有機el裝置以及有機el裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種可以獲得高的發(fā)光產(chǎn)額并能夠提高長期穩(wěn)定性的有機EL裝置及其制造方法。該有機EL裝置（100）具有導(dǎo)電性基板（101），其特征在于，在導(dǎo)電性基板（101）面上層疊有無機絕緣層（102）；在無機絕緣層（102）上層疊有有機絕緣層（103）；在有機絕緣層（103）上具有有機EL元件（110）；所述有機EL裝置（100）具有密封有機絕緣層（103）及有機EL元件（110）的密封材料（150），而且，有機絕緣層（103）配置于密封材料（150）的內(nèi)側(cè)。
【專利說明】有機EL裝置以及有機EL裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種有機EL裝置及有機EL裝置的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]已知有機EL (electroluminescence,電致發(fā)光)裝置會因大氣中的水分及氧氣而劣化。因此，作為形成有機EL元件的基板及所形成的有機EL元件的密封板，一直使用玻璃或金屬等低透濕性的材料。近年來，柔性(也稱為撓性)裝置的開發(fā)正在發(fā)展，對有機EL裝置的可撓化而言，探討了使用由有機樹脂形成的基板。但是，具有由于透過有機樹脂而侵入的氧或水分，容易使有機EL元件劣化的問題。于是，正在探討使用金屬板作為基板。在該情況下，為了制作有機EL元件，需要在金屬板上設(shè)置絕緣層。作為所述絕緣層，正在嘗試形成有機樹脂層或無機層(例如參照專利文獻I?3)。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0004]專利文獻
[0005]專利文獻1:日本特開2002-25763號公報
[0006]專利文獻2:日本特開2010-82899號公報
[0007]專利文獻3:日本專利第3942017號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明要解決的問題
[0009]然而，有機樹脂層雖然平滑性優(yōu)良，但水分阻擋性差。另一方面，無機層與有機樹脂層相比，雖然水分阻擋性良好，但厚度若薄則難以絕緣(產(chǎn)生針孔)且難以確保平滑性。另夕卜，若厚則平滑性雖提高，但會有易斷裂等問題。此外，在形成有機樹脂層時，因元件端面部或引出電極部的有機樹脂的露出，可能會有氧氣或水分自露出部透過樹脂而使有機EL元件劣化等問題。
[0010]在此，本發(fā)明的目的在于提供一種可以獲得高的發(fā)光產(chǎn)額(light-emissionyield,也稱為發(fā)光產(chǎn)率)并能夠提高長期穩(wěn)定性的有機EL裝置及其制造方法。
[0011]解決問題的手段
[0012]本發(fā)明的有機EL裝置是具有導(dǎo)電性基板的有機EL裝置，其特征在于:
[0013]在所述導(dǎo)電性基板面上層疊有無機絕緣層，在所述無機絕緣層上層疊有有機絕緣層；
[0014]在所述有機絕緣層上具有有機EL元件；
[0015]所述有機EL裝置具有密封所述有機絕緣層及所述有機EL元件的密封材料；
[0016]而且，所述有機絕緣層配置于所述密封材料的內(nèi)側(cè)。
[0017]另外，本發(fā)明的有機EL裝置的制造方法的特征在于，其含有下述工序:
[0018]在導(dǎo)電性基板面上層疊無機絕緣層的無機絕緣層形成工序；
[0019]在所層疊的無機絕緣層上層疊有機絕緣層的有機絕緣層形成工序；[0020]在所述有機絕緣層上形成有機EL元件的工序；以及
[0021]以包圍所述有機絕緣層及所述有機EL元件的方式形成密封材料的密封工序；
[0022]所述有機絕緣層形成工序包含選擇性地形成所述有機絕緣層的圖案化工序。
[0023]發(fā)明的效果
