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一種有機光發(fā)射顯示設(shè)備及制造方法

文檔序號:7213550閱讀:312來源:國知局
專利名稱:一種有機光發(fā)射顯示設(shè)備及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光發(fā)射顯示設(shè)備。具體而言,涉及一種有機光發(fā)射顯示設(shè)備及制造方法。
背景技術(shù)
有機光發(fā)射顯示設(shè)備,一種自發(fā)射顯示設(shè)備,具有理想的輕薄結(jié)構(gòu),由簡單的成分組成,并且制造過程簡單。有機光發(fā)射顯示設(shè)備具有視角廣、畫質(zhì)高、對電影的卓越顯示、色彩純度高、以及適用于移動設(shè)備的低功耗和低驅(qū)動電流等優(yōu)點。
傳統(tǒng)的有機光發(fā)射顯示設(shè)備包括底層、位于底層上的像素電極、位于像素電極上的包括發(fā)射層(EML,emission layer)的有機層和位于有機層上的異性電極層。有機層可以包括位于像素電極和EML之間的空穴注射層(HIL,hole injection layer)和空穴傳輸層(HTL,hole transport layer);以及位于EML和異性電極之間的電子傳輸層(ETL,electron transport layer)和電子注射層(ElL,electron injection layer)。
可以用如下方法驅(qū)動傳統(tǒng)的有機光發(fā)射顯示設(shè)備。在像素電極和異性電極之間施加電流,空穴通過HIL和HTL從像素電極注入EML,而電子通過EIL和ETL從異性電極注入EML。注入EML的空穴和電子在EML中結(jié)合形成電子空穴對。當電子空穴對從激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)變到基態(tài)的時候就會發(fā)射出光。
一般來說,傳統(tǒng)的頂端發(fā)射有機光發(fā)射顯示設(shè)備采用光諧振效應(yīng),因此,用可能的波長帶來匹配像素電極的厚度和HIL以及HTL的厚度是重要的,其中HIL和HTL位于EML和像素電極之間。通過促進來自像素電極即陽極的空穴的注入,HIL提高了功耗效率以及有機光發(fā)射顯示裝置的預(yù)期使用壽命。通過容易的傳輸空穴和將電子約束在發(fā)射區(qū)域中,HTL提高了空穴的移動性和形成電子空穴對的幾率。
然而,當為了延長預(yù)期使用壽命而將傳統(tǒng)的有機光發(fā)射顯示設(shè)備的有機層制造得更薄時,有較大的幾率會由于顆粒而產(chǎn)生暗像素。另一方面,當為了減少暗像素而將傳統(tǒng)的有機層制造得更厚時,驅(qū)動電流增加而效率和預(yù)期使用壽命降低。這樣,將有機層制造得具有合適的厚度就變得很困難。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示范性實施例提供了一種有機光發(fā)射顯示設(shè)備。在所述有機光發(fā)射顯示設(shè)備中,分別調(diào)整每個RGB子像素的HIL和HTL總厚度,從而減少了暗像素的數(shù)目并增加了預(yù)期使用壽命和效率。同時提供的還有一種制造所述有機光發(fā)射顯示設(shè)備的方法。
提供了一種有機光發(fā)射顯示設(shè)備。該設(shè)備包括具有第一像素區(qū)域、第二像素區(qū)域和第三像素區(qū)域的底層;布置在底層上的第一電極;布置在第一電極上上的有機發(fā)射層;布置在有機發(fā)射層上的第二電極;以及布置在第一電極和有機發(fā)射層之間的第一有機層和第二有機層,其中第一有機層和第二有機層在第一像素區(qū)域中具有大約500-700或者2000-2400的總厚度,在第二像素區(qū)域中具有大約1600-2000的總厚度,在第三像素區(qū)域中具有大約200-400的總厚度。
在一個實施例中,第一有機層是空穴注入層,第二有機層是空穴傳輸層。
在一個實施例中,第一像素區(qū)域用于顯示紅光。在一個實施例中,第二像素區(qū)域用于顯示綠光。在一個實施例中,第三像素區(qū)域用于顯示藍光。
