具有單元溝槽結(jié)構(gòu)和接觸點的半導(dǎo)體器件及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了具有單元溝槽結(jié)構(gòu)和接觸點的半導(dǎo)體器件及其制造方法。第一單元溝槽結(jié)構(gòu)和第二單元溝槽從第一表面延伸至半導(dǎo)體襯底中。該第一單元溝槽結(jié)構(gòu)包括第一埋置電極以及在該第一埋置電極和半導(dǎo)體臺面之間的第一絕緣層，半導(dǎo)體臺面分隔第一單元溝槽結(jié)構(gòu)和第二單元溝槽結(jié)構(gòu)。包覆層覆蓋第一表面。圖形化該包覆層以形成具有最小寬度大于第一絕緣層厚度的開口。該開口暴露第一絕緣層在第一表面處的第一垂直部分。除去第一絕緣層的暴露部分以形成在半導(dǎo)體臺面和第一埋置電極之間的凹部。接觸結(jié)構(gòu)在該開口和該凹部中。接觸結(jié)構(gòu)電連接半導(dǎo)體臺面中的埋置區(qū)和第一埋置電極，并允許更窄的半導(dǎo)體臺面寬度。
【專利說明】具有單元溝槽結(jié)構(gòu)和接觸點的半導(dǎo)體器件及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及申請涉及具有單元溝槽結(jié)構(gòu)和接觸點的半導(dǎo)體器件及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]基于垂直IGFET (絕緣柵型場效應(yīng)晶體管)單元的半導(dǎo)體器件包括具有埋置電極的單元溝槽結(jié)構(gòu)和在單元溝槽結(jié)構(gòu)之間的半導(dǎo)體臺面。通常地，一個光刻掩膜定義單元溝槽結(jié)構(gòu)的布局和大小，而另一個光刻掩膜定義接觸結(jié)構(gòu)的布局和大小，該接觸結(jié)構(gòu)提供至半導(dǎo)體臺面中的雜質(zhì)區(qū)域的電接觸。其他的方法依賴于形成與單元溝槽結(jié)構(gòu)自對齊的接觸結(jié)構(gòu)。亟需以可靠的方式并低成本地提供具有窄的半導(dǎo)體臺面且鄰近的單元溝槽結(jié)構(gòu)之間的距離小的半導(dǎo)體器件。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]根據(jù)一個實施例，提供一種制造半導(dǎo)體器件的方法。提供從第一表面延伸至半導(dǎo)體襯底中的第一單元溝槽結(jié)構(gòu)和第二單元溝槽結(jié)構(gòu)。第一單元溝槽結(jié)構(gòu)包括第一埋置電極以及在第一埋置電極和半導(dǎo)體臺面之間的分隔第一單元溝槽結(jié)構(gòu)和第二單元溝槽結(jié)構(gòu)的第一絕緣層。提供包覆層(capping layer)以覆蓋第一表面。圖形化該包覆層，以形成具有最小寬度大于第一絕緣層的厚度的開口。該開口暴露第一絕緣層在第一表面處的第一垂直部分。除去第一絕緣層的暴露部分，以形成在半導(dǎo)體臺面和第一埋置電極之間的凹部。在開口和凹部中提供接觸結(jié)構(gòu)。
