專利名稱：有機(jī)電致發(fā)光裝置屏及其相應(yīng)的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示裝置，更具體地說(shuō)，涉及一種有機(jī)電致發(fā)光(簡(jiǎn)稱EL，electro-luminescence)顯示屏及其相應(yīng)的制造方法。
背景技術(shù)：
隨著顯示裝置尺寸的大大增加，占用很小空間的平面型顯示屏引起了注意。尤其在使用有機(jī)電致發(fā)光材料制造平面顯示屏的研究方面進(jìn)行了很多努力。
有機(jī)電致發(fā)光顯示屏按照驅(qū)動(dòng)方法分為無(wú)源矩陣型屏和有源矩陣型屏。在無(wú)源矩陣型顯示屏中，掃描電極線和數(shù)據(jù)電極線分別按照行和列的方式布置，在掃描電極線和數(shù)據(jù)電極線的交點(diǎn)處形成像素。在相關(guān)技術(shù)的有機(jī)電致發(fā)光顯示屏中，在以矩陣形式彼此交叉的掃描電極線和數(shù)據(jù)電極線的交點(diǎn)處形成像素。有機(jī)電致發(fā)光屏還包括掃描驅(qū)動(dòng)器和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器，它們分別對(duì)掃描電極和數(shù)據(jù)電極施加電流以使像素發(fā)光。
制造有機(jī)電致發(fā)光顯示屏的過(guò)程包括以下步驟準(zhǔn)備一個(gè)低層透明基片，在低層透明基片上形成一個(gè)透明電極作為第一電極(陽(yáng)極)，在第一電極上形成一有機(jī)層，在有機(jī)層上使用金屬化合物形成一第二電極(陰極)，并在第二電極上形成一保護(hù)層。
由于低層透明基片是由玻璃材料制成，因而它不導(dǎo)電。因此，在低層透明基片上涂有一層銦鈦氧化物(ITO)材料以獲得導(dǎo)電性。這時(shí)，在形成金屬附加電極后在低層透明基片上涂上一層ITO材料，因?yàn)镮TO材料具有較高的電阻值。
接著，在其上形成一個(gè)阻擋柵，在有機(jī)電致發(fā)光顯示屏整個(gè)表面上沉積有機(jī)材料，因而形成了有機(jī)層。在帶有金屬化合物的有機(jī)層上形成掃描電極，這樣實(shí)現(xiàn)了有機(jī)電致發(fā)光顯示屏的制造過(guò)程。
在相關(guān)技術(shù)的無(wú)源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示屏中，隨著該屏具有更高的分辨率，像素的數(shù)目要增加。相應(yīng)地，用來(lái)形成更多像素所需的掃描電極線和數(shù)據(jù)電極線的數(shù)目也增加了。如果相應(yīng)電極線數(shù)目增加了，對(duì)于一個(gè)像素而言發(fā)光的時(shí)間就減少了。由于每個(gè)像素單位時(shí)間的發(fā)光時(shí)間隨著相應(yīng)電極線數(shù)目的增加呈反比減少，因此為了克服這一問(wèn)題，瞬間的亮度應(yīng)該更高。
圖1示出了相關(guān)技術(shù)中用來(lái)解決上述問(wèn)題的無(wú)源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光顯示屏的結(jié)構(gòu)。
參照?qǐng)D1，將一第一電極條(陽(yáng)極條)分成兩部分。也就是說(shuō)，單獨(dú)的一個(gè)電極條分成兩條電極，兩條電極中每一個(gè)被獨(dú)立地掃描驅(qū)動(dòng)。相應(yīng)地，每一電極條的掃描的數(shù)目減半，因此改善了發(fā)光效率和裝置的壽命。
然而，相關(guān)技術(shù)的有機(jī)電致發(fā)光顯示屏具有以下不足之處。
在相關(guān)技術(shù)的有機(jī)電致發(fā)光顯示屏的結(jié)構(gòu)中，數(shù)據(jù)電極被分成兩個(gè)部分，以至于用來(lái)對(duì)數(shù)據(jù)電極施加電流的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器不得不分別在電極條的兩部分中形成，因此增加了有機(jī)電致發(fā)光顯示屏的生產(chǎn)成本并降低了制造效率。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明直接關(guān)于一種有機(jī)電致發(fā)光裝置屏及其相應(yīng)的制造方法，從基本上消除了由于以往技術(shù)的局限和不足帶來(lái)的一種或者多種問(wèn)題。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種有機(jī)電致發(fā)光裝置屏及其相應(yīng)的制造方法，其中按照行方向即寬度方向，將數(shù)據(jù)電極線分為兩條，因此阻止了驅(qū)動(dòng)器芯片和像素負(fù)載。
