有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其制造方法。該OLED顯示裝置包括：基板；驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TFT，其形成在基板上；鈍化膜，其形成在基板上并且覆蓋驅(qū)動(dòng)TFT；OLED顯示器，其形成在鈍化層上，OLED包括第一電極、有機(jī)發(fā)光層和第二電極；基線，其形成在鈍化層上；支撐圖案，其形成在基線的中心部分上；第一堤層，其覆蓋第一電極和基線中的每一個(gè)的邊界部分，從而暴露第一電極和基線中的每一個(gè)的中心部分；以及第二堤層，其形成在支撐圖案上。在基板的像素區(qū)域中，有機(jī)發(fā)光層形成在第一電極、第一堤層和第二堤層以及支撐圖案上，并且在支撐圖案的頂邊緣部分處被切割，以暴露基線的一部分，并且第二電極覆蓋有機(jī)發(fā)光層并且連接到基線的該部分。
【專利說明】有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置，并且更具體地，涉及一種使用支撐圖案的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置以及制造該有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]在各種平板顯示器(FPD)當(dāng)中，有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置具有諸如高亮度和低驅(qū)動(dòng)電壓這樣的優(yōu)異性質(zhì)。OLED顯示裝置使用發(fā)射型電致發(fā)光層來實(shí)現(xiàn)高對(duì)比度和薄的外形，并且由于數(shù)微秒(μ秒)的短響應(yīng)時(shí)間而在顯示移動(dòng)圖像方面表現(xiàn)優(yōu)異。而且，OLED顯示裝置在視角方面沒有限制，并且甚至在低溫下也是穩(wěn)定的。由于利用大約5V至大約15V的低電壓以直流(DC)來驅(qū)動(dòng)OLED顯示裝置，因此，容易制造和設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路。此夕卜，由于OLED顯示裝置的制造工藝僅要求沉積設(shè)備和包封設(shè)備，因此，OLED顯示裝置的制造工藝簡(jiǎn)單。
[0003]一般來說，OLED顯示裝置被分類為被動(dòng)矩陣類型和主動(dòng)矩陣類型。在被動(dòng)矩陣類型OLED顯示裝置中，將掃描線和信號(hào)線的元件形成為矩陣，從而掃描線和信號(hào)線彼此交叉。另外，由于掃描線被順序地驅(qū)動(dòng)，因此每個(gè)像素顯示與所要求的亮度和掃描線的數(shù)目的乘積相同的瞬時(shí)亮度。
[0004]在主動(dòng)矩陣類型OLED顯示裝置中，作為接通/關(guān)斷像素的開關(guān)元件的薄膜晶體管(TFT)形成在每個(gè)像素中，并且施加到像素的電壓被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)電容器中。由于存儲(chǔ)電容器提供電壓直到下一幀為止，因此每個(gè)像素在幀期間操作，而與掃描線的數(shù)目無關(guān)。由于即使在施加低電壓時(shí)也獲得所要求的亮度，因此主動(dòng)矩陣類型OLED具有諸如低功耗、高分辨率和對(duì)大尺寸的適用性這樣的優(yōu)點(diǎn)。因此，主動(dòng)矩陣類型OLED顯示裝置已經(jīng)被廣泛使用。
[0005]主動(dòng)矩陣類型OLED顯示裝置包括選通線、數(shù)據(jù)線和電力線。選通線和數(shù)據(jù)線彼此交叉以限定像素區(qū)域，并且電力線平行于數(shù)據(jù)線并且與數(shù)據(jù)線間隔開。開關(guān)薄膜晶體管(TFT)、驅(qū)動(dòng)TFT、存儲(chǔ)電容器和發(fā)光二極管形成在像素區(qū)域中。當(dāng)將選通信號(hào)施加到選通線時(shí)，開關(guān)TFT導(dǎo)通并且數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)信號(hào)被通過開關(guān)TFT提供到驅(qū)動(dòng)TFT的柵極。由于驅(qū)動(dòng)TFT導(dǎo)通，因此電力線的源電壓被通過驅(qū)動(dòng)TFT提供到發(fā)光二極管，從而發(fā)光。
[0006]當(dāng)驅(qū)動(dòng)TFT導(dǎo)通時(shí)，根據(jù)驅(qū)動(dòng)TFT的導(dǎo)通程度來確定從電力線流過發(fā)光二極管的電流的電平，從而發(fā)光二極管顯示各種灰度級(jí)。由于存儲(chǔ)電容器在開關(guān)TFT截止時(shí)保持驅(qū)動(dòng)TFT的柵極的電壓，因此即使當(dāng)開關(guān)TFT導(dǎo)通時(shí)，流過發(fā)光二極管的電流的電平也被保持直到下一幀為止。
[0007]根據(jù)來自發(fā)光二極管的光的發(fā)射方向，OLED顯示裝置可以被分類為頂發(fā)光裝置和底發(fā)光裝置。由于在底發(fā)光OLED顯示裝置中開口率減小，因此頂發(fā)光OLED顯示裝置已經(jīng)被廣泛使用。
