專利名稱：像素陣列及具有該像素陣列的顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種像素陣列及具有此像素陣列的顯示面板，且特別是涉及一種觸控顯示面板及其像素陣列。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)今的信息社會(huì)下，人們對(duì)電子產(chǎn)品的依賴性與日俱增。舉凡移動(dòng)電話(mobiIe phone)、掌上型電腦(handheld PC)、個(gè)人數(shù)字助理(Personal Digital Assistance, PDA) 或是智能型手機(jī)(smart phone)等電子產(chǎn)品在生活中隨處可見(jiàn)。為了達(dá)到更便利、體積更輕巧化以及更人性化的目的，許多信息產(chǎn)品已由傳統(tǒng)的鍵盤或滑鼠等輸入裝置，轉(zhuǎn)變?yōu)槭褂糜|控感應(yīng)顯示面板作為輸入裝置，其中同時(shí)具有觸控與顯示功能的觸控式顯示面板更是成為現(xiàn)今最流行的產(chǎn)品之一。一般而言，觸控式顯示面板分為外貼式(added-type)與內(nèi)嵌式(in-cell)兩種， 內(nèi)嵌式觸控顯示面板是將觸控感應(yīng)裝置制作于顯示面板之內(nèi)，而外貼式觸控顯示面板是將觸控感應(yīng)裝置貼在顯示面板之外。因?yàn)閮?nèi)嵌式觸控顯示面板具有輕薄的優(yōu)點(diǎn)，最近這幾年來(lái)已廣為發(fā)展。已知的內(nèi)嵌式觸控感應(yīng)顯示面板中，大多數(shù)的讀出線以及感應(yīng)元件都設(shè)置在像素結(jié)構(gòu)中，而這些讀出線以及感應(yīng)裝置大都利用金屬制造而成，造成像素結(jié)構(gòu)的開(kāi)口率下降， 使得使用已知像素結(jié)構(gòu)的顯示面板亮度降低，進(jìn)而影響顯示品質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種像素陣列及具有此像素陣列的顯示面板，用以增加內(nèi)嵌式觸控感應(yīng)顯示面板中像素結(jié)構(gòu)的開(kāi)口率。本發(fā)明提出一種像素陣列，其包括多個(gè)像素結(jié)構(gòu)，各個(gè)像素結(jié)構(gòu)被兩條相鄰的掃描線及兩條相鄰的數(shù)據(jù)線所環(huán)繞，且設(shè)置于基板上。像素結(jié)構(gòu)包括有源元件、感測(cè)元件、像素電極、讀出線以及電磁干擾遮蔽層。有源元件與一條掃描線以及一條數(shù)據(jù)線電性連接。像素電極與有源元件電性連接。感測(cè)元件與下一條掃描線以及讀出線電性連接，且讀出線與數(shù)據(jù)線重疊。電磁干擾遮蔽層覆蓋于數(shù)據(jù)線，且位于讀出線與數(shù)據(jù)線之間。本發(fā)明另提出一種顯示面板，其包括第一基板、第二基板以及設(shè)置在第一基板與第二基板之間的顯示介質(zhì)。多條掃描線以及多條數(shù)據(jù)線設(shè)置在第一基板上，且第一基板包括多個(gè)設(shè)置在靠近掃描線與數(shù)據(jù)線的交叉處的有源元件。有源元件與一條掃描線以及一條數(shù)據(jù)線電性連接，且有源元件由前述的掃描線驅(qū)動(dòng)。像素電極與有源元件電性連接。讀出線與數(shù)據(jù)線平行設(shè)置，且二者分別以不同膜層制作而得。電磁干擾遮蔽層覆蓋在數(shù)據(jù)線上， 且位于讀出線與數(shù)據(jù)線之間。感測(cè)元件與數(shù)據(jù)線以及讀出線電性連接。基于上述，本發(fā)明中的讀出線設(shè)置在數(shù)據(jù)線的上方或下方，使得像素結(jié)構(gòu)的開(kāi)口率大幅增加。此外，由于電磁干擾遮蔽層設(shè)置在讀出線與數(shù)據(jù)線之間，故讀出線上的感測(cè)信號(hào)不會(huì)被底下的數(shù)據(jù)線上的驅(qū)動(dòng)信號(hào)所干擾。