[0004]根據(jù)另一個實施例，制造半導(dǎo)體器件的方法包括將第一單元溝槽和第二單元溝槽從第一表面引入至半導(dǎo)體襯底中，其中第一半導(dǎo)體臺面形成于第一單元溝槽和第二單元溝槽之間，第二半導(dǎo)體臺面形成于第一單元溝槽之間。沿著(line)至少第一單元溝槽的側(cè)壁提供第一絕緣層。在第一絕緣層上第一單元溝槽中提供第一埋置電極。提供包覆層以覆蓋第一表面。圖形化該包覆層，以形成具有最小寬度大于第一絕緣層的厚度的第一開口和第二開口。第一開口分別地暴露鄰接第一半導(dǎo)體臺面的第一絕緣層的第一垂直部分。第二開口暴露位于第二半導(dǎo)體臺面之間的第一單元溝槽的第一埋置電極。除去第一絕緣層的暴露部分，以形成在第一半導(dǎo)體臺面和鄰接的第一埋置電極其中的一個之間的凹部。在凹部和第一開口中沉積導(dǎo)電材料以形成第一接觸結(jié)構(gòu)，并在第二開口中沉積導(dǎo)電材料以形成第二接觸結(jié)構(gòu)。
[0005]另一個實施例指的是具有從第一表面延伸至半導(dǎo)體襯底中的第一單元溝槽結(jié)構(gòu)和第二單元溝槽結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件。第一半導(dǎo)體臺面分隔第一單元溝槽結(jié)構(gòu)和第二單元溝槽結(jié)構(gòu)，而第二半導(dǎo)體臺面分隔第一單元溝槽結(jié)構(gòu)。第一單元溝槽結(jié)構(gòu)分別包括第一埋置電極和第一絕緣層，其中第一絕緣層的第一垂直部分分隔第一埋置電極與第一半導(dǎo)體臺面。包覆層位于第一表面上。半導(dǎo)體器件包括第一接觸結(jié)構(gòu)，其中每個第一接觸結(jié)構(gòu)包括在該包覆層的開口中的第一部分，以及在第一半導(dǎo)體臺面其中的一個和直接鄰接相應(yīng)的第一半導(dǎo)體臺面的第一埋置電極的其中的一個之間的。
[0006]通過閱讀下面的【具體實施方式】和查看附圖，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將辨認(rèn)出其他的特征和優(yōu)點。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]附圖包含在本說明書中以提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，且并入本說明書并構(gòu)成說明書的一部分。附圖舉例說明了本發(fā)明的實施例，并且與說明書一起用來解釋實施例的原理。因為通過參考下面的【具體實施方式】能更好地理解本發(fā)明，將容易領(lǐng)會其他的實施例和預(yù)期優(yōu)點。
[0008]圖1A是提供蝕刻掩膜之后的半導(dǎo)體襯底的一部分的示意性剖視圖。
[0009]圖1B是通過使用蝕刻掩膜在包覆層中提供開口之后的圖1A的半導(dǎo)體襯底部分的示意性剖視圖。
[0010]圖1C是在第一單元溝槽結(jié)構(gòu)和第一半導(dǎo)體臺面之間形成凹部之后的圖1B的半導(dǎo)體襯底部分的示意性剖視圖。
[0011]圖1D是在提供填滿開口和凹部的固態(tài)的接觸結(jié)構(gòu)之后的圖1C的半導(dǎo)體襯底部分的示意性剖視圖。
[0012]圖2是在開口和凹部中提供具有孔洞的接觸結(jié)構(gòu)之后的圖1C的半導(dǎo)體襯底部分的示意性剖視圖。
[0013]圖3A示出了在第一埋置電極和第一半導(dǎo)體臺面之間提供凹部之后的半導(dǎo)體襯底的一部分。
[0014]圖3B示出了擴(kuò)寬凹部之后的圖3A的半導(dǎo)體襯底部分。
[0015]圖3C舉例說明了在開口和擴(kuò)寬的凹部中提供接觸結(jié)構(gòu)之后的圖3B的半導(dǎo)體襯底部分。
[0016]圖4A是依據(jù)涉及IGBT的實施例的半導(dǎo)體器件的一部分的示意性透視圖。
[0017]圖4B舉例說明了圖4A的半導(dǎo)體器件沿剖面線B的橫截面。
