一種電極結(jié)構(gòu)、薄膜晶體管、陣列基板及顯示面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種電極結(jié)構(gòu)、薄膜晶體管、陣列基板及顯示面板，電極結(jié)構(gòu)中至少包括層疊設(shè)置的第一金屬層和第一石墨烯層，第一金屬層的材料為銅或銅合金。由于石墨烯是由碳原子構(gòu)成的單層六邊形結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，具有較高的電荷遷移率，并且與銅原子之間的結(jié)合力強(qiáng)，對(duì)銅原子有很好的吸附作用。因此，利用第一石墨烯層對(duì)第一金屬層中的銅原子的吸附和阻擋作用，可以有效防止電極結(jié)構(gòu)中銅原子的擴(kuò)散，同時(shí)由于石墨烯具有極高的電導(dǎo)率，與金屬層形成的復(fù)合結(jié)構(gòu)，可以進(jìn)一步提高電極結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電性能。
【專利說明】—種電極結(jié)構(gòu)、薄膜晶體管、陣列基板及顯示面板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，尤指一種電極結(jié)構(gòu)、薄膜晶體管、陣列基板及顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，顯示面板對(duì)薄膜晶體管陣列基板上的電極線以及薄膜晶體管的電極的導(dǎo)電性能的要求越來越高。特別是在高分辨率產(chǎn)品中，為了增加開口率，需要在保證導(dǎo)電性能的基礎(chǔ)上減小電極線的線寬；在大尺寸產(chǎn)品中，為了保證畫面的刷新頻率，需要降低電極線的電阻。
[0003]銅作為低電阻和價(jià)格便宜的金屬，相比目前采用常用的鋁、鑰等金屬制作薄膜晶體管陣列基板中的電極線和薄膜晶體管的電極，更容易做到低線寬、低功耗和高的電導(dǎo)率，從而可以提升顯示面板的顯示效果。但是，由于銅原子很容易在膜層間發(fā)生擴(kuò)散，因此采用銅制作電極線和電極，電極中的銅原子會(huì)擴(kuò)散到薄膜晶體管的有源層，從而影響薄膜晶體管的性能。
[0004]因此，如何在保證高的電導(dǎo)率的基礎(chǔ)上防止電極中的銅原子在膜層間的擴(kuò)散，是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟需解決的技術(shù)問題。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種電極結(jié)構(gòu)、薄膜晶體管、陣列基板及顯示面板，用以防止電極中的銅原子在膜層間的擴(kuò)散，從而保證薄膜晶體管的性能。
[0006]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電極結(jié)構(gòu)，包括:襯底基板、以及依次位于所述襯底基板上方的第一金屬層和第一石墨烯層；其中，所述第一金屬層的材料為銅或者銅合金。
[0007]較佳地，為了進(jìn)一步防止銅原子在膜層間的擴(kuò)散，以及增強(qiáng)金屬層與襯底基板之間的粘附性，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述電極結(jié)構(gòu)中，還包括:位于所述襯底基板與所述第一金屬層之間的第二金屬層；以及
[0008]位于所述第二金屬層與所述第一金屬層之間的第二石墨烯層；
[0009]所述第二金屬層的材料為銅合金。
[0010]較佳地，為了更好的防止銅原子的擴(kuò)散，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述電極結(jié)構(gòu)中，所述第一石墨烯層為單層石墨烯或雙層石墨烯；和/或
[0011]所述第二石墨烯層為單層石墨烯或雙層石墨烯。
[0012]相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種薄膜晶體管，包括襯底基板，以及位于所述襯底基板上的柵電極、有源層、源電極和漏電極，其中，所述柵電極與所述有源層之間相互絕緣，所述源電極和所述漏電極分別與所述有源層電連接；
[0013]所述柵電極、所述源電極和所述漏電極至少其中之一包括層疊設(shè)置的第一金屬層和第一石墨烯層；其中，所述第一金屬層的材料為銅或者銅合金。
[0014]較佳地，為了防止電極中的銅原子擴(kuò)散到薄膜晶體管中的有源層，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管中，所述有源層位于所述柵電極的上方；