[0024]根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種可以獲得高的發(fā)光產(chǎn)額，并能夠提高長期穩(wěn)定性的有機EL裝置及其制造方法。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]圖1是表示實施方式I的有機EL裝置的構(gòu)成的一例的概略截面圖。
[0026]圖2是表示實施方式I的有機EL裝置的構(gòu)成的變形例的概略截面圖。
[0027]圖3是表示實施方式2的有機EL裝置的構(gòu)成的一例的概略截面圖。
[0028]圖4是圖3的有機絕緣層的側(cè)面部附近的放大說明圖。
[0029]圖5是表示實施方式2的有機EL裝置的構(gòu)成的變形例的概略截面圖。
[0030]圖6是表示比較例I?4的有機EL裝置的構(gòu)成的概略截面圖。
[0031]圖7是表示比較例5?7的有機EL裝置的構(gòu)成的概略截面圖。
[0032]圖8是表示比較例8?10的有機EL裝置的構(gòu)成的概略截面圖。
[0033]圖9是表示比較例11?13的有機EL裝置的構(gòu)成的概略截面圖。
【具體實施方式】
[0034]在本發(fā)明的有機EL裝置中，所述有機絕緣層的側(cè)面的至少一部分為從下側(cè)向上側(cè)朝著內(nèi)部方向傾斜的錐面，所述有機絕緣層的錐面與所述導(dǎo)電性基板面所形成的角度(以下有時稱為“錐角”)優(yōu)選為I度?50度的范圍內(nèi)。
[0035]在本發(fā)明的有機EL裝置中，優(yōu)選的是:所述無機絕緣層含有金屬及半金屬中的至少I種，而且，所述金屬及所述半金屬中的至少I種是從由氧化物、氮化物、碳化物、氧化氮化物、氧化碳化物、氮化碳化物及氧化氮化碳化物構(gòu)成的組中選擇的至少I種。
[0036]在本發(fā)明的有機EL裝置中，所述有機絕緣層優(yōu)選為由從丙烯酸樹脂、降冰片烯樹月旨、環(huán)氧樹脂及聚酰亞胺樹脂構(gòu)成的組中選擇的至少I種。
[0037]本發(fā)明的有機EL裝置的制造方法優(yōu)選在所述有機絕緣層形成工序中形成下述有機絕緣層:所述述有機絕緣層的側(cè)面的至少一部分為從下側(cè)向上側(cè)朝著內(nèi)部方向傾斜的錐面的有機絕緣層，而且，所述有機絕緣層的錐面與所述導(dǎo)電性基板面所形成的角度為I度?50度的范圍內(nèi)。
[0038]在本發(fā)明的有機EL裝置的制造方法中，所述圖案化工序優(yōu)選通過光刻法進行。
[0039]本發(fā)明的另一方式的有機EL裝置優(yōu)選通過所述本發(fā)明的有機EL裝置的制造方法來制造。
[0040]接下來，針對本發(fā)明進行詳細地說明。但本發(fā)明并不受以下記載的限制。
[0041][實施方式I]
[0042]圖1是本實施方式的有機EL裝置的構(gòu)成的一例的概略截面圖。如圖所示，該有機EL裝置100是在導(dǎo)電性基板101面上依次層疊有無機絕緣層102及有機絕緣層103，在有機絕緣層103上具有有機EL元件110。有機絕緣層103及有機EL元件110使用密封層151及密封板152作為密封材料150進行面密封。于其上形成有有機EL元件110的有機絕緣層103以不從密封層151中露出的方式，配置于密封層151的內(nèi)側(cè)。對于有機EL元件110，通過陽極111及陰極113，利用從外部所供給的電流，在有機EL層112中電子與空穴結(jié)合，利用由結(jié)合產(chǎn)生的激發(fā)能而發(fā)光。本發(fā)明中，源自有機EL層112的光是從有機EL元件110的陰極113側(cè)射出的(頂部發(fā)光方式)。
[0043]有機EL元件具有在基板上使陽極、有機EL層及陰極按此順序設(shè)置而成的層疊體。作為所述陽極，形成例如可作為透明電極層使用的ITO (Indium Tin Oxide,銦錫氧化物)或IZO (注冊商標，Indium Zinc Oxide、銦鋅氧化物)的層。所述有機EL層由例如空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光層、電子輸送層、電子注入層構(gòu)成。作為陰極，形成兼作反射層的鋁層、鎂/鋁層、鎂/銀層等。以使該層疊體不暴露于大氣中的方式，從上方進行密封。