[0018]圖4C舉例說明了圖4A的半導(dǎo)體器件沿剖面線C的截面。
[0019]圖4D舉例說明了圖4A的半導(dǎo)體器件沿剖面線D的截面。

【具體實施方式】
[0020]下面的【具體實施方式】中參考了附圖，附圖構(gòu)成本文的一部分，且附圖以舉例說明的方式示出了本發(fā)明可以實施的特定的實施例。應(yīng)當(dāng)理解的是，不脫離本發(fā)明的范圍，可以利用其他實施例并作出結(jié)構(gòu)或邏輯上的變化。例如，在一個實施例中舉例說明或者描述的特征可用于其他實施例或者與其他實施例結(jié)合，以出產(chǎn)另外的實施例。本發(fā)明旨在包括這些修改和變化。使用特定語言描述的示例不應(yīng)當(dāng)理解為對所附權(quán)利要求的限制。附圖不是按比例繪制，并且僅以說明為目的。為清楚起見，如果未作其他說明，在不同的附圖中相同元件用一致的附圖標(biāo)記表示。
[0021]術(shù)語“具有(having)”、“包括(containing、including、comprising) ” 等等是開放性術(shù)語，該術(shù)語表明所陳述的結(jié)構(gòu)、元件或者特征的存在，但并不排除其他的元件或者特征。冠詞“一(a、an)”和“該(the)”旨在包括復(fù)數(shù)和單數(shù)，除非文中另有明確指明。術(shù)語“電連接(electrically connected) ”描述電連接的元件之間的永久低電阻連接，例如連接元件之間的直接接觸或者經(jīng)由金屬和/或高摻雜半導(dǎo)體的低電阻連接。術(shù)語“電耦接(electrically coupled) ”表明可在電f禹接的元件之間提供一個或者多個適用于信號傳輸?shù)慕槿朐?，例如臨時地提供在第一狀態(tài)時的低電阻連接以及在第二狀態(tài)時的高電阻電去耦的可控元件。
[0022]附圖舉例說明了緊挨著摻雜類型“η”或“p”的用或“ + ”表明的相對摻雜濃度。例如，“η_”意為摻雜濃度低于“η”摻雜區(qū)域的摻雜濃度，而“η+”摻雜區(qū)域比“η”摻雜區(qū)域具有更高的摻雜濃度。具有相同的相對摻雜濃度的摻雜區(qū)域不一定具有相同的絕對摻雜濃度。例如，兩個不同的“η”摻雜區(qū)域可具有相同或者不同的絕對摻雜濃度。
[0023]圖1Α至圖1D涉及半導(dǎo)體襯底500a，其由單晶半導(dǎo)體材料組成或者包括單晶半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體層100a。單晶半導(dǎo)體材料可以是娃S1、碳化娃SiC、鍺Ge、娃鍺晶體SiGe、氮化鎵GaN或者砷化鎵GaAs。半導(dǎo)體襯底500a可以是娃晶圓，能制得多個完全相同的半導(dǎo)體裸片。半導(dǎo)體層100a具有平坦的第一表面101以及與第一表面101平行的第二表面102。第一和第二表面101、102的法線定義了垂直方向，且與該垂直方向正交的方向便是橫向。
[0024]在半導(dǎo)體襯底500a的至少一部分中，可形成直接鄰接第一表面101的第一導(dǎo)電類型的第一層。該第一導(dǎo)電類型的第一層與互補(bǔ)的第二導(dǎo)電類型的層可形成平坦的界面，該第二導(dǎo)電類型的層分隔第一導(dǎo)電類型的第一層與第一導(dǎo)電類型的第二層。該層與層之間的界面可與第一表面101平行。