[0015]所述柵電極包括依次位于所述襯底基板上方的所述第一金屬層和所述第一石墨烯層；或
[0016]所述柵電極包括依次位于所述襯底基板上方的第二金屬層、第二石墨烯層、所述第一金屬層和所述第一石墨烯層；其中，所述第二金屬層的材料為銅合金。
[0017]較佳地，為了防止電極中的銅原子擴(kuò)散到薄膜晶體管中的有源層，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管中，所述柵電極位于所述有源層的上方；
[0018]所述柵電極包括依次位于所述有源層上方的第二金屬層、第二石墨烯層、所述第一金屬層和所述第一石墨烯層；其中，所述第二金屬層的材料為銅合金。
[0019]較佳地，為了防止電極中的銅原子擴(kuò)散到薄膜晶體管中的有源層，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管中，所述源電極與所述漏電極同層設(shè)置，所述有源層位于所述源電極和所述漏電極的上方；
[0020]所述源電極和所述漏電極均包括依次位于所述襯底基板上方的第一金屬層和第一石墨稀層；或
[0021]所述源電極和所述漏電極均包括依次位于所述襯底基板上方的第二金屬層、第二石墨烯層、所述第一金屬層和所述第一石墨烯層；其中，所述第二金屬層的材料為銅合金。
[0022]較佳地，為了防止電極中的銅原子擴(kuò)散到薄膜晶體管中的有源層，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管中，所述源電極與所述漏電極同層設(shè)置，所述源電極和所述漏電極位于所述有源層的上方；
[0023]所述源電極和所述漏電極均包括依次位于所述襯底基板上方的第二金屬層、第二石墨烯層、所述第一金屬層和所述第一石墨烯層；其中，所述第二金屬層的材料為銅合金。
[0024]較佳地，為了更好的防止電極中的銅原子的擴(kuò)散，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管中，所述第一石墨烯層為單層石墨烯或雙層石墨烯；和/或
[0025]所述第二石墨烯層為單層石墨烯或雙層石墨烯；
[0026]相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施還提供了一種陣列基板，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述任一種薄膜晶體管。
[0027]相應(yīng)地，本發(fā)明實(shí)施還提供了一種顯示面板，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板。
[0028]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電極結(jié)構(gòu)、薄膜晶體管、陣列基板及顯示面板，電極結(jié)構(gòu)中至少包括層疊設(shè)置的第一金屬層和第一石墨烯層，第一金屬層的材料為銅或銅合金。由于石墨烯是由碳原子構(gòu)成的單層六邊形結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，具有較高的電荷遷移率，并且與銅原子之間的結(jié)合力強(qiáng)，對(duì)銅原子有很好的吸附作用。因此，利用第一石墨烯層對(duì)第一金屬層中的銅原子的吸附和阻擋作用，可以有效防止電極結(jié)構(gòu)中銅原子的擴(kuò)散，同時(shí)由于石墨烯具有極高的電導(dǎo)率，與金屬層形成的復(fù)合結(jié)構(gòu)，可以進(jìn)一步提高電極結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電性能。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0029]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的電極結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖之一；
[0030]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的電極結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖之二 ；
