一種led結(jié)構(gòu)及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種LED結(jié)構(gòu)及其制備方法，其中結(jié)構(gòu)包括襯底、位于所述襯底之上的第一半導(dǎo)體層、位于所述第一半導(dǎo)體層之上的發(fā)光層、位于所述發(fā)光層之上的第二半導(dǎo)體層以及位于所述半導(dǎo)體層上的電極。其中，電極由主體和延伸部所組成，所述延伸部與所接觸半導(dǎo)體層表面呈一定夾角，并以半包覆的形狀將電極主體與射向其上表面、側(cè)面的光線隔開。
【專利說明】一種LED結(jié)構(gòu)及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種LED結(jié)構(gòu)及其制備方法，特別是涉及一種白光LED結(jié)構(gòu)及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]固體照明，特別是發(fā)光二極管(LED)由于其壽命長(zhǎng)、無污染、光效高正越來越多地取代熒光燈/白熾燈等成為新一代的光源。由于直接生產(chǎn)制備出來的LED都是單色光，要獲得白光，必須有多種顏色混合才能形成，目前制備白光LED的方式主要是利用藍(lán)/紫外光LED激發(fā)光轉(zhuǎn)換材料，如熒光粉等形成白光。
[0003]目前LED多使用Au等高導(dǎo)電材料作為電極，而Au等材料具有一定程度吸光。因此，電極吸光對(duì)出光效率的降低不容小覷。如圖1所示的現(xiàn)有白光芯片，電極105吸光主要包括三方面:1)吸收發(fā)光層103射向電極底部的光!T1 ;2)吸收發(fā)光層103射向電極側(cè)面的光r2 ;3)吸收光轉(zhuǎn)換材料107，如熒光粉等的散射/激發(fā)射向電極頂部及側(cè)面的光r3。
[0004]為了解決電極吸光的問題，現(xiàn)有技術(shù)制備的LED反射電極主要有兩種類型:1)僅電極底部是反射面，而側(cè)面和上表面仍是吸光的金屬。因此，含這種電極的LED芯片，特別是白光芯片仍會(huì)因?yàn)殡姌O吸光而降低光效；2)整個(gè)電極被反射金屬所包裹。但由于反射金屬一般為Ag/Al, LED芯片在使用過程中很容易由于Ag/Al金屬電遷移而發(fā)生電極失效。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明旨在提供一種LED結(jié)構(gòu)及其制作方法，其實(shí)現(xiàn)減少電極吸光的同時(shí)，又降低金屬反射電極發(fā)生電遷移的風(fēng)險(xiǎn)。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)方面，一種LED結(jié)構(gòu),包括:襯底；位于所述襯底之上的第一半導(dǎo)體層；位于所述第一半導(dǎo)體層之上的發(fā)光層；位于所述發(fā)光層之上的第二半導(dǎo)體層；位于所述半導(dǎo)體層上的電極，由主體和延伸部所組成:其中所述電極延伸部與所接觸半導(dǎo)體層表面呈一定夾角，并以半包覆的形狀將電極主體與射向其上表面、側(cè)面的光線隔開。
[0007]在本發(fā)明的一些實(shí)施例中，所述電極的主體為多層結(jié)構(gòu)，其底層由反射金屬組成，用于反射發(fā)光層射向電極下表面的光線；其頂層由電遷移惰性的金屬組成，用于保護(hù)其下表面的反射金屬，防止其在導(dǎo)電過程中發(fā)生電遷移的風(fēng)險(xiǎn)。
[0008]在一些實(shí)施例中，所述電極的延伸部，其靠近電極主體的表面由電遷移惰性的金屬組成，其遠(yuǎn)離電極主體的外側(cè)面由反射金屬組成，用于反射射向電極主體上表面和側(cè)面的光線。
[0009]在一些實(shí)施例中，所述電極延伸部的高度不低于其電極主體的高度。
[0010]在一些實(shí)施例中，所述電極延伸部與所接觸半導(dǎo)體層表面呈直角、鈍角和銳角中的一種或其組合。
[0011]在一些實(shí)施例中，所述電極延伸部的表面是規(guī)則的平面或不規(guī)則的平面的一種或其組合。