[0025]如圖中所描述的，第一導(dǎo)電類型可以是η型，而第二導(dǎo)電類型可以是p型。根據(jù)其他的實施例，第一導(dǎo)電類型可以是Ρ型，而第二導(dǎo)電類型可以是η型。在圖示部分之外，半導(dǎo)體層100a可包括另外的雜質(zhì)區(qū)、本征區(qū)，以及可配置為構(gòu)成電子電路的介電結(jié)構(gòu)和導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
[0026]第一單元溝槽結(jié)構(gòu)和第二單元溝槽結(jié)構(gòu)510、520從第一表面101延伸至半導(dǎo)體襯底500a中，其中第一單元溝槽結(jié)構(gòu)和第二單元溝槽結(jié)構(gòu)的埋置邊沿比在第二導(dǎo)電類型的層和第一導(dǎo)電類型的第二層之間的pn-結(jié)距離第一表面101具有更遠(yuǎn)的距離。單元溝槽結(jié)構(gòu)510、520提供在第一導(dǎo)電類型的第一層和第二導(dǎo)電類型的層中的部分，以使第一單元溝槽結(jié)構(gòu)和第二單元溝槽結(jié)構(gòu)510、520之間的半導(dǎo)體臺面150具有分層結(jié)構(gòu)，該分層結(jié)構(gòu)具有直接鄰接第一表面101的第一導(dǎo)電類型的源區(qū)110，和分隔源區(qū)110與部分的第一導(dǎo)電類型的漂移層120的第二導(dǎo)電類型的體區(qū)115。
[0027]第一單元溝槽結(jié)構(gòu)510包括至少第一埋置電極515以及第一絕緣層516，該第一絕緣層516分隔第一埋置電極515與在第一單元溝槽結(jié)構(gòu)和第二單元溝槽結(jié)構(gòu)510、520范圍之外的半導(dǎo)體襯底500a的半導(dǎo)體材料。
[0028]每個第二單元溝槽結(jié)構(gòu)520包括第二埋置電極525以及第二絕緣層526，該第二絕緣層526分隔第二埋置電極525與在第一單元溝槽結(jié)構(gòu)和第二單元溝槽結(jié)構(gòu)510、520范圍之外的半導(dǎo)體襯底500a的半導(dǎo)體材料。第一單元溝槽結(jié)構(gòu)和第二單元溝槽結(jié)構(gòu)510、520中的至少一個可包括另外的、分別與第一埋置電極或第二埋置電極515、525絕緣的埋置電極。
[0029]第一單元溝槽結(jié)構(gòu)和第二單元溝槽結(jié)構(gòu)510、520可具有相同的垂直尺寸和橫向尺寸。根據(jù)其他的實施例，第一單元溝槽結(jié)構(gòu)510寬于或者窄于第二單元溝槽結(jié)構(gòu)520。可替代地或者另外地，第一單元溝槽結(jié)構(gòu)510的垂直延伸超過或者低于第二單元溝槽結(jié)構(gòu)520的垂直延伸。根據(jù)一個實施例，第一單元溝槽結(jié)構(gòu)和第二單元溝槽結(jié)構(gòu)510、520的垂直延伸皆可在500nm至20μπι的范圍內(nèi)，例如在2μπι至7μπι的范圍內(nèi)。
[0030]第一埋置電極和第二埋置電極515、525和另外的埋置電極(若可以應(yīng)用)，可由以下的一種或者多種導(dǎo)電材料提供，該導(dǎo)電材料包括多晶硅(polysilicon，其可以是被重?fù)诫s的)、金屬硅化物、碳C、金屬(例如，銅或鎢)、金屬合金、金屬氮化物、金屬硅化物或者其他金屬化合物(例如，氮化鈦TiN、氮化鎢TiW、氮化鉭TaN等等)。例如，第一埋置電極515和/或第二埋置電極525具有包括兩層或者多層的上述材料分層結(jié)構(gòu)。第一埋置電極和第二埋置電極515、525可具有相同的結(jié)構(gòu)并可包括相同的材料，或者可具有不同的結(jié)構(gòu)和/或包括不同的材料。
