有機el元件的制造方法、有機el元件、有機el裝置、電子設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種具有優(yōu)異的發(fā)光效率和發(fā)光壽命的有機EL元件的制造方法、有機EL元件、具備該有機EL元件的有機EL裝置、電子設(shè)備。有機EL元件(130)在作為陽極的像素電極(131)與作為陰極的對電極(134)之間具備：至少含有從像素電極(131)側(cè)按順序?qū)盈B的空穴注入層(132a)、空穴輸送層(132b)、發(fā)光層(132c)的功能層(132)，有機EL元件(130)的制造方法的特征在于，具有涂布含有低分子材料和高分子材料的溶液而形成空穴注入層(132a)、空穴輸送層(132b)、發(fā)光層(132c)中的至少一個層的工序，低分子材料的分子量為1萬以下，高分子材料的分子量為1萬～30萬，相對于溶液中含有的低分子材料和高分子材料的重量，低分子材料的混合比例為10wt％～90wt％。
【專利說明】有機EL元件的制造方法、有機EL元件、有機EL裝置、電子 設(shè)備

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及有機EL元件的制造方法、有機EL元件、具備該有機EL元件的有機EL 裝置、電子設(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0002] 有機電致發(fā)光（Electro-Luminescence;EL)元件在陽極和陰極之間具有含有由 有機化合物構(gòu)成的發(fā)光材料的功能層。作為形成這樣的功能層的方法，已知有真空蒸鍍法 等氣相工藝（也稱為干式法）、使用使功能層形成材料溶解或分散于溶劑而得的溶液的液 相工藝（也稱為濕式法或涂布法）。一般而言，在氣相工藝中適合使用低分子材料，在液相 工藝中從成膜性的觀點出發(fā)使用高分子材料。已知高分子材料與低分子材料相比，有時在 發(fā)光效率、發(fā)光壽命方面差。另一方面，液相工藝與氣相工藝相比，能夠比較容易將有機EL 元件形成在大型基板上，因此持續(xù)進行開發(fā)。
[0003] 例如，專利文獻1中公開了一種有機EL元件，其空穴注入?輸送層是將高分子材 料利用濕式法成膜而得的高分子空穴注入?輸送層，發(fā)光層是將低分子發(fā)光材料利用濕式 法成膜而得的低分子發(fā)光層。作為該低分子發(fā)光材料，可舉出具有蒽骨架或芘骨架的非對 稱低分子化合物。
[0004] 另外，例如，專利文獻2中公開了一種具有藍色的第1有機EL元件和其它顏色的 第2有機EL元件的有機EL顯示裝置的制造方法，利用使用了含有低分子材料和高分子材 料的混合材料的涂布法來形成第2有機EL元件的第2有機發(fā)光層。根據(jù)專利文獻2,低分 子材料可舉出例如重均分子量為5萬以下的單體。
[0005] 專利文獻
[0006] 專利文獻1 :日本特開2006-190759號公報
[0007] 專利文獻2 :日本特開2011-233855號公報


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008] 上述專利文獻1中作為發(fā)光層的形成方法而示出了使用含有l(wèi)wt%的低分子發(fā)光 材料的甲苯溶液，用旋涂法成膜，形成可得到藍色發(fā)光的發(fā)光層的例子。然而，在將有機EL 元件應(yīng)用于平板顯示器面板的像素時，不僅藍色，還有必要在基板上嵌入可得到紅色、綠色 等發(fā)光的有機EL元件。即，有必要與各種顏色的像素對應(yīng)而有選擇地分開涂布含有低分子 發(fā)光材料的溶液。于是，與將溶液按照旋涂法在基板的整面涂布而成膜的情況相比，存在如 下課題：在有選擇地分開涂布的區(qū)域中發(fā)生低分子材料凝聚而容易變得涂布不均。
[0009] 另一方面，在專利文獻2中，作為有選擇地涂布含有混合了低分子材料和高分子 材料的混合材料的溶液或分散液的方法，舉出了噴墨法或噴嘴涂布法等液滴噴出法。另外， 專利文獻2中，使低分子材料的重均分子量為5萬以下，但為了進一步改善有機EL元件的 發(fā)光效率、發(fā)光壽命，迫切期望使用重均分子量更小的低分子材料。即，尋求能夠兼得溶液 的選擇性分開涂布的成膜性和成膜后所要求的特性的有機EL元件的制造方法。
[0010] 本發(fā)明是為了解決上述課題的至少一部分而完成的，能夠作為以下方式或應(yīng)用例 來實現(xiàn)。
[0011] [應(yīng)用例]
[0012] 本應(yīng)用例涉及的有機EL元件的制造方法，其特征在于，是具有功能層的有機EL元 件的制造方法，所述功能層在陽極和陰極之間至少含有從上述陽極側(cè)按順序?qū)盈B的空穴注 入層、空穴輸送層、發(fā)光層，所述制造方法具有涂布含有低分子材料和高分子材料的溶液而 形成上述空穴注入層、上述空穴輸送層、上述發(fā)光層中的至少一個層的工序，上述低分子材 料的分子量為1萬以下，上述高分子材料的重均分子量為1萬?30萬，相對于上述溶液中 含有的上述低分子材料和上述高分子材料的重量，上述低分子材料的混合比例為l〇wt%? 90wt%。
[0013] 根據(jù)本應(yīng)用例，即使有選擇地涂布上述溶液，在被涂布的上述溶液的干燥過程中， 由于上述溶液的粘度上升而抑制低分子材料的移動，所以也可減少因低分子材料的凝聚引 起的成膜不良。即，可提供一種能夠制造成膜不良得到減少且具有優(yōu)異的發(fā)光效率和發(fā)光 壽命的有機EL元件的有機EL元件的制造方法。
[0014] 在上述應(yīng)用例所涉及的有機EL元件的制造方法中，上述高分子材料優(yōu)選選自聚 甲基丙烯酸甲酯樹脂、硅酮樹脂、聚氨酯樹脂、降冰片烯樹脂、氟樹脂、低密度聚乙烯樹脂、 聚酯樹脂、聚對亞苯基亞乙烯基、聚芴、聚苯胺、聚噻吩、聚乙烯基咔唑以及它們的衍生物。
[0015] 根據(jù)該方法，通過使用上述高分子材料，能夠形成適于噴墨法或噴嘴涂布法等液 滴噴出法的溶液，能夠兼得液滴噴出法中的溶液的噴出性和成膜性。
[0016] 在上述應(yīng)用例涉及的有機EL元件的制造方法中，將上述低分子材料的帶隙的大 小設(shè)為Egl、并將上述高分子材料的帶隙的大小設(shè)為Eg2時，優(yōu)選選擇滿足Egl<Eg2的關(guān) 系的上述_分子材料。
[0017] 在有機EL元件的發(fā)光層中，從陽極注入的空穴和從陰極注入的電子形成激子 (Exciton)，激子（Exciton)淬滅時（電子與空穴再結(jié)合時）能量的一部分成為突光或磷光 而被釋放。
[0018] 即，溶液所含的低分子材料或高分子材料的帶隙（電子的HOMO能級與LUM0能級 之差）的大小與導(dǎo)致發(fā)光的能量相關(guān)。如果使用比低分子材料的帶隙Egl小的帶隙Eg2的 高分子材料，則導(dǎo)致發(fā)光的能量的一部分被帶隙小的高分子材料吸收，或形成激基復(fù)合物。 其結(jié)果，導(dǎo)致發(fā)光的能量實質(zhì)上變小，發(fā)光波長與目標(biāo)波長相比成為長波長，有可能發(fā)光效 率降低或得不到目標(biāo)色度。
