一種矩陣列晶體管引線框架的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種矩陣列晶體管引線框架，它包括框架（1）和設(shè)計(jì)在框架（1）內(nèi)的引線框架單元（2），引線框架單元（2）在框架（1）內(nèi)呈矩陣排列，引線框架單元（2）包括連接片（4）和安裝在連接片（4）上的若干引線框架子單元（3）；每個(gè)引線框架子單元（3）的載片區(qū)上設(shè)有與晶體管引腳相匹配的引線，晶體管通過(guò)塑封膠（5）固定于引線框架子單元（3）的載片區(qū)上。本實(shí)用新型采用引線框架單元在框架內(nèi)呈矩陣排列，從而提高了生產(chǎn)過(guò)程中對(duì)設(shè)備和材料的使用率；將若干引線框架子單元等間距安裝在連接片上，便于在后序工序中對(duì)引線框架子單元進(jìn)行分割。
【專利說(shuō)明】—種矩陣列晶體管引線框架
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種引線框架，特別是涉及一種矩陣列晶體管引線框架。
【背景技術(shù)】
[0002]引線框架是一種載體，用于承載集成電路的芯片載體，是一種借助于鍵合材料實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)部電路引出端與引線的電氣連接，形成電氣回路的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)件，它起到了和外部導(dǎo)線連接的橋梁作用，絕大部分的半導(dǎo)體集成塊中都需要使用引線框架，引線框架是電子信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料，其主要是通過(guò)模具沖壓法和化學(xué)蝕刻法進(jìn)行生成。
[0003]目前，引線框架主要有單排引線框架和雙排引線框架，如獲中華人民共和國(guó)國(guó)家實(shí)用新型專利的一種半導(dǎo)體用的引線框架(申請(qǐng)日:20130416，，
【公開(kāi)日】:20131106)，其技術(shù)方案為:由十個(gè)引線單元單排組成，所述引線單元之間通過(guò)連接筋連接；如獲中華人民共和國(guó)國(guó)家實(shí)用新型專利的一種雙排引線框(申請(qǐng)日:20120711，
【公開(kāi)日】，20130313)，其技術(shù)方案是:它包括兩隊(duì)引線框架，在每個(gè)引線框架的一端裝有接墊，高溫膠帶與引線框架水平垂直且將兩條平行的引線框架連接起來(lái)形成一橫排引線框架，兩橫排引線框上下對(duì)應(yīng)排列形成上橫排引線框和下橫排引線框，上橫排引線框的引線框架的接墊與下橫排引線框的引線框架的接墊位置相對(duì)應(yīng)，上橫排引線框架與下橫排引線框架之間通過(guò)連接筋連接起來(lái)。上述兩種引線框架對(duì)設(shè)備的使用率和材料的利用率都低。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種矩陣列晶體管引線框架，引線框架單元在框架內(nèi)呈矩陣排列，從而提高生產(chǎn)過(guò)程中對(duì)設(shè)備和材料的使用率；引線框架子單元間隔安裝在連接片上，便于在后序工序中對(duì)引線框架子單元進(jìn)行分割；在塑封膠上設(shè)置凹槽，增強(qiáng)引線框架子單元的散熱性。
[0005]本實(shí)用新型的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的:一種矩陣列晶體管引線框架，它包括框架和設(shè)計(jì)在框架內(nèi)的引線框架單元，引線框架單元在框架內(nèi)呈矩陣排列，引線框架單元包括連接片和安裝在連接片上的若干引線框架子單元；每個(gè)引線框架子單元的載片區(qū)上設(shè)有與晶體管引腳相匹配的引線，晶體管通過(guò)塑封膠固定于引線框架子單元的載片區(qū)上。
[0006]所述的若干引線框架子單元等間距安裝在連接片上。
[0007]它還包括凹槽，凹槽設(shè)置于塑封膠晶體管位置之外的位置。
[0008]所述的引線框架單元從上至下間隔排列在框架內(nèi)，引線框架單元為48排，每排引線框架單元包括268個(gè)引線框架子單元，每個(gè)引線框架子單元的載片區(qū)均設(shè)置有晶體管。
[0009]所述框架的長(zhǎng)度為250±0.Imm,寬度為70±0.05mm。
[0010]與傳統(tǒng)技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有以下有益效果:
[0011]I)采用引線框架單元在框架內(nèi)呈矩陣排列，從而提高了生產(chǎn)過(guò)程中對(duì)設(shè)備和材料的使用率；[0012]2)將若干引線框架子單元等間距安裝在連接片上，便于在后序工序中對(duì)引線框架子單兀進(jìn)行分割；