[0044]本發(fā)明的有機EL裝置使用了導(dǎo)電性基板作為所述基板。有機EL元件的形成面必須確保絕緣性。因此，使用導(dǎo)電性基板時，必須在導(dǎo)電性基板上設(shè)置絕緣層。在本發(fā)明中，作為絕緣層，在使無機絕緣層及有機絕緣層按此順序?qū)盈B的導(dǎo)電性基板面上，具有有機EL元件。所述有機EL元件形成于所述有機絕緣層上。并且，具有將所述有機絕緣層及所述有機EL元件密封的密封材料，所述有機絕緣層配置于所述密封材料的內(nèi)側(cè)。
[0045]作為所述導(dǎo)電性基板，可使用例如不銹鋼、鐵、鋁、鎳、鈷、銅及它們的合金等。優(yōu)選在常溫、常壓下可形成金屬箔那樣的薄膜狀態(tài)的金屬，只要為這樣的金屬，則何種金屬都可以使用。再者，若使用金屬箔作為基板，則可以實現(xiàn)有機EL裝置的輕量化、薄型化及柔軟化。此時，作為顯示器的有機EL裝置成為柔性的裝置，還可以將其彎曲等以電子紙的方式來使用。
[0046]本發(fā)明的無機絕緣層用具有氣體阻擋性的絕緣材料來形成即可。所述無機絕緣層優(yōu)選含有金屬及半金屬中的至少I種。所述金屬或所述半金屬中的至少I種優(yōu)選為從由氧化物、氮化物、碳化物、氧化氮化物、氧化碳化物、氮化碳化物及氧化氮化碳化物構(gòu)成的組中選擇的至少I種。作為金屬，可以列舉出例如鋅、鋁、鈦、銅、鎂等，作為半金屬，可以列舉出例如硅、鉍、鍺等。
[0047]所述無機絕緣層若過薄則絕緣性降低。另外，若過厚則變得易產(chǎn)生裂縫，氣體阻擋性及絕緣性降低。所述無機絕緣層的厚度優(yōu)選為IOnm?5 μ m的范圍，更優(yōu)選為50nm?2μπι的范圍，進一步優(yōu)選為0.1?Ιμπι的范圍。形成所述無機絕緣層的方法沒有限定，可利用蒸鍍法、濺射法、CVD法等干式法及溶膠凝膠法等濕式法等。
[0048]本發(fā)明中，當(dāng)所述無機絕緣層是從由金屬氧化物、金屬氮化物、半金屬氧化物及半金屬氮化物所構(gòu)成的組中選擇時，氧化物或氮化物中所含的氧或氮例如可通過下述方法導(dǎo)入:在反應(yīng)氣體的存在下通過產(chǎn)生電弧放電等離子體來進行所述金屬及所述半金屬中的至少I種的蒸鍍，從而導(dǎo)入。作為所述蒸鍍中的蒸鍍材料，也可以使用金屬氧化物、半金屬氧化物。作為所述反應(yīng)氣體，可使用含氧氣體、含氮氣體或它們的混合氣體。作為含氧氣體，可列舉如氧氣(02)、一氧化二氮(Ν20)、一氧化氮(NO);作為含氮氣體，可列舉如氮氣(Ν2)、氨氣(ΝΗ3)、一氧化氮(NO)等。
[0049]作為使所述蒸鍍材料蒸發(fā)的方法，可以使用向蒸鍍材料(蒸鍍源)導(dǎo)入電阻加熱、電子束、電弧放電等離子體中的任一種的方法。其中優(yōu)選能夠高速蒸鍍的利用電子束或電弧放電等離子體的方法。這些方法也可以并用。[0050]本發(fā)明的有機絕緣層可以使用絕緣性的樹脂層。所述導(dǎo)電性基板由于在制造工藝上有時會被加熱至150?300°C，所以優(yōu)選選擇具有150°C以上的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的耐熱性樹脂。具體而言，可以列舉出丙烯酸樹脂、降冰片烯樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂、聚酯樹脂、聚芳香酯樹脂、聚氨酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醚酮樹月旨、聚苯基砜樹脂及這些樹脂的復(fù)合體。其中，作為所述樹脂，優(yōu)選為從由丙烯酸樹脂、降冰片烯樹脂、環(huán)氧樹脂及聚酰亞胺樹脂所構(gòu)成的組中選擇的至少I種。
[0051]所述有機絕緣層的厚度若過薄，則無法充分將所述導(dǎo)電性基板的表面凹凸平坦化；若過厚，則對無機絕緣層及有機EL元件的密合性有可能降低。因此，所述有機絕緣層的厚度優(yōu)選為I?40 μ m的范圍?；蛘?優(yōu)選為0.5?40 μ m的范圍。只要是所述范圍內(nèi)的厚度，則可確保充分的電絕緣性，并能確保對基材的密合性。所述有機絕緣層的厚度更優(yōu)選為I?10 μ m的范圍，或者為0.5?10 μ m的范圍，進一步優(yōu)選為I?5μηι的范圍。在所述的范圍中，所述有機絕緣層的厚度根據(jù)所述導(dǎo)電性基板的表面凹凸的大小而存在更優(yōu)選的厚度范圍。形成所述有機絕緣層的方法沒有限定，可通過利用輥涂、噴涂、旋涂及浸潰等所進行的涂布，或通過形成為膜狀的樹脂的轉(zhuǎn)印來形成。