[0019] 根據(jù)本應(yīng)用例，由于選擇滿足Egl<Eg2的關(guān)系的上述高分子材料，所以能夠制造 可得到優(yōu)異的發(fā)光效率和目標(biāo)色度的有機EL元件。
[0020] 在上述應(yīng)用例所涉及的有機EL元件的制造方法中，優(yōu)選在上述功能層中，用于形 成層疊于下層的上層的上述溶液中含有的上述高分子材料與上述下層中含有的上述高分 子材料為相同種類。
[0021] 根據(jù)該方法，能夠確保下層與上層的密合性，所以能夠降低因密合性的不足引起 的成膜不良。
[0022] 在上述應(yīng)用例所涉及的有機EL元件的制造方法中，優(yōu)選上述溶液含有使上述高 分子材料溶解的良溶劑，上述良溶劑的沸點為200°C以上。
[0023] 根據(jù)該方法，通過使用沸點為200°C以上的良溶劑，能夠形成適于液滴噴出法的溶 液，可得到穩(wěn)定的噴出性。即，能夠在需要的區(qū)域穩(wěn)定地涂布需要量的溶液。
[0024] [應(yīng)用例]
[0025] 本應(yīng)用例所涉及的有機EL元件具有陽極、陰極及功能層，上述功能層在上述陽極 與上述陰極之間至少含有從上述陽極側(cè)按順序?qū)盈B的空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光層，上 述空穴注入層、上述空穴輸送層、上述發(fā)光層中的至少一個層含有低分子材料和高分子材 料，上述低分子材料的分子量為1萬以下，上述商分子材料的重均分子量為1萬?30萬， 相對于上述低分子材料和上述高分子材料的重量，上述低分子材料的混合比例為l〇wt%? 90wt%。
[0026] 根據(jù)本應(yīng)用例，由于上述空穴注入層、上述空穴輸送層、上述發(fā)光層中的至少一個 層含有低分子材料和高分子材料，因此可實現(xiàn)與單獨使用低分子材料的情況相近的發(fā)光效 率和與單獨使用高分子材料的情況相近的成膜的穩(wěn)定性，能夠提供具有優(yōu)異的發(fā)光效率和 發(fā)光壽命的有機EL兀件。
[0027] 在上述應(yīng)用例所涉及的有機EL元件中，上述高分子材料優(yōu)選選自聚甲基丙烯酸 甲酯樹脂、硅酮樹脂、聚氨酯樹脂、降冰片烯樹脂、氟樹脂、低密度聚乙烯樹脂、聚酯樹脂、聚 對亞苯基亞乙烯基、聚芴、聚苯胺、聚噻吩、聚乙烯基咔唑以及它們的衍生物。
[0028] 根據(jù)該構(gòu)成，能夠提供可實現(xiàn)穩(wěn)定的成膜性的有機EL元件。
[0029] 在上述應(yīng)用例所涉及的有機EL元件中，將上述低分子材料的帶隙的大小設(shè)為Egl、并將上述高分子材料的帶隙的大小設(shè)為Eg2時，優(yōu)選選擇滿足Egl<Eg2的關(guān)系的上 述高分子材料。
[0030] 根據(jù)該構(gòu)成，選擇滿足Egl<Eg2的關(guān)系的高分子材料，導(dǎo)致發(fā)光的能量的一部分 難以被高分子材料吸收，或者難以在低分子材料與高分子材料之間形成激基復(fù)合物。因此， 導(dǎo)致發(fā)光的能量沒有無端地被消耗，所以能夠提供可得到優(yōu)異的發(fā)光效率和目標(biāo)色度的有 機EL元件。
[0031] 在上述應(yīng)用例所涉及的有機EL元件中，優(yōu)選在上述功能層中，層疊于下層的上層 中含有的上述高分子材料與在上述下層中含有的上述高分子材料為相同種類。
[0032] 根據(jù)該構(gòu)成，在功能層中的下層與上層之間，密合性得到改善，能夠確保穩(wěn)定的成 膜性。因此，能夠提供具有優(yōu)異的發(fā)光效率和發(fā)光壽命的有機EL元件。
[0033] [應(yīng)用例]
[0034] 本應(yīng)用例所涉及的有機EL裝置，其特征在于，具備使用上述應(yīng)用例中記載的有機EL元件的制造方法制造的有機EL元件或者上述應(yīng)用例中記載的有機EL元件。
[0035] 根據(jù)本應(yīng)用例，能提供一種兼?zhèn)鋬?yōu)異的發(fā)光效率和發(fā)光壽命的有機EL裝置。
[0036] [應(yīng)用例]
[0037] 本應(yīng)用例中涉及的電子設(shè)備，其特征在于，具備上述應(yīng)用例中記載的有機EL裝 置。
[0038] 根據(jù)本應(yīng)用例，能夠提供一種兼?zhèn)鋬?yōu)異的發(fā)光效率和發(fā)光壽命的電子設(shè)備。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0039] 圖1是表示第1實施方式的有機EL裝置的電氣構(gòu)成的等效電路圖。
[0040] 圖2是表示第1實施方式的有機EL裝置的構(gòu)成的概略俯視圖。
[0041] 圖3是表示第1實施方式的有機EL裝置的像素的結(jié)構(gòu)的概略截面圖。
[0042] 圖4是表示有機EL元件的構(gòu)成的示意截面圖。
[0043] 圖5是表不有機EL兀件的制造方法的流程圖。
[0044] 圖6的（a)?（e)是表示有機EL元件的制造方法的概略截面圖。
[0045] 圖7的（f)?（h)是表示有機EL元件的制造方法的概略截面圖。
[0046] 圖8是表示第2實施方式的有機EL裝置的有機EL元件的構(gòu)成的示意截面圖。
[0047] 圖9是表示實施例和比較例中的空穴輸送層的材料構(gòu)成的表。
[0048] 圖10是表示實施例和比較例中的空穴輸送層的成膜時的膜缺陷的有無、有機EL 元件的發(fā)光效率以及元件壽命的表。
[0049] 圖11的（a)是表示比較例1的空穴輸送層的成膜狀態(tài)的照片，圖11的（b)是表 示實施例的空穴輸送層的成膜狀態(tài)的照片。
[0050] 圖12是表示可應(yīng)用于功能層中的空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光層的低分子材料 和高分子材料的表。
[0051] 圖13的（a)是表示作為電子設(shè)備的一個例子的筆記本型個人計算機的概略圖，圖 13的（b)是表示作為電子設(shè)備的一個例子的薄型電視機（TV)的概略圖。

【具體實施方式】
[0052] 以下，參照附圖對使本發(fā)明具體化的實施方式進行說明。應(yīng)予說明，使用的附圖以 成為可識別所說明的部分的狀態(tài)的方式適當(dāng)放大或縮小地表示。
[0053] 應(yīng)予說明，在以下方式中，例如記載為"基板上"時，表示以相接的方式配置于基板 上的情況，或介由其它構(gòu)成物配置于基板上的情況，或一部分以相接的方式配置于基板上 而一部分介由其它構(gòu)成物配置于基板上的情況。
[0054](第1實施方式）
[0055] 首先，參照圖1?圖3對應(yīng)用了本實施方式的有機EL元件的有機EL裝置進行說 明。圖1是表不有機EL裝置的電氣構(gòu)成的等效電路圖，圖2是表不有機EL裝置的構(gòu)成的 概略俯視圖，圖3是表示有機EL裝置的像素的結(jié)構(gòu)的概略截面圖。