本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)、目的和特征將在后面的介紹中部分地提出，通過(guò)考察本發(fā)明下列描述對(duì)于那些在這項(xiàng)技術(shù)上擁有普通技術(shù)的人或者從實(shí)踐本發(fā)明中獲得知識(shí)的人而言是顯而易見(jiàn)的。通過(guò)書(shū)面的說(shuō)明和權(quán)利要求以及在附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)并獲得本發(fā)明的目標(biāo)和其它優(yōu)點(diǎn)。
為了獲得這些目標(biāo)和其它一些優(yōu)點(diǎn)，按照本發(fā)明的目的，正如在此所體現(xiàn)并廣泛介紹的那樣，根據(jù)本發(fā)明的一種有機(jī)電致發(fā)光屏包括按照行方向，即寬度方向，被分成兩條的第一電極；沿著與第一電極垂直的列方向形成的第二電極，用以和第一電極交叉，這樣便形成了多個(gè)像素；在像素陣列之間形成的一個(gè)阻擋柵，用來(lái)將由多個(gè)第一電極與一個(gè)第二電極相交叉而成的一個(gè)像素陣列與其相鄰的像素陣列電絕緣。
最好將第一電極分成兩條，兩條中與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器相連的每一端在屏的一側(cè)形成。
最好根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光屏還包括作為一組的兩個(gè)附加電極，在第一電極的下面與像素陣列垂直的方向上形成，用來(lái)與像素陣列中每個(gè)像素相對(duì)應(yīng)。
最好附加電極之一與奇數(shù)像素陣列的一個(gè)像素相連，另外一個(gè)同與該奇數(shù)像素陣列對(duì)應(yīng)的偶數(shù)像素陣列的一個(gè)像素相連。
根據(jù)本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光屏最好還包括一附加電極的絕緣層，它包括一個(gè)通孔，用來(lái)露出以兩條線形成的附加電極中的預(yù)定部分。
最好將第二電極與沿著一個(gè)方向形成的每個(gè)像素陣列進(jìn)行電連接，一對(duì)相鄰的像素陣列同時(shí)被掃描驅(qū)動(dòng)。
最好，一對(duì)掃描電極由一個(gè)信號(hào)以相同的電平進(jìn)行同步，以便對(duì)相鄰的一對(duì)像素陣列同時(shí)進(jìn)行掃描驅(qū)動(dòng)。
在本發(fā)明的另一方面，根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光裝置包括在行方向即寬度方向上被分成兩條的第一電極，在第一電極上形成與第一電極部分重疊的附加電極；在第一電極上與第一電極重疊的有機(jī)發(fā)光層；沿著與第一電極垂直的列方向上在有機(jī)發(fā)光層上形成用來(lái)被掃描驅(qū)動(dòng)的第二電極；根據(jù)單元像素陣列用來(lái)將第二電極彼此絕緣的阻擋柵，單元像素陣列是通過(guò)將多個(gè)第一電極和一個(gè)第二電極交叉而形成的。
最好在與第二電極交叉的部分，將第一電極分成較低的線和較高的線，較低的線和較高的線交替地向上或者向下延伸。
根據(jù)本發(fā)明用來(lái)制造一種有機(jī)電致發(fā)光屏的方法，包括(a)在透明的基片上形成作為一組的兩個(gè)附加電極；(b)形成包括通孔的附加電極絕緣層，該孔在附加電極線上形成用來(lái)暴露附加電極線的預(yù)定部分；(c)通過(guò)在附加電極的絕緣層上將導(dǎo)電材料排布成圖案，形成被分成兩條線的第一電極；(d)形成用于覆蓋第一電極邊緣的絕緣層；(e)根據(jù)單元像素陣列形成將第二電極彼此絕緣的阻擋柵。
要明白對(duì)本發(fā)明的以上一般性說(shuō)明和下文的詳細(xì)說(shuō)明都是示例性和解釋性的，用來(lái)對(duì)本發(fā)明的權(quán)利要求作進(jìn)一步的解釋。


