U形凹槽的表面覆蓋有一層作為電極的第一金屬層46；

所述連接片3的第二焊接端32為由若干個(gè)波峰面13和波谷面14交替排列組成的波浪形表面，該波浪形表面通過(guò)焊錫膏層15與二極管芯片4電連接，所述連接片3的波浪形表面末端位于U形凹槽正上方；

所述環(huán)氧封裝體12底部設(shè)有一條形凸起絕緣部16，此條形凸起絕緣部16位于第一引線條1的第一引腳區(qū)61與第二引線條2的第二引腳區(qū)62之間，位于條形凸起絕緣部16的兩側(cè)表面和下表面分別設(shè)有第一弧形凹陷區(qū)17、第二弧形凹陷區(qū)18和第三弧形凹陷區(qū)19，此第一弧形凹陷區(qū)17和第二弧形凹陷區(qū)18分別與第一引線條1的第一引腳區(qū)61和第二引線條2的第二引腳區(qū)62相對(duì)設(shè)置；

所述環(huán)氧封裝體12的上表面設(shè)有凹陷區(qū)20，此凹陷區(qū)位于二極管芯片4正上方。上述第一引線條1的支撐區(qū)5與第一引腳區(qū)61之間區(qū)域設(shè)有一第一折彎處9，從而使得第一引線條1的支撐區(qū)5低于第一引腳區(qū)61；上述第二引線條2的焊接區(qū)7的面積大于所述第一焊接端31的面積。

實(shí)施例2：一種微型表面貼裝半導(dǎo)體整流器件，包括位于環(huán)氧封裝體12內(nèi)的第一引線條1、第二引線條2、連接片3和二極管芯片4，該第一引線條1一端是與二極管芯片4連接的支撐區(qū)5，所述二極管芯片4一端通過(guò)焊錫膏與該支撐區(qū)5電連接，第一引線條1另一端是第一引腳區(qū)61，該第一引線條1的第一引腳區(qū)61作為所述整流器的電流傳輸端；

所述第二引線條2一端是與所述連接片3的第一焊接端31連接的焊接區(qū)7，該第二引線條2另一端為第二引腳區(qū)62，該第二引線條2的第二引腳區(qū)62作為所述整流器的電流傳輸端；所述連接片3第二焊接端32與二極管芯片4另一端通過(guò)焊錫膏電連接；

所述二極管芯片4包括表面設(shè)有重?fù)诫sN型區(qū)42的重?fù)诫sP型單晶硅片41，此重?fù)诫sN型區(qū)42與重?fù)诫sP型單晶硅片41接觸，重?fù)诫sN型區(qū)42四周設(shè)有溝槽44，此溝槽44位于重?fù)诫sP型單晶硅片41和重?fù)诫sN型區(qū)42四周并延伸至重?fù)诫sP型單晶硅片41的中部；所述溝槽44的表面覆蓋有絕緣鈍化保護(hù)層45，此絕緣鈍化保護(hù)層45由溝槽44底部延伸至重?fù)诫sN型區(qū)42表面的邊緣區(qū)域，重?fù)诫sP型區(qū)41表面覆蓋作為另一個(gè)電極的第二金屬層47；

靠近所述絕緣鈍化保護(hù)層45內(nèi)側(cè)的重?fù)诫sN型區(qū)42區(qū)域開(kāi)有一U形凹槽48，此重?fù)诫sN型區(qū)42下表面且位于U形凹槽48正下方設(shè)有一向下的凸起部43，裸露出的所述重?fù)诫sN型區(qū)42和U形凹槽的表面覆蓋作為電極的第一金屬層46；

所述連接片3的第二焊接端32為由若干個(gè)波峰面13和波谷面14交替排列組成的波浪形表面，該波浪形表面通過(guò)焊錫膏層15與二極管芯片4電連接，所述連接片3的波浪形表面末端位于U形凹槽正上方；

所述環(huán)氧封裝體12底部設(shè)有一條形凸起絕緣部16，此條形凸起絕緣部16位于第一引線條1的第一引腳區(qū)61與第二引線條2的第二引腳區(qū)62之間，位于條形凸起絕緣部16的兩側(cè)表面和下表面分別設(shè)有第一弧形凹陷區(qū)17、第二弧形凹陷區(qū)18和第三弧形凹陷區(qū)19，此第一弧形凹陷區(qū)17和第二弧形凹陷區(qū)18分別與第一引線條1的第一引腳區(qū)61和第二引線條2的第二引腳區(qū)62相對(duì)設(shè)置；