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的像素陣列中的像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。圖2A是圖1中像素結(jié)構(gòu)的第一金屬層的俯視示意圖。圖2B是圖1中像素結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體層的俯視示意圖。圖2C是圖1中像素結(jié)構(gòu)的第二金屬層的俯視示意圖。圖2D是圖1中像素結(jié)構(gòu)的電磁干擾遮蔽層(EMI shielding layer)的俯視示意圖。圖2E是圖1中像素結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電層的俯視示意圖。圖3A是圖1中沿著A-A’線的剖面示意圖。圖;3B是圖1中沿著B(niǎo)-B’線的剖面示意圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示面板的剖面示意圖。圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的等效電路圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明Pn:像素結(jié)構(gòu)SLn 掃描線DLn 數(shù)據(jù)線T1 有源元件104:像素電極RLn:讀出線108 電磁干擾遮蔽層102 感測(cè)元件CLn:電容電極線112、114、116 絕緣層G”(i2、G3:柵極CHpCHyCH3 溝道S1J2J3:源極DpDyD3:漏極T2 開(kāi)關(guān)元件T3 光感測(cè)元件C” C2、C3、C4 接觸窗110:導(dǎo)電圖案10 第一基板20 第二基板12:像素陣列22 電極層30 顯示介質(zhì)
C1。液晶電容V-共同電壓
具體實(shí)施例方式圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例像素陣列中像素結(jié)構(gòu)的俯視示意圖，圖3A是圖1中沿著 A-A’線的剖面示意圖，而圖;3B是圖1中沿著B(niǎo)-B’線的剖面示意圖。在實(shí)施例中，像素陣列包括多個(gè)像素結(jié)構(gòu)Pn，而至少其中一個(gè)像素結(jié)構(gòu)Pn如圖1所繪示。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1、圖3A 以及圖:3B，本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)Pn包括掃描線SLn、數(shù)據(jù)線DLn、有源元件T1、像素電極104、 讀出線RLn、電磁干擾遮蔽層108以及感測(cè)元件102。在本實(shí)施例中，像素陣列包括多條掃描線^!^…；！^；！^；！^”…入多條數(shù)據(jù)線(DL”...、DL1^DLnJLlri、…)以及多條
讀出線(RL1.....RLlri、RLn、RLn+1、...)，且每一個(gè)像素結(jié)構(gòu)Pn都包括有源元件T1、像素電極
104、感測(cè)元件102以及電磁干擾遮蔽層108。然而，本發(fā)明不限于本實(shí)施例中有源元件1\、 像素電極104以及感測(cè)元件102的數(shù)目。在其他可行的實(shí)施例(未繪示)中，每一個(gè)像素結(jié)構(gòu)Pn都包括有源元件以及像素電極，而感測(cè)元件102只設(shè)置在部分像素結(jié)構(gòu)Pn中。此外， 在本實(shí)施例中，像素結(jié)構(gòu)Pn還包括電容電極線CLn。這表示，像素陣列還包括多條電容電極