將用于進(jìn)一步理解本發(fā)明的附圖引入并作為本申請(qǐng)的一部分，示出了本發(fā)明的實(shí)施例并結(jié)合說(shuō)明書(shū)用來(lái)解釋本發(fā)明的原理。在附圖中圖1示出了以往技術(shù)的一無(wú)源矩陣型有機(jī)電致發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)；圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的一有機(jī)電致發(fā)光裝置的雙掃描結(jié)構(gòu)；圖3是一個(gè)時(shí)序圖，示出了根據(jù)本發(fā)明的一有機(jī)電致發(fā)光裝置的掃描信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)；圖4A和圖4B分別是平面圖和截面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的具有雙掃描結(jié)構(gòu)的一有機(jī)電致發(fā)光裝置；圖5A和圖5B分別是平面圖和截面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的具有雙掃描結(jié)構(gòu)的一有機(jī)電致發(fā)光裝置。
具體實(shí)施例方式
在此將詳細(xì)參考本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，并在附圖中示出了其實(shí)例。在可能的情況下，在所有的附圖中使用相同的參考數(shù)字來(lái)表示同一個(gè)或者類似的部件。
在介紹本發(fā)明之前，第一電極表示陽(yáng)極或者數(shù)據(jù)電極，第二電極表示陰極或者掃描電極。有機(jī)電致發(fā)光裝置屏具有雙掃描結(jié)構(gòu)以及無(wú)源矩陣型結(jié)構(gòu)，在第一和第二電極的交點(diǎn)處形成多個(gè)像素。
參照附圖將說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光裝置屏和其相應(yīng)的制造方法。
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的雙掃描結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光裝置。
如圖2所示，第一電極條(陽(yáng)極條)沿著行方向，即寬度方向，被分成兩條。也就是說(shuō)，將數(shù)據(jù)電極線沿著行方向分成“數(shù)據(jù)a”和數(shù)據(jù)“b”。在整個(gè)屏中，第一電極(數(shù)據(jù)電極)線中每一個(gè)與驅(qū)動(dòng)器芯片相連的一端位于有機(jī)電致發(fā)光裝置屏的一端。
第一電極條被分成較低的線和較高的線，其中較低的線和較高的線分別在與第二電極相交的部分向上或者向下延伸。也就是說(shuō)，在按照行方向在與第二電極相交的第一電極條的奇數(shù)段中，第一電極條較高的線向下延伸。同時(shí)在按照行方向在與第二電極相交的第一電極條的偶數(shù)段中，第一電極條較低的線向上延伸。這時(shí)由于第一電極條向上或者向下延伸的部分與第二電極相交以形成像素，因此第一電極條向上或者向下延伸的部分大量地形成。相應(yīng)地，將電流施加到向上或者向下延伸的第一電極條的線中，以便使其在像素中發(fā)光。例如，按照行方向在與第二電極交叉的第一電極的奇數(shù)段，由于第一電極條較高的線向下延伸，因此電流施加到第一電極條較高的線中，而不是施加到第一電極條較低的線中。同時(shí)，按照行方向在與第二電極交叉的第一電極的偶數(shù)段，由于第一電極條較低的線向上延伸，因此電流施加到第一電極條較低的線中，而不是施加到第一電極條較高的線中。
具有圖2所示結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光裝置由一個(gè)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器和一個(gè)掃描驅(qū)動(dòng)器所驅(qū)動(dòng)。
沿著與數(shù)據(jù)電極線相垂直的列方向由多個(gè)像素形成單元像素陣列。這些多個(gè)像素陣列沿著行方向布置。也就是說(shuō)，一根掃描電極線與多個(gè)數(shù)據(jù)電極線交叉，因此形成了一個(gè)像素陣列。然后，多個(gè)像素陣列沿著掃描電極線形成的方向布置。這時(shí)，阻擋柵7沿著與數(shù)據(jù)電極線垂直的列方向在每個(gè)像素陣列中形成。