[0008]在頂發(fā)光OLED顯示裝置中，半導(dǎo)體層、柵極絕緣層、柵極、層間絕緣層和源極以及漏極順序地形成在第一基板上以構(gòu)成驅(qū)動(dòng)TFT。源極和漏極分別連接到電力線和發(fā)光二極管。
[0009]發(fā)光二極管包括第一電極和第二電極以及在第一電極與第二電極之間的有機(jī)發(fā)光層。在每個(gè)像素區(qū)域中，第一電極連接到驅(qū)動(dòng)TFT，并且第二電極形成在具有有機(jī)發(fā)光層的第一基板的整個(gè)表面上。另外，面對(duì)第一基板的第二基板形成在第二電極上以便包封。
[0010]作為陽極的第一電極包括具有相對(duì)高的功函數(shù)的材料，作為陰極的第二電極包括具有相對(duì)低的功函數(shù)的材料。對(duì)于頂發(fā)光類型，在第一基板上的頂層的第二電極可以具有相對(duì)于可見光的透明性質(zhì)，并且在第二電極下方的第一電極可以具有相對(duì)于可見光的反射性質(zhì)以改進(jìn)光效率。
[0011]一般來說，由于具有相對(duì)低的功函數(shù)的材料是不透明金屬材料，因此不透明金屬材料的第二電極可以形成有小的厚度以具有透明性質(zhì)。然而，隨著第二電極的厚度減少，第二電極的電阻增加，并且基電壓下降從而引起諸如亮度分布不均勻這樣的劣化。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]因此，本發(fā)明涉及一種發(fā)射均勻亮度的光的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其制造方法，其基本上避免了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點(diǎn)引起的問題中的一個(gè)或更多個(gè)。
[0013]本發(fā)明的目的在于提供一種能夠改進(jìn)亮度均勻性的OLED顯示裝置。
[0014]本發(fā)明另一目的在于提供一種制造能夠改進(jìn)亮度均勻性的OLED顯示裝置的方法。
[0015]在隨后的描述中將會(huì)闡述本發(fā)明的另外優(yōu)點(diǎn)、目的和特征，并且根據(jù)該描述這些優(yōu)點(diǎn)、目的和特征部分地將是顯而易見的，或者可以通過本發(fā)明的實(shí)踐來知曉。通過在書面描述及其權(quán)利要求以及附圖中特別地指出的結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)并且獲得本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點(diǎn)。
[0016]為了實(shí)現(xiàn)這些目的和其它優(yōu)點(diǎn)并且根據(jù)本發(fā)明的目標(biāo)，如這里具體實(shí)施和廣泛描述的，OLED顯示裝置包括:基板；驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(TFT)，其形成在基板上；鈍化膜，其形成在基板上并且覆蓋驅(qū)動(dòng)TFT ；0LED顯示器，其形成在鈍化層上，該OLED包括第一電極、有機(jī)發(fā)光層和第二電極；基線，其形成在鈍化層上；支撐圖案，其形成在基線的中心部分上;第一堤層，其覆蓋第一電極和基線中的每一個(gè)的邊界部分，從而暴露第一電極和基線中的每一個(gè)的中心部分；以及第二堤層，其形成在支撐圖案上。在基板的像素區(qū)域中，有機(jī)發(fā)光層形成在第一電極、第一堤層和第二堤層以及支撐圖案上，并且在支撐圖案的頂邊緣部分處被切割，以暴露基線的一部分，并且第二電極覆蓋有機(jī)發(fā)光層并且連接到基線的該部分。
[0017]在本發(fā)明的另一方面，一種制造OLED顯示裝置的方法包括:在基板上形成驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管(TFT);在基板上形成鈍化層，鈍化層覆蓋驅(qū)動(dòng)TFT;在鈍化層上形成OLED顯示器，該OLED包括第一電極、有機(jī)發(fā)光層和第二電極；在鈍化層上形成基線；在基線的中心部分上形成支撐圖案；形成第一堤層，其覆蓋第一電極和基線中的每一個(gè)的邊界部分，從而暴露第一電極和基線中的每一個(gè)的中心部分；以及在支撐圖案的頂表面上形成第二堤層，其中，在基板的像素區(qū)域中，有機(jī)發(fā)光層形成在第一電極、第一堤層和第二堤層以及支撐圖案上，并且在支撐圖案的頂邊緣部分處被切割，以暴露基線的一部分，并且第二電極覆蓋有機(jī)發(fā)光層并且連接到基線的該部分。
[0018]將理解的是，前面的一般描述和下面的詳細(xì)描述二者都是示例性和說明性的，并且意在提供如權(quán)利要求所記載的本發(fā)明的進(jìn)一步說明。