^^ (CLi、■ ■ ■ λ CLn_i、CLn Λ CLn+i、. . .) ο掃描線SLn以及數(shù)據(jù)線DLn設(shè)置在基板10上，其中掃描線SLn與數(shù)據(jù)線DLn的延伸方向不同，此外，掃描線SLn與數(shù)據(jù)線DLn屬于不同膜層，且掃描線SLn與數(shù)據(jù)線DLn之間夾有絕緣層112，以使掃描線SLn與數(shù)據(jù)線DLn彼此電性隔離。掃描線SLn與數(shù)據(jù)線DLn用來(lái)傳遞像素結(jié)構(gòu)Pn的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。像素結(jié)構(gòu)Pn中的有源元件T1與掃描線以及數(shù)據(jù)線DLn電性連接。在此，有源元件T1例如是薄膜晶體管，且此薄膜晶體管包括柵極G1、溝道CH1、源極S1以及漏極D1,其中柵極G1與掃描線SLn電性連接，源極S1與數(shù)據(jù)線DLn電性連接，而溝道CH1設(shè)置在柵極G1 上方，且設(shè)置在源極S1以及漏極D1下方。此外，請(qǐng)參考圖3A，絕緣層112覆蓋于柵極G1上方并且位于柵極G1與溝道CH1之間。在本實(shí)施例中，圖中所繪示的有源元件T1是一種底部柵極型薄膜晶體管，但本發(fā)明不限于此。在其他實(shí)施例中，有源元件T1亦可以是一種頂部柵極型薄膜晶體管。在實(shí)施例中，像素電極104與有源元件T1電性連接。詳言之，像素電極104經(jīng)由接觸窗C1與有源元件T1的漏極D1電性連接，而此接觸窗C1形成于漏極D1與像素電極104 的重疊區(qū)域上。像素電極104例如由銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)的透明導(dǎo)電材料或金屬的反射式導(dǎo)電材料所形成。此外，像素電極104也可以由透明導(dǎo)電材料以及反射式導(dǎo)電材料組成，以形成半穿透半反射式(transflective)的像素結(jié)構(gòu)(未繪示)。在本實(shí)施例中，讀出線RLn位于數(shù)據(jù)線DLn+1上，此設(shè)計(jì)簡(jiǎn)稱為ROD設(shè)計(jì)。詳言之， 讀出線RLn直接設(shè)置在數(shù)據(jù)線DLn+1的上方，因此讀出線RLn與數(shù)據(jù)線DLn+1重疊。在其他的實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線DLn+1可位于讀出線RLn上，此設(shè)計(jì)簡(jiǎn)稱為DOR設(shè)計(jì)。詳言之，讀出線RLn 直接設(shè)置于數(shù)據(jù)線DLn+1的下方，因此讀出線RLn與數(shù)據(jù)線DLn+1重疊。讀出線RLn與數(shù)據(jù)線 DLn+1的線寬可以相同或不同。如果讀出線RLn與數(shù)據(jù)線DLn+1有相同的線寬，讀出線RLn會(huì)與數(shù)據(jù)線DLn+1完全重疊。如果讀出線RLn與數(shù)據(jù)線DLn+1有不同的線寬，讀出線RLn的線寬可以大于或小于數(shù)據(jù)線DLn+1的線寬。以ROD設(shè)計(jì)為例，讀出線RLn與像素電極104屬于同一層薄膜，這表示，讀出線RLn與像素電極104應(yīng)該是由相同的材料同時(shí)形成。此外，請(qǐng)參考圖:3B，讀出線?。?！^與掃描線SLn的延伸方向不同，且絕緣層114以及絕緣層116形成于讀出線RLn與掃描線SLn之間。電容電極線CLn設(shè)置在基板10上且與像素電極104電性耦接。詳言之，電容電極線CLnS置在像素電極104的下方，絕緣層112、絕緣層114以及絕緣層116皆位于電容電極線CLn與像素電極104之間。此外，電容電極線CLn與像素電極104有重疊的區(qū)域，電容電極線CLn與像素電極104在此重疊區(qū)域電性耦接(電容耦合)。因此，像素電極104的電荷可以儲(chǔ)存在此區(qū)域以便形成像素結(jié)構(gòu)Pn*的儲(chǔ)存電容器。在此實(shí)施例中，電容電極線CLn 包括主體以及從主體延伸出的兩分支。主體的延伸方向與掃描線SLn平行，而兩分支的延伸方向與數(shù)據(jù)線DLn平行。本發(fā)明亦不限于此電容電極線CLn的形狀或布局(layout)。另外，請(qǐng)參考圖2A，在實(shí)施例中，電容電極線CLn與掃描線SLn同時(shí)形成并且屬于同一層薄膜。