將數(shù)據(jù)電極線“數(shù)據(jù)a”和“數(shù)據(jù)b”與施加數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器電連接，掃描電極線與施加掃描信號(hào)的掃描驅(qū)動(dòng)器電連接，用來(lái)同時(shí)驅(qū)動(dòng)彼此相鄰的兩個(gè)像素陣列。阻擋柵7對(duì)相鄰的像素陣列彼此進(jìn)行電絕緣。
由阻擋柵7進(jìn)行絕緣的每個(gè)像素陣列與一根掃描電極線進(jìn)行電連接，相鄰的兩根掃描電極線由一個(gè)掃描信號(hào)同步，因而施加了一個(gè)電流。相應(yīng)地，相鄰的像素陣列由一個(gè)掃描信號(hào)同時(shí)驅(qū)動(dòng)。
正如圖2所示的根據(jù)本發(fā)明的雙掃描結(jié)構(gòu)，與掃描驅(qū)動(dòng)器(用于掃描的驅(qū)動(dòng)芯片)進(jìn)行電連接的掃描電極線的數(shù)目并沒(méi)有減半。同時(shí)，對(duì)兩個(gè)信號(hào)進(jìn)行同步，用來(lái)同時(shí)施加到彼此相鄰的兩根掃描電極線中，從而可以將施加到掃描電極線中的電流的數(shù)值減半，這樣降低了掃描驅(qū)動(dòng)器(用于掃描的驅(qū)動(dòng)芯片)和像素的負(fù)載。
根據(jù)本發(fā)明在圖2所示的雙掃描結(jié)構(gòu)中，將在下面說(shuō)明用于驅(qū)動(dòng)像素陣列的另一個(gè)實(shí)施例。首先，用來(lái)與掃描驅(qū)動(dòng)器(用于掃描的驅(qū)動(dòng)芯片)進(jìn)行電路連接的掃描電極線的數(shù)目減半，施加到掃描電極線的電流仍然保持與相關(guān)技術(shù)中相同的數(shù)值。然而，由于阻擋柵的作用，與掃描驅(qū)動(dòng)器施加的電流數(shù)值相比，施加到每個(gè)像素陣列的電流的數(shù)值減半，因而降低了像素陣列的負(fù)載。
圖3是時(shí)序圖，示出了根據(jù)本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光裝置的掃描信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)。參照?qǐng)D3說(shuō)明圖2所示雙掃描結(jié)構(gòu)的操作。
首先，“掃描a”和“掃描b”同時(shí)被驅(qū)動(dòng)并施加適于“數(shù)據(jù)a”和“數(shù)據(jù)b”的電流。構(gòu)成一對(duì)的兩根掃描電極線由一個(gè)信號(hào)同步，并在同樣的電平下進(jìn)行掃描操作。例如，“掃描a”和“掃描b”在相同的電平下進(jìn)行操作，“掃描c”和“掃描d”在相同的電平下進(jìn)行操作。這時(shí)，分別形成“掃描a”和“掃描b”，同時(shí)“掃描a”和“掃描b”被同時(shí)驅(qū)動(dòng)，從而進(jìn)行雙掃描。
如上所述，在雙掃描結(jié)構(gòu)中驅(qū)動(dòng)彼此相鄰的一對(duì)掃描電極線。同樣，在適當(dāng)?shù)臅r(shí)間將適當(dāng)?shù)碾娏魇┘拥綌?shù)據(jù)電極線中，從而操作該裝置。
這時(shí)，與相關(guān)技術(shù)中的雙掃描結(jié)構(gòu)相比，由于在每個(gè)像素陣列中阻擋柵7沿著與數(shù)據(jù)電極線垂直的列方向布置，因而施加到電極線的電流的數(shù)值減半。在本發(fā)明中，所施加電流的數(shù)值與第一電極條(陽(yáng)極條)沿著行方向被分成兩條的相關(guān)技術(shù)中的數(shù)值相同，施加到掃描電極線中的電流的數(shù)值減半。
圖4A和圖4B分別為根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例、具有雙掃描結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光裝置的平面圖和截面圖，其中在第一電極5下面形成附加電極2a和2b。如圖4A和4B所示，在形成附加電極2a和2b之后形成附加電極的絕緣層4，以便以較大的尺寸形成第一電極5，從而改善像素的孔徑比。
在根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光裝置中，在第一電極5和第二電極(未畫出)的交點(diǎn)處形成多個(gè)像素。這多個(gè)像素沿著與第一電極5垂直的列方向形成像素陣列，成對(duì)的多個(gè)像素列沿著行方向布置。特別地，在列方向上成對(duì)的兩個(gè)像素陣列同時(shí)被掃描驅(qū)動(dòng)。例如，在沿著一個(gè)方向布置的像素陣列中，序數(shù)為奇數(shù)的像素陣列中第一個(gè)像素3a和序數(shù)為偶數(shù)的像素陣列中第一個(gè)像素3b同時(shí)被掃描驅(qū)動(dòng)。