[0019]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0020]本申請(qǐng)要求2013年8月30日提交的韓國專利申請(qǐng)N0.10-2013-0104063的優(yōu)先權(quán)，通過引用將其并入這里，如在此完全闡述一樣。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]附圖被包括進(jìn)來以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且被并入本說明書且構(gòu)成本說明書的一部分，附圖例示了本發(fā)明的實(shí)施方式，并且與說明書一起用于說明本發(fā)明的原理。在附圖中:
[0022]圖1是示出根據(jù)第一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的截面圖；
[0023]圖2是示出根據(jù)第二實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的截面圖；
[0024]圖3A和圖3B是示出分別示出根據(jù)第二和第三實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的平面圖；以及
[0025]圖4A至圖4F是示出制造根據(jù)第二實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的方法的截面圖。

【具體實(shí)施方式】
[0026]現(xiàn)在將詳細(xì)描述示例性實(shí)施方式，在附圖中例示了其示例。在整個(gè)附圖中可以使用相同的附圖標(biāo)記來表示相同或類似的部件。在下面的描述中，當(dāng)并入這里的已知功能和構(gòu)造會(huì)模糊本實(shí)施方式的主題時(shí)，將省略其詳細(xì)描述。
[0027]下面，將參考圖1至圖4F詳細(xì)描述示例性實(shí)施方式。
[0028]圖1是示出根據(jù)第一實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的截面圖。參考圖1，根據(jù)第一實(shí)施方式的頂發(fā)光類型有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置包括:第一基板110、開關(guān)薄膜晶體管(TFT)(未示出)、驅(qū)動(dòng)TFT DTr和發(fā)光二極管E、以及用于包封的第二基板170。
[0029]在第一基板110上，形成有柵極112、選通線(未示出)和電力線114。柵極絕緣層115被布置在第一基板110上以覆蓋柵極112、選通線和電力線114。選通線和電力線114可以形成為彼此平行并且彼此間隔開。半導(dǎo)體層119形成在柵極絕緣層115上并在柵極112上方，并且源極121和漏極123形成在半導(dǎo)體層119上。半導(dǎo)體層119可以包括本征非晶硅的有源層119a和摻雜有雜質(zhì)的非晶硅的歐姆接觸層119b。歐姆接觸層119b在有源層119a上彼此間隔開。源極121和漏極123也彼此間隔開。此外，數(shù)據(jù)線(未示出)形成在柵極絕緣層115上，并且與選通線交叉以限定像素區(qū)域P。
[0030]柵極112、半導(dǎo)體層119以及源極121和漏極123可以構(gòu)成驅(qū)動(dòng)TFT DTr。開關(guān)TFT可以具有與驅(qū)動(dòng)TFT DTr相同的結(jié)構(gòu)。底柵極結(jié)構(gòu)的開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT DTr中的每一個(gè)可以具有負(fù)型和正型中的一種。另外，選通信號(hào)可以施加到選通線，數(shù)據(jù)信號(hào)可以施加到數(shù)據(jù)線，并且源電壓VDD可以施加到電力線114。
[0031 ] 雖然未示出，但是開關(guān)TFT的柵極可以連接到選通線，開關(guān)TFT的源極可以連接到數(shù)據(jù)線，并且開關(guān)TFT的漏極可以連接到驅(qū)動(dòng)TFT DTr的柵極112。
[0032]鈍化層140形成在開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT DTr上，并且具有分別暴露源極121和漏極123的源極接觸孔141和漏極接觸孔143。另外，鈍化層140和柵極絕緣層115具有暴露電力線114的第一電力接觸孔144。
[0033]第一電極147和輔助電力圖案148形成在每個(gè)像素區(qū)域P中在處于鈍化層140上。第一電極147通過漏極接觸孔143連接到驅(qū)動(dòng)TFT DTr的漏極123。另外，輔助電力圖案148通過源極接觸孔141連接到驅(qū)動(dòng)TFT DTr的源極121，并且通過第一電力接觸孔144連接到電力線114。第一電極147和輔助電力圖案148可以由相同的材料制成，并且處于同一層。
[0034]此外，基線149形成在鈍化層140上在驅(qū)動(dòng)TFT DTr上方?；妷篤SS可以施加到基線149?；€149可以由與第一電極147和輔助電力圖案148相同的材料制成，并且與第一電極147和輔助電力圖案148處于同一層。