[0052]在本發(fā)明中，所述有機絕緣層可在形成有所述有機EL元件的區(qū)域，通過圖案化工序來選擇性地形成。作為所述圖案化的方法，可以使用光刻法、光蝕刻法、絲網(wǎng)印刷法、噴墨印刷法等方法。所述圖案化優(yōu)選通過光刻法進行。光刻法的圖案精度高且微細加工容易。另外，如后所述那樣，在將所述有機絕緣層的側(cè)面形成為從下側(cè)向上側(cè)朝著內(nèi)部方向傾斜的錐面時，通過調(diào)整光刻法的曝光量及后烘烤的條件等，可以簡便地調(diào)整錐角。
[0053]作為所述密封層，可使用耐水性及耐熱性優(yōu)良、水分透過率低的材料。作為該種材料，可列舉如環(huán)氧樹脂、丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、聚芳香酯樹脂、聚氨酯樹脂等。若使用雙組份固化型環(huán)氧樹脂，則可能在常溫下固化，由于不需要對有機EL元件加熱，故可防止劣化，因而優(yōu)選。作為所述密封板，優(yōu)選使用玻璃板及形成了氣體阻擋層的樹脂薄膜等水分透過率低的材料。
[0054]根據(jù)本實施方式，因所述有機絕緣層以不從所述密封材料中露出的方式配置于所述密封材料的內(nèi)側(cè)，故可以獲得高的發(fā)光產(chǎn)額，并能夠提高長期穩(wěn)定性。
[0055]圖2是本實施方式的有機EL裝置的構(gòu)成的變形例的概略截面圖。在圖2中，在與圖1相同的部分標上相同的符號。該有機EL裝置200使用玻璃罩(glasscap)作為密封材料250，將其周圍使用粘接劑251進行中空密封。其上形成有有機EL元件110的有機絕緣層103以不從密封材料(玻璃罩)250中露出的方式，配置于密封材料250的內(nèi)側(cè)。作為用于所述密封的粘接劑251，可以使用與所述密封層151相同的材料。
[0056][實施方式2]
[0057]圖3是表示本實施方式的有機EL裝置的構(gòu)成的一例的概略截面圖。在圖3中，對與圖1相同的部分標上相同符號。該有機EL裝置100A的有機絕緣層103的側(cè)面形成了從下側(cè)向上側(cè)朝著內(nèi)部方向傾斜的錐面103T。錐面103T優(yōu)選與導(dǎo)電性基板101面形成I度?50度的范圍內(nèi)的角度。圖4是將有機絕緣層103的側(cè)面部附近(圖3的區(qū)域T)放大的說明圖。所述角度是指有機絕緣層103的側(cè)面的截面線的延長線與導(dǎo)電性基板101面相交的部分的角度(圖中角A的角度)。所述角度若超過50度，起因于由有機絕緣層所產(chǎn)生的階梯差，容易發(fā)生有機EL元件的電極(陽極111或陰極113)的斷線。另外，所述角度若低于1，則由于錐面所占的寬度變寬，將使引出電極的長度變長，發(fā)光部的范圍變窄，故不優(yōu)選。所述角度優(yōu)選為10?40度的范圍內(nèi)，更優(yōu)選為10?20度的范圍內(nèi)。所述錐面不一定設(shè)置在有機絕緣層的端部上未形成有陽極或陰極的部分上。如此，有機絕緣層103的側(cè)面若形成為具有I度?50度的范圍內(nèi)的錐角的錐面103T的構(gòu)成，則能夠防止有機EL元件110的陽極111及陰極113的斷線。為了將有機絕緣層的側(cè)面設(shè)成從下側(cè)向上側(cè)朝著內(nèi)部方向傾斜的錐面，可通過例如在有機絕緣層的形成中使用光刻法，并調(diào)整曝光量及后烘烤的條件等來實現(xiàn)。
[0058]圖5是表示本實施方式的有機EL裝置的構(gòu)成的變形例的概略截面圖。在圖5中，對與圖1?3相同的部分標上相同符號。該有機EL裝置200A中，有機絕緣層103的側(cè)面的至少一部分與有機EL裝置100A相同，為從下側(cè)向上側(cè)朝著內(nèi)部方向傾斜的錐面103T。其他的構(gòu)成與圖2所示的有機EL裝置200相同，使用玻璃罩作為密封材料250，將其周圍使用粘接劑251進行中空密封。
