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存儲(chǔ)器元件及其制作方法與流程

文檔序號(hào):11836645閱讀:來(lái)源:國(guó)知局
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種存儲(chǔ)器元件及其制作方法。存儲(chǔ)器元件包括一多層堆棧結(jié)構(gòu)(multi-layer?stacks)以及一階梯狀開(kāi)口。其中,多層堆棧結(jié)構(gòu)具有相互堆棧的多個(gè)絕緣層和多個(gè)導(dǎo)電層。階梯狀開(kāi)口沿第一方向延伸,將一部分的絕緣層和一部分的導(dǎo)電層暴露于外。其中,至少一個(gè)絕緣層具有相互分離的一第一暴露部分和一第二暴露部分;且至少一個(gè)導(dǎo)電層具有相互分離的一第三暴露部分和一第四暴露部分。

技術(shù)研發(fā)人員:江昱維;李冠儒;林烙躍;葉騰豪
受保護(hù)的技術(shù)使用者:旺宏電子股份有限公司
文檔號(hào)碼:201510146600
技術(shù)研發(fā)日:2015.03.31
技術(shù)公布日:2016.11.23

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