[0035]第一電極147可以包括金屬材料，其具有相對(duì)高的功函數(shù)以用作陽極，并且具有相對(duì)于可見光的反射性質(zhì)以提高光效率。例如，第一電極147可以包括鋁(Al)、鋁合金、銀(Ag)、鎂(Mg)和金(Au)中的一個(gè)。輔助電力圖案148和基線149可以包括與第一電極147相同的材料。因此，第一電極147、輔助電力圖案148和基線149可以形成為具有相對(duì)低的電阻。
[0036]堤層150形成在第一電極147、輔助電力圖案148和基線149上。堤層150包圍像素區(qū)域P以覆蓋第一電極147和基線149中的每一個(gè)的邊界部分，并且暴露第一電極147和基線149中的每一個(gè)的中心部分。
[0037]分離部156形成在通過堤層150暴露的基線149上。分離部156在截面視圖中具有倒錐形狀，并且可以包括有機(jī)材料。例如，分離部156可以通過負(fù)型光刻膠(PR)的涂敷步驟、曝光步驟和顯影步驟來形成。
[0038]在每個(gè)像素區(qū)域P中，有機(jī)發(fā)光層160形成在第一電極147、堤層150和分離部156上。有機(jī)發(fā)光層160接觸通過堤層150暴露的第一電極147的中心部分。另外，有機(jī)發(fā)光層160在分離部156的頂邊緣部分處被切割，使得有機(jī)發(fā)光層160形成在分離部156的頂表面上，并且沒有形成在分離部156的側(cè)表面以及基線149的覆蓋有分離部156的頂邊緣部分的部分上。因此，通過有機(jī)發(fā)光層160暴露基線149的該部分。
[0039]第二電極163形成在第一基板110的整個(gè)表面上,并且完全覆蓋有機(jī)發(fā)光層160。第二電極163接觸每個(gè)像素區(qū)域P中由于分離部156而通過有機(jī)發(fā)光層160暴露的基線149的部分，并且連接到該部分。第一電極147和第二電極163以及在第一電極147和第二電極163之間的有機(jī)發(fā)光層160構(gòu)成發(fā)光二極管E。
[0040]第二電極163可以包括金屬材料，其具有相對(duì)低的功函數(shù)以用作陰極，并且具有相對(duì)于可見光的透明性質(zhì)以獲得頂發(fā)光類型。因此，第二電極163可以形成為具有相對(duì)小的厚度和相對(duì)高的電阻。為了減少提供到第二電極163的基電壓VSS的下降，具有相對(duì)高的電阻的第二電極163形成為接觸具有相對(duì)低的電阻的基線149。因此，具有均勻值而沒有電壓降的基電壓VSS被通過基線149提供給每個(gè)像素區(qū)域P中的第二電極163。因此，防止了由于第二電極163的高電阻而導(dǎo)致的亮度不均勻性，從而改進(jìn)了亮度均勻性。
[0041]在根據(jù)第一實(shí)施方式的OLED顯示裝置中，分離部156形成為具有倒錐形狀，以便分離有機(jī)發(fā)光層160。用于分離部156的倒錐形狀可能引起諸如分離部156的斷裂或剝離這樣的劣化。例如，當(dāng)分離部156的底表面與頂表面的面積比率低于大約0.5時(shí)，分離部156可能斷裂或剝離。另外，由于分離部由負(fù)性光刻膠(PR)形成，因此，不能夠返工具有分離部156的劣化的第一基板110。
[0042]作為第一實(shí)施方式的改進(jìn)，提供了根據(jù)第二實(shí)施方式的OLED顯示裝置。
[0043]圖2是示出根據(jù)第二實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的截面圖。參考圖2，頂發(fā)光類型有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置包括:第一基板210、開關(guān)薄膜晶體管(TFT)(未示出)、驅(qū)動(dòng)TFT DTr和發(fā)光二極管E、以及用于包封的第二基板270。
[0044]在第一基板210上，形成有柵極212、選通線(未示出)和電力線214。柵極絕緣層215被布置在第一基板上并且完全地覆蓋柵極212、選通線和電力線214。選通線和電力線214可以形成為彼此平行并且彼此間隔開。半導(dǎo)體層219形成在柵極絕緣層215上并在柵極212上方，并且源極221和漏極223形成在半導(dǎo)體層219上。半導(dǎo)體層219可以包括本征非晶硅的有源層219a和摻雜有雜質(zhì)的非晶硅的歐姆接觸層219b。歐姆接觸層219b在有源層219a上彼此間隔開。源極221和漏極223彼此間隔開。此外，數(shù)據(jù)線(未示出)形成在柵極絕緣層215上，并且與選通線交叉以限定像素區(qū)域P。
[0045]柵極212、半導(dǎo)體層219以及源極221和漏極223可以構(gòu)成驅(qū)動(dòng)TFT DTr,并且開關(guān)TFT可以具有與驅(qū)動(dòng)TFT DTr相同的結(jié)構(gòu)。底柵極結(jié)構(gòu)的開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFTDTr中的每一個(gè)可以具有負(fù)型和正型中的一種。另外，選通信號(hào)可以施加到選通線，數(shù)據(jù)信號(hào)可以施加到數(shù)據(jù)線，并且源電壓VDD可以施加到電力線214。
[0046]雖然未示出，但是開關(guān)TFT的柵極可以連接到選通線，開關(guān)TFT的源極可以連接到數(shù)據(jù)線，并且開關(guān)TFT的漏極可以連接到驅(qū)動(dòng)TFT DTr的柵極212。