在圖4A和圖4B所示的有機(jī)電致發(fā)光裝置中，在兩條線中構(gòu)成一對(duì)的像素陣列沿著一個(gè)方向在透明基片1上形成。也就是說(shuō)，先布置一個(gè)像素陣列，再布置另一個(gè)像素陣列與該像素陣列平行，這樣形成了在兩條線中構(gòu)成一對(duì)的像素陣列。
附加電極2a和2b垂直于所布置的像素陣列形成，用來(lái)和像素陣列中的每個(gè)像素相對(duì)應(yīng)，這樣形成了兩個(gè)附加電極線。這時(shí)，將一個(gè)像素連接到附加電極線2a和2b中的任何一個(gè)。如圖所示，將附加電極2a連接到序數(shù)為奇數(shù)的像素陣列中第一個(gè)像素3a上，另外一個(gè)附加電極2b連接到序數(shù)為偶數(shù)的像素陣列中第一個(gè)像素3b上。在行方向形成的第一電極5在奇數(shù)像素陣列中的第一個(gè)像素3a以及偶數(shù)像素陣列中的第一個(gè)像素3b上排布成圖案。同樣，形成第一電極5用來(lái)同時(shí)連接到附加電極2a和2b上。
在第一電極5上形成一有機(jī)發(fā)光層(未畫出)，在有機(jī)發(fā)光層上形成第二電極(未畫出)。這時(shí)，第一電極5與第二電極交叉(未畫出)。阻擋柵6布置在沿著一個(gè)方向形成的每個(gè)像素陣列中，以便按照單元像素陣列對(duì)第二電極(未畫出)彼此進(jìn)行絕緣。附加電極的絕緣層4在附加電極2a和2b上形成，用來(lái)對(duì)構(gòu)成一對(duì)的像素3a和3b實(shí)施電控制。然后，在透明基片1上形成絕緣層6用來(lái)覆蓋第一電極5的邊緣。
圖4A和4B示出了制造該有機(jī)電致發(fā)光裝置的一種方法。
首先，將兩條線的附加電極2a和2b在第一個(gè)基片1上作為一組形成。將附加電極2a和2b沿著列方向布置，使之與沿著行方向布置的像素陣列垂直。形成附加電極2a和2b的兩條線，使之相應(yīng)于像素陣列中的每個(gè)像素。也就是說(shuō)，將附加電極2a連接到序數(shù)為奇數(shù)的像素陣列(第一個(gè)像素陣列)的第一個(gè)像素3a上，將另一個(gè)附加電極2b連接到序數(shù)為偶數(shù)的像素陣列(第二個(gè)像素陣列)的第一個(gè)像素3b上。
然后，形成具有通孔4a的附加電極絕緣層4，以便附加電極2a和2b可以對(duì)成對(duì)的像素3a和3b進(jìn)行電控制，附加電極2a和2b彼此相鄰的兩條線在預(yù)定部分露出。同時(shí)，形成通孔4a用來(lái)將附加電極2a和2b中的一個(gè)附加電極2a與第一電極5進(jìn)行電連接。
然后，為了形成第一電極5，將一個(gè)透明導(dǎo)電材料排布成圖案。第一電極5在成對(duì)的像素3a和3b上形成，并在包括通孔4a的附加電極2a上形成。絕緣層6在透明基片1上形成，用來(lái)覆蓋第一電極5的邊緣。
在絕緣層6上形成阻擋柵7，用來(lái)同時(shí)對(duì)沿著一個(gè)方向布置的一對(duì)像素陣列進(jìn)行掃描驅(qū)動(dòng)。形成阻擋柵7用于根據(jù)單元像素陣列對(duì)各自的第二電極(未畫出)彼此進(jìn)行絕緣。
在與兩條線的附加電極2a和2b相垂直的每個(gè)像素陣列中形成阻擋柵7后，在第一電極5上形成有機(jī)發(fā)光層(未畫出)。然后，在有機(jī)發(fā)光層(未畫出)上形成第二電極(未畫出)。
在形成有機(jī)發(fā)光層和第二電極之后，進(jìn)行鈍化和封裝過(guò)程，用來(lái)形成鈍化層，從而完成了形成該裝置的過(guò)程。
圖5A和圖5B是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例具有雙掃描結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光裝置的平面圖和斷面圖。根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例，在具有雙掃描結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光裝置中，附加電極2a和2b在第一電極5a和5b上形成。
根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例，在有機(jī)電致發(fā)光裝置中，在第一電極和第二電極的交點(diǎn)處形成多個(gè)像素。