在本發(fā)明的另一個實施例中,提供了一種制造有機光發(fā)射顯示設(shè)備的方法。該方法包括在底層上生成多數(shù)個第一電極;在底層上定義第一像素區(qū)域、第二像素區(qū)域和第三像素區(qū)域;生成第一有機層和第二有機層,第一有機層和第二有機層在第一像素區(qū)域中具有大約500-700或者2000-2400的總厚度,在第二像素區(qū)域中具有大約1600-2000的總厚度,在第三像素區(qū)域中具有大約200-400的總厚度;在底層上生成定義了第一像素區(qū)域、第二像素區(qū)域和第三像素區(qū)域的發(fā)射層以及在發(fā)射層之上生成第二電極。
在一個實施例中,該方法進一步包括在生成第二電極之前,在發(fā)射層之上生成空穴阻隔層、電子傳輸層和電子注入層中的至少一個。
在一個實施例中,所述生成第一有機層和第二有機層包括在第一像素區(qū)域中用第一掩膜生成第一有機層和第二有機層;在第二像素區(qū)域中用第二掩膜生成第一有機層和第二有機層;在第三像素區(qū)域中用第三掩膜生成第一有機層和第二有機層。
在一個實施例中,第一有機層是空穴注入層,第二有機層是空穴傳輸層。
在本發(fā)明的另一個實施例中,所述生成第一有機層和第二有機層包括在底層上布置包括光熱轉(zhuǎn)換層和第一傳輸層的第一原料膜;利用熱傳輸方法在第三像素區(qū)域中生成第一有機層和第二有機層;在底層上布置包括光熱轉(zhuǎn)換層和第二傳輸層的第二原料膜;利用熱傳輸方法在第二像素區(qū)域中生成第一有機層和第二有機層;在底層上布置包括光熱轉(zhuǎn)換層和第三傳輸層的第三原料膜;利用熱傳輸方法在第一像素區(qū)域中生成第一有機層和第二有機層; 在本發(fā)明的另一個實施例中提供了一種有機光發(fā)射顯示設(shè)備。該設(shè)備包括具有第一像素區(qū)域、第二像素區(qū)域和第三像素區(qū)域的底層;多數(shù)個第一電極,每個第一電極被布置在第一像素區(qū)域、第二像素區(qū)域或第三像素區(qū)域中;多數(shù)個有機發(fā)射層,每個有機發(fā)射層被布置在第一電極中的相應(yīng)一個上;布置在有機發(fā)射層之上的第二電極;布置在第一像素區(qū)域中的,具有大約500-700或2000-2400總厚度的第一有機層和第二有機層;布置在第二像素區(qū)域中的,具有大約1600-2000總厚度的第三有機層和第四有機層;布置在第三像素區(qū)域中的,具有大約200-400總厚度的第五有機層和第六有機層。


本發(fā)明的上述和其他特征將在實施例中結(jié)合附圖進行說明,在附圖中 圖1A、1B和1C是本發(fā)明的示范性實施例的剖視圖,示意了一種制造有機光發(fā)射顯示裝置的方法; 圖2A、2B和2C是每個單位像素上所形成的結(jié)構(gòu)的示意性剖視圖; 圖3A是紅(R)、綠(G)、藍(B)子像素的暗像素平均數(shù)目曲線圖; 圖3B是與綠色子像素的第一有機層和第二有機層總厚度對應(yīng)的暗像素比率柱狀圖; 圖4A和圖4B分別是對于紅、綠、藍子像素的亮度-時間曲線圖和發(fā)光度-時間曲線圖; 圖5A、5B、5C、5D、5E和5F是本發(fā)明的示范性實施例的剖視圖,示意了一種為每個子像素生成有機層的方法; 圖6A、6B、6C、6D和6E是本發(fā)明的另一示范性實施例的剖視圖,示意了一種為每個子像素生成有機層的方法。
具體實施例方式以下結(jié)合包含示范性實施例的附圖,對本發(fā)明進行更加充分的說明。在附圖中,為了清楚而放大了層和區(qū)域的厚度。相同的標號用于表示相同的組元。
圖1A、1B和1C是本發(fā)明的示范性實施例的剖視圖,示意了一種制造有機光發(fā)射顯示裝置的方法; 請參考圖1A,緩沖層105置于底層100之上。在一些實施例中,底層100可以是透明的絕緣底層。在不同的實施例中,底層100可以由玻璃或者塑料構(gòu)成。這里,緩沖層105抑制了底層100上產(chǎn)生的濕氣和雜質(zhì)的擴散,同時通過控制結(jié)晶過程中的熱傳導(dǎo)速度促進了半導(dǎo)體層的平滑結(jié)晶。
接下來,半導(dǎo)體層110形成于緩沖層105之上。這里,半導(dǎo)體層110是這樣形成的將非晶硅層至于緩沖層105上、使其結(jié)晶、然后予以構(gòu)圖。