[0047]鈍化層240形成在開關(guān)TFT和驅(qū)動(dòng)TFT DTr上，并且具有分別暴露源極221和漏極223的源極接觸孔241和漏極接觸孔243。另外，鈍化層240和柵極絕緣層215具有暴露電力線214的第一電力接觸孔244。
[0048]第一電極247和輔助電力圖案248形成在每個(gè)像素區(qū)域P中在鈍化層240上。第一電極247通過漏極接觸孔243連接到驅(qū)動(dòng)TFT DTr的漏極223。另外，輔助電力圖案248通過源極接觸孔241連接到驅(qū)動(dòng)TFT DTr的源極221，并且通過第一電力接觸孔244連接到電力線214。第一電極247和輔助電力圖案248可以由相同的材料制成,并且處于同一層。
[0049]此外，基線249形成在鈍化層240上在驅(qū)動(dòng)TFT DTr上方?；妷篤SS可以施加到基線249?；€249可以由與第一電極247和輔助電力圖案248相同的材料制成，并且與第一電極147和輔助電力圖案148處于同一層。
[0050]第一電極247可以包括金屬材料，其具有相對(duì)高的功函數(shù)以用作陽極，并且具有相對(duì)于可見光的反射性質(zhì)以提高光效率。例如，第一電極247可以包括鋁(Al)、鋁合金、銀(Ag)、鎂(Mg)和金(Au)中的一個(gè)。輔助電力圖案248和基線249可以包括與第一電極247相同的材料。因此，第一電極247、輔助電力圖案248和基線249可以形成為具有相對(duì)低的電阻。
[0051]支撐圖案257形成在基線249上。支撐圖案257的寬度可以小于基線249的寬度。由于具有小于基線249的寬度的支撐圖案257形成在基線249的周界內(nèi)，因此基線249的一部分暴露在支撐圖案257的外部。
[0052]支撐圖案257可以包括無機(jī)絕緣材料。例如，支撐圖案257可以通過如下步驟來形成:二氧化硅(S12)層或氮化硅(SiNx)層的沉積步驟、光刻膠(PR)的涂敷步驟、曝光步驟和顯影步驟、以及二氧化硅層或氮化硅層的蝕刻步驟。
[0053]支撐圖案257可以具有各種形狀。例如，支撐圖案257可以在截面視圖中具有正錐形狀、倒錐形狀和具有豎直側(cè)壁的矩形形狀中的一種。
[0054]第一堤層250a形成在第一電極147、輔助電力圖案248和基線249上。第二堤層250b形成在支撐圖案257上。第一堤層250a包圍像素區(qū)域P以覆蓋第一電極247和基線249中的每一個(gè)的邊界部分，并且暴露第一電極247和基線249中的每一個(gè)的中心部分。第二堤層250b具有大于支撐圖案257的寬度，以完全地覆蓋支撐圖案257并且覆蓋基線249的暴露在支撐圖案257的外部的部分。
[0055]在每個(gè)像素區(qū)域P中，有機(jī)發(fā)光層260形成在第一電極247、第一堤層250a和第二堤層250b上。有機(jī)發(fā)光層260接觸通過第一堤層250a暴露的第一電極247的中心部分。另外，有機(jī)發(fā)光層260在第二堤層250b的頂邊緣部分處被切割，使得有機(jī)發(fā)光層260形成在第二堤層250b的頂表面上，并且沒有形成在第二堤層250b和支撐圖案257的側(cè)表面以及基線249的覆蓋有第二堤層250b的頂邊緣部分的部分上。因此，通過有機(jī)發(fā)光層260暴露基線249的該部分。
[0056]第二電極263形成在具有有機(jī)發(fā)光層260的第一基板210的整個(gè)表面上。在每個(gè)像素區(qū)域P中，第二電極263接觸基線249的由于支撐圖案上257的第二堤層250b而通過有機(jī)發(fā)光層260暴露的部分，并且連接到該部分。第一電極247和第二電極263以及在第一電極247和第二電極263之間的有機(jī)發(fā)光層260構(gòu)成發(fā)光二極管E。
[0057]第二電極263可以包括金屬材料，其具有相對(duì)低的功函數(shù)以用作陰極，并且具有相對(duì)于可見光的透明性質(zhì)以獲得頂發(fā)光類型。因此，第二電極263可以形成為具有相對(duì)小的厚度和相對(duì)高的電阻。為了減少提供到第二電極263的基電壓VSS的下降，具有相對(duì)高的電阻的第二電極263形成為接觸具有相對(duì)低的電阻的基線249。因此，具有均勻值而沒有電壓降的基電壓VSS被通過基線249提供給每個(gè)像素區(qū)域P中的第二電極263。因此，防止了由于第二電極263的高電阻而導(dǎo)致的亮度不均勻性，從而改進(jìn)了亮度均勻性。
[0058]在根據(jù)第二實(shí)施方式的OLED顯示裝置中，基線249可以由兩個(gè)相鄰的像素區(qū)域P共用，并且可以根據(jù)所述兩個(gè)相鄰的像素區(qū)域P的結(jié)構(gòu)來確定支撐圖案257和第二堤層250b的形狀。
[0059]圖3A和圖3B是分別示出根據(jù)第二和第三實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的平面圖。除了支撐圖案和第二堤層之外，根據(jù)第三實(shí)施方式的OLED顯示裝置具有與根據(jù)第二實(shí)施方式的OLED顯示裝置相同的結(jié)構(gòu)。