在與第一電極5垂直的列方向上形成多個(gè)像素，因此形成了一個(gè)像素陣列。然后，在行方向上形成成對(duì)的多個(gè)像素陣列。特別地，對(duì)在行方向上成對(duì)的兩個(gè)像素陣列同時(shí)進(jìn)行掃描驅(qū)動(dòng)。
在圖5A和5B所示的有機(jī)電致發(fā)光裝置中，作為兩條線構(gòu)成一對(duì)的像素陣列沿著一個(gè)方向在透明基片1上形成。也就是說(shuō)，先布置一個(gè)像素陣列，然后再與該像素陣列平行形成另一個(gè)像素陣列，從而布置作為兩條線構(gòu)成一對(duì)的像素陣列。
沿著與形成像素陣列相同的方向構(gòu)成第一電極5a和5b。同樣，第一電極5a和5b在兩條線中形成，使之相應(yīng)于像素陣列中的每個(gè)像素。這時(shí)，將一個(gè)像素連接到第一電極5a和5b的任一之上。如附圖所示，將第一電極5a連接到序數(shù)為奇數(shù)的像素陣列(第一個(gè)像素陣列)的第一個(gè)像素3a上，將另外的第一電極5b連接到序數(shù)為偶數(shù)的像素陣列(第二個(gè)像素陣列)的第一個(gè)像素3b上。
附加電極2a和2b與像素陣列垂直，并作為與像素陣列中每個(gè)像素對(duì)應(yīng)的兩條線來(lái)形成。同時(shí)，將一個(gè)像素連接到附加電極線2a和2b的任一之上。如附圖所示，將附加電極2a連接到奇數(shù)像素陣列(第一個(gè)像素陣列)的第一個(gè)像素3a上，另外的附加電極2b連接到偶數(shù)像素陣列(第二個(gè)像素陣列)的第一個(gè)像素3b上。
將附加電極2a和2b與第一電極5a和5b進(jìn)行電連接，特別地，附加電極2a和2b與第一電極5a和5b部分重疊。如圖所示，附加電極2a與連接到序數(shù)為奇數(shù)的像素陣列(第一個(gè)像素陣列)中第一個(gè)像素3a上的第一電極5a重疊，附加電極2b與連接到序數(shù)為偶數(shù)的像素陣列(第二個(gè)像素陣列)中第一個(gè)像素3b上的第二電極5b重疊。
一有機(jī)發(fā)光層(未畫出)在第一電極5a和5b上形成，與第一電極5a和5b重疊。第二電極(未畫出)在有機(jī)發(fā)光層(未畫出)上形成，用來(lái)被掃描驅(qū)動(dòng)。然后，在沿著一個(gè)方向形成的每個(gè)像素陣列中形成阻擋柵6，用來(lái)根據(jù)單元像素陣列將第二電極(未畫出)彼此絕緣。
在透明基片1上形成絕緣層6，用來(lái)覆蓋第一電極5a和5b的邊緣。絕緣層6將與序數(shù)為奇數(shù)的像素陣列(第一個(gè)像素陣列)中第一個(gè)像素3a相連的第一電極5a和與序數(shù)為偶數(shù)的像素陣列(第二個(gè)像素陣列)中第一個(gè)像素3b相連的附加電極2b進(jìn)行絕緣。同樣由于絕緣層6的作用，將與序數(shù)為偶數(shù)的像素陣列(第二個(gè)像素陣列)中第一個(gè)像素3b相連的第一電極5b同與序數(shù)為奇數(shù)的像素陣列(第一個(gè)像素陣列)中第一個(gè)像素3a相連的附加電極2a進(jìn)行絕緣。
根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例和第二實(shí)施例，在電致發(fā)光裝置中，一對(duì)像素陣列沿著一個(gè)方向在透明基片1上形成兩條線，將像素陣列連接到掃描電極(第二電極)，用來(lái)同時(shí)被掃描驅(qū)動(dòng)。同樣，根據(jù)單元像素陣列在每個(gè)像素陣列中形成阻擋柵7，用來(lái)對(duì)第二電極彼此進(jìn)行絕緣。換句話說(shuō)，根據(jù)單元像素陣列每個(gè)第二電極彼此絕緣，彼此相鄰的第二電極同時(shí)被掃描驅(qū)動(dòng)。
在根據(jù)本發(fā)明的一有機(jī)電致發(fā)光裝置中，附加電極2a和2b由導(dǎo)電材料諸如Cr、Mo、Al和Cu制成。附加電極也可以由上述材料的合金制成。這時(shí)，附加電極按照0.1μm到10μm的厚度形成，附加電極的寬度根據(jù)裝置的特征而變化。
絕緣層可以由無(wú)機(jī)材料諸如氧化物SiO2或者氮化物SiNx制成。絕緣層材料可以由有機(jī)材料例如聚合物(聚丙稀、聚酰亞胺、酚醛清漆、聚苯或者聚苯乙烯)制成。這時(shí)，絕緣層按照0.01μm到10μm的厚度形成。而且，絕緣層由吸光性差的材料構(gòu)成。