[0059]根據(jù)本實施方式，也可以獲得與實施方式I相同的效果。進而，有機絕緣層的側(cè)面因具有所述錐角，故起因于有機絕緣層所造成的階梯差的有機EL元件的電極斷線就難以發(fā)生，另外，還可以擴大發(fā)光部的范圍。
[0060]實施例
[0061]接下來，對本發(fā)明的實施例與比較例一起進行說明。再者，本發(fā)明不受下述實施例及比較例的任何限定或限制。另外，各實施例及各比較例的各種特性及物性的測定及評價通過下述方法來實施。
[0062](無機絕緣層及有機絕緣層的厚度)
[0063]無機絕緣層及有機絕緣層的厚度是用株式會社日本電子制的掃描型電子顯微鏡(商品名:JSM-6610)觀察有機EL裝置的截面，測出各層的厚度來算出的。
[0064](發(fā)光產(chǎn)額)
[0065]制作20個具有2mm見方的發(fā)光部的有機EL裝置，用光學(xué)顯微鏡(株式會社KEYENCE制的數(shù)字顯微鏡(商品名:VHX-1000))觀察初期的發(fā)光狀態(tài)。計算發(fā)光狀態(tài)良好的元件的數(shù)量，算出發(fā)光產(chǎn)額。
[0066](發(fā)光面積)
[0067]將所述有機EL裝置在溫度60°C、濕度90%RH的恒溫恒濕條件下以非點燈狀態(tài)保存。在200小時后，使有機EL裝置發(fā)光，通過顯微鏡觀察來測定發(fā)光面積。觀察及發(fā)光面積測定使用株式會社KEYENCE制的數(shù)字顯微鏡(商品名:VHX-1000)來進行。
[0068](有機絕緣層側(cè)面的錐角)
[0069]有機絕緣層側(cè)面的錐角是用株式會社日本電子制的掃描型電子顯微鏡(商品名:JSM-6610)觀察有機EL裝置的截面并測量。
[0070][實施例1]
[0071][絕緣層的制作]
[0072]作為制作有機EL元件的導(dǎo)電性基板，準備不銹鋼(SUS)基板(SUS304，厚度50 μ m)。在所述SUS基板上利用濺射來形成SiO2層(無機絕緣層，厚度0.3 μ m)。進一步在其上用繞線棒涂布降冰片烯樹脂(日本ZEON株式會社制，商品名“ZE0C0AT”)，在100°C下進行5分鐘預(yù)烘烤。然后，以使所述降冰片烯樹脂層在利用密封材料密封后不露出到外部的方式，通過光刻法來進行圖案化。在光刻法中，對規(guī)定圖案進行曝光，并使用TMAH (四甲基氫氧化銨)水溶液作為顯影液來進行。將經(jīng)圖案化的所述降冰片烯樹脂層在220°C下進行I小時后烘烤，獲得經(jīng)圖案化的厚度為3μπι的有機絕緣層。其后，以純水進行洗滌工序，在200°C下進行I小時的加熱工序。所述有機絕緣層的側(cè)面為從下側(cè)向上側(cè)朝著內(nèi)部方向傾斜的錐面，錐角為約20度。
[0073][有機EL元件的制作]
[0074]在所獲得的絕緣層上，通過真空蒸鍍法按照IOOnm的Al作為陽極、IOnm的HAT-CN (1，4，5，8，9，12-六氮雜苯并菲六腈)作為空穴注入層、50nm的NPB (N，N，-雙(萘-1-基)-N，N’ -雙(苯基)-聯(lián)苯胺)作為空穴輸送層、45nm的Alq (三(8_羥基喹啉)鋁)作為發(fā)光層及電子輸送層、0.5nm的LiF作為電子注入層、5/15nm (共蒸鍍)的Mg/Ag作為陰極、60nm的MoO3作為折射率調(diào)整層這樣的順序進行蒸鍍，從而制作有機EL元件。
[0075][密封]
[0076]在形成了有機EL元件之后，在覆蓋發(fā)光層的狀態(tài)下，以成為可連接來自所述陽極及所述陰極的端子的狀態(tài)的方式，設(shè)置玻璃罩來進行密封(參照圖2)，獲得本實施例的有機EL裝置。玻璃罩的周圍是涂布含有雙組份固化型環(huán)氧樹脂的粘接劑(K0NISHI株式會社制，商品名“Bond Quick5”),使所述粘接劑自然固化來密封。
[0077][實施例2]
