1.一種存儲器元件，包括：
一多層堆棧結(jié)構(gòu)(multi-layer stacks)，具有多個絕緣層和多個導(dǎo)電層相互堆棧；以及
一階梯狀開口，沿一第一方向延伸，將一部分的這些絕緣層和一部分的這些導(dǎo)電層暴露于外；
其中至少一這些絕緣層，具有相互分離的一第一暴露部分和一第二暴露部分；且至少一這些導(dǎo)電層具有相互分離的一第三暴露部分和一第四暴露部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器元件，其中每一這些絕緣層的該第一暴露部分和該第二暴露部分是位于同一平面，并通過該階梯狀開口彼此分離；且每一這些導(dǎo)電層的該第三暴露部分和該第四暴露部分是位于同一平面，并通過該階梯狀開口彼此分離。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器元件，其中該多層堆棧結(jié)構(gòu)包括由該多層堆棧結(jié)構(gòu)的一中心部分，往外側(cè)漸次高升的一階梯狀結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器元件，其中該多層堆棧結(jié)構(gòu)包括由該多層堆棧結(jié)構(gòu)的二外圍部分，往該多層堆棧結(jié)構(gòu)的一中心部分漸次高升的一階梯狀結(jié)構(gòu)。
5.一種存儲器元件的制作方法，包括：
提供一多層堆棧結(jié)構(gòu)，使其具有多個絕緣層和多個導(dǎo)電層相互堆棧；
于該多層堆棧結(jié)構(gòu)上形成一第一圖案化硬掩模層，使其具有一第一條狀通孔(slit)，沿一第一方向延伸，并將一部分該多層堆棧結(jié)構(gòu)暴露于外；
形成一第一圖案化光刻膠層，覆蓋該第一圖案化硬掩模層以及一部分被暴露于外的該多層堆棧結(jié)構(gòu)，藉以在該第一條狀通孔中定義出至少一第一光刻膠開口；
進行一第一刻蝕工藝，以形成至少一第一接觸開口，延伸進入該多層堆棧結(jié)構(gòu)而具有一第一深度，將一部分這些絕緣層和一部分這些導(dǎo)電層暴露于外；
進行一光刻膠修整工藝，使該第一光刻膠開口等向地(isptropicall)擴大； 以及
進行一第二刻蝕工藝，使該第一接觸開口延伸進入該多層堆棧結(jié)構(gòu)而具有一第二深度，并形成一第二接觸開口，將另一部分這些絕緣層和另一部分這些導(dǎo)電層暴露于外，且使該第二接觸開口與該第一接觸開口結(jié)合而形成一第一階梯狀開口，沿該第一方向延伸；這些絕緣層中至少一者，具有相互分離的一第一暴露部分和一第二暴露部分；且這些導(dǎo)電層中至少一者具有相互分離的一第三暴露部分和一第四暴露部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲器元件的制作方法，其中在形成該圖案化光刻膠層之前，更包括形成一保護層以覆蓋該第一圖案化硬掩模層、該第一條狀通孔的側(cè)壁以及經(jīng)由該第一條狀通孔暴露于外的該多層堆棧結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲器元件的制作方法，其中該第一光刻膠開口是用來將該多層堆棧結(jié)構(gòu)的一中心部分暴露于外；且經(jīng)由該第一階梯狀開口暴露于外的該多層堆棧結(jié)構(gòu)，包括由該多層堆棧結(jié)構(gòu)的該中心部分，往外側(cè)漸次高升的一階梯狀結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲器元件的制作方法，更包括：
移除該第一圖案化硬掩模層和該第一圖案化光刻膠層；
于該多層堆棧結(jié)構(gòu)上形成一第二圖案化硬掩模層，使其具有一第二條狀通孔，對準(zhǔn)該第一階梯狀開口，并沿該第一方向延伸，且將一部分該多層堆棧結(jié)構(gòu)暴露于外；
形成一第二圖案化光刻膠層，覆蓋該第二圖案化硬掩模層以及一部分被暴露于外的該多層堆棧結(jié)構(gòu)，藉以在該第二條狀通孔中至少定義出一第二光刻膠開口；
重復(fù)該第二刻蝕工藝和該光刻膠修整工藝，藉以使該第一階梯狀開口沿該第一方向沿長并且垂直向下延伸。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲器元件的制作方法，其中形成該第一圖案化光刻膠層的步驟更包括在該第一條狀通孔中定義出一第三光刻膠開口，與該第一光刻膠開口分離；其中該第一光刻膠開口和該第三光刻膠開口是分別用來將該多層堆棧結(jié)構(gòu)的二外圍部分暴露于外。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器元件的制作方法，其中：
該第一刻蝕工藝，是在該多層堆棧結(jié)構(gòu)的二外圍部分分別形成該第一接觸開口和一第三接觸開口，延伸進入該多層堆棧結(jié)構(gòu)而具有該第一深度，將一部分這些絕緣層和一部分這些導(dǎo)電層暴露于外；
該光刻膠修整工藝，使該第一光刻膠開口和該第三光刻膠開口等向地擴大；
該第二刻蝕工藝，使該第一接觸開口和該第三接觸開口延伸進入該多層堆棧結(jié)構(gòu)而具有該第二深度，并以形成至少該第二接觸開口和一第四接觸開口，將另一部分這些絕緣層和另一部分這些導(dǎo)電層暴露于外；
其中該第一接觸開口與該第二接觸開口結(jié)合形成該第一階梯狀開口；該第三接觸開口與該第四接觸開口結(jié)合形成一第二階梯狀開口；且由該第一階梯狀開口和該第二階梯狀開口暴露于外的該多層堆棧結(jié)構(gòu)，包括由該多層堆棧結(jié)構(gòu)的該兩側(cè)部分，往該多層堆棧結(jié)構(gòu)的一中心部份漸次高升的一階梯狀結(jié)構(gòu)。