發(fā)光區(qū)域的第一電極部分或者完全地被絕緣層所覆蓋。也就是說(shuō)，在阻止第一電極被從第二電極短接的過(guò)程中，由于第一電極的邊緣可能遭到破壞，因此形成絕緣層來(lái)覆蓋第一電極的邊緣。第一電極由厚度為0.1μm到7μm的絕緣層覆蓋。第一電極是透明電極，第二電極是金屬電極。
如上所述，有機(jī)電致發(fā)光裝置及其制造方法具有以下優(yōu)點(diǎn)。
施加到掃描電極線中的電流數(shù)值減半，以至于可以降低在掃描驅(qū)動(dòng)器(掃描驅(qū)動(dòng)芯片)和像素中的負(fù)載，因此改善了驅(qū)動(dòng)器和裝置的可靠性。
分別與兩個(gè)掃描驅(qū)動(dòng)器相連的一對(duì)掃描電極線同時(shí)被掃描驅(qū)動(dòng)，數(shù)據(jù)電極線中每一個(gè)與驅(qū)動(dòng)芯片相連的一端在基片的一側(cè)形成，因此使負(fù)載減半。
此外，掃描驅(qū)動(dòng)器和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器(數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)芯片)的數(shù)目減小了，COF(在柔性印刷電路上的芯片)焊接，即用于將驅(qū)動(dòng)芯片和每個(gè)電極線相連的芯片焊接的數(shù)目減小了，這樣降低了制造價(jià)格。
對(duì)于那些精通這項(xiàng)技術(shù)的人而言，在本發(fā)明中可以進(jìn)行各種改進(jìn)和變型。這樣，需要指出的是本發(fā)明覆蓋了在所附權(quán)利要求及其等同范圍內(nèi)的各種改進(jìn)和變型。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)電致發(fā)光屏，包括按照行方向即寬度方向被分成兩條的第一電極；在與第一電極垂直的列方向上形成的第二電極，用來(lái)和第一電極進(jìn)行交叉，從而形成多個(gè)像素；在像素陣列間形成的阻擋柵，用來(lái)將由多個(gè)第一電極和一個(gè)第二電極交叉而形成的一個(gè)像素陣列與鄰近的其它像素陣列電絕緣。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光屏，其中將第一電極分成兩條，兩條中每個(gè)與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器相連的一端在屏的一側(cè)形成。
3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光屏，還包括兩個(gè)作為一組的附加電極，它在第一電極下面與像素陣列垂直而形成，用來(lái)與像素陣列中的每個(gè)像素相對(duì)應(yīng)。
4.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光屏，其中附加電極中的一個(gè)被連接到序數(shù)為奇數(shù)的像素陣列的一個(gè)像素上，另一個(gè)被連接到與該序數(shù)為奇數(shù)的像素陣列對(duì)應(yīng)的序數(shù)為偶數(shù)的像素陣列的一個(gè)像素上。
5.如權(quán)利要求3所述的有機(jī)電致發(fā)光屏，還包括一附加電極的絕緣層，它包括一個(gè)通孔，用來(lái)露出以兩條線構(gòu)成的附加電極的預(yù)定部分。
6.如權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光屏，其中形成通孔是用來(lái)將與每個(gè)像素對(duì)應(yīng)的兩個(gè)附加電極中的一條線連接到一個(gè)像素中的第一電極上。
7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光屏，其中在垂直于像素陣列的方向上形成第一電極，用來(lái)將其連接到第一電極下面的附加電極上，該第一電極在序數(shù)為奇數(shù)的像素陣列的一個(gè)像素和與該序數(shù)為奇數(shù)的像素陣列對(duì)應(yīng)的序數(shù)為偶數(shù)的像素陣列的一個(gè)像素上被排布成圖案。
8.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光屏，還包括在第一電極上形成的一有機(jī)發(fā)光層。
9.如權(quán)利要求8所述的有機(jī)電致發(fā)光屏，其中第二電極在有機(jī)發(fā)光層上形成。