[0012]在一些實(shí)施例中，所述LED結(jié)構(gòu)還包含電極區(qū)域以外的光轉(zhuǎn)換材料。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)方面，一種LED結(jié)構(gòu)的制備方法，包括:a)提供一 LED晶片，其包括用于支撐保護(hù)LED的襯底，位于所述襯底之上的第一半導(dǎo)體層，位于所述第一半導(dǎo)體層之上的發(fā)光層，位于所述發(fā)光層之上的第二半導(dǎo)體層；b)將所述第二半導(dǎo)體層上表面劃分為電極區(qū)域和非電極區(qū)域，在所述非電極區(qū)域上形屏蔽層；c)在LED晶片上沉積電極層，其沉積的方向與LED晶片表面有一定角度，使得鄰接電極區(qū)域的屏蔽層側(cè)壁也被鍍上電極層；d)去除屏蔽層和位于其上的電極層，留下電極區(qū)域及屏蔽層側(cè)壁的電極層，其中電極區(qū)域的電極層為電極主體，屏蔽層側(cè)壁的電極層為電極延伸部。
[0014]在一些實(shí)施例中，所述沉積的方向與LED晶片表面的角度Θ的取值范圍為:0°
<Θ < 90°。
[0015]在一些實(shí)施例中，所述沉積的方向與LED晶片表面的角度Θ的取值范圍為:30。彡 Θ 彡 80°。
[0016]在一些實(shí)施例中，所述沉積的電極層為多層結(jié)構(gòu)，最先沉積的金屬層由反射金屬組成。
[0017]在一些實(shí)施例中，所述沉積的電極層為多層結(jié)構(gòu)，最后沉積的金屬層由電遷移惰性的金屬組成。
[0018]在一些實(shí)施例中，制備完所述電極后，該制備方法還包含在電極其余區(qū)域沉積光轉(zhuǎn)換材料。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的第三個(gè)方面，一種LED結(jié)構(gòu)的制備方法，包括:a)提供一 LED晶片，其包括用于支撐保護(hù)LED的襯底，位于所述襯底之上的第一半導(dǎo)體層，位于所述第一半導(dǎo)體層之上的發(fā)光層，位于所述發(fā)光層之上的第二半導(dǎo)體層；b)將所述第二半導(dǎo)體層上表面劃分為電極區(qū)域和非電極區(qū)域，在所述非電極區(qū)域形成光轉(zhuǎn)換層；c)在所述光轉(zhuǎn)換層上形成屏蔽層，露出電極區(qū)域；d)在LED晶片上沉積電極層，沉積的方向與LED晶片表面有一定角度，使得鄰接電極區(qū)域的光轉(zhuǎn)換層側(cè)壁也被鍍上電極層；e)去除屏蔽層和位于其上的電極層，留下電極區(qū)域及光轉(zhuǎn)換層側(cè)壁的電極層，其中電極區(qū)域的電極層為電極主體，光轉(zhuǎn)換層側(cè)壁的電極層為電極延伸部。
[0020]在一些實(shí)施例中，所述沉積的方向與LED晶片表面的角度Θ的取值范圍為:0°
<Θ < 90°。
[0021]在一些實(shí)施例中，所述沉積的方向與LED晶片表面的角度Θ的取值范圍為:30。彡 Θ 彡 80°。
[0022]在一些實(shí)施例中，所述沉積的電極層為多層結(jié)構(gòu)，最先沉積的金屬層由反射金屬組成。
[0023]在一些實(shí)施例中，所述沉積的電極層為多層結(jié)構(gòu)，最后沉積的金屬層由電遷移惰性的金屬組成。雖然在下文中將結(jié)合一些示例性實(shí)施及使用方法來描述本發(fā)明，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，并不旨在將本發(fā)明限制于這些實(shí)施例。反之，旨在覆蓋包含在所附的權(quán)利要求書所定義的本發(fā)明的精神與范圍內(nèi)的所有替代品、修正及等效物。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]附圖用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本發(fā)明的實(shí)施例一起用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。此外，附圖數(shù)據(jù)是描述概要，不是按比例繪制。
[0025]圖1是現(xiàn)有白光LED技術(shù)其電極吸光示意圖。
[0026]圖2是一種LED結(jié)構(gòu)實(shí)施例1的剖視圖，其電極延伸部與半導(dǎo)體層表面呈直角。
[0027]圖3是實(shí)施例1實(shí)施方式流程圖。
[0028]圖4-6是實(shí)施例1實(shí)施方式流程剖視圖。
