一種oled像素單元、顯示基板及制備方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種OLED像素單元、顯示基板及其制備方法、顯示裝置，主要內(nèi)容包括：通過在非發(fā)光區(qū)域設(shè)置光吸收層，將進(jìn)入非發(fā)光區(qū)域的能夠造成反射的光吸收掉，從而，避免了反射現(xiàn)象的發(fā)生；同時(shí)，在發(fā)光區(qū)域設(shè)置折射率漸變層，利用折射原理將進(jìn)入顯示區(qū)域的能夠造成反射的大部分光折射至光吸收層并被吸收掉，從而，避免了顯示區(qū)域產(chǎn)生反射現(xiàn)象而影響顯示器件的對(duì)比度。
【專利說明】—種OLED像素單元、顯示基板及制備方法、顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種OLED像素單元、顯示基板及制備方法、顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]當(dāng)下，有機(jī)發(fā)光顯示器(Organic Light Emitting Display, OLED)作為一種較為普遍的顯示裝置，在顯示【技術(shù)領(lǐng)域】起到了舉足輕重的作用。而且，由于其是自主發(fā)光，不需要設(shè)置背光源，依靠其面板內(nèi)部的有機(jī)發(fā)光層發(fā)光。
[0003]但是，針對(duì)這種自主發(fā)光的OLED顯示裝置，在用戶使用時(shí)，不僅能夠看到內(nèi)部發(fā)出的光，外部環(huán)境的光也會(huì)在顯示裝置的表面以及內(nèi)部的膜層產(chǎn)生一定的反射，并最終反射進(jìn)入用戶的視線，從而，影響顯示裝置的對(duì)比度。尤其是在外部環(huán)境光較強(qiáng)的條件下，對(duì)比度會(huì)明顯降低，嚴(yán)重影響顯示器的顯示效果。
[0004]為了避免外部環(huán)境光的反射影響，現(xiàn)有技術(shù)中兩種較為常用的方法如下:
[0005]方式一:在顯示裝置的表面上設(shè)置1/4波長(zhǎng)偏光片，從而可以提高對(duì)比度。但是，1/4波長(zhǎng)偏光片會(huì)吸收或損耗掉約60%的光,且偏光片的成本較高。
[0006]方式二:在OLED顯示裝置中增加消光干涉層，從而提高對(duì)比度。但是，這種方式也存在一定的弊端:首先，要考慮消光干涉層與其他膜層的HOMO或LUMO能級(jí)的匹配關(guān)系，其次，雖然消光干涉層可以減少外部環(huán)境光產(chǎn)生的反射，但同時(shí)也會(huì)消除OLED顯示裝置的部分自發(fā)光。
[0007]因此，現(xiàn)有的這兩種方式并不能很好的減少外部環(huán)境光的反射，進(jìn)而，也不能有效改善OLED顯示裝置的對(duì)比度。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明實(shí)施例提供一種OLED像素單元、顯示基板及其制備方法、顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的OLED顯示基板對(duì)外界環(huán)境光反射較為嚴(yán)重而導(dǎo)致顯示裝置對(duì)比度降低的問題。
[0009]本發(fā)明實(shí)施例采用以下技術(shù)方案:
[0010]一種OLED像素單元，包括基板、位于所述基板之上的陽極、位于所述陽極之上的像素界定層和有機(jī)功能層、以及位于所述有機(jī)功能層和像素界定層之上的陰極；其中，所述有機(jī)功能層對(duì)應(yīng)發(fā)光區(qū)域，所述像素界定層對(duì)應(yīng)非發(fā)光區(qū)域，還包括:
[0011]位于所述陰極之上與所述發(fā)光區(qū)域相對(duì)應(yīng)的折射率漸變層；
[0012]位于所述陰極之上與所述非發(fā)光區(qū)域相對(duì)應(yīng)的光吸收層；
[0013]其中，所述折射率漸變層的折射率由遠(yuǎn)離基板的一側(cè)至靠近基板的一側(cè)依次減小。
[0014]優(yōu)選地，所述光吸收層的厚度不大于所述折射率漸變層的厚度。
[0015]優(yōu)選地，所述折射率漸變層的材料為有機(jī)聚合物材料或無機(jī)硅材料。
[0016]優(yōu)選地，所述折射率漸變層為單膜層結(jié)構(gòu)或多膜層結(jié)構(gòu)。
