晶圓正面蒸金方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供了一種晶圓正面蒸金方法，包括依次執(zhí)行的下述步驟：第一步驟，用于在待正面蒸金的晶圓的待正面蒸金表面上形成TiN層；第二步驟，用于將待正面蒸金的晶圓布置在晶圓承載環(huán)上，從而從下方露出待正面蒸金表面上的TiN層，并且在待正面蒸金的晶圓頂部蓋上防污染蓋；第三步驟，用于在待正面蒸金表面上的TiN層上通過(guò)蒸發(fā)工藝形成正面金屬。在本發(fā)明的晶圓正面蒸金方法中，在正面金屬層形成之前在晶圓上布置一個(gè)TiN層，并且利用接地環(huán)導(dǎo)出在蒸鍍過(guò)程中產(chǎn)生的二次電子，防止柵極氧化層中累積電子，從而能夠防止晶圓中形成的器件的閾值電壓偏移。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
晶圓正面蒸金方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及一種晶圓正面蒸金方法。

【背景技術(shù)】
[0002]在晶圓加工工程中，在制造某些半導(dǎo)體器件時(shí)或者在制造某種類(lèi)型的集成電路時(shí)，會(huì)遇到需要對(duì)晶圓進(jìn)行正面金屬11161:8 1)沉積(即晶圓正面蒸金工藝)的情況。
[0003]具體地，圖1示意性地示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的晶圓正面蒸金方法所采用的結(jié)構(gòu)。圖2示意性地示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的晶圓正面蒸金方法得到的結(jié)構(gòu)。
[0004]如圖1和圖2所示，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的晶圓正面蒸金方法一般將待正面蒸金的晶圓30布置在晶圓承載環(huán)20上，從而從下方露出待正面蒸金表面，并且在待正面蒸金的晶圓30頂部蓋上防污染蓋10。隨后，即可在待正面蒸金表面上形成正面金屬40。一般，在從待正面蒸金表面向外的方向上，正面金屬40包括的疊層。
[0005]然而，在晶圓的正面金屬沉積期間，閾值電壓(#)由于蒸發(fā)工藝而產(chǎn)生嚴(yán)重偏移。具體地說(shuō)，在正面金屬沉積期間，由于子束撞擊金屬源，由此會(huì)產(chǎn)生二次高能電子，然后二次高能電子進(jìn)入到柵極氧化層，積累電子，導(dǎo)致閾值電壓(^)偏移。
[0006]因此，希望能夠提供一種能夠防止閾值電壓偏移的晶圓正面蒸金方法。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠防止閾值電壓偏移的晶圓正面蒸金方法。
[0008]為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種晶圓正面蒸金方法，包括依次執(zhí)行的下述步驟:
[0009]第一步驟，用于在待正面蒸金的晶圓的待正面蒸金表面上形成層；
[0010]第二步驟，用于將待正面蒸金的晶圓布置在晶圓承載環(huán)上，從而從下方露出待正面蒸金表面上的層，并且在待正面蒸金的晶圓頂部蓋上防污染蓋；
[0011]第三步驟，用于在待正面蒸金表面上的層上通過(guò)蒸發(fā)工藝形成正面金屬。
[0012]優(yōu)選地，在第一步驟中通過(guò)濺射的方式在待正面蒸金的晶圓的待正面蒸金表面上形成I層。
[0013]優(yōu)選地，在第一步驟中，層完全覆蓋將待正面蒸金的晶圓的待正面蒸金表面。
[0014]優(yōu)選地，在從丁.層向外的方向上，正面金屬包括打/附/仏的疊層。
[0015]優(yōu)選地，所述的晶圓正面蒸金方法還包括在第三步驟之后對(duì)層進(jìn)行濕法刻蝕。
[0016]優(yōu)選地，通過(guò)濕法刻蝕形成正面金屬的結(jié)構(gòu)和圖案。
[0017]優(yōu)選地，通過(guò)選擇性濕法刻蝕形成正面金屬的結(jié)構(gòu)和圖案。
[0018]優(yōu)選地，所述晶圓正面蒸金方法用于半導(dǎo)體器件制造。
[0019]優(yōu)選地,所述晶圓正面蒸金方法用于103晶體管制造。
[0020]在本發(fā)明的晶圓正面蒸金方法中，在正面金屬層形成之前在晶圓上布置一個(gè)丁.層，并且利用接地環(huán)導(dǎo)出蒸鍍過(guò)程中產(chǎn)生的二次電子，防止柵極氧化層中累積電子，從而能夠防止晶圓中形成的器件的閾值電壓偏移。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0021]結(jié)合附圖，并通過(guò)參考下面的詳細(xì)描述，將會(huì)更容易地對(duì)本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征，其中:
[0022]圖1示意性地示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的晶圓正面蒸金方法所采用的工藝裝置及晶圓布置結(jié)構(gòu)。
[0023]圖2示意性地示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的晶圓正面蒸金方法得到的半導(dǎo)體晶圓結(jié)構(gòu)。
[0024]圖3示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的晶圓正面蒸金方法的第一步驟。
[0025]圖4示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的晶圓正面蒸金方法的第二步驟。
[0026]圖5示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的晶圓正面蒸金方法的第三步驟。
[0027]需要說(shuō)明的是，附圖用于說(shuō)明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類(lèi)似的元件標(biāo)有相同或者類(lèi)似的標(biāo)號(hào)。

【具體實(shí)施方式】