[0029]圖7是實(shí)施例1未去除屏蔽層前電極的SEM圖片。
[0030]圖8是實(shí)施例1去除屏蔽層后俯視電極的SEM圖片。
[0031]圖9是實(shí)施例1去除屏蔽層后側(cè)視電極的SEM圖片。
[0032]圖10是實(shí)施例1的基礎(chǔ)上制作的含光轉(zhuǎn)換層的實(shí)施例2的結(jié)構(gòu)剖視圖。
[0033]圖11是實(shí)施例2的一種實(shí)施方式的流程圖。
[0034]圖12-13是實(shí)施例2的一種實(shí)施方式的流程剖視圖。
[0035]圖14是實(shí)施例2的另一種實(shí)施方式的流程圖。
[0036]圖15-17是實(shí)施例2的另一種實(shí)施方式的流程剖視圖。
[0037]圖18是一種LED結(jié)構(gòu)實(shí)施例3的剖視圖，其電極延伸部與半導(dǎo)體層表面呈鈍角。
[0038]圖19是一種LED結(jié)構(gòu)實(shí)施例4的剖視圖，其電極延伸部與半導(dǎo)體層表面呈銳角。
[0039]圖20是一種LED結(jié)構(gòu)實(shí)施例5的剖視圖，其電極延伸部是不規(guī)則的。
[0040]圖中各標(biāo)號(hào)表不:
101、201、301、401、501、601:襯底；
102、202、302、402、502、602:第一半導(dǎo)體層；
103、203、303、403、503、603:發(fā)光層；
104、204、304、404、504、604:第二半導(dǎo)體層；
204a,304a:電極區(qū)域；
105、205、305、405、505、605:電極；
106,306:光轉(zhuǎn)換層；
107、307:光轉(zhuǎn)換材料；
208、308、408、508、608:電極主體；
209、309、409、509、609:電極延伸部；
210、310、410、510、610:反射金屬層；
211、311、411、511、611:電遷移惰性金屬層；
212,312:屏蔽層；
212a:鄰接電極區(qū)域的屏蔽層側(cè)壁；
214:金屬蒸鍍?cè)础?br> [0041]

【具體實(shí)施方式】
以下將結(jié)合附圖及實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式，借此對(duì)本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來解決技術(shù)問題，并達(dá)成技術(shù)效果的實(shí)現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實(shí)施。需要說明的是，只要不構(gòu)成沖突，本發(fā)明中的各個(gè)實(shí)施例以及各實(shí)施例中的各個(gè)特征可以相互結(jié)合，所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0042]實(shí)施例1 圖2顯示了本發(fā)明第一較佳實(shí)施例之LED結(jié)構(gòu)的剖視圖，下面結(jié)合其制備方法對(duì)本實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明，其制備流程如圖3所示。
[0043]首先，如圖4所示，提供一 LED晶片，其包括用于支撐保護(hù)LED的襯底201，位于襯底之上的第一半導(dǎo)體層202，位于第一半導(dǎo)體層202之上的發(fā)光層203，位于發(fā)光層203之上的第二半導(dǎo)體層204。在本實(shí)施例中，襯底201為高導(dǎo)電材料(如S1、Cu、CuW合金等)，當(dāng)然，襯底201并不限制為導(dǎo)電材料，也可以為絕緣材料(如藍(lán)寶石等)，應(yīng)根據(jù)具體器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行選擇。當(dāng)?shù)谝话雽?dǎo)體層202為P型半導(dǎo)體，第二半導(dǎo)體層204可為相異電性的η型半導(dǎo)體，反之，當(dāng)?shù)谝话雽?dǎo)體層202為η型半導(dǎo)體，第二半導(dǎo)體層204可為相異電性的P型半導(dǎo)體。發(fā)光層203位于第一半導(dǎo)體層202及第二半導(dǎo)體層204之間，可為中性、ρ型或η型電性的半導(dǎo)體。施以電流通過半導(dǎo)體發(fā)光疊層時(shí)，激發(fā)發(fā)光層203發(fā)光出光線。當(dāng)發(fā)光層203以氮化物為基礎(chǔ)的材料時(shí)，會(huì)發(fā)出藍(lán)或綠光；當(dāng)以磷化鋁銦鎵為基礎(chǔ)的材料時(shí)，會(huì)發(fā)出紅、橙、黃光的琥拍色系的光。