[0017]優(yōu)選地，所述折射率漸變層的折射率范圍為1.4-2.0。
[0018]優(yōu)選地，所述折射率漸變層的厚度范圍為ΙΟΟηπι-Ιδμπι。
[0019]優(yōu)選地，所述光吸收層的材料為以下一種或多種的組合:黑色樹脂、氧化鑰、炭黑、氧化鈦。
[0020]一種OLED顯示基板，包括所述的OLED像素單元。
[0021]一種OLED顯示基板的制備方法，包括:提供一基板，在所述基板之上形成陽極，在所述陽極之上形成有機(jī)功能層和像素界定層，在所述有機(jī)功能層和像素界定層之上形成陰極；其中，所述有機(jī)功能層對(duì)應(yīng)發(fā)光區(qū)域，所述像素界定層對(duì)應(yīng)非發(fā)光區(qū)域，還包括:
[0022]在與所述發(fā)光區(qū)域相對(duì)應(yīng)的陰極之上形成折射率漸變層；
[0023]在與所述非發(fā)光區(qū)域相對(duì)應(yīng)的陰極之上形成光吸收層；
[0024]其中，所述折射率漸變層的折射率由遠(yuǎn)離基板的一側(cè)至靠近基板的一側(cè)依次減小。
[0025]優(yōu)選地，在所述發(fā)光區(qū)域上方形成折射率漸變層，具體包括:在所述陰極之上覆蓋具備折射率漸變層圖案的掩膜板，利用化學(xué)氣相沉積工藝，在所述發(fā)光區(qū)域上方依次沉積有機(jī)聚合物材料和/或無機(jī)硅材料形成折射率漸變層。
[0026]優(yōu)選地，在所述非發(fā)光區(qū)域上方形成光吸收層，具體包括:利用具備光吸收層圖案的掩膜板以及化學(xué)氣相沉積工藝，在所述非發(fā)光區(qū)域上方沉積形成光吸收層。
[0027]一種顯示裝置,包括所述的OLED顯示基板。
[0028]在本發(fā)明實(shí)施例中，通過在非發(fā)光區(qū)域設(shè)置光吸收層，將進(jìn)入非發(fā)光區(qū)域的能夠造成反射的光吸收掉，從而，避免了反射現(xiàn)象的發(fā)生；同時(shí)，在發(fā)光區(qū)域設(shè)置折射率漸變層，利用折射原理將進(jìn)入顯示區(qū)域的能夠造成反射的大部分光折射至光吸收層并被吸收掉，從而，避免了顯示區(qū)域產(chǎn)生反射現(xiàn)象而影響顯示器件的對(duì)比度。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)要介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0030]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種OLED像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖2 (a)、圖2(b)分別為本發(fā)明實(shí)施例提供的折射率漸變層的兩種結(jié)構(gòu)的簡(jiǎn)單示意圖；
[0032]圖3為本發(fā)明實(shí)施例中實(shí)驗(yàn)?zāi)M所利用的折射率漸變層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種OLED顯示基板的制備方法的流程示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0034]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0035]本發(fā)明實(shí)施例為了避免外界環(huán)境光在OLED基板中的反射影響，通過在非發(fā)光區(qū)域設(shè)置光吸收層，將進(jìn)入非發(fā)光區(qū)域的能夠造成反射的光吸收掉，從而，避免了反射現(xiàn)象的發(fā)生；同時(shí)，在發(fā)光區(qū)域設(shè)置折射率漸變層，利用折射原理將進(jìn)入顯示區(qū)域的能夠造成反射的大部分光折射至光吸收層并被吸收掉，從而，避免了顯示區(qū)域產(chǎn)生反射現(xiàn)象而影響顯示器件的對(duì)比度。
[0036]下面通過具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)說明，本發(fā)明包括但并不限于以下實(shí)施例。
[0037]如圖1所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種OLED像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖，該像素單元主要包括:
[0038]基板11、位于基板11之上的陽極12、位于陽極12之上的有機(jī)功能層13和像素界定層14、以及位于有機(jī)功能層13和像素界定層14之上的陰極15 ;其中，有機(jī)功能層13對(duì)應(yīng)發(fā)光區(qū)域D，像素界定層14對(duì)應(yīng)非發(fā)光區(qū)域F，然而，在本發(fā)明實(shí)施例中，該像素單元還包括:
[0039]位于陰極之上與發(fā)光區(qū)域D相對(duì)應(yīng)的折射率漸變層16 ；
[0040]位于陰極之上與非發(fā)光區(qū)域F相對(duì)應(yīng)的光吸收層17 ；
[0041]其中，所述折射率漸變層的折射率由遠(yuǎn)離基板的一側(cè)至靠近基板的一側(cè)依次減小。
[0042]在本發(fā)明實(shí)施例中，為了避免外界環(huán)境光在OLED面板中的反射影響，通過在非發(fā)光區(qū)域設(shè)置光吸收層，將進(jìn)入非發(fā)光區(qū)域的能夠造成反射的光吸收掉，從而，避免了反射現(xiàn)象的發(fā)生；同時(shí)，在發(fā)光區(qū)域設(shè)置折射率漸變層，利用折射原理將進(jìn)入發(fā)光區(qū)域的能夠造成反射的大部分光折射至光吸收層并被吸收掉，從而，避免了發(fā)光區(qū)域產(chǎn)生反射現(xiàn)象而影響顯示器件的對(duì)比度。
[0043]優(yōu)選地，光吸收層17的厚度不大于折射率漸變層16的厚度。
[0044]優(yōu)選地，折射率漸變層16可以為單膜層結(jié)構(gòu)或多膜層結(jié)構(gòu)。
[0045]另外，當(dāng)折射率漸變層16為多膜層結(jié)構(gòu)時(shí)，每一膜層的厚度可以設(shè)置為相等，也可以設(shè)置為不等，本發(fā)明并不對(duì)此進(jìn)行限定。
[0046]優(yōu)選地，該折射率漸變層16的材料為有機(jī)聚合物材料或無機(jī)硅材料，如六甲基二硅氧烷(HMDSO)，聚碳酸酯(PC)，聚乙烯(PE)，氧化硅(S12)，氮化硅(SiNx)，氮氧化硅(SiNO)等。
[0047]需要說明的是，在該折射率漸變層16中，為了使得能夠造成反射的大部分光折射至兩側(cè)的光吸收層中，根據(jù)折射定律，該折射率漸變層16的由上之下的折射率依次減小。
[0048]具體地，如圖2(a)所示的單膜層結(jié)構(gòu)的折射率漸變層示意圖，在該折射率漸變層中，可以由具有一個(gè)取代基團(tuán)和多個(gè)取代基團(tuán)的一種聚合物材料構(gòu)成，具有多個(gè)取代基團(tuán)的聚合物材料的折射率大于具有一個(gè)取代基團(tuán)的聚合物材料的折射率。為了使得由上至下的折射率依次變小，可通過制程溫度來控制。同一種的聚合物材料，取代基團(tuán)的數(shù)量少則折射率較小，對(duì)應(yīng)的制程溫度也較低，反之亦然。只要滿足遠(yuǎn)離面板的膜層結(jié)構(gòu)的折射率大于靠近面板的膜層結(jié)構(gòu)的折射率即可，其中，圖2(a)的單膜層結(jié)構(gòu)的折射率漸變層中，最上層的聚合物材料的取代基團(tuán)最多，其折射率也最大，而最底層的聚合物材料的取代基團(tuán)最小，其折射率也最小。
[0049]如圖2(b)所示的一種多膜層結(jié)構(gòu)的折射率漸變層示意圖，該折射率漸變層16可以由具有一個(gè)取代基團(tuán)和/或多個(gè)取代基團(tuán)的多種聚合物材料構(gòu)成，具有多個(gè)取代基團(tuán)的聚合物材料的折射率大于具有一個(gè)取代基團(tuán)的聚合物材料的折射率。同時(shí)，該多膜層結(jié)構(gòu)的折射率漸變層還可以有不同材料的無機(jī)硅材料構(gòu)成，每一膜層的材料不同。例如:該折射率漸變層16由膜層A (有機(jī)聚合物材料或無機(jī)硅材料a)、膜層B (有機(jī)聚合物材料或無機(jī)硅材料b)和膜層C (有機(jī)聚合物材料或無機(jī)硅材料c)構(gòu)成，且膜層A、膜層B和膜層C距離面板的距離依次減小，則相應(yīng)設(shè)置膜層A的折射率大于膜層B的折射率，膜層B的折射率大于膜層C的折射率。
[0050]優(yōu)選地，該折射率漸變層16的折射率范圍為1.4-2.0。
[0051]優(yōu)選地，該折射率漸變層16的厚度范圍為100nm-15 μ m。