[0056] 如圖1所示，本實施方式的有機EL裝置100具有相互交叉的多條掃描線112和多 條數(shù)據(jù)線113、與多條數(shù)據(jù)線113分別并列的電源線114。具有連接多條掃描線112的掃描 線驅(qū)動電路103和連接多條數(shù)據(jù)線113的數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路104。另外，具有與多條掃描線 112和多條數(shù)據(jù)線113的各交叉部對應(yīng)而被配置成矩陣狀的多個發(fā)光像素107。
[0057] 發(fā)光像素107具有作為發(fā)光元件的有機EL元件130和控制有機EL元件130的驅(qū) 動的像素電路111。
[0058] 有機EL元件130具有作為陽極的像素電極131、作為陰極的對電極134、被設(shè)置在 像素電極131與對電極134之間的包含發(fā)光層的功能層132。這樣的有機EL元件130在電 氣上可以以二極管標(biāo)記。應(yīng)予說明，對電極134被形成為遍及多個發(fā)光像素107的共同電 極。
[0059] 像素電路111包含開關(guān)用晶體管121、驅(qū)動用晶體管122、存儲電容123。對于 2個晶體管121、122,例如可以使用n溝道型或p溝道型的薄膜晶體管（TFT;ThinFilm transistor)或MOS晶體管來構(gòu)成。
[0060] 開關(guān)用晶體管121的柵極與掃描線112連接，源極或漏極中的一個與數(shù)據(jù)線113 連接，源極或漏極中的另一個與驅(qū)動用晶體管122的柵極連接。
[0061]驅(qū)動用晶體管122的源極或漏極中的一個與有機EL元件130的像素電極131連 接，源極或漏極中的另一個與電源線114連接。在驅(qū)動用晶體管122的柵極與電源線114 之間連接存儲電容123。
[0062] 如果驅(qū)動掃描線112而使開關(guān)用晶體管121成為導(dǎo)通狀態(tài)，則此時基于由數(shù)據(jù)線 113供給的圖像信號的電位經(jīng)由開關(guān)用晶體管121而被保持在存儲電容123。根據(jù)該存儲 電容123的電位即驅(qū)動用晶體管122的柵極電位，決定驅(qū)動用晶體管122的導(dǎo)通?截止?fàn)?態(tài)。并且，如果驅(qū)動用晶體管122成為導(dǎo)通狀態(tài)，則與柵極電位對應(yīng)的大小的電流從電源線 114介由驅(qū)動用晶體管122流到被像素電極131與對電極134夾持的功能層132。有機EL 元件130根據(jù)流過功能層132的電流的大小而發(fā)光。
[0063] 應(yīng)予說明，像素電路111的構(gòu)成并不限定于此。例如，可以在驅(qū)動用晶體管122和 像素電極131之間具備控制驅(qū)動用晶體管122和像素電極131之間的導(dǎo)通的發(fā)光控制用晶 體管。
[0064] 如圖2所示，有機EL裝置100具有可得到紅色（R)、綠色（G)、藍色（B)的發(fā)光（發(fā) 光色）的發(fā)光像素107R、107G、107B。各發(fā)光像素107R、107G、107B大致為矩形且以矩陣狀 被配置在顯示區(qū)域E中。對于發(fā)光像素107R、107G、107B，分別設(shè)置能夠得到與其對應(yīng)的顏 色的發(fā)光的有機EL元件130。能夠得到同色的發(fā)光的發(fā)光像素107在圖上沿垂直方向（列 方向或發(fā)光像素107的長邊方向）排列，不同發(fā)光色的發(fā)光像素107在附圖上沿水平方向 (行方向或發(fā)光像素107的短邊方向）以R、G、B的順序排列。即，不同發(fā)光色的發(fā)光像素 107R、107G、107B以所謂條紋方式配置。
[0065] 如果使用這樣的有機EL裝置100作為顯示裝置，則能夠?qū)⒖傻玫讲煌l(fā)光色的3 個發(fā)光像素107R、107G、107B作為一個顯示像素單元108,將各發(fā)光像素107R、107G、107B進 行電控制。由此能夠進行全彩色顯示。
[0066] 應(yīng)予說明，不同發(fā)光色的發(fā)光像素107R、107G、107B的平面形狀和配置并不限定 于此，例如，也可以是三角形方式、拼接方式的配置。另外，發(fā)光像素107并不限定與紅色 (R)、綠色（G)、藍色（B)這3色對應(yīng)地設(shè)置，也包含能夠得到紅色（R)、綠色（G)、藍色（B)以 外的例如黃色（Y)的發(fā)光的發(fā)光像素107。
[0067]如圖3所示，在有機EL裝置100中，有機EL元件130具有作為陽極的像素電極 131、 分隔像素電極131的隔壁133、以及形成在像素電極131上的含有發(fā)光層的功能層 132。 另外，具有以介由功能層132與像素電極131對置的方式形成的作為共同電極的對電 極 134。
[0068] 隔壁133由多官能丙烯酸樹脂等具有絕緣性的感光性樹脂材料構(gòu)成，以部分覆蓋 構(gòu)成發(fā)光像素107的像素電極131的周圍而分別分隔多個像素電極131的方式設(shè)置。
[0069]像素電極131與形成在元件基板101上的驅(qū)動用晶體管122的3個端子中的一個 連接。對電極134給予例如GND等固定電位。通過在像素電極131與對電極134之間外加驅(qū) 動電位，能夠從像素電極131向功能層132注入空穴，從對電極134向功能層132注入電子。 在功能層132所含的發(fā)光層中，被注入的空穴和電子形成激子（Exciton)，激子（Exciton) 淬滅時（電子與空穴再結(jié)合時），能量的一部分成為熒光、磷光而被釋放。以下，有時也使與 紅色（R)、綠色（G)、藍色（B)的發(fā)光像素107R、107G、107B對應(yīng)地設(shè)置的有機EL元件130 的功能層132與發(fā)光色對應(yīng)而稱為功能層132R、132G、132B。
[0070] 本實施方式的有機EL裝置100成為底部發(fā)射型的結(jié)構(gòu)，使在像素電極131與對電 極134之間流過驅(qū)動電流而在功能層132R、132G、132B發(fā)出的光在對電極134反射而從元 件基板101側(cè)射出。因此，元件基板101使用玻璃等透明基板。另外，對于介由封閉層135 而與元件基板101對置配置的密封基板102,透明基板和不透明基板均可以使用。作為不透 明基板，例如，可舉出氧化鋁等陶瓷、對不銹鋼等金屬片材實施了表面氧化等絕緣處理的材 料，除此以外，還可舉出熱固化性樹脂、熱塑性樹脂等。
[0071] 在元件基板101上設(shè)置驅(qū)動有機EL元件130的像素電路111。即，在元件基板 101的表面形成例如以硅氧化物（Si02)為主體的基底絕緣膜115,在其上形成驅(qū)動用晶體 管122的半導(dǎo)體層122a。半導(dǎo)體層122a例如由多晶硅構(gòu)成。在該半導(dǎo)體層122a的表面形 成例如以Si02和/或SiN為主體的柵極絕緣膜116。