在實(shí)施例中，像素結(jié)構(gòu)中的電容電極線(CL1.....CLlri、CLn, CLn+1、...)與共同電壓電性連
接，此共同電壓例如是直流電壓。感測(cè)元件102與掃描線SLn以及讀出線RLn電性連接。在本實(shí)施例中，感測(cè)元件 102包括開(kāi)關(guān)元件T2以及光感測(cè)元件T3,其中開(kāi)關(guān)元件T2與掃描線SLn以及讀出線RLn電性連接，而光感測(cè)元件T3與開(kāi)關(guān)元件T2電性連接。詳言之，開(kāi)關(guān)元件T2包括柵極(}2、溝道 CH2、源極&以及漏極D2,而光感測(cè)元件T3包括柵極( 、溝道CH3、源極&以及漏極D3。在開(kāi)關(guān)元件T2中，溝道Ol2設(shè)置在柵極( 的上方以及源極&與漏極&的下方。在光感測(cè)元件 T3中，溝道CH3設(shè)置在柵極( 的上方以及源極&與漏極D3的下方。開(kāi)關(guān)元件T2中的柵極 G2與掃描線電性連接，開(kāi)關(guān)元件T2中的源極&與光感測(cè)元件T3中的漏極D3電性連接， 開(kāi)關(guān)元件T2中的漏極仏與讀出線RLn經(jīng)由接觸窗C4電性連接，且光感測(cè)元件T3中的柵極 G3以及源極&與電容電極線CLn+1連接。詳言之，光感測(cè)元件T3中的源極&是經(jīng)由導(dǎo)電圖案110、接觸窗C2以及接觸窗C3與電容電極線CLn+1連接。在實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)元件T2以及光感測(cè)元件T3分別是以底部柵極型薄膜晶體管為例子進(jìn)行說(shuō)明，但是本發(fā)明不限于此。在其他可行的本實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)元件T2與光感測(cè)元件T3亦可為頂部柵極型薄膜晶體管。本領(lǐng)域一般技術(shù)人員應(yīng)了解，本發(fā)明可以根據(jù)電壓的耦接關(guān)系，將薄膜晶體管中的漏極以及源極做互相的置換。電磁干擾遮蔽層108 (如圖3A以及圖所示)覆蓋數(shù)據(jù)線DLn+1，且設(shè)置于讀出線 RLn以及數(shù)據(jù)線DLn+1之間。圖1中并未繪示出電磁干擾遮蔽層108，其布局或排列將于后進(jìn)行詳述。在本實(shí)施列中，電磁干擾遮蔽層108與數(shù)據(jù)線DLn以及數(shù)據(jù)線DLn+1重疊，且讀出線 RLn與電磁干擾遮蔽層108重疊。電磁干擾遮蔽層108的材料包括透明導(dǎo)電材料，例如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)或金屬。承上述，因?yàn)樽x出線與數(shù)據(jù)線的重疊，使得像素結(jié)構(gòu)Pn的開(kāi)口率大幅增加，因此具有前述的像素結(jié)構(gòu)的顯示面板的亮度可以獲得提升，進(jìn)而改善顯示的品質(zhì)。此外，由于電磁干擾遮蔽層108介于讀出線與數(shù)據(jù)線之間，故讀出線上的感測(cè)信號(hào)不會(huì)被位于下方數(shù)據(jù)線上的驅(qū)動(dòng)信號(hào)所干擾。傳統(tǒng)上，位于下基板上的數(shù)據(jù)線與位于上基板上的電極層之間會(huì)因?yàn)榧纳娙莸拇嬖诙鴮?dǎo)致數(shù)據(jù)線產(chǎn)生阻容延遲(RC delay)，而在本實(shí)施例的顯示面板中， 位在數(shù)據(jù)線與讀出線之間的電磁干擾遮蔽層可減少數(shù)據(jù)線上的阻容延遲。詳言之，請(qǐng)參照?qǐng)D3A，由于絕緣層114、絕緣層116以及電磁干擾遮蔽層108具有接觸窗C1,電磁干擾遮蔽層108與像素電極104以及漏極D1電性連接。換言之，由于電磁干擾遮蔽層108與像素電極104以及漏極D1具有相同的電位，故電磁干擾遮蔽層108可以避免數(shù)據(jù)線DLn+1上的電磁干擾現(xiàn)象影響讀出線RLn。為了清楚描述像素結(jié)構(gòu)Pn中膜層的排列，圖2A至圖2E分別代表像素結(jié)構(gòu)Pn中五個(gè)膜層的俯視圖。