然后,門絕緣體115至于緩沖層105和半導(dǎo)體層110之上、這里,門絕緣體115由二氧化硅層或者氮化硅層或者兩者的復(fù)合層構(gòu)成,采用物理汽相淀積(PVD,physical vapor deposition)或者化學(xué)汽相淀積(CVD,chemical vapor deposition)。
隨后,通過在門絕緣體115上沉積門電極材料并予以構(gòu)圖來形成門電極120。這里,當對門電極材料構(gòu)圖時,可以同時在預(yù)先設(shè)定的區(qū)域中形成數(shù)據(jù)線、掃描線、公共電源線或者電容電極中的至少一種。
并且,在整個底層的表面形成層間絕緣層125,從而保護類似門電極120這樣的元件。
另外,蝕刻層間絕緣層125和門絕緣體115中預(yù)先設(shè)定的區(qū)域,以形成暴露半導(dǎo)體層110上預(yù)先設(shè)定的源/漏區(qū)域的接觸孔;然后,將源/漏電極材料沉積并構(gòu)圖在底層100上從而形成分別接觸到半導(dǎo)體層110的源漏區(qū)域的源漏電極130。
這里,當源/漏電極材料構(gòu)圖時,可以形成數(shù)據(jù)線、掃描線、公共電源線或者電容電極中的至少一種。這里,形成源漏電極130就形成了薄膜晶體管。在一個實施例中,所述薄膜晶體管包括半導(dǎo)體層、門絕緣體、門電極和源漏電極。
并且,在底層100上形成鈍化層135和平面化層140中的至少一個。這里,鈍化層135是用于保護鈍化層135之下元件的絕緣層,平面化層140是用于去除由平面化層140之下的元件引起的階梯式覆蓋。
請參考圖1B,通過在平面化層140和鈍化層135上進行部分蝕刻來生成通行孔洞145,以暴露源/漏電極130的一部分。
進一步,在底層上沉積第一電極材料并予以構(gòu)圖,以生成與源電極或漏電極130相連的第一電極150。這里,第一電極150可以是透明導(dǎo)體材料,例如氧化銦錫(ITO,indium-tin oxide)或者氧化銦鋅(IZO,indium zincoxide)。在一個實施例中,第一電極150是陽極電極;在其他實施例中,第一電極可以是陰極電極。
進一步,通過在底層100上放置絕緣材料并予以構(gòu)圖來生成像素定義層155,暴露了第一電極150的預(yù)定區(qū)域。這里,像素定義層155導(dǎo)致像素區(qū)域。像素區(qū)域是第一電極150上由像素定義層155暴露的預(yù)定區(qū)域。
這里,請參考圖1A和圖1B,將門電極材料或者源/漏電極材料構(gòu)圖以形成掃描線、數(shù)據(jù)線和公共電源線。這里,通過生成掃描線、數(shù)據(jù)線和公共電源線來定義一個子像素。作為有機光發(fā)射顯示設(shè)備中最小單元的子像素,是用于發(fā)射紅(R)、綠(G)或者藍(B)色光線。有機光發(fā)射顯示設(shè)備中包括若干子像素。
圖1C表示了作為顯示器最小單元的單元像素,所述顯示器用于顯示梯度。單元像素至少包括分別顯示紅色、綠色和藍色的三個子像素。
像素定義層155定義了三個像素區(qū)域,這三個像素區(qū)域是第一像素區(qū)域P1、第二像素區(qū)域P2和第三像素區(qū)域P3。
這里,第一像素區(qū)域P1可以包括有機層160a,有機層160a包括放置于第一電極150a上的、適于顯示紅光的有機EML。第二像素區(qū)域P2可以包括有機層160b,有機層160b包括放置于第一電極150b上的、適于顯示綠光的有機EML。第三像素區(qū)域P3可以包括有機層160c,有機層160c包括放置于第一電極150c上的、適于顯示藍光的有機EML。
這里,在構(gòu)成一個單元像素的第一像素區(qū)域P1、第二像素區(qū)域P2和第三像素區(qū)域P3上生成第二電極165。在一個實施例中,第二電極165是陰極電極。在其他實施例中,第二電極可以是陽極電極。通過生成多個這樣的單元像素就可以形成有機光發(fā)射顯示設(shè)備。
圖2A、2B和2C是每個單位像素上所形成的結(jié)構(gòu)的示意性剖視圖。圖2A、2B和2C表示了圖3C中的第一像素區(qū)域P1、第二像素區(qū)域P2和第三像素區(qū)域P3的有機層結(jié)構(gòu)。
請參考圖2A、2B和2C,第一有機層210a、210b和210c,第二有機層220a、220b和220c,第三有機層230a、230b和230c,第四有機層240a、240b和240c以及第五有機層250a、250b和250c分別依次堆疊在第一電極150a、150b和150c上。第二電極165在第五有機層250a、250b和250c上生成。