[0060]參考圖3A和圖3B，支撐圖案257和支撐圖案257上的第二堤層250b形成為在第一像素區(qū)域Pl至第四像素區(qū)域P4之間沿著第一方向Xl和第二方向X2具有矩陣形狀。另夕卜，在支撐圖案257下方的基線249形成為沿著第一方向Xl和第二方向X2具有矩陣形狀。第一方向Xl和第二方向X2可以分別平行于選通線和數(shù)據(jù)線。
[0061]在圖3A中，沿著第一方向XI，第二堤層250b的寬度小于支撐圖案257的寬度，并且沿著第二方向X2，第二堤層250b的寬度大于支撐圖案257的寬度。由于沿著第一方向XI，第二堤層250b和支撐圖案257具有使得上部窄于下部的截面形狀，因此沿著第一方向XI，有機(jī)發(fā)光層260沒有被第二堤層250b和支撐圖案257切割，以沿著第一方向Xl完全地覆蓋第二堤層250b和支撐圖案257。另外，由于沿著第二方向X2，第二堤層250b和支撐圖案257具有使得上部寬于下部的截面形狀，因此沿著第二方向X2，有機(jī)發(fā)光層260被第二堤層250b和支撐圖案257切割。
[0062]因此，基線249沒有在第一像素區(qū)域Pl與第三像素區(qū)域P3之間以及在第二像素區(qū)域P2與第四像素區(qū)域P4之間在沿著第一方向Xl的較寬部分中通過有機(jī)發(fā)光層260暴露，并且基線249在第一像素區(qū)域Pl與第二像素區(qū)域P2之間以及在第三像素區(qū)域P3與第四像素區(qū)域P4之間在沿著第二方向X2的較寬部分中通過有機(jī)發(fā)光層260暴露。因此，第一像素區(qū)域Pl與第二像素區(qū)域P2的第二電極263 (圖2)沿著第二方向X2接觸并共用基線249，并且第三像素區(qū)域P3與第四像素區(qū)域P4的第二電極263沿著第二方向X2接觸并共用暴露的基線249。
[0063]在圖3A的OLED顯示裝置中，沿著第一方向Xl的兩個(gè)相鄰的像素區(qū)域P沿著第二方向X2共用基線249。
[0064]在圖3B中，沿著第一方向XI，第二堤層250b的寬度大于支撐圖案257的寬度，并且沿著第二方向X2，第二堤層250b的寬度小于支撐圖案257的寬度。由于沿著第一方向XI，第二堤層250b和支撐圖案257具有使得上部寬于下部的截面形狀，因此沿著第一方向XI，有機(jī)發(fā)光層260被第二堤層250b和支撐圖案257切割。另外，由于沿著第二方向X2，第二堤層250b和支撐圖案257具有使得上部小于下部的截面形狀，因此沿著第二方向X2，有機(jī)發(fā)光層260沒有被第二堤層250b和支撐圖案257切割，以沿著第二方向X2完全地覆蓋第二堤層250b和支撐圖案257。
[0065]因此，基線249在第一像素區(qū)域Pl與第三像素區(qū)域P3之間以及在第二像素區(qū)域P2與第四像素區(qū)域P4之間在沿著第一方向Xl的較寬部分中通過有機(jī)發(fā)光層260暴露?；€249沒有在第一像素區(qū)域Pl與第二像素區(qū)域P2之間以及在第三像素區(qū)域P3與第四像素區(qū)域P4之間在沿著第二方向X2的較寬部分中通過有機(jī)發(fā)光層260暴露。因此，第一像素區(qū)域Pl與第三像素區(qū)域P3的第二電極263沿著第一方向Xl接觸并共用基線249，并且第二像素區(qū)域P2與第四像素區(qū)域P4的第二電極263沿著第一方向X2接觸并共用暴露的基線249。
[0066]在圖3B的OLED顯示裝置中，沿著第二方向X2的兩個(gè)相鄰像素區(qū)域P沿著第一方向Xl共用基線249。
[0067]雖然未示出，但是當(dāng)沿著第一方向Xl和第二方向X2，第二堤層250b的寬度大于支撐圖案257的寬度時(shí)，沿著第一方向Xl和第二方向X2的四個(gè)像素區(qū)域P沿著第一方向Xl和第二方向X2共用基線249。
[0068]下面將參考附圖例示制造OLED顯示裝置的方法。
[0069]圖4A至圖4F是示出制造根據(jù)示例性實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置的方法的截面圖。
[0070]當(dāng)參考圖4A，在第一基板210上形成驅(qū)動(dòng)TFT DTr。驅(qū)動(dòng)TFT DTr包括柵極212、柵極絕緣層215、半導(dǎo)體層219以及源極221和漏極223。雖然未示出，但是開關(guān)TFT可以與驅(qū)動(dòng)TFT DTr同時(shí)形成，并且選通線和電力線214可以與柵極212同時(shí)形成。
[0071]在圖4B中，在驅(qū)動(dòng)TFT DTr上形成鈍化層240。鈍化層240具有分別暴露源極221和漏極223的源極接觸孔241和漏極接觸孔243。另外，鈍化層240和柵極絕緣層215具有暴露電力線214的第一電力接觸孔244。鈍化層240可以包括諸如二氧化硅(S12)和氮化娃(SiNx)這樣的無機(jī)絕緣材料。
[0072]在圖4C中，在每個(gè)像素區(qū)域P中，在鈍化層240上形成第一電極247、輔助電力圖案248和基線249。第一電極247通過漏極接觸孔243連接到驅(qū)動(dòng)TFT DTr的漏極223。另夕卜，輔助電力圖案248通過源極接觸孔241連接到驅(qū)動(dòng)TFT DTr的源極221，并且通過第一電力接觸孔244連接到電力線214。基線249可以被布置為對(duì)應(yīng)于相鄰像素區(qū)域P之間的較寬的部分。