所述環(huán)氧封裝體12的上表面設(shè)有凹陷區(qū)20，此凹陷區(qū)位于二極管芯片4正上方。上述第一引線條1的支撐區(qū)5與第一引腳區(qū)61之間區(qū)域設(shè)有一第一折彎處9，從而使得第一引線條1的支撐區(qū)5低于第一引腳區(qū)61；所述第二引線條2的焊接區(qū)7與第二引腳區(qū)62之間區(qū)域設(shè)有一第二折彎處10，從而使得第二引線條2的焊接區(qū)7低于第二引腳區(qū)62；所述連接片3的第一焊接端31和第二焊接端32之間設(shè)有第三折彎處11，從而使得第一焊接端低于第二焊接端。上述第二引線條2的焊接區(qū)7兩側(cè)設(shè)有擋塊。

采用上述微型表面貼裝半導(dǎo)體整流器件時(shí)，根據(jù)產(chǎn)品的規(guī)格不同可以設(shè)計(jì)3~6個(gè)紋路，在焊接過(guò)程中，連接片在高溫的作用下變成流動(dòng)的液體，將填充到波浪區(qū)中，增加了接觸面積，連接片與引線接觸區(qū)將增加了65%以上，二極管器件與PCB焊接強(qiáng)度提高，從而提高了拉伸強(qiáng)度，電性能改善了，在不改變引線、芯片以及本體面積的情況下，僅在引線設(shè)計(jì)時(shí)增加10%的引線長(zhǎng)度即可解決長(zhǎng)期困擾焊接工藝的難題，在僅增加1.3%的成本下創(chuàng)造了產(chǎn)品利潤(rùn)提升了7個(gè)百分點(diǎn)；同時(shí)由于采用新型的引線焊接點(diǎn)，在采用本工藝，使分立器件關(guān)鍵的焊接工藝水平得到了大幅度的提高，產(chǎn)品在承受不穩(wěn)定或大電流時(shí)，器件始終處于良好的使用狀態(tài)；其次，其采用本項(xiàng)目設(shè)計(jì)的新型引線焊接點(diǎn)，能使從外部傳遞到焊接區(qū)的硬拉力逐步被吸收，保證了焊接點(diǎn)免受機(jī)械損傷，在生產(chǎn)過(guò)程中不會(huì)發(fā)生任何的內(nèi)部開(kāi)裂等不良品，客戶對(duì)芯片開(kāi)裂的投訴從每年8件下降到不超過(guò)2件；再次，其圓形焊片在大于260℃的焊接隧道中開(kāi)始融化并呈不規(guī)則狀，開(kāi)始在導(dǎo)電引線的壓迫下流向芯片的邊緣，在焊接時(shí)間和溫度不能絕對(duì)控制的情況下，焊錫流過(guò)芯片的外保護(hù)層形成“錫橋”，設(shè)有導(dǎo)流槽的芯片此時(shí)開(kāi)始吸收融化的焊片，由于導(dǎo)流槽是環(huán)形設(shè)計(jì)，任何方向的多余焊錫都將進(jìn)入焊接的導(dǎo)流槽，且導(dǎo)流槽內(nèi)具有良好的流動(dòng)性，能將多余的焊錫平均進(jìn)行分配，保證了均勻焊接，增加了焊接的強(qiáng)度，使多余的焊錫進(jìn)行了再次利用，焊接面積至少增加了15%，焊接良率也將提升6個(gè)百分點(diǎn)。對(duì)于大功率整流器件設(shè)計(jì)了與焊片面積更為相近的六角形芯片，保證了最大有效焊接面積，使芯片的過(guò)壓保護(hù)能力得以充分發(fā)揮，U型導(dǎo)流槽的寬度與深度根據(jù)芯片面積的大小單獨(dú)設(shè)計(jì)。通過(guò)實(shí)驗(yàn)認(rèn)證，由于焊接面得到了13%以上的擴(kuò)大，使芯片面積從現(xiàn)有的80mil下降到60-65mil，在不影響過(guò)壓保護(hù)能力的的情況下，芯片成本下降了11%，大功率器件焊機(jī)良率達(dá)到97%以上；其次，其所述環(huán)氧封裝體底部設(shè)有一條形凸起絕緣部，此條形凸起絕緣部位于第一引線條的引腳區(qū)與第二引線條的引腳區(qū)，位于條形凸起絕緣部的兩側(cè)表面分別設(shè)有第一弧形凹陷區(qū)和第二弧形凹陷區(qū)，此第一弧形凹陷區(qū)和第二弧形凹陷區(qū)分別與第一引線條的引腳區(qū)和第二引線條的引腳區(qū)相對(duì)設(shè)置，實(shí)現(xiàn)在緊湊型產(chǎn)品中，有效的增加了引腳爬電距離，增加了產(chǎn)品本體散熱面積，提高了器件的可靠性和安全性；其次，其環(huán)氧封裝體的上表面設(shè)有凹陷區(qū)，此凹陷區(qū)位于二極管芯片正上方，本體局部減薄設(shè)計(jì)，兼顧了避免本體變形與節(jié)省環(huán)氧，本體局部減薄，有利于內(nèi)部芯片散熱。

以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。