[0031]圖33至圖36分別為本發(fā)明圖1所示的電極結(jié)構(gòu)的制作方法執(zhí)行各步驟后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖如至圖46分別為本發(fā)明圖2所示的電極結(jié)構(gòu)的制作方法執(zhí)行各步驟后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖53為本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖之一；
[0034]圖56為本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖之二 ；
[0035]圖5^為本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖之三；
[0036]圖5(1為本發(fā)明實(shí)施例提供的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖之四。
【具體實(shí)施方式】
[0037]下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的電極結(jié)構(gòu)、薄膜晶體管、陣列基板及顯示面板的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)地說明。
[0038]附圖中各膜層的形狀和大小不反映電極結(jié)構(gòu)和薄膜晶體管的真實(shí)比例，目的只是示意說明本
【發(fā)明內(nèi)容】
。
[0039]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電極結(jié)構(gòu)，如圖1所示，包括:襯底基板10、以及依次位于襯底基板10上方的第一金屬層11和第一石墨烯層12 ；其中，第一金屬層11的材料為銅或者銅合金。
[0040]本發(fā)明實(shí)施例提供的上述電極結(jié)構(gòu)，在第一金屬層上設(shè)置有第一石墨烯層，由于石墨烯是由碳原子構(gòu)成的單層六邊形結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，具有較高的電荷遷移率，并且與銅原子之間的結(jié)合力強(qiáng)，對(duì)銅原子有很好的吸附作用。因此，利用第一石墨烯層對(duì)第一金屬層中的銅原子的吸附和阻擋作用，可以有效防止電極結(jié)構(gòu)中銅原子的擴(kuò)散，同時(shí)由于石墨烯具有極高的電導(dǎo)率，與金屬層形成的復(fù)合結(jié)構(gòu)，可以進(jìn)一步提高電極結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電性能。
[0041]較佳地，為了進(jìn)一步防止銅原子在膜層間的擴(kuò)散，以及增強(qiáng)金屬層與襯底基板之間的粘附性，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述電極結(jié)構(gòu)中，如圖2所示，還包括:位于襯底基板10與第一金屬層11之間的第二金屬層13 ；以及
[0042]位于第二金屬層13與第一金屬層11之間的第二石墨烯層14 ；
[0043]第二金屬層13的材料為銅合金。
[0044]將銅合金材料的第二金屬層置于襯底基板與第二石墨烯層之間，這樣一方面由于銅合金對(duì)襯底基板的粘附性較強(qiáng)，可以增強(qiáng)對(duì)其對(duì)襯底基板的粘附性，另一方，銅合金薄膜自身具有防止銅原子的擴(kuò)散功能，并且可以利用設(shè)置于第二金屬層與第一金屬層之間的第二石墨烯層對(duì)銅原子的吸附作用，進(jìn)一步防止銅原子的擴(kuò)散。
[0045]具體地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述電極結(jié)構(gòu)中，銅合金可以為銅鑰、銅鈣、銅鎂、銅錳、銅鎂鋁等二元或多元合金，在此不作限定。
[0046]較佳地，為了更好的防止銅原子的擴(kuò)散，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述電極結(jié)構(gòu)中，第一石墨烯層為單層石墨烯或雙層石墨烯；和/或
[0047]第二石墨烯層為單層石墨烯或雙層石墨烯。
[0048]較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述電極結(jié)構(gòu)中，第一石墨烯層為單層石墨烯，第二石墨烯層也為單層石墨烯。這只因?yàn)閱螌拥氖?duì)銅原子的吸附作用最強(qiáng)。
