技術(shù)總結(jié)
本主題涉及一種集成電路。該集成電路包括第一金屬層和通過(guò)介電層電容性地聯(lián)接到第一金屬層的第二金屬層。進(jìn)一步，第二金屬層包括電子泄露路徑，該電子泄露路徑用于提供預(yù)定泄露時(shí)間段內(nèi)從第二金屬層的電荷泄露。

技術(shù)研發(fā)人員：雷納爾多·V·維利亞韋萊茲;葛寧;楊甫霍;埃瑞克·D·內(nèi)斯;大衛(wèi)·B·諾瓦克
受保護(hù)的技術(shù)使用者：惠普發(fā)展公司有限責(zé)任合伙企業(yè)
文檔號(hào)碼：201480078539
技術(shù)研發(fā)日：2014.04.30
技術(shù)公布日：2017.02.22