[0031]第一絕緣層和第二絕緣層516、526可具有相同的厚度或者可具有不同的厚度。例如，第一絕緣層516可厚于第二絕緣層526。舉例來說，第一絕緣層和第二絕緣層516、526可基于相同的材料，或者可由不同的材料組成或包含不同的材料比如半導(dǎo)體氧化物(例如氧化硅、氮化硅、氧化鋁和二氧化鉿)。根據(jù)一個實施例，第一絕緣層和第二絕緣層516、526中的至少一個具有包括一種或多種不同介電材料的分層結(jié)構(gòu)。第一絕緣層和第二絕緣層的厚度可在30nm至200nm之間，例如在80nm和120nm之間的范圍內(nèi)。第二單元溝槽結(jié)構(gòu)520可包括在第一表面101和第二埋置電極525之間的覆蓋介電質(zhì)210。第一單元溝槽結(jié)構(gòu)510可包括或不包括對應(yīng)于覆蓋介電質(zhì)210的結(jié)構(gòu)。
[0032]第一埋置電極和第二埋置電極515、525可彼此電連接。根據(jù)圖示的實施例，第一埋置電極和第二埋置電極515、525彼此電隔離，并且可連接到不同的信號或者電位。施加給第二埋置電極525的電位可控制電荷載流子在鄰接的體區(qū)115中的分布，因此當(dāng)施加給第二埋置電極525的電位超過預(yù)定的閾值電壓時，沿第二絕緣層525可形成導(dǎo)電溝道。第二絕緣層526鄰接體區(qū)115的部分是有效的柵極絕緣層。
[0033]在第一表面101上提供包覆層220，且包覆層220覆蓋第一單元溝槽結(jié)構(gòu)和第二單元溝槽結(jié)構(gòu)510、520以及半導(dǎo)體臺面150。包覆層220包括一個或者多個介電層，例如，每層由沉積的半導(dǎo)體氧化物(例如使用原硅酸四乙酯TE0S作為前體材料生成的二氧化硅、其他的氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅)提供。舉例來說，包覆層220的厚度可以是大約統(tǒng)一的，可在約lOOnm至Ιμπι的范圍內(nèi)。
[0034]在包覆層220上沉積光致抗蝕劑層，并通過光刻技術(shù)圖形化該光致抗蝕劑層，以形成蝕刻掩膜410。
[0035]圖1Α示出了包覆層220，其覆蓋第一單和第二單元溝槽結(jié)構(gòu)510、520以及第一和第二單元溝槽結(jié)構(gòu)510、520之間的半導(dǎo)體臺面150。蝕刻掩膜410中的掩膜開口 405暴露包覆層220在第一絕緣層516的第一垂直部分的垂直投影中的部分，其中第一垂直部分鄰接于該半導(dǎo)體臺面150以分隔第一與第二單元溝槽結(jié)構(gòu)510、520。掩膜開口 405還暴露包覆層220處于直接鄰接第一絕緣層516的相關(guān)部分的半導(dǎo)體臺面150的部分的垂直投影中的部分，以及包覆層220處于直接鄰接第一絕緣層516的相關(guān)部分的第一埋置電極515的部分的垂直投影中的部分。
[0036]蝕刻掩膜410覆蓋包覆層220處于第二單元溝槽結(jié)構(gòu)520的垂直投影中的部分，以及包覆層220處于第一絕緣層516的第二垂直部分的垂直投影中的部分，該第二垂直部分鄰接第一單元溝槽510之間的半導(dǎo)體臺面150。使用蝕刻掩膜410，顯著地各向異性蝕刻使包覆層220的暴露部分凹進(jìn)。與除去半導(dǎo)體臺面150的單晶半導(dǎo)體材料和第一埋置電極515的材料比，該蝕刻以較高的速率除去包覆層220的材料。該蝕刻制程可包括對達(dá)到半導(dǎo)體臺面150、第一絕緣層516的第一垂直部分和第一埋置電極515中的至少一個敏感的端點檢測。