[0044]步驟SOl:將第二半導(dǎo)體層204的上表面劃分為電極區(qū)域204a和非電極區(qū)域，在非電極區(qū)域上屏蔽層212，露出電極區(qū)域。其中，鄰接電極區(qū)域的屏蔽層側(cè)壁212a根據(jù)電極結(jié)構(gòu)預(yù)先設(shè)計(jì)好其角度。如圖5所示，設(shè)計(jì)的角度為直角；優(yōu)選地，屏蔽層212為感光材料，如光刻膠等。
[0045]步驟S02:如圖5所示，在LED晶片上沉積電極層，其沉積的方向與LED晶片表面有一定角度Θ，使得鄰接電極區(qū)域的屏蔽層側(cè)壁212a也被鍍上電極層。請(qǐng)參看圖6，在本實(shí)施例中電極層為多層結(jié)構(gòu)，最先沉積反射金屬層210 ;最后沉積電遷移惰性金屬層211，沉積的方向與LED晶片表面的角度Θ可在0-90°之間。較佳的，電極層沉積的方向與LED晶片的角度為60°，反射金屬210為Ag、Al等金屬或其合金，電遷移惰性金屬211為Au、Pt等金屬或其合金。請(qǐng)參看附圖7，從SEM圖片可看出，電極層形成在第二半導(dǎo)體層的電極區(qū)域204a和鄰近電極區(qū)域的屏蔽層側(cè)壁212a上。
[0046]步驟S03:去除屏蔽層和位于其上的電極層，留下電極區(qū)域及屏蔽層側(cè)壁的電極層，其結(jié)構(gòu)如圖8和9所示。其中電極區(qū)域的電極層208為電極主體，屏蔽層側(cè)壁的電極層209為電極延伸部，兩者共同構(gòu)成電極205。
[0047]在本實(shí)施例中，LED電極的底部和側(cè)壁都有金屬反射層210，能反射發(fā)光層發(fā)射的光，從而減少電極吸收造成的光效下降。電極延伸部的反射層211暴露出來，但由于電極延伸部不負(fù)責(zé)導(dǎo)電，所以延伸部的金屬不易發(fā)生電遷移。雖然電極主體主要負(fù)責(zé)導(dǎo)電，但金屬反射層上部有電遷移惰性金屬所保護(hù)，因此電遷移所造成的風(fēng)險(xiǎn)也降到最低。本實(shí)施例實(shí)現(xiàn)了既減少電極吸光又降低金屬反射電極發(fā)生電遷移的風(fēng)險(xiǎn)的目的。
[0048]實(shí)施例2
圖10顯示了本發(fā)明第二較佳實(shí)施例之LED結(jié)構(gòu)的剖視圖，下面結(jié)合其制備方法對(duì)本實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0049]如圖10所示，本實(shí)施例與實(shí)施例1的區(qū)別在于:在第二半導(dǎo)體層304的非電極區(qū)域上覆蓋光轉(zhuǎn)換層306，在本實(shí)施例中，其制備流程如圖11所示。
[0050]首先，通過步驟Slf S13制備獲得具有與實(shí)施例1結(jié)構(gòu)基本相同的LED結(jié)構(gòu)，其方法與實(shí)施例1的S01-S03制作流程基本相同。在本實(shí)施中，由于電極延伸部309需反射光轉(zhuǎn)換層306射向電極305的光，所以電極延伸部309的高度不應(yīng)低于光轉(zhuǎn)換層306的厚度，因此電極延伸部309的厚度以大于1ym為佳，對(duì)應(yīng)地在步驟11中形成的屏蔽層的厚度同樣以大于10 μ m為佳，可以選用Futurrex或者AZ electronic material或者JSRCorporat1n的光刻膠。
[0051]步驟S14:請(qǐng)參看附圖12，在電極305上覆蓋屏蔽層312。
[0052]步驟S15:請(qǐng)參看附圖13，在第二半導(dǎo)體層304除電極305以外的其余區(qū)域上填充光轉(zhuǎn)換層307。具體地，首先整面涂覆上光轉(zhuǎn)換層，再研磨掉電極305上方的光轉(zhuǎn)換層，露出屏蔽層。較佳的，光轉(zhuǎn)換層為娃膠和突光粉的混合物。