這里,第一有機層210a、210b和210c可以是HIL,第二有機層220a、220b和220c可以是HTL,第三有機層230a、230b和230c可以是EML,第四有機層240a、240b和240c可以是ETL,第五有機層250a、250b和250c可以是EIL。
這里,雖然沒有在圖2A、2B和2C中表示出來,但是可以分別在第三有機層230a、230b、230c和第四有機層240a、240b、240c之間形成空穴阻隔層(HBL,hole blocking layer)。
這里,第一有機層210a、210b、210c即HIL,和第二有機層220a、220b、220c即HTL的總厚度可以設(shè)定為在第一像素區(qū)域P1、第二像素區(qū)域P2和第三像素區(qū)域P3中具有合適的值。
首先,發(fā)光效率隨著共振效應(yīng)變化,而共振效應(yīng)取決于紅光子像素、綠光子像素G和藍光子像素B中第一有機層和第二有機層的總厚度。表1中給出了分別針對紅光、綠光和藍光的發(fā)光效率與第一有機層和第二有機層總厚度之間的關(guān)系。
表1
請參考表1,對于紅光和綠光,即使當?shù)谝挥袡C層和第二有機層的總厚度變化時,顏色特性也能得到一定程度的滿足。因此,如表1所示,最有效率的厚度范圍,對于紅光約為500-700或者2000-2400,對于綠光約為200-400或者1600-2000。選擇最有效率的厚度范圍。對于藍光,當對顏色特性進行限制到y(tǒng)色軸小于0.09,則可以選擇在該限定值內(nèi)的最有效率厚度,大約為200-400或者1200-1600。
從而,紅色子像素的第一有機層和第二有機層總厚度可以是約為500-700或者2000-2400,綠色子像素第一有機層和第二有機層總厚度可以是約為200-400或者1600-2000,藍色子像素第一有機層和第二有機層總厚度可以是約為200-400或者1200-1600。
圖3A是紅、綠、藍子像素的暗像素平均數(shù)目曲線圖。圖3B是與綠色子像素的第一有機層和第二有機層總厚度對應(yīng)的暗像素比率柱狀圖。
請參考圖3A和圖3B,為了調(diào)節(jié)包含三個組合的子像素的單元像素的白平衡,每個色彩的子像素的亮度是不相同的。例如,綠色的亮度最高。如圖3A所示,如果將紅綠藍三色子像素的第一有機層和第二有機層的總厚度設(shè)為相同以調(diào)整白平衡,則在藍色和紅色子像素上產(chǎn)生的暗像素較少,而在具有最大亮度的綠色子像素上產(chǎn)生的暗像素較多。需要注意的是,如圖3B所示,當綠色子像素的有機層滿足諧振條件并且具有合適厚度時,綠色子像素的暗像素數(shù)目顯著減少。這樣,綠色子像素的第一有機層和第二有機層可以被構(gòu)造得厚些。
圖4A和圖4B分別是對于紅、綠、藍子像素的亮度-時間曲線圖和發(fā)光度-時間曲線圖。
本發(fā)明的一個示范性實施例中,藍色子像素的第一有機層和第二有機層的總厚度較薄。然而,參考圖4A,藍色子像素具有最短的預(yù)期使用壽命,因此其亮度隨時間減弱的速度比其他具有不同預(yù)期使用壽命的顏色更快,導(dǎo)致出現(xiàn)色移,即藍色顯示為偏綠或偏黃的顏色。為了解決這個問題,如圖4B所示,藍色子像素的第一有機層和第二有機層總厚度被設(shè)為較薄(B_薄曲線),而綠色子像素的第一有機層和第二有機層總厚度被設(shè)為較厚(G_厚曲線)。從而,藍色的預(yù)期使用壽命可以接近綠色的預(yù)期使用壽命。
這里,在圖4A中給出了紅、綠、藍三色的亮度-時間曲線。在圖4B中,G_薄表示具有較薄的第一和第二有機層的綠色的發(fā)光度,G_厚表示具有較厚的第一和第二有機層的綠色的發(fā)光度,B_薄表示具有較薄的第一和第二有機層的藍色的發(fā)光度,B_厚表示具有較厚的第一和第二有機層的藍色的發(fā)光度。
這樣,返回參考圖2A、2B和2C,在第二像素區(qū)域中顯示綠色的第一和第二有機層210b和220b較厚,以避免第一和第二電極之間的短路電流,所述短路電流會降低發(fā)光效率并縮短預(yù)期使用壽命。另一方面,第三像素區(qū)域中顯示藍色的第一和第二有機層210b和220b較薄,因為預(yù)期使用壽命和發(fā)光效率隨著有機層總厚度的增加而降低。