10.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光屏，其中將第二電極與沿著一個(gè)方向形成的每個(gè)像素陣列電連接，相鄰的一對(duì)像素陣列被同時(shí)掃描驅(qū)動(dòng)。
11.如權(quán)利要求10所述的有機(jī)電致發(fā)光屏，其中一對(duì)掃描電極由一個(gè)信號(hào)按照相同的電平進(jìn)行同步，以便同時(shí)對(duì)彼此相鄰的一對(duì)像素陣列進(jìn)行掃描驅(qū)動(dòng)。
12.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光屏，還包括一個(gè)絕緣層，用來(lái)覆蓋第一電極的邊緣。
13.如權(quán)利要求12所述的有機(jī)電致發(fā)光屏，其中在絕緣層上形成阻擋柵，用來(lái)按照單元像素陣列將第二電極彼此進(jìn)行絕緣。
14.一種有機(jī)電致發(fā)光屏，包括按照行方向即寬度方向被分成兩條的第一電極；在第一電極上形成的附加電極，用來(lái)與第一電極進(jìn)行部分重疊；在第一電極上形成的有機(jī)發(fā)光層，用來(lái)與第一電極進(jìn)行重疊；在有機(jī)發(fā)光層上沿著與第一電極垂直的列方向形成的第二電極，用來(lái)被掃描驅(qū)動(dòng)；按照單元像素陣列用來(lái)對(duì)第二電極彼此進(jìn)行絕緣的阻擋柵，通過(guò)將多個(gè)第一電極和一個(gè)第二電極進(jìn)行交叉形成該單元像素陣列。
15.如權(quán)利要求14所述的有機(jī)電致發(fā)光屏，其中在與第二電極交叉的部分，第一電極被分成較低的線和較高的線，較低的線和較高的線交替地向上或者向下延伸。
16.如權(quán)利要求15所述的有機(jī)電致發(fā)光屏，其中在與第二電極交叉的第一電極的奇數(shù)段，較高的線向下延伸，在與第二電極交叉的第一電極的偶數(shù)段，較低的線向上延伸。
17.如權(quán)利要求16所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置，其中將一電流施加給與第二電極交叉的第一電極的奇數(shù)段中較高的線，將一電流施加給與第二電極交叉的第一電極的偶數(shù)段中較低的線。
18.如權(quán)利要求15所述的有機(jī)電致發(fā)光裝置，其中將第二電極連接到掃描驅(qū)動(dòng)器上，用來(lái)給掃描信號(hào)施加同步的電流，以便同時(shí)對(duì)彼此相鄰的一對(duì)像素陣列進(jìn)行掃描驅(qū)動(dòng)。
19.一種制造有機(jī)電致發(fā)光屏的方法，包括(a)在透明基片上形成兩個(gè)作為一組的附加電極線；(b)形成有一通孔的附加電極線絕緣層，該通孔在附加電極線上形成，用來(lái)露出附加電極線的預(yù)定部分；(c)通過(guò)在附加電極絕緣層上將一導(dǎo)電材料排布成圖案，來(lái)形成分為兩條線的第一電極；(d)形成一用來(lái)覆蓋第一電極的邊緣的絕緣層；(e)形成阻擋柵，用來(lái)按照單元像素陣列將第二電極彼此進(jìn)行絕緣。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，還包括以下步驟在第一電極上形成有機(jī)發(fā)光層；在有機(jī)發(fā)光層上形成第二電極。
21.如權(quán)利要求19所述的方法，其中形成第一電極，用來(lái)在步驟(c)中通過(guò)通孔將其連接到附加電極上。
全文摘要
本發(fā)明揭示了一種有機(jī)電致發(fā)光(簡(jiǎn)稱EL，electro－luminescence)裝置屏及其相應(yīng)的制造方法，可以降低掃描驅(qū)動(dòng)器(掃描的驅(qū)動(dòng)芯片)和像素的負(fù)載，從而可以改善驅(qū)動(dòng)器和裝置的可靠性。同時(shí)，掃描驅(qū)動(dòng)器和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器(數(shù)據(jù)的驅(qū)動(dòng)芯片)的數(shù)目減小了，COF(在柔性印刷電路上的芯片)焊接，即將驅(qū)動(dòng)芯片和每個(gè)電極線相連的芯片焊接的數(shù)目減小了，因而降低了制造價(jià)格。
文檔編號(hào)H01L51/50GK1414536SQ02154558
公開(kāi)日2003年4月30日 申請(qǐng)日期2002年10月18日 優(yōu)先權(quán)日2001年10月18日
發(fā)明者金昌男, 金學(xué)洙 申請(qǐng)人:Lg電子株式會(huì)社