1.一種微型表面貼裝半導(dǎo)體整流器件，包括位于環(huán)氧封裝體（12）內(nèi)的第一引線(xiàn)條（1）、第二引線(xiàn)條（2）、連接片（3）和二極管芯片（4），該第一引線(xiàn)條（1）一端是與二極管芯片（4）連接的支撐區(qū)（5），所述二極管芯片（4）一端通過(guò)焊錫膏與該支撐區(qū)（5）電連接，第一引線(xiàn)條（1）另一端是第一引腳區(qū)（61），該第一引線(xiàn)條（1）的第一引腳區(qū)（61）作為整流器的電流傳輸端；所述連接片（3）兩端分別為第一焊接端（31）和第二焊接端（32）；所述第二引線(xiàn)條（2）一端是與所述連接片（3）的第一焊接端（31）連接的焊接區(qū)（7），該第二引線(xiàn)條（2）另一端為第二引腳區(qū)（62），該第二引線(xiàn)條（2）的第二引腳區(qū)（62）作為整流器的電流傳輸端；所述連接片（3）第二焊接端（32）與二極管芯片（4）另一端通過(guò)焊錫膏電連接；所述二極管芯片（4）包括表面設(shè)有重?fù)诫sN型區(qū)（42）的重?fù)诫sP型單晶硅片（41），此重?fù)诫sN型區(qū)（42）與重?fù)诫sP型單晶硅片（41）接觸，重?fù)诫sN型區(qū)（42）四周設(shè)有溝槽（44），此溝槽（44）位于重?fù)诫sP型單晶硅片（41）和重?fù)诫sN型區(qū)（42）四周并延伸至重?fù)诫sP型單晶硅片（41）的中部；所述溝槽（44）的表面覆蓋有絕緣鈍化保護(hù)層（45），此絕緣鈍化保護(hù)層（45）由溝槽（44）底部延伸至重?fù)诫sN型區(qū)（42）表面的邊緣區(qū)域，重?fù)诫sP型區(qū)（41）表面覆蓋有作為電極的第二金屬層（47）；其特征在于，靠近所述絕緣鈍化保護(hù)層（45）內(nèi)側(cè)的重?fù)诫sN型區(qū)（42）區(qū)域開(kāi)有一U形凹槽（48），此重?fù)诫sN型區(qū)（42）下表面且位于U形凹槽（48）正下方設(shè)有一向下的凸起部（43），裸露出的所述重?fù)诫sN型區(qū)（42）和U形凹槽（48）的表面覆蓋作為電極的第一金屬層（46）；所述連接片（3）的第二焊接端（32）為由若干個(gè)波峰面（13）和波谷面（14）交替排列組成的波浪形表面，該波浪形表面通過(guò)焊錫膏層（15）與二極管芯片（4）電連接，所述連接片（3）的波浪形表面末端位于U形凹槽（48）正上方；所述環(huán)氧封裝體（12）底部設(shè)有一條形凸起絕緣部（16），此條形凸起絕緣部（16）位于第一引線(xiàn)條（1）的第一引腳區(qū)（61）與第二引線(xiàn)條（2）的第二引腳區(qū)（62）之間，位于條形凸起絕緣部（16）的兩側(cè)表面和下表面分別設(shè)有第一弧形凹陷區(qū)（17）、第二弧形凹陷區(qū)（18）和第三弧形凹陷區(qū)（19），第一弧形凹陷區(qū)（17）和第二弧形凹陷區(qū)（18）分別與第一引線(xiàn)條（1）的第一引腳區(qū)（61）和第二引線(xiàn)條（2）的第二引腳區(qū)（62）相對(duì)設(shè)置；所述環(huán)氧封裝體（12）的上表面設(shè)有凹陷區(qū)（20），此凹陷區(qū)位于二極管芯片（4）正上方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型表面貼裝半導(dǎo)體整流器件，其特征在于：所述第一引線(xiàn)條（1）的支撐區(qū)（5）與第一引腳區(qū)（61）之間區(qū)域設(shè)有一第一折彎處（9），從而使得第一引線(xiàn)條（1）的支撐區(qū)（5）低于第一引腳區(qū)（61）；所述第二引線(xiàn)條（2）的焊接區(qū)（7）與第二引腳區(qū)（62）之間區(qū)域設(shè)有一第二折彎處（10），從而使得第二引線(xiàn)條（2）的焊接區(qū)（7）低于第二引腳區(qū)（62）；所述連接片（3）的第一焊接端（31）和第二焊接端（32）之間設(shè)有第三折彎處（11），從而使得第一焊接端低于第二焊接端。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型表面貼裝半導(dǎo)體整流器件，其特征在于：所述第二引線(xiàn)條（2）的焊接區(qū)（7）兩側(cè)設(shè)有擋塊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型表面貼裝半導(dǎo)體整流器件，其特征在于：所述第二引線(xiàn)條（2）的焊接區(qū)（7）的面積大于所述第一焊接端（31）的面積。