[0078]除了使用下述組成的環(huán)氧樹脂來代替所述降冰片烯樹脂之外，按照與實施例1相同的步驟，獲得本實施例的有機EL裝置。所述環(huán)氧樹脂是用繞線棒涂布，在90°C下進行15分鐘的預(yù)烘烤。光刻法中，對規(guī)定圖案進行曝光，并使用乙腈作為顯影液來進行。將經(jīng)圖案化的所述環(huán)氧樹脂層在170°C下進行30分鐘的后烘烤，獲得經(jīng)圖案化的厚度為3μπι的有機絕緣層。所述有機絕緣層的側(cè)面為從下側(cè)向上側(cè)朝著內(nèi)部方向傾斜的錐面，錐角為約50度。
[0079](環(huán)氧樹脂)
[0080]芴衍生物1:50重量份
[0081]芴衍生物2:50重量份
[0082]光產(chǎn)酸劑:I重量份
[0083]芴衍生物1:雙苯氧乙醇芴二縮水甘油醚
[0084](下述通式(I)中，是R1?R6均為氫原子且η=1的物質(zhì))
[0085]芴衍生物2:雙酚芴二縮水甘油醚
[0086](下述通式(I)中，是R1?R6均為氫原子且n=0的物質(zhì))
[0087]光產(chǎn)酸劑:4，4-雙[二( β羥基乙氧基)苯基锍]苯硫醚-雙-六氟銻酸鹽的50%的3-戍酮碳化物(propion carbide)溶液。
[0088]
【權(quán)利要求】
1.一種有機EL裝置，其是具有導(dǎo)電性基板的有機EL裝置，其特征在于， 在所述導(dǎo)電性基板面上層疊有無機絕緣層，在所述無機絕緣層上層疊有有機絕緣層； 在所述有機絕緣層上具有有機EL元件； 所述有機EL裝置具有密封所述有機絕緣層及所述有機EL元件的密封材料； 而且，所述有機絕緣層配置于所述密封材料的內(nèi)側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機EL裝置，其特征在于，所述有機絕緣層的側(cè)面的至少一部分為從下側(cè)向上側(cè)朝著內(nèi)部方向傾斜的錐面，所述有機絕緣層的錐面與所述導(dǎo)電性基板面所形成的角度為I度?50度的范圍內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有機EL裝置，其特征在于，所述無機絕緣層含有金屬及半金屬中的至少I種，而且，所述金屬及所述半金屬中的至少I種是從由氧化物、氮化物、碳化物、氧化氮化物、氧化碳化物、氮化碳化物及氧化氮化碳化物構(gòu)成的組中選擇的至少I種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1?3中任一項所述的有機EL裝置，其特征在于，所述有機絕緣層是從由丙烯酸樹脂、降冰片烯樹脂、環(huán)氧樹脂及聚酰亞胺樹脂構(gòu)成的組中選擇的至少I種。
5.一種有機EL裝置的制造方法，其特征在于，包含下述工序: 在導(dǎo)電性基板面上層疊無機絕緣層的無機絕緣層形成工序； 在所層疊的無機絕緣層上層疊有機絕緣層的有機絕緣層形成工序； 在所述有機絕緣層上形成有機EL元件的工序；以及 以包圍所述有機絕緣層及所述有機EL元件的方式形成密封材料的密封工序； 而且，所述有機絕緣層形成工序包含選擇性地形成所述有機絕緣層的圖案化工序。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機EL裝置的制造方法，其特征在于，在所述有機絕緣層形成工序中形成下述有機絕緣層:所述有機絕緣層的側(cè)面的至少一部分為從下側(cè)向上側(cè)朝著內(nèi)部方向傾斜的錐面的有機絕緣層，而且，所述有機絕緣層的錐面與所述導(dǎo)電性基板面所形成的角度為I度?50度的范圍內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要去5或6所述的有機EL裝置的制造方法，其特征在于，所述圖案化工序通過光刻法進行。
【文檔編號】H05B33/22GK103891403SQ201280051886
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2012年10月9日 優(yōu)先權(quán)日:2011年11月10日
【發(fā)明者】大崎啟功, 中井孝洋, 森田成紀, 長瀨純一 申請人:日東電工株式會社