[0073]在圖4D中，在基線249上形成犧牲圖案256。犧牲圖案256可以包括諸如硅化合物、二氧化硅(Si02)和氮化硅(SiNx)這樣的無機(jī)絕緣材料。另外，犧牲圖案256可以具有大于在后續(xù)工藝中形成的(圖4F的)有機(jī)發(fā)光層260的厚度的厚度。
[0074]此外，在第一電極247、輔助電力圖案248和基線249上形成第一堤層250a，并且在犧牲圖案256上形成第二堤層250b。第一堤層250a包圍像素區(qū)域P以覆蓋第一電極247和基線249中的每一個(gè)的邊界部分，并且暴露第一電極247和基線249中的每一個(gè)的中心部分。第二堤層250b可以形成在犧牲圖案256的頂表面的周界內(nèi)。例如，第一堤層250a和第二堤層250b可以具有大約I μ m的厚度。
[0075]在圖4E中，通過蝕刻犧牲圖案256使得犧牲圖案256的寬度減少來形成支撐圖案257。例如，可以通過干法蝕刻方法或濕法蝕刻方法來對(duì)犧牲圖案256進(jìn)行蝕刻。支撐圖案257的寬度可以小于第二堤層250b的寬度。由于具有小于基線249的寬度的支撐圖案257形成在基線249的周界內(nèi)，因此基線249的一部分暴露在支撐圖案257的外部。另外，支撐第二堤層250b的支撐圖案257可以具有大于在后續(xù)工藝中形成的有機(jī)發(fā)光層260的厚度的厚度。
[0076]由于通過在第二堤層250b下方蝕刻犧牲圖案256來形成支撐圖案257，因此支撐圖案257可以具有各種形狀，而不具有由于諸如斷裂或剝離這樣的劣化導(dǎo)致的限制。因此，增加了設(shè)計(jì)自由度并且提高了開口率。
[0077]在圖4F中，在每個(gè)像素區(qū)域P中，在第一電極247、第一堤層250a和第二堤層250b上形成有機(jī)發(fā)光層260。有機(jī)發(fā)光層260接觸通過第一堤層250a暴露的第一電極247的中心部分。另外，有機(jī)發(fā)光層260在第二堤層250b的頂邊緣處被切割，使得有機(jī)發(fā)光層260形成在第二堤層250b的頂表面上，并且沒有形成在第二堤層250b和支撐圖案257的側(cè)表面以及基線249的被第二堤層250b的頂邊緣部分覆蓋的部分上。因此，通過有機(jī)發(fā)光層260暴露基線249的該部分。
[0078]另外，在具有有機(jī)發(fā)光層260的第一基板210的整個(gè)表面上形成第二電極263。在每個(gè)像素區(qū)域P中，第二電極263接觸基線249的由于支撐圖案257上的第二堤層250b而通過有機(jī)發(fā)光層260暴露的部分，并且連接到該部分。第一電極247和第二電極263以及在第一電極247與第二電極263之間的有機(jī)發(fā)光層260構(gòu)成了發(fā)光二極管E。
[0079]雖然第二電極263形成為具有相對(duì)小的厚度以及相對(duì)高的電阻，但是，由于第二電極263接觸具有相對(duì)較低的電阻的基線249，因此具有均勻值并且沒有電壓降的基電壓VSS被提供給第二電極263。因此，防止了由于第二電極263的高電阻導(dǎo)致的亮度不均勻性，從而改進(jìn)了亮度均勻性。
[0080]雖然未示出，但是第二基板270附接到具有驅(qū)動(dòng)TFT DTr和發(fā)光二極管E的第一基板210以便包封，以完成OLED顯示裝置。
[0081]因此，在根據(jù)本公開的OLED顯示裝置中，由于具有相對(duì)高的電阻的第二電極連接到具有相對(duì)低的電阻的基線，因此改進(jìn)了亮度均勻性。另外，由于通過蝕刻在第二堤層下方的犧牲圖案來形成支撐圖案，因此，增加了設(shè)計(jì)自由度并且提高了開口率，而沒有限制支撐圖案的形狀。
[0082]對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見的是，在不偏離本發(fā)明的精神或范圍的情況下能夠?qū)Ρ竟_的OLED顯示裝置和制造該OLED顯示裝置的方法進(jìn)行各種修改和變化。因此，只要本發(fā)明的修改和變化落入所附權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)，那么本發(fā)明意在涵蓋這些修改和變化。
【權(quán)利要求】
1.一種OLED顯示裝置,所述OLED顯示裝置包括: 基板； 驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TFT，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管形成在所述基板上； 鈍化層，所述鈍化層形成在所述基板上方并且覆蓋所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管； OLED顯示器，所述OLED顯示器形成在所述鈍化層上，所述OLED包括第一電極、有機(jī)發(fā)光層和第二電極； 基線，所述基線形成在所述鈍化層上； 堤層，所述堤層覆蓋所述第一電極和所述基線中的每一個(gè)的邊界部分，從而暴露所述第一電極和所述基線中的每一個(gè)的中心部分；以及 分離部，所述分離部形成在所述基線的所述中心部分上，以分離所述有機(jī)發(fā)光層， 其中，在所述基板的像素區(qū)域中，所述有機(jī)發(fā)光層形成在所述第一電極、所述堤層和所述分離部上，并且在所述分離部的頂邊緣部分處被切割，以暴露所述基線的一部分，并且所述第二電極覆蓋所述有機(jī)發(fā)光層并且連接到所述基線的所述一部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示裝置，其中，所述第一電極形成在所述鈍化層上，形成為與所述基線位于同一層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示裝置，其中，所述第二電極具有相對(duì)高的電阻，而所述基線具有相對(duì)低的電阻。