[0049]具體地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述電極結(jié)構(gòu)中，可以采用化學(xué)氣相沉積法(0161111081 7叩01~ 061)0811:1011，(^0)在金屬層上制備石墨烯層，形成機(jī)理為:在高溫環(huán)境下，烴類等碳源在金屬層表面(即金屬催化劑基底)上吸附與分解，以及碳源中的表面碳原子在金屬層體相內(nèi)溶解以及擴(kuò)散；在降溫過程中碳原子從金屬層體相向表面析出，在金屬層的表面成核以及二維重構(gòu)，從而形成石墨烯。
[0050]進(jìn)一步地，在本發(fā)明實(shí)施例中，采用法制備石墨烯層時(shí)，碳源可以為氣態(tài)碳源、液態(tài)碳源或固態(tài)碳源，在此不作限定。
[0051]具體地，在具體實(shí)施時(shí)，氣態(tài)碳源可以為甲烷、乙烯和乙炔中的一種或多種；液態(tài)碳源可以為苯、甲苯和乙醇中的一種或多種；固態(tài)碳源可以為聚甲基丙烯酸甲酯和對(duì)三聯(lián)苯中的一種或多種，在此不作限定。
[0052]進(jìn)一步地，在本發(fā)明實(shí)施例中，高溫環(huán)境的溫度一般控制在400攝氏度至1100攝氏度之間，生長(zhǎng)時(shí)間一般控制在1分鐘至600分鐘之間。
[0053]具體地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述電極結(jié)構(gòu)中，還可以采用旋涂法或現(xiàn)有的其它方法在金屬層上制備石墨烯層，在此不作限定。
[0054]下面以采用法制備石墨烯層為例，對(duì)圖1和圖2所示的電極結(jié)構(gòu)的制備方法進(jìn)行說明。
[0055]實(shí)例一:
[0056]制備圖1所示的電極結(jié)構(gòu)，具體可以包括以下步驟:
[0057](1)采用濺射的方法在襯底基板10上形成第一金屬薄膜15，如圖33所示；
[0058]具體地，第一金屬薄膜的材料可以是銅(“)也可以是銅合金，在此不作限定。
[0059](2)對(duì)第一金屬薄膜15進(jìn)行構(gòu)圖，形成第一金屬層11的圖形，如圖36所示；
[0060](3)以第一金屬層11為制備石墨烯的金屬催化劑基底和生長(zhǎng)襯底，采用(^0法在第一金屬層11上形成第一石墨烯層12，如圖1所示。
[0061]具體地，在具體實(shí)施時(shí)，形成的第一石墨烯層為單層石墨烯效果較佳。
[0062]實(shí)例二:
[0063]制備圖2所示的電極結(jié)構(gòu)，具體可以包括以下步驟:
[0064](1)采用濺射的方法在襯底基板10上形成第二金屬薄膜16，如圖如所示；
[0065]具體地，第二金屬薄膜的材料為銅合金。進(jìn)一步地，銅合金可以為銅鑰、銅鈣、銅鎂、銅錳、銅鎂鋁等二元或多元合金，在此不作限定。
[0066](2)對(duì)第二金屬薄膜16進(jìn)行構(gòu)圖，形成第二金屬層13的圖形，如圖仙所示；
[0067](3)以第二金屬層13為制備石墨烯的金屬催化劑基底和生長(zhǎng)襯底，采用(^0法在第二金屬層13上形成第二石墨烯層14，如圖如所示；
[0068]具體地，形成的第二石墨烯層為單層石墨烯效果較佳。
[0069](4)采用濺射的方法形成覆蓋第二石墨烯層14以及襯底基板10的第一金屬薄膜15，如圖4(1所示；
[0070](5)對(duì)第一金屬薄膜15進(jìn)行構(gòu)圖，形成第一金屬層11的圖形，如圖46所示；
[0071](6)以第一金屬層11為制備石墨烯的金屬催化劑基底和生長(zhǎng)襯底，采用(^0法在第一金屬層11上形成第一石墨烯層12，如圖2所示。
[0072]具體地，形成的第二石墨烯層為單層石墨烯效果較佳。
[0073]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種薄膜晶體管，如圖53和圖56所示，包括襯底基板100，以及位于襯底基板100上的柵電極110、有源層120、源電極130和漏電極140，其中，柵電極110與有源層120之間相互絕緣，源電極130和漏電極140分別與有源層120電連接；
[0074]柵電極110、源電極130和漏電極140至少其中之一包括層疊設(shè)置的第一金屬層11和第一石墨烯層12 ；其中，第一金屬層11的材料為銅或者銅合金。
