1.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，包括：
步驟S1：提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有若干鰭片以及環(huán)繞所述鰭片的虛擬柵極氧化物層和虛擬柵極，在所述半導(dǎo)體襯底上還形成有填充相鄰所述虛擬柵極之間間隙的層間介電層；
步驟S2：去除所述虛擬柵極，以露出所述虛擬柵極氧化物層；
步驟S3：選用SiCoNi的方法去除所述虛擬柵極氧化物層，以露出所述鰭片；
步驟S4：選用氮和氫等離子體去除所述鰭片表面上殘留的含F(xiàn)副產(chǎn)物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S4中，選用氮和氫弱等離子體去除所述鰭片表面上殘留的含F(xiàn)副產(chǎn)物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S4中，選用NF3和NH3等離子體去除所述鰭片表面上殘留的含F(xiàn)副產(chǎn)物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S4中，選用所述氮和氫等離子體去除所述含F(xiàn)副產(chǎn)物的溫度大于100℃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還進一步包括：
步驟S5：通過化學(xué)氧化的方法在所述鰭片的表面形成界面層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，在形成所述界面層之后，還進一步包括選用SC1清洗液對所述界面層進行清洗的步驟，以在所述界面層上形成富含OH鍵的結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法還進一步包括：
步驟S6：沉積高K介電層，以覆蓋所述界面層；
步驟S7：在所述高K介電層上形成金屬柵極。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S1包括：
步驟S11：提供半導(dǎo)體襯底并執(zhí)行離子注入，以形成阱；
步驟S12：圖案化所述半導(dǎo)體襯底，形成所述鰭片；
步驟S13：沉積虛擬柵極氧化物層和虛擬柵極材料層并圖案化，以形成所述虛擬柵極。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述步驟S1還進一步包括：
步驟S14：執(zhí)行源漏LDD注入，并在虛擬柵極兩側(cè)的所述半導(dǎo)體襯底上外延生長半導(dǎo)體材料層，以形成抬升源漏；
步驟S15：再次執(zhí)行離子注入，并進行快速熱退火；
步驟S16：沉積所述層間介電層并平坦化，以填充所述虛擬柵極之間的間隙。
10.一種如權(quán)利要求1至9之一所述的方法制備得到的半導(dǎo)體器件。
11.一種電子裝置，包括權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件。