[0072] 另外，半導(dǎo)體層122a中，夾持柵極絕緣膜116而與柵極電極126重疊的區(qū)域形成 溝道區(qū)域。應(yīng)予說明，該柵極電極126與被省略圖示的掃描線112進行電連接。形成覆蓋 半導(dǎo)體層122a和柵極電極126并且以Si02為主體的第1層間絕緣膜117。
[0073] 另外，半導(dǎo)體層122a中，在溝道區(qū)域的源極側(cè)設(shè)置低濃度源極區(qū)域和高濃度源極 區(qū)域122c，另一方面，在溝道區(qū)域的漏極側(cè)設(shè)置低濃度漏極區(qū)域和高濃度漏極區(qū)域122b， 形成所謂LDD(LightDopedDrain，輕摻雜漏極）結(jié)構(gòu)。其中，高濃度源極區(qū)域122c介由橫 穿柵極絕緣膜116與第1層間絕緣膜117而開孔的接觸孔125a與源極電極125連接。該 源極電極125被構(gòu)成為電源線114(未圖示）的一部分。另一方面，高濃度漏極區(qū)域122b 介由橫穿柵極絕緣膜116與第1層間絕緣膜117而開孔的接觸孔124a與被設(shè)置在與源極 電極125為同一布線層的漏極電極124連接。
[0074] 在形成有源極電極125和漏極電極124的第1層間絕緣膜117的上層，形成第2 層間絕緣膜118。該第2層間絕緣膜118被用以消除因構(gòu)成像素電路111的驅(qū)動用晶體管 122等或源極電極125、漏極電極124等導(dǎo)致的表面凹凸，與第1層間絕緣膜117同樣地以 Si02為主體而構(gòu)成，被實施CMP(ChemicalMechanicalPolishing,化學(xué)機械拋光）等平坦 化處理。
[0075] 然后，像素電極131被形成在該第2層間絕緣膜118的表面上，并且介由被設(shè)置于 第2層間絕緣膜118的接觸孔118a與漏極電極124連接。即，像素電極131介由漏極電極 124與半導(dǎo)體層122a的高濃度漏極區(qū)域122b連接。對電極134與GND連接。因此，利用驅(qū) 動用晶體管122,控制從上述電源線114向像素電極131供給且在與對電極134之間流過的 驅(qū)動電流。由此，像素電路111使所希望的有機EL元件130發(fā)光而能夠進行彩色顯示。
[0076] 功能層132R、132G、132B分別由含有空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光層的多個薄膜 層構(gòu)成，從像素電極131側(cè)以該順序?qū)盈B。本實施方式中，空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光 層使用液滴噴出法（噴墨法）而成膜。關(guān)于功能層132的詳細構(gòu)成在后面描述，但空穴注 入層、空穴輸送層、發(fā)光層中的至少一個薄膜層含有低分子材料和高分子材料。本實施方式 中，低分子材料是指分子量為1萬以下的單體，高分子材料是指重均分子量為1萬以上的聚 合物。
[0077] 具有這樣的有機EL元件130的元件基板101，介由使用熱固化型環(huán)氧樹脂等作為 封閉部件的封閉層135,與密封基板102無間隙地被實心密封。
[0078] 本實施方式的有機EL裝置100的有機EL元件130使用后述的制造方法來制造， 空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光層各自具有幾乎一定的膜厚和穩(wěn)定的膜形狀（截面形狀）， 因此在可得到不同發(fā)光色的功能層132R、132G、132B中分別能夠得到所希望的發(fā)光效率和 發(fā)光壽命。
[0079] 應(yīng)予說明，本實施方式的有機EL裝置100不限定于底部發(fā)射型，例如也可以是頂 部發(fā)射型的結(jié)構(gòu)，即，使用光反射性的導(dǎo)電材料形成像素電極131，使用透明的導(dǎo)電材料形 成作為陰極的對電極134,用像素電極131使有機EL元件130的發(fā)光反射而從密封基板102 側(cè)射出。另外，形成頂部發(fā)射型時，可以是使與有機EL元件130的發(fā)光色對應(yīng)的彩色濾波 器與各有機EL元件130對應(yīng)地設(shè)置的構(gòu)成。此外，有機EL裝置100具有彩色濾波器時，可 以是從有機EL元件130得到白色發(fā)光的構(gòu)成。
[0080] 接下來，對于有機EL元件130的構(gòu)成，參照圖4進行說明。圖4是表示有機EL元 件的構(gòu)成的示意截面圖。
[0081] 如圖4所示，有機EL元件130具有被形成在元件基板101上的作為陽極的像素 電極131、與像素電極131對置配置的作為陰極的對電極134、被夾持在像素電極131與對 電極134之間的功能層132。功能層132包含從像素電極131側(cè)按順序?qū)盈B的空穴注入層 132a、空穴輸送層132b、發(fā)光層132c、電子輸送層132d、電子注入層132e。以下，對于有機 EL元件130的各構(gòu)成進行詳細說明。
[0082] [像素電極]
[0083] 像素電極131是用于對功能層132注入空穴的電極，優(yōu)選使用功函數(shù)大且導(dǎo)電性 優(yōu)異的透明電極材料。作為該透明電極材料，例如，可舉出IT0(IndiumTinOxide,氧化銦 錫）、IZ0(IndiumZincOxide,氧化銦鋅）、In203、Sn02、添加氟的Sn02、添加Sb的Sn02、Zn0、 添加A1的ZnO、添加Ga的ZnO等金屬氧化物，Au、Pt、Ag、Cu或含有它們的合金等。另外， 也可以使用這些材料中的2種以上。用蒸鍍或各種濺射（RF磁控濺射）將這些透明電極材 料成膜后，用光刻法進行圖案形成。像素電極131的厚度沒有特別限定，但優(yōu)選為10nm? 200nm左右，更優(yōu)選為30nm?150nm左右。
[0084] [空穴注入層]
[0085] 空穴注入層132a具有使來自像素電極131的空穴的注入變得容易的功能。作為 這樣的空穴注入層132a的材料，為了能夠使用液相工藝來形成，優(yōu)選使用在導(dǎo)電性高分子 材料（或?qū)щ娦缘途畚锊牧希┲刑砑恿穗娮咏邮苄該诫s劑的離子傳導(dǎo)性空穴注入材料。作 為這樣的離子傳導(dǎo)性空穴注入材料，例如，可使用聚（3, 4-乙撐二氧噻吩）-聚（苯乙烯磺 酸）（PED0T/PSS)這樣的聚噻吩系空穴注入材料、聚苯胺-聚（苯乙烯磺酸）（PANI/PSS)這 樣的聚苯胺系空穴注入材料。這些空穴注入材料使用液滴噴出法（噴墨法等）、網(wǎng)版印刷等 液相工藝進行涂布。涂布后，進行干燥、燒結(jié)，形成膜。這樣的空穴注入層132a的厚度沒有 特別限定，優(yōu)選為5nm?150nm左右，更優(yōu)選為10nm?100nm左右。
[0086] 應(yīng)予說明，空穴注入層132a根據(jù)構(gòu)成有機EL元件130的像素電極131、空穴輸送 層132b以及發(fā)光層132c的構(gòu)成材料的種類和其膜厚等的組合，也可以省略。
[0087] [空穴輸送層]