圖2A是圖1中像素結(jié)構(gòu)Pn的第一金屬層(亦稱為Ml)的俯視示意圖。 請(qǐng)參照?qǐng)D1以及圖2A，第一金屬層包括掃描線SLn、電容電極線CLn以及電容電極線CLn+1。 詳言之，掃描線SLn的一部分區(qū)域用以作為有源元件T1的柵極G1，而掃描線SLn的其余部分區(qū)域用以作為開(kāi)關(guān)元件T2的柵極(；2。在實(shí)施例中，圖2A所繪示的元件是以第一光掩模工藝形成，因此，圖2A中所繪示的這些元件是同時(shí)形成且屬于同一層薄膜。在圖2A中的第一金屬層形成之后，接著形成絕緣層112(如圖3A以及圖:3B所示)以覆蓋第一金屬層。圖2B是圖1中像素結(jié)構(gòu)Pn的半導(dǎo)體層的俯視示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1以及圖2B，半導(dǎo)體層形成于絕緣層112上方，且包括有源元件Tl中的溝道CH1、開(kāi)關(guān)元件T2中的溝道CH2 以及光感測(cè)元件T3中的溝道CH3。半導(dǎo)體層可由非晶硅層以及摻雜非晶硅層形成。在本實(shí)施例中，圖2B中所繪示的元件是以第二光掩模工藝形成，因此，圖2B所示的這些元件是同時(shí)形成且屬于同一層薄膜。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，除了有源元件T1中的溝道CH1、開(kāi)關(guān)元件T2中的溝道CH2以及光感測(cè)元件T3中的溝道CH3之外，半導(dǎo)體層還包括多個(gè)介層圖案 (未繪示)介于電容電極線與數(shù)據(jù)線之間及/或介于掃描線與數(shù)據(jù)線之間，這些介層圖案可用以避免電容電極線與數(shù)據(jù)線之間及/或介于掃描線與數(shù)據(jù)線之間的短路現(xiàn)象。圖2C是圖1中像素結(jié)構(gòu)Pn的第二金屬層(亦稱為M2)的俯視示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D 1以及圖2C，第二金屬層包括數(shù)據(jù)線DLn、數(shù)據(jù)線DLn+1、有源元件T1中的源極S1與漏極D” 開(kāi)關(guān)元件T2中的源極&與漏極&以及光感測(cè)元件T3中的源極&與漏極D3。在本實(shí)施例中，圖2C中所繪示的元件是以第三光掩模工藝形成，因此，圖2C所示的這些元件是同時(shí)形成且屬于同一層薄膜中。在圖2C中的第二金屬層形成之后，接著形成絕緣層114(如圖3A 及圖3B所示)以覆蓋第二金屬層，此絕緣層114具有保護(hù)層的功能。圖2D是圖1中像素結(jié)構(gòu)的電磁干擾遮蔽層108的俯視示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D2C、圖 3A以及圖3B，電磁干擾遮蔽層108與圖2C中第二金屬層皆采用第三光掩模工藝中的同一張光掩模來(lái)制作，因此電磁干擾遮蔽層108與圖2C中第二金屬層的圖案相同。電磁干擾遮蔽層108的材料例如為透明導(dǎo)電材料或金屬。在圖2D中的電磁干擾遮蔽層108形成之后，接著形成絕緣層116(如圖3A以及圖 3B所示)以覆蓋于電磁干擾遮蔽層108，此絕緣層116可用以作為保護(hù)層。接著，透過(guò)第四光掩模工藝圖案化絕緣層116、絕緣層114以及電磁干擾遮蔽層108，以形成接觸窗Cp C2,
C3、 C4。圖2Ε是圖1中像素結(jié)構(gòu)Pn的導(dǎo)電層的俯視示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1以及圖2Ε，導(dǎo)電層包括讀出線RLn、讀出線RLlri、像素電極104以及導(dǎo)電圖案110。在本實(shí)施例中，圖2Ε中所示的元件是通過(guò)第五光掩模工藝形成，因此，圖2Ε所示的這些元件是同時(shí)形成且屬于同