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示裝置，其中，所述分離部包括有機(jī)材料并且具有倒錐形狀。
5.一種OLED顯示裝置，所述OLED顯示裝置包括: 基板； 驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TFT，所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管形成在所述基板上； 鈍化層，所述鈍化層形成在所述基板上并且覆蓋所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管； OLED顯示器，所述OLED顯示器形成在所述鈍化層上，所述OLED包括第一電極、有機(jī)發(fā)光層和第二電極； 基線，所述基線形成在所述鈍化層上； 支撐圖案，所述支撐圖案形成在所述基線的中心部分上； 第一堤層，所述第一堤層覆蓋所述第一電極和所述基線中的每一個(gè)的邊界部分，從而暴露所述第一電極和所述基線中的每一個(gè)的中心部分；以及第二堤層，所述第二堤層形成在所述支撐圖案上， 其中，在所述基板的像素區(qū)域中，所述有機(jī)發(fā)光層形成在所述第一電極、所述第一堤層和所述第二堤層以及所述支撐圖案上，并且在所述支撐圖案的頂邊緣部分處被切割，以暴露所述基線的一部分，并且 所述第二電極覆蓋所述有機(jī)發(fā)光層并且連接到所述基線的所述一部分。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的OLED顯示裝置，其中，沿著是所述基板的水平方向的第一方向，所述第二堤層的寬度小于所述支撐圖案的寬度，而沿著垂直于所述第一方向的第二方向，所述第二堤層的寬度大于所述支撐圖案的寬度。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的OLED顯示裝置，其中，沿著是所述基板的水平方向的第一方向，所述第二堤層的寬度大于所述支撐圖案的寬度，而沿著垂直于所述第一方向的第二方向，所述第二堤層的寬度小于所述支撐圖案的寬度。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的OLED顯示裝置，其中，所述第二堤層具有大于所述支撐圖案的寬度，以整體地覆蓋所述支撐圖案。
9.一種制造OLED顯示裝置的方法，所述方法包括: 在基板上形成驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管TFT ； 在所述基板上方形成鈍化層，并且所述鈍化層覆蓋所述驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管； 在所述鈍化層上形成OLED顯示器，所述OLED包括第一電極、有機(jī)發(fā)光層和第二電極； 在所述鈍化層上形成基線； 在所述基線的中心部分上形成支撐圖案； 形成第一堤層，所述第一堤層覆蓋所述第一電極和所述基線中的每一個(gè)的邊界部分，從而暴露所述第一電極和所述基線中的每一個(gè)的中心部分；以及 在所述支撐圖案的頂表面上形成第二堤層， 其中，在所述基板的像素區(qū)域中，所述有機(jī)發(fā)光層形成在所述第一電極、所述第一堤層和所述第二堤層以及所述支撐圖案上，并且在所述支撐圖案的頂邊緣部分處被切割，以暴露所述基線的一部分，并且 所述第二電極覆蓋所述有機(jī)發(fā)光層并且連接到所述基線的所述部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，沿著是所述基板的水平方向的第一方向，所述第二堤層的寬度小于所述支撐圖案的寬度，而沿著垂直于所述第一方向的第二方向，所述第二堤層的寬度大于所述支撐圖案的寬度。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，沿著是所述基板的水平方向的第一方向，所述第二堤層的寬度大于所述支撐圖案的寬度，而沿著垂直于所述第一方向的第二方向，所述第二堤層的寬度小于所述支撐圖案的寬度。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述第二堤層具有大于所述支撐圖案的寬度，以整體地覆蓋所述支撐圖案。
【文檔編號(hào)】H01L21/77GK104425560SQ201410437728
【公開日】2015年3月18日 申請(qǐng)日期:2014年8月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月30日
【發(fā)明者】金恩雅, 李晙碩 申請(qǐng)人:樂金顯示有限公司