[0052]根據(jù)模擬計(jì)算，以SOppi的基板為例，采用如圖3所示的多膜層結(jié)構(gòu)的折射率漸變層結(jié)構(gòu)，即由上表面至下表面折射率依次為1.9 (SiNx)、1.8 (SiNx)、1.7 (SiNx)、1.6 (SiCN)、1.5 (SiNO)、1.4 (HMDSO)。且該折射率漸變層中最底層厚度最大，接近10 μ m，而其他膜層的厚度很薄。通過數(shù)值計(jì)算，可以確定:該折射率漸變層結(jié)構(gòu)可以將入射角大于45°的環(huán)境光幾乎都折射至光吸收層中，并被光吸收層吸收，從而，大大減少了外界環(huán)境光進(jìn)入發(fā)光區(qū)域的比例，在一定程度上提高了顯示裝置的對(duì)比度。
[0053]優(yōu)選地，該光吸收層17的材料為以下一種或多種的組合:黑色樹脂、氧化鑰、炭黑、氧化鈦。其中，所述光吸收層可以為單層結(jié)構(gòu)，也可以為多層結(jié)構(gòu)。
[0054]如上，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種OLED顯示基板，包括上述多個(gè)OLED像素單元，顯不基板可以是OLED陣列基板，也可以為OLED顯不面板。
[0055]基于與上述OLED顯示基板屬于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種OLED顯示基板的制備方法。
[0056]如圖4所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種OLED顯示基板的制備方法的流程示意圖，該方法主要包括:
[0057]步驟21:提供一基板。
[0058]步驟22:在基板之上形成陽極。
[0059]步驟23:在陽極之上形成像素界定層。
[0060]步驟24:在形成有像素界定層的陽極之上形成有機(jī)功能層。
[0061]步驟25:在有機(jī)功能層之上形成陰極。其中，所述有機(jī)功能層對(duì)應(yīng)發(fā)光區(qū)域，所述像素界定層對(duì)應(yīng)非發(fā)光區(qū)域。
[0062]步驟26:在與所述發(fā)光區(qū)域?qū)?yīng)的陰極之上形成折射率漸變層，在與所述非發(fā)光區(qū)域?qū)?yīng)的陰極之上形成光吸收層。
[0063]其中，所述折射率漸變層的折射率由遠(yuǎn)離基板的一側(cè)至靠近基板的一側(cè)依次減小。
[0064]需要說明的是，在步驟26中，折射率漸變層與光吸收層的工藝順序并不作限定。
[0065]優(yōu)選地，在發(fā)光區(qū)域上方形成折射率漸變層，具體包括:
[0066]在所述陰極之上覆蓋具備折射率漸變層圖案的掩膜板，利用化學(xué)氣相沉積工藝，在發(fā)光區(qū)域上方依次沉積有機(jī)聚合物材料和/或無機(jī)硅材料形成折射率漸變層。具體地，由于有機(jī)聚合物材料分子量不同則折射率也不同，需要的制程溫度也不同，因此，可以通過控制沉積腔室的溫度來形成包含不同數(shù)量取代基團(tuán)的多個(gè)聚合物膜層，而這些膜層的材料可以是相同的。在實(shí)際的沉積工藝中，折射率漸變層可通過下述步驟形成:
[0067]第一步:在所述OLED基板上覆蓋具有折射率漸變層圖案的掩膜板。
[0068]第二步:對(duì)所述OLED基板進(jìn)行化學(xué)氣相沉積，并通過控制溫度，及沉積時(shí)間，形成多個(gè)不同膜層。其中，當(dāng)化學(xué)氣相沉積所用材料相同時(shí)，每一膜層的取代基團(tuán)的數(shù)量不同。當(dāng)化學(xué)氣相沉積所用材料不同時(shí)，每一膜層的材料不同。
[0069]此外，還可以利用噴墨打印工藝，直接在發(fā)光區(qū)域上方形成折射率漸變層?；蛘?，在發(fā)光區(qū)域上方涂布折射率漸變層材料，經(jīng)過固化工藝之后，利用曝光顯影等方式形成所需的折射率漸變層。本發(fā)明并不對(duì)該折射率漸變層的制備方式進(jìn)行限定，由于材料的不同，會(huì)導(dǎo)致不同的制備工藝，然而，該折射率漸變層所涵蓋的制備工藝均為本發(fā)明保護(hù)之列。
[0070]優(yōu)選地，在非發(fā)光區(qū)域上方形成光吸收層，具體包括:
[0071]利用具備光吸收層圖案的掩膜板以及化學(xué)氣相沉積工藝，在所述非發(fā)光區(qū)域上方沉積形成光吸收層。同理，也可以利用上述制備折射率漸變層的其他制備方式。
[0072]此外，本發(fā)明還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實(shí)施例所涉及的OLED顯示基板，同時(shí)，還包括其他現(xiàn)有的結(jié)構(gòu)，例如:驅(qū)動(dòng)模組等。