一層薄膜。圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例中顯示面板的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D4，實(shí)施例中的顯示面板包括第一基板10、第二基板20以及位于第一基板10與第二基板20之間的顯示介質(zhì) 30。
第一基板10的材料例如為玻璃、石英、有機(jī)材料或是金屬，第一基板10上形成有像素陣列12，且此像素陣列12例如為圖1中所示的像素陣列。第二基板20的材料例如為玻璃、石英、有機(jī)材料或是上述類似物。在本實(shí)施例中， 電極層22設(shè)置于第二基板20上，且電極層22例如是透明電極層。此透明電極層的材料例如是由銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)。電極層22完全覆蓋于第二基板20上且電性耦接至共同電壓，此共同電壓例如是直流電壓。此外，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，可選擇性地設(shè)置彩色濾光層(未繪示)，而彩色濾光層包括紅色、綠色以及藍(lán)色濾光層于第二基板 20上。此外，亦可選擇性地設(shè)置光遮蔽層(未繪示)于第二基板20上，此光遮蔽層(黑矩陣)例如設(shè)置在各個(gè)彩色濾光層(紅色、綠色以及藍(lán)色濾光層)之間?；蛘?，進(jìn)一步透過(guò)上述彩色濾光層與黑矩陣兩者間的排列組合，以達(dá)到所欲的功效，例如阻絕可見(jiàn)光僅讓近紅外光穿透。在本實(shí)施例中，顯示介質(zhì)30設(shè)置在第一基板10與第二基板20之間，其例如為液晶材料。然而，本發(fā)明不限定顯示介質(zhì)30必須是液晶材料，顯示介質(zhì)30亦可以是其他顯示材料，如有機(jī)發(fā)光材料、電泳顯示材料或等離子體顯示材料。在第一基板10、第二基板20以及顯示介質(zhì)30形成圖4中的顯示面板之后，便完成了多個(gè)像素單元(如圖5所示)的制作，每一個(gè)像素單元對(duì)應(yīng)一個(gè)像素結(jié)構(gòu)。圖5中是相當(dāng)于圖4中顯示面板的像素單元的等效電路。請(qǐng)參照?qǐng)D5，除了像素結(jié)構(gòu)Pn之外，液晶電容Cle也形成于每一像素單元中。液晶電容Cle是由第一基板10上像素結(jié)構(gòu)Pn的像素電極 (如圖4所示)、第二基板上20的電極層22以及介于像素結(jié)構(gòu)Pn與電極層22之間的液晶材料30所構(gòu)成。在本實(shí)施例中，第二基板20上的電極層22耦接至共同電壓(V。。m)，而此共同電壓
例如是直流電壓。電容電極線(CL1.....CLn+ CLn, CLn+1、...)也與上述共同電壓電性連
接。因此，每一像素單元的液晶電容C1。的一端與上述的共同電壓(V。。m)電性連接。所以， 在像素結(jié)構(gòu)中，開(kāi)關(guān)元件T2與有源元件T1分別電性連接于兩條相鄰的掃描線SLn與掃描線 SLn^10也就是說(shuō)，當(dāng)有源元件T1與感測(cè)元件102分享共同掃描線SLn時(shí)，有源元件T1與感測(cè)元件102會(huì)分別與不同的電容電極線CLn+1及電容電極線CLn電性耦接。雖然本發(fā)明已以實(shí)施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種像素陣列，具有多個(gè)像素結(jié)構(gòu)，至少其中一個(gè)像素結(jié)構(gòu)包括兩條相鄰的掃描線及兩條相鄰的數(shù)據(jù)線，環(huán)繞著該像素結(jié)構(gòu)并設(shè)置于基板上； 有源元件，與其中一條該掃描線以及像素電極電性連接； 讀出線，位于該數(shù)據(jù)線上；電磁干擾遮蔽層，位于該讀出線與該數(shù)據(jù)線之間；以及感測(cè)元件，與讀出線電性連接。
2.如權(quán)利要求1所述的像素陣列，還包括顯示介質(zhì)設(shè)置在該基板以及對(duì)向基板之間。
3.如權(quán)利要求1所述的像素陣列，其中該讀出線與該像素電極屬于同一層薄膜。
4.如權(quán)利要求1所述的像素陣列，其中該電磁干擾遮蔽層與該數(shù)據(jù)線重疊，且該讀出線與該電磁干擾遮蔽層重疊。