[0088] 空穴輸送層132b被設(shè)置在空穴注入層132a與發(fā)光層132c之間，為了提高對發(fā)光 層132c的空穴的輸送性（注入性），并且抑制電子從發(fā)光層132c向空穴注入層132a侵入 而設(shè)置。即，改善由發(fā)光層132c中的空穴與電子的結(jié)合產(chǎn)生的發(fā)光的效率。在本實施方式 中，空穴輸送層132b含有作為低分子材料的空穴輸送材料和高分子材料?？昭ㄝ斔筒牧?沒有特別限定，可使用胺化合物。例如，TPD(N，N'_二苯基-N，N'_雙（3-甲基苯基）-1，1' 聯(lián)苯基-4, 4' -二胺）、a-NPD(N，N' -二苯基-N，N' 雙（1-萘基）-1，1' 聯(lián)苯基-4, 4' -二 胺）、m-MTDATA(4, 4'，4〃-三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺）、2-TNATA(4, 4'，4〃-三 (N，N- (2-萘基）苯基氨基）三苯胺）、TCTA(三-(4-咔唑-9-基-苯基）-胺等。
[0089] 作為上述高分子材料，可以使用聚對亞苯基亞乙烯基衍生物、聚芴衍生物、聚苯胺 衍生物、聚乙烯基咔唑衍生物、聚噻吩衍生物、聚對苯二甲酸乙二酯（PET)，聚萘二甲酸乙二 酯（PEN)、聚乙烯砜（PES)、聚烯烴（P0)、聚酰亞胺（PI)、聚乙烯、聚丙烯、賽璐玢、二乙酰纖 維素，三乙酸纖維素、乙酸丁酸纖維素、乙酸丙酸纖維素、鄰苯二甲酸乙酸纖維素、硝酸纖維 素等纖維素酯類和它們的衍生物，聚偏二氯乙烯、聚乙烯醇、聚乙烯乙烯醇、間規(guī)聚苯乙烯、 聚碳酸酯、聚甲基戊烯、聚醚酮、聚醚砜、聚砜類、聚醚酮酰亞胺、聚酰胺、尼龍、聚甲基丙烯 酸甲酯（PMMA)、丙烯酸、聚芳酯、有機無機雜化樹脂等。低分子材料與高分子材料的混合比 例為，低分子材料能夠以重量比計在0.lwt%?99. 9wt%的范圍內(nèi)混合使用。
[0090] 含有這些空穴輸送材料（低分子材料）和高分子材料的混合物也使用液滴噴出法 (噴墨法）、網(wǎng)版印刷等液相工藝進行涂布。涂布后，進行干燥、燒結(jié)而形成膜。在本實施方 式中，由于使用液滴噴出法（噴墨法）作為液相工藝，因此優(yōu)選高分子材料的重均分子量為 1萬?30萬，低分子材料的上述混合比例優(yōu)選為10wt%?90wt%。
[0091] 通過這樣使用混合有低分子材料和高分子材料的空穴輸送層形成材料，能夠抑制 在成膜時低分子材料與高分子材料的混合物凝聚而產(chǎn)生成膜不良，能夠得到穩(wěn)定的成膜結(jié) 構(gòu)?？昭ㄝ斔蛯?32b的厚度沒有特別限定，優(yōu)選為5nm?lOOnm左右，更優(yōu)選為10nm? 50nm左右。
[0092][發(fā)光層]
[0093] 發(fā)光層的材料沒有特別限定，例如，優(yōu)選包含能夠得到紅色、綠色、藍色發(fā)光的發(fā) 光材料（客體材料）和能夠有效率地促進注入的空穴和電子的再結(jié)合的主體材料。
[0094] 作為客體材料，例如可使用Ir(ppy)3(面式-三（2-苯基批陡）銥）、Ppy2Ir(acac) (雙（2-苯基-吡啶-N，C2)銥（乙酰丙酮））、Bt2Ir(acac)(雙（2-苯基苯并噻唑-N，C2'） 銥（III)(乙酰丙酮））、Btp2Ir(acac)(雙（2, 2'-苯并噻吩基）-吡啶-N，C3)銥（乙酰 丙酮）、FIrpic(銥-雙（4, 6-二氟苯基-吡啶-N，C. 2.)-吡啶甲酸）、Ir(pmb) 3 (銥-三 (1-苯基-3-甲基苯并咪唑啉-2-吡啶-(：，以2)'））、？1冰4(((銥（111)-雙（4,6-二氟苯 基吡啶）（5-(吡啶-2-基）-四唑））^1^以（銥（111)-雙（4,6-二氟苯基吡啶）（5-(批 啶-2-基）-1，2, 4-三唑））、PtOEP(2, 3, 7, 8, 12, 13, 17, 18-八乙基-21H, 23H-卟啉，鉬 (II))這樣的磷光發(fā)光材料，Alq3 (8-羥基喹啉）鋁、紅熒烯、茈、9, 10-二苯基蒽、四苯基丁 二烯、尼羅紅、香豆素6、喹吖啶酮這樣的熒光發(fā)光材料。
[0095] 作為主體材料，例如可使用CBP(4, 4' -雙（9-二咔唑基）-2, 2' -聯(lián)苯基）、 BAlq(雙-(2-甲基-8-羥基喹啉）-4-(苯基苯酚）鋁）、mCP(N，N-二咔唑基-3, 5-苯：CBP 衍生物）、CDBP(4, 4' -雙（9-咔唑基）2, 2' -二甲基-聯(lián)苯）、DCB(N，N' -二咔唑基-1，4-二 亞甲基-苯），P06 (2, 7-雙（二苯基氧化膦）-9,9-二甲基）、SimCP(3, 5-雙（9-咔唑基） 四苯基硅烷）、UGH3(w-雙（三苯基甲硅烷基）苯）等。
[0096] 如果使用這樣的客體材料和主體材料，則不僅通過液相工藝能夠形成發(fā)光層 132c，通過氣相工藝也能夠形成發(fā)光層132c。發(fā)光層132c的厚度沒有特別限定，優(yōu)選為 5nm?100nm左右。
[0097] [電子輸送層]
[0098] 電子輸送層132d具有將從對電極134注入到電子輸送層132d的電子輸送到發(fā) 光層132c的功能。另外，電子輸送層132d有時還具有阻擋從發(fā)光層132c要向電子輸送 層132d通過的空穴的功能。作為這樣的電子輸送層132d的材料，沒有特別限定，為了能夠 使用氣相工藝而形成，例如，可優(yōu)選使用三（8_羥基喹啉）鋁（Alq3)、8_羥基喹啉鋰（Liq) 等以8-羥基喹啉或其衍生物為配體的有機金屬配合物等喹啉衍生物、2_(4_叔丁基苯 基）-5- (4-聯(lián)苯基）-1，3, 4-惡二唑（tBu-PBD)、2, 5-雙（1-萘基）-1，3, 4-I?惡.二唑（BND) 這樣的p惡，二唑衍生物、噻咯衍生物、吡啶衍生物、嘧啶衍生物、喹喔啉衍生物、咪唑衍生物 等。另外，也可以組合使用這些材料中的2種以上。
[0099] 電子輸送層132d的厚度沒有特別限定，但優(yōu)選為lnm?lOOnm左右，更優(yōu)選為 5nm?50nm左右。
[0100] [電子注入層]
[0101] 電子注入層132e具有提高電子從對電極134向電子輸送層132d的注入效率的功 能。作為這樣的電子注入層132e的材料，沒有特別限定，為了能夠使用氣相工藝而形成，例 如，可使用堿金屬、堿土類金屬、稀土類金屬、堿金屬鹽（氧化物、氟化物、氯化物等）、堿土 類金屬鹽（氧化物、氟化物、氯化物等）、稀土類金屬鹽（氧化物、氟化物、氯化物等）。電子 注入層132e的厚度沒有特別限定，優(yōu)選為O.Olnm?lOOnm左右，更優(yōu)選為0?lnm?10nm 左右。
[0102] 應(yīng)予說明，功能層132不限定于上述構(gòu)成，可以包含用于控制載體（空穴、電子） 的流動的有機層、無機層。
[0103] [對電極]
[0104] 對電極134是用于對功能層132注入電子的電極，優(yōu)選使用功函數(shù)小的材料。另 夕卜，在后述的陰極形成工序中，為了能夠使用氣相工藝形成，例如，可使用Li、Mg、Ca、Sr、La、 Ce、Er、Eu、Sc、Y、Yb、Ag、Cu、Al、Cs、Rb、Au或者含有這些材料的合金等。另外，也可以將這 些材料中的2種以上（例如，多層的層疊體等）組合使用。對電極134的厚度沒有特別限 定，例如為lOOnm?lOOOnm。