[0028]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0029]圖3至圖5分別示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的晶圓正面蒸金方法的各個(gè)步驟。
[0030]如圖3至圖5所示，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的晶圓正面蒸金方法包括依次執(zhí)行的下述步驟:
[0031]第一步驟，用于在待正面蒸金的晶圓30的待正面蒸金表面上形成層50，如圖3所示；
[0032]例如，優(yōu)選地，可以通過(guò)濺射的方式在待正面蒸金的晶圓30的待正面蒸金表面上形成層50。優(yōu)選地，I'-層50完全覆蓋將待正面蒸金的晶圓30的待正面蒸金表面。
[0033]第二步驟，用于將待正面蒸金的晶圓30布置在晶圓承載環(huán)20上，從而從下方露出待正面蒸金表面上的層50，并且在待正面蒸金的晶圓30頂部蓋上防污染蓋10，如圖4所示。
[0034]第三步驟，用于在待正面蒸金表面上的層50上通過(guò)蒸發(fā)工藝形成正面金屬40，如圖5所示。
[0035]一般，在從層50向外的方向上，正面金屬40包括!'1/附/仏的疊層。對(duì)于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，可以理解的是，在第三步驟中，可以通過(guò)濕法刻蝕(優(yōu)選地，可選擇性濕法刻蝕)來(lái)形成期望的正面金屬40結(jié)構(gòu)和圖案。
[0036]而且，對(duì)于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，可以理解的是，在第三步驟之后可以進(jìn)行I'-層50的刻蝕，以形成期望的結(jié)構(gòu)。
[0037]例如，優(yōu)選地，所述晶圓正面蒸金方法用于半導(dǎo)體器件制造。
[0038]例如，優(yōu)選地，所述晶圓正面蒸金方法用于103晶體管制造。
[0039]由此，在本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的晶圓正面蒸金方法中，在正面金屬層形成之前在晶圓上布置一個(gè)層，并且利用接地環(huán)導(dǎo)出蒸鍍過(guò)程中產(chǎn)生的二次電子，避免柵極氧化層中累積電子，從而能夠防止晶圓中形成的器件的閾值電壓偏移。
[0040]本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的晶圓正面蒸金方法可用于103晶體管制造。
[0041]此外，需要說(shuō)明的是，除非特別說(shuō)明或者指出，否則說(shuō)明書(shū)中的術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”、“第三”等描述僅僅用于區(qū)分說(shuō)明書(shū)中的各個(gè)組件、元素、步驟等，而不是用于表示各個(gè)組件、元素、步驟之間的邏輯關(guān)系或者順序關(guān)系等。
[0042]可以理解的是，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然而上述實(shí)施例并非用以限定本發(fā)明。對(duì)于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種晶圓正面蒸金方法，其特征在于包括依次執(zhí)行的下述步驟: 第一步驟，用于在待正面蒸金的晶圓的待正面蒸金表面上形成TiN層； 第二步驟，用于將待正面蒸金的晶圓布置在晶圓承載環(huán)上，從而從下方露出待正面蒸金表面上的TiN層，并且在待正面蒸金的晶圓頂部蓋上防污染蓋； 第三步驟，用于在待正面蒸金表面上的TiN層上通過(guò)蒸發(fā)工藝形成正面金屬。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓正面蒸金方法，其特征在于，在第一步驟中通過(guò)濺射的方式在待正面蒸金的晶圓的待正面蒸金表面上形成TiN層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶圓正面蒸金方法，其特征在于，在第一步驟中，TiN層完全覆蓋將待正面蒸金的晶圓的待正面蒸金表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶圓正面蒸金方法，其特征在于，在從TiN層向外的方向上，正面金屬包括Ti/Ni/Ag的疊層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶圓正面蒸金方法，其特征在于還包括在第三步驟之后對(duì)TiN層進(jìn)行濕法刻蝕。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶圓正面蒸金方法，其特征在于還包括:形成正面金屬的結(jié)構(gòu)和圖案。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶圓正面蒸金方法，其特征在于，通過(guò)濕法刻蝕形成正面金屬的結(jié)構(gòu)和圖案。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶圓正面蒸金方法，其特征在于，通過(guò)選擇性濕法刻蝕形成正面金屬的結(jié)構(gòu)和圖案。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶圓正面蒸金方法，其特征在于，所述晶圓正面蒸金方法用于半導(dǎo)體器件制造。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶圓正面蒸金方法，其特征在于，所述晶圓正面蒸金方法用于MOS晶體管制造。
【文檔編號(hào)】H01L21/28GK104409342SQ201410667912
【公開(kāi)日】2015年3月11日 申請(qǐng)日期:2014年11月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月20日
【發(fā)明者】劉宇, 王鵬, 李秀然 申請(qǐng)人:上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司