[0037]圖1B示出了蝕刻后已達(dá)到第一表面101的包覆層220中的開口 305x。開口 305x暴露第一絕緣層516的第一垂直部分、直接鄰接第一絕緣層516相關(guān)部分的第一埋置電極515的的部分，以及直接鄰接第一絕緣層516相關(guān)部分的半導(dǎo)體臺面150的部分。
[0038]在檢測端點之后，在預(yù)定的時間內(nèi)可執(zhí)行原位過蝕刻，以使第一絕緣層516的暴露的第一垂直部分凹進(jìn)。凹蝕除去第一絕緣層516的暴露部分，直至離第一表面101的距離達(dá)第二距離，該第二距離大于第一表面101與源區(qū)和體區(qū)110、115之間的界面之間的第一距離，且小于第一表面101與體區(qū)115和漂移區(qū)120之間的界面之間的第三距離。第二距離可以是至少200nm且至多1 μ m,例如在400 μ m至600 μ m之間。凹進(jìn)第一絕緣層516的材料的除去速率可以是至少五倍的對于半導(dǎo)體材料和/或第一埋置電極515的材料的除去速率。
[0039]圖1C不出了在相關(guān)的第一埋置電極515和相關(guān)的半導(dǎo)體臺面150之間產(chǎn)生的凹部305y。由于絕緣層516的蝕刻的選擇性，凹部在開口 305x內(nèi)自對準(zhǔn)至第一單元溝槽結(jié)構(gòu)510和相關(guān)的半導(dǎo)體臺面150。在該設(shè)計中，半導(dǎo)體臺面150的寬度可進(jìn)一步減少，例如減少至低于400nm。
[0040]鑒于常規(guī)方法提供穿過包覆層材料的第一蝕刻制程，以及用于在半導(dǎo)體臺面的半導(dǎo)體材料和埋置電極中提供接觸凹槽的第二蝕刻制程，本實施例提供用于包覆層中的開口和沿著半導(dǎo)體臺面150的凹部的一種結(jié)合蝕刻。該結(jié)合蝕刻可如一個原位制程在同一工具中執(zhí)行。
[0041]沉積一種或者多種導(dǎo)電材料，以在半導(dǎo)體襯底500a的側(cè)面上形成由第一表面101和接觸結(jié)構(gòu)305定義的第一電極結(jié)構(gòu)310，該接觸結(jié)構(gòu)305電連接第一電極結(jié)構(gòu)310與第一埋置電極515、半導(dǎo)體臺面150(分隔第一和第二單元溝槽結(jié)構(gòu)510、520)的體區(qū)115和源區(qū)110接觸。提供第一電極結(jié)構(gòu)310的步驟可包括一種或者多種導(dǎo)電材料的連續(xù)沉積。
[0042]根據(jù)一個實施例，可沉積具有5nm至lOOnm范圍內(nèi)的統(tǒng)一厚度的阻擋層311。該阻擋層可阻攔金屬原子擴(kuò)散到半導(dǎo)體襯底500a中，并且可以是氮化鈦TiN層、氮化鉭TaN層、鎢化鈦TiW層、鈦Ti層或鉭Ta層，或者可包括這些材料的層。
[0043]在阻擋層311上可沉積主層312。主層312可由下列材料組成或包含這些材料:鎢或者基于鎢的金屬(比如鎢化鈦TiW)、重?fù)诫s的多晶硅、碳C、鋁A1、銅Cu或鋁和銅的合金(比如AlCu或者AlSiCu)。這些層中的至少一層可提供多孔結(jié)構(gòu)，或者可以以在凹部305y和/或開口 305x中形成孔洞或小的空腔的方法沉積。凹部305y、開口 305x中的孔洞和空腔減少機(jī)械應(yīng)力。