5.如權(quán)利要求1所述的像素陣列，其中該電磁干擾遮蔽層與該像素電極電性連接。
6.如權(quán)利要求1所述的像素陣列，其中該電磁干擾遮蔽層的材料包括導(dǎo)電材料或金jM ο
7.如權(quán)利要求1所述的像素陣列，其中該有源元件包括與該掃描線電性連接的柵極、 與該數(shù)據(jù)線線電性連接的源極以及與該像素電極電性連接的漏極，且該電磁干擾遮蔽層的圖案輪廓與該源極、該漏極以及該數(shù)據(jù)線的圖案輪廓相同。
8.如權(quán)利要求1所述的像素陣列，其中該像素結(jié)構(gòu)還包括與該像素電極電性耦接的電容電極線。
9.如權(quán)利要求1所述的像素陣列，其中該感測(cè)元件包括 開(kāi)關(guān)元件，與該掃描線以及該讀出線電性連接；以及光感測(cè)元件，與該開(kāi)關(guān)元件電性連接。
10.如權(quán)利要求1所述的像素陣列，其中該感測(cè)元件與該掃描線連接，且該掃描線不與該有源元件耦接。
11.一種顯示面板，包括第一基板，具有多條掃描線以及多條數(shù)據(jù)線，而該第一基板包括 多個(gè)有源元件，靠近于該掃描線以及該數(shù)據(jù)線的交叉處設(shè)置，且各有源元件分別由對(duì)應(yīng)的掃描線驅(qū)動(dòng)；像素電極，與該有源元件電性連接； 讀出線，與該數(shù)據(jù)線重疊；電磁干擾遮蔽層，位于該讀出線以及該數(shù)據(jù)線之間；以及感測(cè)元件，與該讀出線電性連接； 第二基板，相對(duì)于該第一基板；以及顯示介質(zhì)，位于該第一基板與該第二基板之間。
12.如權(quán)利要求11所述的顯示面板，其中該讀出線與該數(shù)據(jù)線利用不同的工藝制作。
13.如權(quán)利要求11所述的顯示面板，其中該讀出線與該像素電極屬于同一層薄膜。
14.如權(quán)利要求11所述的顯示面板，其中該電磁干擾遮蔽層位于該數(shù)據(jù)線上方，且該讀出線位于該電磁干擾遮蔽層上方。
15.如權(quán)利要求11所述的顯示面板，其中該電磁干擾遮蔽層與該像素電極電性連接。
16.如權(quán)利要求11所述的顯示面板，其中該電磁干擾遮蔽層的材料包括導(dǎo)電材料或金屬。
17.如權(quán)利要求11所述的顯示面板，其中該有源元件包括與該掃描線電性連接的柵極、與該數(shù)據(jù)線電性連接的源極以及與該像素電極電性連接的漏極，該電磁干擾遮蔽層的圖案輪廓與該源極、該漏極以及該數(shù)據(jù)線的圖案輪廓相同。
18.如權(quán)利要求11所述的顯示面板，其中該數(shù)據(jù)線位于該讀出線以及該電磁干擾遮蔽層上方。
19.如權(quán)利要求11所述的顯示面板，其中該感測(cè)元件包括 開(kāi)關(guān)元件，與該掃描線以及該讀出線電性連接；以及光感測(cè)元件，與該開(kāi)關(guān)元件電性連接。
全文摘要
本發(fā)明提供一種像素陣列及具有該像素陣列的顯示面板。該像素陣列由多個(gè)像素結(jié)構(gòu)所構(gòu)成。所述像素陣列中的至少一像素結(jié)構(gòu)包括掃描線、數(shù)據(jù)線、有源元件、像素電極、讀出線、電磁干擾遮蔽層以及感測(cè)元件。掃描線及數(shù)據(jù)線設(shè)置于基板上。有源元件與掃描線及數(shù)據(jù)線電性連接。像素電極與有源元件電性連接。讀出線設(shè)置在數(shù)據(jù)線上方或下方。電磁干擾遮蔽層覆蓋數(shù)據(jù)線且介于數(shù)據(jù)線及讀出線之間。感測(cè)元件與掃描線及讀出線電性連接。
文檔編號(hào)G06F3/041GK102566815SQ20111036282
公開(kāi)日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2011年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月26日
發(fā)明者廖勝泰, 張營(yíng)輝, 范森雄 申請(qǐng)人:劍揚(yáng)股份有限公司