[0075]本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管，柵電極，源電極，和漏電極中至少有一個(gè)電極至少包括層疊設(shè)置的第一金屬層和第一石墨烯層；其中，第一金屬層的材料為銅或者銅合金。由于石墨烯是由碳原子構(gòu)成的單層六邊形結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，具有較高的電荷遷移率，并且與銅原子之間的結(jié)合力強(qiáng)，對(duì)銅原子有很好的吸附作用。因此，利用第一石墨烯層對(duì)第一金屬層中的銅原子的吸附和阻擋作用，可以有效防止電極結(jié)構(gòu)中銅原子的擴(kuò)散，從而保證薄膜晶體管的性能；同時(shí)由于石墨烯具有極高的電導(dǎo)率，與金屬層形成的復(fù)合結(jié)構(gòu)，可以進(jìn)一步提高電極的導(dǎo)電性能，從而進(jìn)一步提高薄膜晶體管的性能。
[0076]較佳地，為了防止電極中的銅原子擴(kuò)散到薄膜晶體管中的有源層，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管中，如圖53和圖56所示，當(dāng)有源層120位于柵電極110的上方時(shí)；
[0077]如圖53所不，柵電極110可以包括依次位于襯底基板100上方的第一金屬層11和第一石墨烯層12。這樣第一石墨烯層12位于第一金屬層11與有源層120之間，從而可以防止柵電極110中的銅原子向有源層120擴(kuò)散，保證了薄膜晶體管的性能，并且第一石墨烯層12還可以提高柵電極110的導(dǎo)電率，進(jìn)一步提高薄膜晶體管的性能。
[0078]或者，如圖56所示，柵電極110包括依次位于襯底基板100上方的第二金屬層13、第二石墨烯層14、第一金屬層11和第一石墨烯層12 ；其中，第二金屬層13的材料為銅合金。這樣第一石墨烯層12位于第一金屬層11與有源層120之間，從而可以防止柵電極110中的銅原子向有源層120擴(kuò)散，保證了薄膜晶體管的性能；同時(shí)，由于銅合金對(duì)位于其下方的膜層的粘附性將強(qiáng)，因此銅合金材料的第二金屬層13可以增強(qiáng)柵電極110對(duì)襯底基板100的粘附性；另外，第一石墨稀層12和第—^石墨稀層14還可以提聞棚電極110的導(dǎo)電率，從而進(jìn)一步提高薄膜晶體管的性能。
[0079]較佳地，為了防止電極中的銅原子擴(kuò)散到薄膜晶體管中的有源層，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管中，如圖5。和圖5(1所示，當(dāng)柵電極110位于有源層120的上方時(shí)；
[0080]柵電極110包括依次位于有源層120上方的第二金屬層13、第二石墨烯層14、第一金屬層11和第一石墨烯層12 ；其中，第二金屬層13的材料為銅合金。這樣第一石墨烯層12位于第一金屬層11上方，從而可以防止柵電極110中的銅原子向上擴(kuò)散，同時(shí)第二石墨烯層14位于第二金屬層13之上，利用石墨烯層對(duì)銅原子的吸附作用，可以防止第一金屬11和第二金屬層13中的銅原子向有源層120擴(kuò)散，并且銅合金材料的第二金屬層13本身也具有阻擋銅原子擴(kuò)散的功能，保證了薄膜晶體管的性能；另外，由于銅合金對(duì)位于其下方的膜層的粘附性將強(qiáng)，因此銅合金材料的第二金屬層13可以增強(qiáng)柵電極110對(duì)其下方的膜層的粘附性；還有第一石墨烯層12和第二石墨烯層14還可以提高柵電極110的導(dǎo)電率，從而進(jìn)一步提高薄膜晶體管的性能。
[0081]較佳地，為了防止電極中的銅原子擴(kuò)散到薄膜晶體管中的有源層，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管中，如圖5。和圖5(1所示，源電極130與漏電極140同層設(shè)置，當(dāng)有源層120位于源電極130和漏電極140的上方時(shí)；
[0082]如圖5。所不,源電極130和漏電極140均包括依次位于襯底基板100上方的第一金屬層11和第一石墨烯層12，這樣第一石墨烯層12位于第一金屬層11與有源層120之間，從而可以防止源電極130和漏電極140中的銅原子向有源層120擴(kuò)散，保證了薄膜晶體管的性能，并且第一石墨烯層12還可以提高源電極130和漏電極140的導(dǎo)電率，進(jìn)一步提高薄膜晶體管的性能。
[0083]或者，如圖5(1所示，源電極130和漏電極140均包括依次位于襯底基板100上方的第二金屬層13、第二石墨烯層14、第一金屬層11和第一石墨烯層12 ；其中，第二金屬層13的材料為銅合金。這樣第一石墨烯層12位于第一金屬層11與有源層120之間，從而可以防止源電極130和漏電極140中的銅原子向有源層120擴(kuò)散，保證了薄膜晶體管的性能；同時(shí)，由于銅合金對(duì)位于其下方的膜層的粘附性將強(qiáng)，因此銅合金材料的第二金屬層13可以增強(qiáng)源電極130和漏電極140對(duì)襯底基板100的粘附性；另外，第一石墨烯層12和第二石墨稀層14還可以提聞源電極130和漏電極140的導(dǎo)電率，從而進(jìn)一步提聞薄I旲晶體管的性能。