這里,即使在第一像素區(qū)域中,顯示紅色的有機層的第一有機層210a和第二有機層210b較薄,也不會產(chǎn)生暗像素。并且,即使所述層較厚,也不會降低預(yù)期使用壽命和效率。因此,這些層可以薄也可以厚。
這樣,第一像素區(qū)域P1中的第一有機層210a和第二有機層210b具有大約500-700或者2000-2400的總厚度,第二像素區(qū)域P2中的第一有機層220a和第二有機層220b具有大約1600 to 2000的總厚度,第三像素區(qū)域P3中的第一有機層230a和第二有機層230b具有大約200 to 400的總厚度。
這里,第一像素區(qū)域P1可以包括紅色子像素,第二像素區(qū)域P2可以包括綠色子像素,第三像素區(qū)域P3可以包括藍色子像素。
圖5A、5B、5C、5D、5E和5F是本發(fā)明的示范性實施例的剖視圖,示意了一種為每個子像素生成有機層的方法; 請參考圖5A,在底層300上形成若干元件層310。在一些實施例中,底層300可以是透明絕緣底層。類似圖1A和圖1B中描述的底層100,底層300可以由玻璃或者塑料形成。
第一子像素電極320a,第二子像素電極320b和第三子像素電極320c分別連接到第一像素區(qū)域P1、第二像素區(qū)域P2和第三像素區(qū)域P3中生成的元件層310的源/漏電極。像素定義層330做得暴露第一子像素電極320a、第二子像素電極320b和第三子像素電極320c的特定區(qū)域。
進一步,參考圖5B,第一掩膜340a布置于底層300之上;在第一像素區(qū)域之中的第一子像素電極320a上,第一有機層350a和第二有機層350b沉積(D1)為具有大約500-700或者2000-2400的總厚度。
參考圖5C,第二掩膜340b布置于底層300之上;在第二像素區(qū)域之中的第二子像素電極320b上,第一有機層360a和第二有機層360b沉積(D2)為具有大約1600-2000的總厚度, 參考圖5D,第三掩膜340c布置于底層300之上;在第三像素區(qū)域之中的第三子像素電極320c上,第一有機層370a和第二有機層370b沉積(D3)為具有大約200-400的總厚度, 參考圖5E,第四掩膜340d布置于底層300之上;組合的第三、第四和第五有機層380a、380b和380c依次沉積(D4)在分別位于像素區(qū)域P1、P2和P3的第一子像素電極320a,第二子像素電極320b和第三子像素電極320c之上。
參考圖5F,在第一、第二和第三像素區(qū)域P1、P2和P3上生成第二電極390,以完成構(gòu)造有機光發(fā)射顯示設(shè)備,在所述有機光顯示設(shè)備中,第一像素區(qū)域P1中的第一和第二有機層350a和350b具有大約500-700或者2000-2400的總厚度,第二像素區(qū)域P2中的第一和第二有機層360a和360b具有大約1600-2000的總厚度,第三像素區(qū)域P3中的第一和第二有機層370a和370b具有大約200-400的總厚度,而在P1、P2和P3的第一和第二有機層的頂面上覆蓋有相同厚度的第三、第四和第五有機層380a、380b和380c。
圖6A、6B、6C、6D和6E是本發(fā)明的另一示范性實施例的剖視圖,示意了一種為每個子像素生成有機層的方法。
請參考圖6A,在底層400上形成若干元件層410。在一些實施例中,底層400可以是透明絕緣底層。類似圖1A和圖1B中描述的底層100,底層400可以由玻璃或者塑料形成。
在元件層410上生成第一子像素電極420a、第二子像素電極420b和第三子像素電極420c并將其連接到元件層410的源/漏電極。
像素定義層430被做成暴露第一子像素電極420a、第二子像素電極420b和第三子像素電極420c的預(yù)定區(qū)域。
光熱轉(zhuǎn)換層510和第一原料膜500a被布置在底層400上,其中該原料膜由總厚度約為200-400的第一原料-第一有機膜520a和第一原料-第二有機膜520b構(gòu)成。
參考圖6B,當?shù)谝辉夏?00a被制造為接觸到底層400后,以預(yù)設(shè)的距離發(fā)射激光530,將第一原料-第一有機膜520a和第一原料-第二有機膜520b的一部分移動到第三像素區(qū)域P3中的第三子像素電極420c上,從而在第三像素區(qū)域P3中形成第一和第二有機層430a和430b。這里,由于激光530的光能被轉(zhuǎn)化為光熱轉(zhuǎn)化層510的熱能,并且第一原料-第一有機膜520a和第一原料-第二有機膜520b的一部分與第一原料膜500a分離,在第一原料膜500a上生成的第一原料-第一有機膜520和第一原料-第二有機膜520b被移動到第三子像素電極420c上。