[0044]圖1D示出了包括阻擋層311和主層312的第一電極結(jié)構(gòu)310。阻擋層311的厚度可小于圖1C中凹部305y寬度的一半。根據(jù)另一個實施例，阻擋層311將凹部305y完全填滿。主層312和阻擋層311的材料可完全填滿包覆層220中的開口 305x和半導(dǎo)體部分100中的凹部305y，以形成如圖1D所示的固態(tài)的接觸結(jié)構(gòu)305。
[0045]圖2涉及其他的實施例，其具有在凹部305y和開口 305x中留有孔洞395的主層312。
[0046]圖3A至圖3C涉及包括凹部305y的擴(kuò)寬的實施例。在第一埋置電極515與形成于第一單元溝槽結(jié)構(gòu)和第二單元溝槽結(jié)構(gòu)510、520之間且被包覆層220中的開口 305x暴露的半導(dǎo)體臺面150之間的第一絕緣層516的第一部分中，凹部305y可形成于第一埋置電極515和相關(guān)的半導(dǎo)體臺面150之間。蝕刻中除去的第一埋置電極515的材料相對于除去半導(dǎo)體臺面150的材料，蝕刻選擇率可為至少5:1。蝕刻掩膜可以除去。
[0047]圖3A示出了包覆層220中的開口 305x與在第一埋置電極515和相關(guān)的半導(dǎo)體臺面150之間的凹部305y。接觸開口 305分別地包括開口 305x和凹部305y。第一蝕刻步驟在包覆層220中形成開口 305，并可在第一表面101處停止。使用相同的蝕刻制程的第二蝕刻步驟，在預(yù)定時間內(nèi)過蝕刻第一絕緣層516。使用不同的蝕刻制程，第三蝕刻步驟以蝕刻鄰接的半導(dǎo)體臺面150或者鄰接的第一埋置電極515的部分或者兩者為代價，擴(kuò)寬至少凹部305y的開口。例如，短暫的硅各向同性蝕刻可以以比蝕刻半導(dǎo)體臺面150的單晶半導(dǎo)體材料更高的蝕刻速率除去多晶材料(其可以用于第一埋置電極515)。
[0048]根據(jù)另一個實施例，第一蝕刻制程形成包覆層220中的開口 305,并在第一表面101處停止。第二蝕刻步驟通過使用比第一蝕刻制程具有更低的選擇率的蝕刻制程，以使一定量的第一埋置電極515與第一絕緣層516的材料同時凹進(jìn)，形成寬的凹部305y。結(jié)果是，半導(dǎo)體臺面150的寬度可本質(zhì)上保持不變，以使沿第二單元溝槽結(jié)構(gòu)520的溝道部分不受施加在凹部305y處的制程的影響。
[0049]根據(jù)另一個實施例，生成凹部305y的制程的蝕刻選擇率隨著時間逐步地減少，以使凹部305y的側(cè)壁角度變得不那么陡。在兩個制程中，在可用于第一埋置電極515的多晶硅材料的蝕刻速率高于半導(dǎo)體臺面150的單晶半導(dǎo)體材料的蝕刻速率。擴(kuò)寬凹部305y的制程使隨后用一種或多種接觸材料填充凹部305y變得容易，并且無需大量減少半導(dǎo)體臺面150的尺寸。
[0050]根據(jù)一個實施例，通過凹部305y的側(cè)壁可執(zhí)行注入，以降低與體區(qū)115的接觸電阻和閂鎖效應(yīng)的風(fēng)險。例如，可執(zhí)行BF2植入。該植入可通過RTA (快速熱退火)而被激活，以沿被擴(kuò)寬的凹部305y暴露的半導(dǎo)體臺面150的側(cè)壁部分形成重?fù)诫s的接觸區(qū)117。接觸區(qū)117具有第二導(dǎo)電類型而且并未達(dá)到第二單元溝槽結(jié)構(gòu)520，以避免由于BF2注入的雜質(zhì)沿第二絕緣層526達(dá)到溝道而引起閾值電壓的變化。
[0051]根據(jù)另一個實施例，通過擴(kuò)寬的凹部305y的側(cè)壁可執(zhí)行等離子體注入，以形成適形的接觸區(qū)117。由于等離子體注入相反地?fù)诫s源區(qū)110的部分，所以給源區(qū)110提供足夠高的凈雜質(zhì)濃度。