[0084]較佳地，為了防止電極中的銅原子擴(kuò)散到薄膜晶體管中的有源層，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管中，如圖53和圖56所示，源電極130與漏電極140同層設(shè)置，當(dāng)源電極130和漏電極140位于有源層120的上方時(shí)；
[0085]源電極130和漏電極140均包括依次位于襯底基板100上方的第二金屬層13、第二石墨烯層14、第一金屬層11和第一石墨烯層12 ；其中，第二金屬層13的材料為銅合金。這樣第一石墨烯層12位于第一金屬層11上方，從而可以防止源電極130和漏電極140中的銅原子向上擴(kuò)散，同時(shí)第二石墨烯層14位于第二金屬層13之上，利用石墨烯層對(duì)銅原子的吸附作用，可以防止第一金屬11和第二金屬層13中的銅原子向有源層120擴(kuò)散，并且銅合金材料的第二金屬層13本身也具有阻擋銅原子擴(kuò)散的功能，保證了薄膜晶體管的性能；另外，由于銅合金對(duì)位于其下方的膜層的粘附性將強(qiáng)，因此銅合金材料的第二金屬層13可以增強(qiáng)源電極130和漏電極140對(duì)其下方的膜層的粘附性；還有第一石墨烯層12和第二石墨烯層14還可以提高源電極130和漏電極140的導(dǎo)電率，從而進(jìn)一步提高薄膜晶體管的性倉泛。
[0086]較佳地，為了更好的防止電極中的銅原子的擴(kuò)散，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管中，第一石墨烯層為單層石墨烯或雙層石墨烯；或者
[0087]第二石墨烯層為單層石墨烯或雙層石墨烯。
[0088]較佳地，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管中，第一石墨烯層為單層石墨烯或雙層石墨烯，同時(shí)第二石墨烯層為單層石墨烯或雙層石墨烯。
[0089]需要說明的是，在本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管中，有源層的材料可以為氧化物材料、非晶硅材料或低溫多晶硅材料，也可以為現(xiàn)有技術(shù)中的其它材料，在此不作限定。
[0090]另外，對(duì)于薄膜晶體管的其它必不可少的組成部分均為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解具有的，在此不做贅述，也不應(yīng)作為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0091]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種陣列基板，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述薄膜晶體管，該陣列基板的實(shí)施可以參見上述薄膜晶體管的實(shí)施例，重復(fù)之處不再贅述。
[0092]具體地，本發(fā)明實(shí)施提供的上述陣列基板可以應(yīng)用于液晶顯示(11(1111(1 0781:8101鄧1；17，[⑶)面板，當(dāng)然也可以應(yīng)用于有機(jī)發(fā)光二極管(01'職=1(3￡11111:1:1118 010(16，0120)顯示面板，在此不做限定。
[0093]基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示面板，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的上述陣列基板，該顯示面板可以是液晶顯示面板，也可以是0120顯示面板，對(duì)于顯示面板的其它必不可少的組成部分均為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解具有的，在此不做贅述，也不應(yīng)作為對(duì)本發(fā)明的限制。該顯示面板的實(shí)施可以參見上述陣列基板的實(shí)施例，重復(fù)之處不再贅述