然后,將第一原料膜500a從底層400上移除。
參考圖6C,生成接觸到底層400的第二原料膜500b,所述第二原料膜包括第二原料-第一有機膜530a和第二原料-第二有機膜530b;然后以預(yù)設(shè)的距離發(fā)射激光530,從而在第二像素區(qū)域P2中形成具有大約1600-2000總厚度的第一和第二有機層440a和440b。
參考圖6D,生成接觸到底層400的第三原料膜500c,所述第三原料膜包括第三原料-第一有機膜540a和第三原料-第二有機膜540b;然后以預(yù)設(shè)的距離發(fā)射激光530,從而在第一像素區(qū)域P1中形成具有大約500-700或者2000-2400總厚度的第一和第二有機層450a和450b。
參考圖6E,生成接觸到底層400的第四原料膜500d,所述第四原料膜包括第四原料-第三有機膜550a和第四原料-第四有機膜550b和第四原料-第五有機膜550c;然后以預(yù)設(shè)的距離發(fā)射激光530,從而在第一、第二和第三像素區(qū)域P1、P2和P3中分別形成第三有機層450c、440c和430c,第四有機層450d,440d和430d以及第五有機層450e,440e和430e。
這里,在各像素區(qū)域中生成的第三、第四和第五有機層具有相同的厚度。
然后,在底層400上生成第二電極(未示出),就完成了有機光發(fā)射顯示設(shè)備。
本發(fā)明提供了有機光發(fā)射顯示設(shè)備和制造該設(shè)備的方法。
雖然此處描述了本發(fā)明的若干實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該清楚,對于所描述的實施例的形式和細節(jié)可以作不同的修改,這些修改不脫離由附加的權(quán)利要求及其等同替換所定義的本發(fā)明的精神和保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種有機光發(fā)射顯示設(shè)備,包括具有第一像素區(qū)域、第二像素區(qū)域和第三像素區(qū)域的底層;布置在底層上的第一電極;布置在第一電極上上的有機發(fā)射層;布置在有機發(fā)射層上的第二電極;以及布置在第一電極和有機發(fā)射層之間的第一有機層和第二有機層,其中第一有機層和第二有機層在第一像素區(qū)域中具有大約500-700或者2000-2400的總厚度,在第二像素區(qū)域中具有大約1600-2000的總厚度,在第三像素區(qū)域中具有大約200-400的總厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機光發(fā)射顯示設(shè)備,其中第一有機層是空穴注入層,第二有機層是空穴傳輸層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機光發(fā)射顯示設(shè)備,其中第一像素區(qū)域用于顯示紅光。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機光發(fā)射顯示設(shè)備,其中第二像素區(qū)域用于顯示綠光。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機光發(fā)射顯示設(shè)備,其中第三像素區(qū)域用于顯示藍光。
6.一種制造有機光發(fā)射顯示設(shè)備的方法,包括在底層上生成多數(shù)個第一電極;在底層上定義第一像素區(qū)域、第二像素區(qū)域和第三像素區(qū)域;生成第一有機層和第二有機層,第一有機層和第二有機層在第一像素區(qū)域中具有大約500-700或者2000-2400的總厚度,在第二像素區(qū)域中具有大約1600-2000的總厚度,在第三像素區(qū)域中具有大約200-400的總厚度;在底層上生成定義了第一像素區(qū)域、第二像素區(qū)域和第三像素區(qū)域的發(fā)射層;以及在發(fā)射層之上生成第二電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,進一步包括在生成第二電極之前,在發(fā)射層之上生成空穴阻隔層、電子傳輸層和電子注入層中的至少一個。