[0073]盡管已描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對(duì)這些實(shí)施例作出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實(shí)施例以及落入本發(fā)明范圍的所有變更和修改。
[0074]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種0120像素單元，包括基板、位于所述基板之上的陽極、位于所述陽極之上的像素界定層和有機(jī)功能層、以及位于所述有機(jī)功能層和像素界定層之上的陰極；其中，所述有機(jī)功能層對(duì)應(yīng)發(fā)光區(qū)域，所述像素界定層對(duì)應(yīng)非發(fā)光區(qū)域，其特征在于，還包括: 位于所述陰極之上與所述發(fā)光區(qū)域相對(duì)應(yīng)的折射率漸變層； 位于所述陰極之上與所述非發(fā)光區(qū)域相對(duì)應(yīng)的光吸收層； 其中，所述折射率漸變層的折射率由遠(yuǎn)離基板的一側(cè)至靠近基板的一側(cè)依次減小。
2.如權(quán)利要求1所述的像素單元，其特征在于，所述光吸收層的厚度不大于所述折射率漸變層的厚度。
3.如權(quán)利要求2所述的像素單元，其特征在于，所述折射率漸變層的材料為有機(jī)聚合物材料或無機(jī)硅材料。
4.如權(quán)利要求3所述的像素單元，其特征在于，所述折射率漸變層為單膜層結(jié)構(gòu)或多膜層結(jié)構(gòu)。
5.如權(quán)利要求1所述的像素單元，其特征在于，所述折射率漸變層的折射率范圍為1.4-2.0。
6.如權(quán)利要求1所述的像素單元，其特征在于，所述折射率漸變層的厚度范圍為10011111-15 9 III。
7.如權(quán)利要求1所述的像素單元，其特征在于，所述光吸收層的材料為以下一種或多種的組合:黑色樹脂、氧化鑰、炭黑、氧化鈦。
8.一種0120顯示基板，其特征在于，包括權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的0120像素單元。
9.一種況即顯示基板的制備方法，包括:提供一基板，在所述基板之上形成陽極，在所述陽極之上形成有機(jī)功能層和像素界定層，在所述有機(jī)功能層和像素界定層之上形成陰極；其中，所述有機(jī)功能層對(duì)應(yīng)發(fā)光區(qū)域，所述像素界定層對(duì)應(yīng)非發(fā)光區(qū)域，其特征在于，還包括: 在與所述發(fā)光區(qū)域相對(duì)應(yīng)的陰極之上形成折射率漸變層； 在與所述非發(fā)光區(qū)域相對(duì)應(yīng)的陰極之上形成光吸收層； 其中，所述折射率漸變層的折射率由遠(yuǎn)離基板的一側(cè)至靠近基板的一側(cè)依次減小。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，在所述發(fā)光區(qū)域上方形成折射率漸變層，具體包括: 在所述陰極之上覆蓋具備折射率漸變層圖案的掩膜板，利用化學(xué)氣相沉積工藝，在所述發(fā)光區(qū)域上方依次沉積有機(jī)聚合物材料和/或無機(jī)硅材料形成折射率漸變層。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，在所述非發(fā)光區(qū)域上方形成光吸收層，具體包括: 利用掩膜板以及等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝，在所述非發(fā)光區(qū)域上方沉積形成光吸收層。
12.—種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求7所述的0120顯示基板。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK104393016SQ201410601607
【公開日】2015年3月4日 申請(qǐng)日期:2014年10月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月30日
【發(fā)明者】宋瑩瑩 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司