[0053]步驟S16:去除屏蔽層312。
[0054]在本實(shí)施例中，LED的電極完全反射光轉(zhuǎn)換層射向電極的光，極大地降低了電極的吸光，提升了光效，其可直接應(yīng)用于白光LED結(jié)構(gòu)。
[0055]本實(shí)施例之LED結(jié)構(gòu)還可以通過下面另一種方法制備獲得，其制備流程如圖14所
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[0056]首先，提供一 LED晶片，其包括用于支撐保護(hù)LED的襯底301，位于襯底301之上的第一半導(dǎo)體層302，位于第一半導(dǎo)體層302之上的發(fā)光層303，位于發(fā)光層303之上的第二半導(dǎo)體層304。
[0057]步驟S21:將第二半導(dǎo)體層304上表面劃分為電極區(qū)域304a和非電極區(qū)域，在非電極區(qū)域上形成圖案化光轉(zhuǎn)換層306，露出電極區(qū)域，如圖15示。優(yōu)選地，光轉(zhuǎn)換層為硅膠和突光粉的混合物。
[0058]步驟S22:在光轉(zhuǎn)換層306上形成屏蔽層312，露出電極區(qū)域，如圖16所示。
[0059]步驟S23:在LED晶片上沉積電極層，其沉積的方向與LED晶片表面有一定角度Θ，使得鄰接電極區(qū)域的光轉(zhuǎn)換層306側(cè)壁也被鍍上電極層。具體的，在LED晶片上依次沉積金屬層，最先沉積反射金屬層310,最后沉積電遷移惰性金屬層311,如圖17所不。較佳地，金屬沉積的方向與LED晶片表面的夾角為30°?80°。
[0060]步驟S24:去除屏蔽層312和位于其上的電極層，留下電極區(qū)域和光轉(zhuǎn)換層側(cè)壁的電極。
[0061]本實(shí)施方式利用光轉(zhuǎn)換層定義的電極區(qū)域，實(shí)現(xiàn)制備電極；并利用光轉(zhuǎn)換層保護(hù)電極的延伸部目的，適合大批量生產(chǎn)制備，降低量產(chǎn)難度。
[0062]實(shí)施例3
圖18顯示了本發(fā)明第三較佳實(shí)施例之LED結(jié)構(gòu)的剖視圖，其與實(shí)施例1的區(qū)別在于:電極延伸部409與LED器件的表面的夾角成銳角，與電極主體408構(gòu)成“W”型，其制備流程類似實(shí)施例1。關(guān)鍵步驟在于SOl:在半導(dǎo)體層上形成屏蔽層，露出電極區(qū)域，鄰接電極區(qū)域的屏蔽層側(cè)壁設(shè)計(jì)為鈍角。在實(shí)際制作過程中，可以通過控制所用屏蔽層的類型、曝光能量及顯影時(shí)間來實(shí)現(xiàn)角度的控制。較佳地，本實(shí)施例之屏蔽層使用正膠。
[0063]本實(shí)施例之LED結(jié)構(gòu)一方面可達(dá)成不但減少電極吸光，降低金屬反射電極發(fā)生電遷移風(fēng)險(xiǎn)的目的外，另一方面由于電極延伸部角度的控制，使得更多的光反射回背面，較適用于倒裝結(jié)構(gòu)芯片。
[0064]實(shí)施例4
圖19顯示了本發(fā)明第4較佳實(shí)施例之LED結(jié)構(gòu)的剖視圖，其與實(shí)施例1的區(qū)別在于:電極延伸部509與LED器件的表面的夾角成銳角，其制備流程類似實(shí)施例1。關(guān)鍵步驟在于SO1:在半導(dǎo)體層上形成屏蔽層，露出電極區(qū)域，鄰接電極區(qū)域的屏蔽層側(cè)壁設(shè)計(jì)為鈍角。在實(shí)際制作過程中，可以通過控制所用屏蔽層的類型、曝光能量及顯影時(shí)間來實(shí)現(xiàn)角度的控制。較佳地，本實(shí)施例之屏蔽層使用負(fù)膠。
[0065]本實(shí)施例之LED結(jié)構(gòu)一方面成不但減少電極吸光，降低金屬反射電極發(fā)生電遷移風(fēng)險(xiǎn)的目的外；另一方面由于電極延伸部角度的控制，使得更多的光射向正面，較適用于需要較大發(fā)光角度的應(yīng)用。
[0066]限于內(nèi)容有限，實(shí)施例1、3、4中，電極延伸部和半導(dǎo)體層表面的角度在每一實(shí)施例中都只有一種類型，如鈍角、直角或銳角中的一種。在更精妙的設(shè)計(jì)中，在同一實(shí)施例中可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)不同的角度類型，也就是說，延伸部和半導(dǎo)體層表面的角度可以是鈍角、直角或銳角中的一種或其組合。