[0105] 接下來，參照圖5?圖7對更具體的有機EL元件130的制造方法進行說明。圖5 是表示有機EL元件的制造方法的流程圖，圖6(a)?（e)及圖7(f)?（h)是表示有機EL 元件的制造方法的概略截面圖。應(yīng)予說明，以下的有機EL元件130的制造方法的說明從形 成像素電極131后的工序起依次進行說明。另外，被設(shè)置于元件基板101的連接像素電極 131和像素電極131的像素電路111等，可以如上所述使用公知的方法形成。
[0106] 如圖5所示，本實施方式的有機EL元件130的制造方法具有如下工序：隔壁形成 工序（步驟SI)、空穴注入層形成工序（步驟S2)、空穴輸送層形成工序（步驟S3)、發(fā)光層 形成工序（步驟S4)、電子輸送層形成工序（步驟S5)、電子注入層形成工序（步驟S6)、以 及陰極形成工序（步驟S7)。
[0107] 在圖5的步驟S1中，如圖6 (a)所示，以覆蓋像素電極131的外緣而分隔像素電極 131的方式形成隔壁133。就隔壁133的形成方法而言，例如，通過在形成有像素電極131 的元件基板101的表面以大約1Um?3ym左右的厚度涂布多官能丙烯酸樹脂等具有絕緣 性的感光性樹脂材料并干燥，從而形成感光性樹脂層。作為感光性樹脂材料的涂布方法，可 舉出轉(zhuǎn)印法、狹縫涂布法等。然后，通過使用與發(fā)光像素1〇7(參照圖2)的形狀對應(yīng)的曝光 用掩膜將感光性樹脂層曝光、顯影，形成截面為梯形的隔壁133。然后，為了使像素電極131 的表面對后述的作為含有功能層形成材料的溶液的功能液（油墨）顯示適當(dāng)?shù)挠H液性，并 且使隔壁133的表面對同樣的功能液（油墨）顯示疏液性，對形成有隔壁133的元件基板 101實施表面處理。具體而言，首先，實施以氧（〇 2)氣為處理氣體的等離子體處理，使像素 電極131的表面親液化。接著，實施使用了例如CF4等氟類處理氣體的等離子體處理，使隔 壁133的表面疏液化。應(yīng)予說明，可以涂布含有氟類化合物等疏液材料的感光性樹脂材料 來形成隔壁133。在使用了含有疏液材料的感光性樹脂材料時，形成隔壁133后，為了除去 像素電極131上的殘渣，優(yōu)選實施UV臭氧處理。以下，將含有被隔壁133分隔開的像素電 極131的區(qū)域稱為膜形成區(qū)域。然后，進入步驟S2。
[0108] 在圖5的步驟S2中，利用液相工藝形成空穴注入層132a。具體而言，首先，如圖 6(b)所示，將含有上述空穴注入材料的功能液（油墨）60從例如油墨噴頭50的噴嘴噴出到 膜形成區(qū)域。通過使用油墨噴頭50,能夠?qū)⒁?guī)定量的功能液（油墨）60以液滴形式精度良 好地噴出到膜形成區(qū)域。被噴出的功能液（油墨）60在被親液化的像素電極131的表面潤 濕擴展，并且在用被疏液化的隔壁133圍起的膜形成區(qū)域中因界面張力而隆起。通過將涂 布有功能液（油墨）60的元件基板101在例如大氣氣氛下加熱干燥，如圖6(c)所示，能夠 在像素電極131上形成空穴注入層132a。像素電極131的表面被親液化，所以在膜形成區(qū) 域均勻地形成空穴注入層132a。應(yīng)予說明，在本實施方式中，在元件基板101上的各膜形成 區(qū)域形成由同一材料構(gòu)成的空穴注入層132a，但是也可以與其后形成的發(fā)光層132c對應(yīng) 而按每個發(fā)光色改變空穴注入層132a的材料。之后進入步驟S3。
[0109] 在圖5的步驟S3中，通過液相工藝來形成空穴輸送層132b。具體而言，首先，如圖 6(d)所示，將含有作為上述低分子材料的空穴輸送材料和高分子材料的功能液（油墨）70 從油墨噴頭50的噴嘴噴出到膜形成區(qū)域。以液滴形式噴出的規(guī)定量的功能液（油墨）70， 在用隔壁133圍起的膜形成區(qū)域中因界面張力而隆起。通過將涂布有功能液（油墨）70的 元件基板101在例如氮氣氣氛下加熱?干燥，如圖6(e)所示，能夠在空穴注入層132a上 形成空穴輸送層132b。由于使用含有作為低分子材料的空穴輸送材料和高分子材料的功 能液（油墨）70,所以在功能液（油墨）70的加熱?干燥過程，功能液（油墨）70的粘度上 升，能夠抑制低分子材料與高分子材料的混合物的凝聚，即使含有高分子材料的空穴注入 層132a的表面對功能液（油墨）70不顯示親液性，在膜形成區(qū)域也能夠均勻地形成空穴輸 送層132b。然后，進入步驟S4。
[0110] 在圖5的步驟S4中，通過液相工藝來形成發(fā)光層132c。具體而言，首先，如圖7 (f) 所示，將含有上述發(fā)光層形成材料的功能液（油墨）80從油墨噴頭50的噴嘴噴出到膜形成 區(qū)域。以液滴形式噴出的規(guī)定量的功能液（油墨）80在用隔壁133圍起的膜形成區(qū)域中因 界面張力而隆起。作為涂布后的功能液（油墨）80的干燥方法，優(yōu)選使用與一般的加熱干 燥相比能夠較均勻地干燥溶劑成分的減壓干燥法。在膜形成區(qū)域沒有遺漏地涂布規(guī)定量的 功能液（油墨）80。因此，如圖7(g)所示，干燥后形成的發(fā)光層132c在膜形成區(qū)域中具有 大致一定的膜厚和穩(wěn)定的膜形狀（截面形狀）。然后，進入步驟S5?步驟S7。
[0111] 在圖5的步驟S5?步驟S7中，通過氣相工藝來形成電子輸送層132d、電子注入 層132e、作為陰極的對電極134。具體而言，將上述各層的材料利用例如真空蒸鍍法依次成 膜，如圖7(h)所示，層疊形成各層。特別是，在防止因功能層132的熱引起的損傷這方面， 優(yōu)選用真空蒸鍍法形成對電極134。另外，為了防止水分或氧等氣體從外部浸入功能層132 而使功能層132的發(fā)光功能、發(fā)光壽命降低，可以以覆蓋對電極134的表面的方式使具有氣 體阻隔性的例如硅的氧化物、氮化物或硅的氧氮化物等無機材料成膜。由此，制造完成有機 EL元件130。
[0112] 從油墨噴頭50的噴嘴噴出的上述功能液（油墨）70含有能夠溶解0.lg/L以上 的高分子材料的良溶劑。為了使上述功能液（油墨）70以液滴形式從噴嘴穩(wěn)定地噴出，上 述功能液（油墨）70的粘度優(yōu)選低于20cp，更優(yōu)選為10cp以下。另外，上述良溶劑的沸 點優(yōu)選為200°C以上。如果上述良溶劑的沸點（bp)低于200°C，則在噴嘴內(nèi)溶劑的蒸發(fā)容 易進行，高分子材料凝膠化，從而發(fā)生噴嘴的堵塞，或液滴的噴出量出現(xiàn)偏差，或發(fā)生因液 滴的飛行彎曲引起著落位置的偏差，因而不優(yōu)選。作為上述良溶劑，例如可使用1，4-二異 丙苯（1，4-Diisopropylbenzene)、2_ 異丙基蔡（2-Isopropylnaphthalene)、1_ 苯基己燒 (1-Phenylhexane)這樣的芳香族系溶劑，二節(jié)醚（Dibenzylether)這樣的芳香族醚，二乙 二醇二丁醚 ?iethyleneglycoldibutylether)、二乙二醇甲基丁基醚（Diethyleneglycol butylmethylether)這樣的脂肪族醚。應(yīng)予說明，上述功能液（油墨）70中含有的溶劑不限 定于1種，也可以含有多種溶劑。