[0094]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電極結(jié)構(gòu)、薄膜晶體管、陣列基板及顯示面板，電極結(jié)構(gòu)中至少包括層疊設(shè)置的第一金屬層和第一石墨烯層，第一金屬層的材料為銅或銅合金。由于石墨烯是由碳原子構(gòu)成的單層六邊形結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，具有較高的電荷遷移率，并且與銅原子之間的結(jié)合力強(qiáng)，對(duì)銅原子有很好的吸附作用。因此，利用第一石墨烯層對(duì)第一金屬層中的銅原子的吸附和阻擋作用，可以有效防止電極結(jié)構(gòu)中銅原子的擴(kuò)散，同時(shí)由于石墨烯具有極高的電導(dǎo)率，與金屬層形成的復(fù)合結(jié)構(gòu)，可以進(jìn)一步提高電極結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電性能。
[0095]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括:襯底基板、以及依次位于所述襯底基板上方的第一金屬層和第一石墨烯層；其中，所述第一金屬層的材料為銅或者銅合金。
2.如權(quán)利要求1所述的電極結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括:位于所述襯底基板與所述第一金屬層之間的第二金屬層；以及 位于所述第二金屬層與所述第一金屬層之間的第二石墨烯層； 所述第二金屬層的材料為銅合金。
3.如權(quán)利要求1或2所述的電極結(jié)構(gòu)，其特征在于: 所述第一石墨烯層為單層石墨烯或雙層石墨烯；和/或 所述第二石墨烯層為單層石墨烯或雙層石墨烯。
4.一種薄膜晶體管，包括襯底基板，以及位于所述襯底基板上的柵電極、有源層、源電極和漏電極，其中，所述柵電極與所述有源層之間相互絕緣，所述源電極和所述漏電極分別與所述有源層電連接；其特征在于: 所述柵電極、所述源電極和所述漏電極至少其中之一包括層疊設(shè)置的第一金屬層和第一石墨烯層；其中，所述第一金屬層的材料為銅或者銅合金。
5.如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述有源層位于所述柵電極的上方； 所述柵電極包括依次位于所述襯底基板上方的所述第一金屬層和所述第一石墨烯層；或 所述柵電極包括依次位于所述襯底基板上方的第二金屬層、第二石墨烯層、所述第一金屬層和所述第一石墨烯層；其中，所述第二金屬層的材料為銅合金。
6.如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵電極位于所述有源層的上方； 所述柵電極包括依次位于所述有源層上方的第二金屬層、第二石墨烯層、所述第一金屬層和所述第一石墨烯層；其中，所述第二金屬層的材料為銅合金。
7.如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源電極與所述漏電極同層設(shè)置，所述有源層位于所述源電極和所述漏電極的上方； 所述源電極和所述漏電極均包括依次位于所述襯底基板上方的第一金屬層和第一石墨稀層；或 所述源電極和所述漏電極均包括依次位于所述襯底基板上方的第二金屬層、第二石墨烯層、所述第一金屬層和所述第一石墨烯層；其中，所述第二金屬層的材料為銅合金。
8.如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源電極與所述漏電極同層設(shè)置，所述源電極和所述漏電極位于所述有源層的上方； 所述源電極和所述漏電極均包括依次位于所述襯底基板上方的第二金屬層、第二石墨烯層、所述第一金屬層和所述第一石墨烯層；其中，所述第二金屬層的材料為銅合金。
9.如權(quán)利要求4-8任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管，其特征在于: 所述第一石墨烯層為單層石墨烯或雙層石墨烯；和/或 所述第二石墨烯層為單層石墨烯或雙層石墨烯。
10.一種陣列基板，其特征在于，包括如權(quán)利要求4-9任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管。
11.一種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求10所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】H01L29/41GK104300008SQ201410601597
【公開日】2015年1月21日 申請(qǐng)日期:2014年10月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月30日
【發(fā)明者】何曉龍, 姚琪, 曹占鋒, 李正亮, 孔祥春, 張斌, 高錦成 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司