[0067]實(shí)施例5
在前述各實(shí)施例中，電極延伸部的表面都是規(guī)則的平面，但實(shí)際也可為不規(guī)則的表面結(jié)構(gòu)。圖20顯示了本發(fā)明第5較佳實(shí)施例之LED結(jié)構(gòu)的剖視圖，其與實(shí)施例1的區(qū)別在于:電極延伸部609的表面為不規(guī)則結(jié)構(gòu)，其制備流程類似實(shí)施例1。關(guān)鍵步驟在于S01:在半導(dǎo)體層上形成圖案化屏蔽層，露出電極區(qū)域，鄰接電極區(qū)域的屏蔽層側(cè)壁設(shè)計(jì)為鈍角。為了實(shí)現(xiàn)不規(guī)則的表面結(jié)構(gòu)，可以有如下實(shí)施方式:
1)精細(xì)設(shè)計(jì)屏蔽層的厚度，使得曝光源的光線在半導(dǎo)體層表面發(fā)生衍射，從而形成波浪形的電極延伸部；
2)如實(shí)施例1、3、4中的S01制備好屏蔽層后，對(duì)屏蔽層表面進(jìn)行處理，如化學(xué)蝕刻或ICP蝕刻，使得其表面形成特殊形貌，從而獲得不規(guī)則的電極延伸部。
[0068]本實(shí)施例之LED結(jié)構(gòu)一方面達(dá)成不但減少電極吸光，降低金屬反射電極發(fā)生電遷移風(fēng)險(xiǎn)的目的外，另一方面由于電極延伸部角度的控制，適用于特殊應(yīng)用。
【權(quán)利要求】
1.一種LED結(jié)構(gòu),包括: 襯底； 位于所述襯底之上的第一半導(dǎo)體層； 位于所述第一半導(dǎo)體層之上的發(fā)光層； 位于所述發(fā)光層之上的第二半導(dǎo)體層； 位于所述半導(dǎo)體層上的電極，由主體和延伸部所組成， 其特征在于:所述電極延伸部與所接觸半導(dǎo)體層表面呈一定夾角，并以半包覆的形狀將電極主體與射向其上表面、側(cè)面的光線隔開。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述電極的主體為多層結(jié)構(gòu)，其底層由反射金屬組成，用于反射發(fā)光層射向電極下表面的光線；其頂層由電遷移惰性的金屬組成，用于保護(hù)其下表面的反射金屬，防止其在導(dǎo)電過程中發(fā)生電遷移的風(fēng)險(xiǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述電極的延伸部，其靠近電極主體的表面由電遷移惰性的金屬組成，其遠(yuǎn)離電極主體的外側(cè)面由反射金屬組成，用于反射射向電極主體上表面和側(cè)面的光線。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述電極延伸部的高度不低于其電極主體的高度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述電極延伸部與所接觸半導(dǎo)體層表面呈直角、鈍角和銳角中的一種或其組合。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述電極延伸部的表面是規(guī)則的平面或不規(guī)則的平面的一種或其組合。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述LED結(jié)構(gòu)還包含電極區(qū)域以外的光轉(zhuǎn)換材料。
8.—種LED結(jié)構(gòu)的制備方法，包括: a)提供一LED晶片，其包括用于支撐保護(hù)LED的襯底，位于所述襯底之上的第一半導(dǎo)體層，位于所述第一半導(dǎo)體層之上的發(fā)光層，位于所述發(fā)光層之上的第二半導(dǎo)體層； b)將所述第二半導(dǎo)體層上表面劃分為電極區(qū)域和非電極區(qū)域，在所述非電極區(qū)域上形成屏蔽層； c)在LED晶片上沉積電極層，其沉積的方向與LED晶片表面有一定角度，使得鄰接電極區(qū)域的屏蔽層側(cè)壁也被鍍上電極層； d)去除屏蔽層和位于其上的電極層，留下電極區(qū)域及屏蔽層側(cè)壁的電極層，其中電極區(qū)域的電極層為電極主體，屏蔽層側(cè)壁的電極層為電極延伸部。