[0013]3)在固定晶體管的塑封膠上設(shè)置凹槽，從而增強(qiáng)了引線框架子單元的散熱行。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1為本實(shí)用新型的整體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖2為本實(shí)用新型的引線框架局部放大結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖中，1-框架，2-引線框架單元，3-引線框架子單元，4-連接片，5-塑封膠，6-凹槽。
【具體實(shí)施方式】
[0017]下面結(jié)合附圖進(jìn)一步詳細(xì)描述本實(shí)用新型的技術(shù)方案，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍不局限于以下所述。
[0018]如圖1所示，一種矩陣列晶體管引線框架，它包括框架I和設(shè)計(jì)在框架I內(nèi)的引線框架單元2，引線框架單元2在框架I內(nèi)呈矩陣排列，引線框架單元2包括連接片4和安裝在連接片4上的若干引線框架子單元3 ;每個(gè)引線框架子單元3的載片區(qū)上設(shè)有與晶體管引腳相匹配的引線，晶體管通過(guò)塑封膠5固定于引線框架子單元3的載片區(qū)上。
[0019]所述的若干引線框架子單元3等間距安裝在連接片4上，便于在后序工序中對(duì)引線框架單元2進(jìn)行分割，即將連接片4上的引線框架子單元3分割成單獨(dú)的引線框架子單元3備用。
[0020]它還包括凹槽6,凹槽6設(shè)置于塑封膠5晶體管位置之外的位置,如:塑封膠5中心位置為晶體管所放置的位置，則凹槽6可以設(shè)置在塑封膠5的左右兩側(cè)，也可以開(kāi)設(shè)在塑封膠5其余不影響晶體管封裝的位置。
[0021]所述的引線框架單元2從上至下間隔排列在框架I內(nèi)，引線框架單元2為48排，每排引線框架單元2包括268個(gè)引線框架子單元3，每個(gè)引線框架子單元3的載片區(qū)均設(shè)置
有晶體管。
[0022]所述框架I的長(zhǎng)度為250±0.1mm,寬度為70±0.05mm。
[0023]每排引線框架單元2包括268個(gè)引線框架子單元3，每個(gè)引線框架子單元3的載片區(qū)均設(shè)置有晶體管，即一個(gè)框架I內(nèi)包括了 12864顆晶體管，從而增強(qiáng)了框架I的密度，提高了設(shè)備的利用率，降低了成本，在前端提高30%的設(shè)備效率，Molding提高2倍的效率，成本降低，框架成本降低25%，Compound成本降低15%;提高資源利用率，框架利用率提高30%, Compound 用量降低 20%。
【權(quán)利要求】
1.一種矩陣列晶體管引線框架，其特征在于:它包括框架(I)和設(shè)計(jì)在框架(I)內(nèi)的引線框架單元(2)，引線框架單元(2)在框架(I)內(nèi)呈矩陣排列，引線框架單元(2)包括連接片(4)和安裝在連接片(4)上的若干引線框架子單元(3);每個(gè)引線框架子單元(3)的載片區(qū)上設(shè)有與晶體管引腳相匹配的引線，晶體管通過(guò)塑封膠(5)固定于引線框架子單元(3)的載片區(qū)上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種矩陣列晶體管引線框架，其特征在于:所述的若干引線框架子單元(3)等間距安裝在連接片(4)上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種矩陣列晶體管引線框架，其特征在于:它還包括凹槽(6)，凹槽(6)設(shè)置于塑封膠(5)上晶體管位置之外的位置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種矩陣列晶體管引線框架，其特征在于:所述的引線框架單元(2)從上至下間隔排列在框架(I)內(nèi)，引線框架單元(2)為48排，每排引線框架單元(2)包括268個(gè)引線框架子單元(3)，每個(gè)引線框架子單元(3)的載片區(qū)均設(shè)置有晶體管。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種矩陣列晶體管引線框架，其特征在于:所述框架(I)的長(zhǎng)度為 250±0.Imm,寬度為 70±0.05mm。
【文檔編號(hào)】H01L23/495GK203774305SQ201420190338
【公開(kāi)日】2014年8月13日 申請(qǐng)日期:2014年4月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月18日
【發(fā)明者】羅天秀, 許兵, 樊增勇, 伍澤熊, 任偉 申請(qǐng)人:成都先進(jìn)功率半導(dǎo)體股份有限公司