[0113] 上述第1實施方式的效果如下所述。
[0114] (1)根據(jù)上述有機EL元件130及其制造方法，功能層132中空穴注入層132a、空 穴輸送層132b、發(fā)光層132c以液相工藝（液滴噴出法；噴墨法）形成，電子輸送層132d、 電子注入層132e以氣相工藝（真空蒸鍍法）形成。因此，發(fā)光層132c等必須分開涂布的 層使用液相工藝，所以與使用全部氣相工藝來形成功能層132中含有的各薄膜層的情況相 t匕，能夠效率良好地制造有機EL元件130。
[0115] (2)而且，被形成在空穴注入層132a上的空穴輸送層132b是使用含有作為低分 子材料的空穴輸送材料和高分子材料的功能液（油墨）70形成的。另外，低分子材料的分 子量為1萬以下，高分子材料的重均分子量為1萬?30萬，低分子材料相對于功能液（油 墨）70中含有的低分子材料和高分子材料的總重量的混合比例為10wt%?90wt%的范圍。 因此，在功能液（油墨）70的加熱?干燥過程，功能液（油墨）70的粘度上升，從而能夠抑 制低分子材料與高分子材料的混合物的凝聚，即使含有高分子材料的空穴注入層132a的 表面對功能液（油墨）70不顯示親液性，也能夠使空穴輸送層132b均勻地成膜。因而，具 備這樣的功能層132的有機EL元件130能夠?qū)崿F(xiàn)所希望的發(fā)光效率和發(fā)光壽命。
[0116] (3)通過在發(fā)光像素107中安裝上述有機EL元件130,能夠提供一種兼得優(yōu)異的 顯示品質(zhì)（發(fā)光特性）和可靠性品質(zhì)（發(fā)光壽命）的有機EL裝置100。
[0117] (第2實施方式）
[0118] <有機EL裝置>
[0119] 接下來，參照圖8對應(yīng)用了本發(fā)明的有機EL元件的第2實施方式的有機EL裝置進 行說明。圖8是表示第2實施方式的有機EL裝置中的有機EL元件的構(gòu)成的示意截面圖。 第2實施方式的有機EL裝置相對于上述第1實施方式的有機EL裝置100,使按每個發(fā)光像 素107R、107G、107B設(shè)置的有機EL元件的構(gòu)成不同。對與上述有機EL裝置100相同的構(gòu) 成標(biāo)記相同的符號，省略其詳細說明。
[0120] 如圖8所示，本實施方式的有機EL裝置200具有被設(shè)置在元件基板101上的能夠 得到紅色發(fā)光的有機EL元件230R、能夠得到綠色發(fā)光的有機EL元件230G、能夠得到藍色 發(fā)光的有機EL元件230B。有機EL裝置200成為來自各有機EL元件230R、230G、230B的發(fā) 光從元件基板101側(cè)射出的底部發(fā)射方式。S卩，在發(fā)光像素107R中設(shè)置有機EL元件230R， 在發(fā)光像素107G中設(shè)置有機EL元件230G，在發(fā)光像素107B中設(shè)置有機EL元件230B。
[0121] 可得到紅色發(fā)光的有機EL元件230R具有：作為陽極的像素電極231R，與像素電 極231R對置配置的作為陰極的對電極234,以及在像素電極231R與對電極234之間從像素 電極231R側(cè)按順序?qū)盈B的空穴注入層232a、空穴輸送層232b、紅色（R)發(fā)光層232cR、藍色 (B)發(fā)光層232cB、電子輸送層232d、電子注入層232e。
[0122] 可得到綠色發(fā)光的有機EL元件230G具有：作為陽極的像素電極231G，與像素電 極231G對置配置的作為陰極的對電極234,以及在像素電極231G與對電極234之間從像素 電極231G側(cè)按順序?qū)盈B的空穴注入層232a、空穴輸送層232b、綠色（G)發(fā)光層232cG、藍色 (B)發(fā)光層232cB、電子輸送層232d、電子注入層232e。
[0123] 可得到藍色發(fā)光的有機EL元件230B具有：作為陽極的像素電極231B，與像素電 極231B對置配置的作為陰極的對電極234,以及在像素電極231B與對電極234之間從像素 電極231B側(cè)按順序?qū)盈B的空穴注入層232a、空穴輸送層232b、藍色（B)發(fā)光層232cB、電子 輸送層232d、電子注入層232e。
[0124] 像素電極231R、231G、231B分別與上述第1實施方式的像素電極131同樣地使用 功函數(shù)大的例如IT0等的透明電極材料通過氣相工藝形成。
[0125] 對電極234作為在有機EL元件230R、230G、230B中共同的陰極，與上述第1實施 方式的對電極134同樣地使用功函數(shù)小的例如Mg和Ag的合金等的電極材料通過氣相工藝 形成。
[0126] 雖然在圖8中省略圖示，但是像素電極231R、231G、231B分別與上述第1實施方式 同樣地被實施了表面處理的隔壁133分隔開。在被隔壁133分隔開的膜形成區(qū)域，與像素 電極231R、231G、231B分別對應(yīng)地通過液相工藝按順序分開涂布而形成空穴注入層232a、 空穴輸送層232b。另外，在與像素電極231R對應(yīng)的空穴輸送層232b上，通過液相工藝分開 涂布而形成發(fā)光層232cR，在與像素電極231G對應(yīng)的空穴輸送層232b上，通過液相工藝分 開涂布而形成發(fā)光層232cG。
[0127] 另一方面，藍色（B)發(fā)光層232cB、電子輸送層232d、電子注入層232e遍及3個有 機EL元件230R、230G、230B地共同使用氣相工藝形成。本實施方式中的氣相工藝例如為真 空蒸鍍法。另外，液相工藝例如為液滴噴出法（噴墨法）。
[0128] 遍及3個有機EL元件230R、230G、230B而共同使用氣相工藝形成的藍色（B)發(fā)光 層232cB被構(gòu)成為含有電子輸送性的主體材料。因此，即使在紅色（R)發(fā)光層232cR上層 疊藍色（B)發(fā)光層232cB，對于有機EL元件230R而言，也能得到紅色的發(fā)光。另外，即使 在綠色（G)發(fā)光層232cG上層疊藍色（B)發(fā)光層232cB，對于有機EL元件230G而言，也能 得到綠色的發(fā)光。具有藍色（B)發(fā)光層232cB的有機EL元件230B當(dāng)然能夠得到藍色的發(fā) 光。
[0129] 在有機EL元件230R、230G、230B各自中，空穴輸送層232b與上述第1實施方式的 空穴輸送層132b同樣，含有作為低分子材料的空穴輸送材料和高分子材料。換言之，通過 將含有作為低分子材料的空穴輸送材料和高分子材料的功能液（油墨）70涂布到膜形成區(qū) 域并進行加熱?干燥，能夠在膜形成區(qū)域均勻地形成空穴輸送層232b?？昭ㄝ斔筒牧虾透?分子材料可使用在上述第1實施方式中所述的材料。