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種LED結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于:所述沉積的方向與LED晶片表面的角度Θ的取值范圍為:0° < Θ <90°。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種LED結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于:所述沉積的方向與LED晶片表面的角度Θ的取值范圍為:30°彡Θ彡80°。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種LED結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于:所述沉積的電極層為多層結(jié)構(gòu)，最先沉積的金屬層由反射金屬組成。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種LED結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于:所述沉積的電極層為多層結(jié)構(gòu)，最后沉積的金屬層由電遷移惰性的金屬組成。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種LED結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于:制備完所述電極后，該制備方法還包含在電極其余區(qū)域沉積光轉(zhuǎn)換材料。
14.一種LED結(jié)構(gòu)的制備方法，包括: a)提供一LED晶片，其包括用于支撐保護(hù)LED的襯底，位于所述襯底之上的第一半導(dǎo)體層，位于所述第一半導(dǎo)體層之上的發(fā)光層，位于所述發(fā)光層之上的第二半導(dǎo)體層； b)將所述第二半導(dǎo)體層上表面劃分為電極區(qū)域和非電極區(qū)域，在所述非電極區(qū)域形成光轉(zhuǎn)換層； c)在所述光轉(zhuǎn)換層上形成屏蔽層，露出電極區(qū)域； d)在LED晶片上沉積電極層，沉積的方向與LED晶片表面有一定角度，使得鄰接電極區(qū)域的光轉(zhuǎn)換層側(cè)壁也被鍍上電極層； e)去除屏蔽層和位于其上的電極層，留下電極區(qū)域及光轉(zhuǎn)換層側(cè)壁的電極層，其中電極區(qū)域的電極層為電極主體，光轉(zhuǎn)換層側(cè)壁的電極層為電極延伸部。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的一種LED結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于:所述沉積的方向與LED晶片表面的角度Θ的取值范圍為:0° < Θ <90°。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的一種LED結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于:所述沉積的方向與LED晶片表面的角度Θ的取值范圍為:30°彡Θ彡80°。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的一種LED結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于:所述沉積的電極層為多層結(jié)構(gòu)，最先沉積的金屬層由反射金屬組成。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的一種LED結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于:所述沉積的電極層為多層結(jié)構(gòu)，最后沉積的金屬層由電遷移惰性的金屬組成。
【文檔編號(hào)】H01L33/44GK104347776SQ201410600560
【公開日】2015年2月11日 申請(qǐng)日期:2014年10月31日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月31日
【發(fā)明者】梁興華, 何洪泉, 李佳恩, 夏德玲, 林素慧, 徐宸科 申請(qǐng)人:廈門市三安光電科技有限公司