1.一種碳化硅接面能障蕭特基整流器，其特征在于，包含有：
一具有n型重?fù)诫s的碳化硅基板，所述碳化硅基板包含一第一表面以及一相對(duì)的第二表面；
一設(shè)置于所述第一表面并且有一n型摻雜的漂移層，所述漂移層具有一遠(yuǎn)離所述第一表面的第三表面；
一設(shè)置于所述漂移層內(nèi)并接觸所述第三表面的p型摻雜區(qū)域；
多個(gè)設(shè)置于所述漂移層內(nèi)且由所述p型摻雜區(qū)域環(huán)繞而接觸所述第三表面的接面場(chǎng)效應(yīng)區(qū)域，所述接面場(chǎng)效應(yīng)區(qū)域各包含N個(gè)圓區(qū)域以及(N-1)個(gè)連接于兩所述圓區(qū)域之間的連接區(qū)域，N為一自然數(shù)；
一設(shè)置于所述第三表面的第一金屬層，所述第一金屬層與所述接面場(chǎng)效應(yīng)區(qū)域之間形成一蕭特基能障；以及
一設(shè)置于所述第二表面的第二金屬層，所述第二金屬層與所述碳化硅基板之間形成一奧姆接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅接面能障蕭特基整流器，其特征在于，所述連接區(qū)域是由連接所述圓區(qū)域的兩弧邊所形成，其中至少一所述弧邊為內(nèi)凹。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅接面能障蕭特基整流器，其特征在于，所述連接區(qū)域于垂直兩所述圓區(qū)域圓心的連接線的一縱方向具有一寬度，所述寬度小于所述圓區(qū)域的一直徑。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅接面能障蕭特基整流器，其特征在于，N為2。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅接面能障蕭特基整流器，其特征在于，更包含多個(gè)設(shè)置于所述第三表面并介于所述p型摻雜區(qū)域與所述第一金屬層之間的第三金屬層，所述第三金屬層與所述p型摻雜區(qū)域之間形成一奧姆接觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的碳化硅接面能障蕭特基整流器，其特征在于，所述第三金屬層的材質(zhì)為選自鈦、鋁、鉬、鎳、鉭、鎢以及其硅化物所組成的群組。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅接面能障蕭特基整流器，其特征在于，所述第一金屬層的材質(zhì)為選自鈦、鋁、鉬、鎳、鉭、鎢以及其硅化物所組成的群組。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅接面能障蕭特基整流器，其特征在于，所述第二金屬層的材質(zhì)為選自鈦、鋁、鉬、鎳、鉭、鎢、金、銀以及其硅化物所組成的群組。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅接面能障蕭特基整流器，其特征在于，所述接面場(chǎng)效應(yīng)區(qū)域與所述p型摻雜區(qū)域的面積比為介于4：6至9：1之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅接面能障蕭特基整流器，其特征在于，所述第一金屬層形成一陽極，所述第二金屬層形成一陰極，一為0伏特的偏壓施加于所述陽極與所述陰極之間時(shí)，所述p型摻雜區(qū)域與所述漂移層之間具有一空乏寬度(W1)，所述空乏寬度(W1)小于所述圓區(qū)域的一半徑。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的碳化硅接面能障蕭特基整流器，其特征在于，所述第一金屬層形成一陽極，所述第二金屬層形成一陰極，一為額定電壓的一半的偏壓施加于所述陽極與所述陰極之間時(shí)，所述p型摻雜區(qū)域與所述漂移層之間具有一空乏寬度(W2)，所述空乏寬度(W2)大于所述圓區(qū)域的一半徑。
12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的碳化硅接面能障蕭特基整流器，其特征在于，所述弧邊與所述圓區(qū)域在連接處的切線斜率相同。