[0130] 根據(jù)上述第2實施方式的有機EL裝置200及其制造方法，有機EL元件230R、230G、 230B的各自的空穴輸送層232b是使用含有作為低分子材料的空穴輸送材料和高分子材料 的功能液（油墨）70通過液滴噴出法（噴墨法）形成的。而且，可得到藍色發(fā)光的有機EL 元件230B的發(fā)光層232cB是使用氣相工藝形成的。因此，與如上述第1實施方式所示使用 液相工藝形成藍色（B)發(fā)光層232cB的情況相比，能夠采用更低分子的發(fā)光材料（客體材 料）和主體材料，所以能夠進一步改善可得到藍色發(fā)光的有機EL元件230B中的發(fā)光效率 和發(fā)光壽命。
[0131] 接下來，舉出有機EL元件的制造方法中的更具體的實施例和比較例，對其評價結(jié) 果進行說明。對于本實施方式中的實施例和比較例，例舉上述第2實施方式中的可得到藍 色發(fā)光的有機EL元件230B的功能層232的形成方法進行說明。考慮到如下方面：與在含 有低分子材料和高分子材料的空穴輸送層132b上以液相工藝形成發(fā)光層132c的第1實施 方式相比，在含有低分子材料和高分子材料的空穴輸送層232b上以氣相工藝形成發(fā)光層 232cB的第2實施方式能夠更可靠地反映在空穴輸送層形成中的作用、效果。
[0132] 圖9是表不實施例和比較例中的空穴輸送層的材料構(gòu)成的表。圖10是表不實施 例和比較例中的空穴輸送層的成膜時的膜缺陷的有無、有機EL元件的發(fā)光效率以及元件 壽命的表。
[0133] (實施例1)
[0134] < 1-1 >在實施例1的有機EL元件230B的制造方法中，首先，在用隔壁133圍 起的膜形成區(qū)域，利用液滴噴出法涂布lwt%的濃度的PED0T/PSS水分散溶液。將被涂布 的PED0T/PSS水分散溶液干燥后，在大氣氣氛下進行加熱處理，在像素電極231B上形成以 PED0T/PSS構(gòu)成的厚度大約為50nm的空穴注入層232a。
[0135] < 1-2 >接下來，準(zhǔn)備將作為低分子材料的空穴輸送材料的a-NH)和作為高分子 材料的聚乙烯基咔唑（PVK)混合并在作為溶劑的四氫萘中以0.5wt%的濃度含有的功能液 (油墨）70。如圖9所示，相對于總固體成分重量，a-NPD的混合比例為10wt%，PVK的混 合比例為90wt%。另外，PVK的重均分子量大約為1萬。作為溶劑的四氫萘的沸點（bp)大 約為206°C。利用液滴噴出法將該功能液（油墨）70涂布在膜形成區(qū)域，以IPa的減壓狀態(tài) 干燥后，在氮氣氣氛下在l〇(TC進行20分鐘加熱處理，在空穴注入層232a上形成厚度大約 為40nm的空穴輸送層232b。
[0136] < 1-3 >接下來，利用真空蒸鍍法形成厚度大約為20nm的藍色發(fā)光層232cB。對 于藍色發(fā)光層232cB，將下述式（1)表示的苯乙烯基衍生物作為發(fā)光材料（客體材料），將 下述式（2)表示蒽衍生物作為主體材料使用?？腕w材料在主體材料中所占的含量以重量比 計為5wt%。
[0137]

【權(quán)利要求】
1. 一種有機EL元件的制造方法，其特征在于，所述有機EL元件具有功能層，所述功能 層在陽極和陰極之間至少含有從所述陽極側(cè)按順序?qū)盈B的空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光 層， 所述制造方法具有涂布含有低分子材料和高分子材料的溶液而形成所述空穴注入層、 所述空穴輸送層、所述發(fā)光層中的至少一個層的工序， 所述低分子材料的分子量為1萬以下，所述高分子材料的重均分子量為1萬?30萬， 相對于所述溶液中含有的所述低分子材料和所述高分子材料的重量，所述低分子材料 的混合比例為l〇wt%?90wt%。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機EL元件的制造方法，其特征在于，所述高分子材料選 自聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、硅酮樹脂、聚氨酯樹脂、降冰片烯樹脂、氟樹脂、低密度聚乙烯樹 月旨、聚酯樹脂、聚對亞苯基亞乙烯基、聚芴、聚苯胺、聚噻吩、聚乙烯基咔唑以及它們的衍生 物。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機EL元件的制造方法，其特征在于，將所述低分子材料的 帶隙的大小設(shè)為Egl、并將所述高分子材料的帶隙的大小設(shè)為Eg2時，選擇滿足Egl < Eg2 的關(guān)系的所述高分子材料。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機EL元件的制造方法，其特征在于， 在所述功能層中，用于形成層疊于下層的上層的所述溶液中含有的所述高分子材料與 所述下層中含有的所述高分子材料為相同種類。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1?4中任一項所述的有機EL元件的制造方法，其特征在于， 所述溶液含有使所述高分子材料溶解的良溶劑， 所述良溶劑的沸點為200°C以上。
6. -種有機EL元件，其特征在于，具有： 陽極， 陰極， 功能層，在所述陽極與所述陰極之間至少含有從所述陽極側(cè)按順序?qū)盈B的空穴注入 層、空穴輸送層、發(fā)光層； 所述空穴注入層、所述空穴輸送層、所述發(fā)光層中的至少一個層含有低分子材料和高 分子材料， 所述低分子材料的分子量為1萬以下，所述高分子材料的重均分子量為1萬?30萬， 相對于所述低分子材料和所述高分子材料的重量，所述低分子材料的混合比例為 10wt % ?90wt %。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機EL元件，其特征在于，所述高分子材料選自聚甲基丙烯 酸甲酯樹脂、硅酮樹脂、聚氨酯樹脂、降冰片烯樹脂、氟樹脂、低密度聚乙烯樹脂、聚酯樹脂、 聚對亞苯基亞乙烯基、聚芴、聚苯胺、聚噻吩、聚乙烯基咔唑以及它們的衍生物。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機EL元件，其特征在于，將所述低分子材料的帶隙的大小 設(shè)為Egl、并將所述高分子材料的帶隙的大小設(shè)為Eg2時，選擇滿足Egl < Eg2的關(guān)系的所 述高分子材料。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機EL元件，其特征在于，在所述功能層中，層疊于下層的上 層中含有的所述高分子材料與在所述下層中含有的所述高分子材料為相同種類。
10. -種有機EL裝置，其特征在于，具備使用權(quán)利要求1?5中任一項所述的有機EL 元件的制造方法制造的有機EL元件或者權(quán)利要求6?9中任一項所述的有機EL元件。
11. 一種電子設(shè)備，其特征在于，具備權(quán)利要求10所述的有機EL裝置。
【文檔編號】H05B33/10GK104427674SQ201410428132
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2014年8月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月3日
【發(fā)明者】佐合拓己, 渡邊昭太朗, 田邊誠一, 石田纮平 申請人:精工愛普生株式會社