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中所述生成第一有機層和第二有機層包括在第一像素區(qū)域中用第一掩膜生成第一有機層和第二有機層;在第二像素區(qū)域中用第二掩膜生成第一有機層和第二有機層;在第三像素區(qū)域中用第三掩膜生成第一有機層和第二有機層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其中第一有機層是空穴注入層,第二有機層是空穴傳輸層。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中所述生成第一有機層和第二有機層包括在底層上布置包括光熱轉(zhuǎn)換層和第一傳輸層的第一原料膜;利用熱傳輸方法在第三像素區(qū)域中生成第一有機層和第二有機層;在底層上布置包括光熱轉(zhuǎn)換層和第二傳輸層的第二原料膜;利用熱傳輸方法在第二像素區(qū)域中生成第一有機層和第二有機層;在底層上布置包括光熱轉(zhuǎn)換層和第三傳輸層的第三原料膜;利用熱傳輸方法在第一像素區(qū)域中生成第一有機層和第二有機層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法,其中第一有機層是空穴注入層,第二有機層是空穴傳輸層。
12.一種有機光發(fā)射顯示設(shè)備,包括具有第一像素區(qū)域、第二像素區(qū)域和第三像素區(qū)域的底層;多數(shù)個第一電極,每個第一電極被布置在第一像素區(qū)域、第二像素區(qū)域或第三像素區(qū)域中;多數(shù)個有機發(fā)射層,每個有機發(fā)射層被布置在第一電極中的相應(yīng)一個上;布置在有機發(fā)射層之上的第二電極;布置在第一像素區(qū)域中的、具有大約500-700或2000-2400總厚度的第一有機層和第二有機層;布置在第二像素區(qū)域中的、具有大約1600-2000總厚度的第三有機層和第四有機層;布置在第三像素區(qū)域中的、具有大約200-400總厚度的第五有機層和第六有機層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機光發(fā)射顯示設(shè)備,其中第一電極是陽極電極,第二電極是陰極電極。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機光發(fā)射顯示設(shè)備,其中第一、第三和第五有機層是空穴注入層,第二、第四和第六有機層是空穴傳輸層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機光發(fā)射顯示設(shè)備,進一步包括布置在第二電極和每個有機發(fā)射層之間的電子注入層和電子傳輸層。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機光發(fā)射顯示設(shè)備,其中第一像素區(qū)域用于顯示紅光,第二像素區(qū)域用于顯示綠光,第三像素區(qū)域用于顯示藍光。
全文摘要
公開了一種有機光發(fā)射顯示設(shè)備以及制造方法。該設(shè)備包括具有第一像素區(qū)域、第二像素區(qū)域和第三像素區(qū)域的底層;布置在底層上的第一電極;布置在第一電極上上的有機發(fā)射層;布置在有機發(fā)射層上的第二電極;以及布置在第一電極和有機發(fā)射層之間的第一有機層和第二有機層。第一有機層和第二有機層在第一像素區(qū)域中具有大約500-700或者2000-2400的總厚度,在第二像素區(qū)域中具有大約1600-2000的總厚度,在第三像素區(qū)域中具有大約200-400的總厚度。
文檔編號H01L21/82GK1953202SQ20061015067
公開日2007年4月25日 申請日期2006年10月23日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月21日
發(fā)明者金恩雅, 樸峻永 申請人:三星Sdi株式會社
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