[0052]圖3B示出了用于將第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)導(dǎo)引入半導(dǎo)體臺面150和第二導(dǎo)電類型的重?fù)诫s接觸區(qū)117暴露的側(cè)壁部分的有角度的注入380，第二導(dǎo)電類型的重?fù)诫s接觸區(qū)117在有角度的植入380退火后產(chǎn)生。在錐形的凹部305y情況下，植入380可為垂直于第一表面101的正交植入。另外，相對于垂直方向該植入角度可大于零度。
[0053]可在包覆層220上沉積阻擋層311，其中阻擋層311沿著結(jié)合的接觸開口 305。主層312的沉積可完全填滿接觸開口 305，或可在接觸開口 305中留下孔洞。
[0054]圖3C示出了第一電極結(jié)構(gòu)310和在接觸開口 305中形成的接觸結(jié)構(gòu)315。接觸開口 305在朝向相關(guān)的半導(dǎo)體臺面150側(cè)的斜率高于在朝向相關(guān)的第一埋置電極515的相反側(cè)的斜率。
[0055]圖4A至圖4D舉例說明了從多個完全相同的半導(dǎo)體裸片中的一個制得的半導(dǎo)體器件500，該半導(dǎo)體裸片的加工如同圖1A至圖1D的半導(dǎo)體襯底500a的部分。半導(dǎo)體器件500可以是功率開關(guān)器件，例如絕緣柵雙極型晶體管IGBT(例如PT-1GBT(穿通型IGBT)或者 IGFET)。
[0056]半導(dǎo)體器件500包括具有第一表面101和與第一表面101平行的第二表面102的半導(dǎo)體部分100。半導(dǎo)體部分100由單晶半導(dǎo)體材料提供，例如硅S1、碳化硅SiC、鍺Ge、硅鍺晶體SiGe、氮化鎵GaN或者砷化鎵GaAs。第一表面和第二表面101、102之間的最小距離選擇為使漂移區(qū)120達(dá)到特定的電壓阻斷能力，例如90 μ m至110 μ m對應(yīng)著1200V阻斷的IGBT。涉及更高阻斷的器件或者PT-1GBT器件的方法的其他的實施例，可提供具有表面101和102之間距離為幾百微米(μπι)厚度的半導(dǎo)體部分100。低電壓IGFET可更薄，例如至少大約10微米。
[0057]半導(dǎo)體部分100可具有邊沿長度在幾毫米范圍內(nèi)的矩形。第一表面和第二表面101、102的法線定義了垂直方向，并且正交于該法線方向的方向是橫向方向。
[0058]第一單元溝槽結(jié)構(gòu)和第二單元溝槽結(jié)構(gòu)510、520從第一表面101延伸至半導(dǎo)體部分100中。第一單元溝槽結(jié)構(gòu)和第二單元溝槽結(jié)構(gòu)510、520可具有相同的垂直尺寸和相同的橫向尺寸。根據(jù)其他的實施例，第一單元溝槽結(jié)構(gòu)和第二單元溝槽結(jié)構(gòu)510、520的垂直尺寸和/或橫向尺寸可不同于彼此。垂直延伸可在500nm至20 μ m的范圍內(nèi)，例如2 μ m至7 μ m。橫向?qū)挾瓤尚∮? μ m,例如小于1.2 μ m。
[0059]第一單元溝槽結(jié)構(gòu)510包括第一埋置電極515以及第一絕緣層516，第一絕緣層516分隔第一埋置電極515與在第一單元溝槽結(jié)構(gòu)和第二單元溝槽結(jié)構(gòu)510、520范圍之外的半導(dǎo)體材料。第一絕緣層516可具有在50nm至150nm范圍內(nèi)的統(tǒng)一厚度，例如在80nm和120nm之間。第一單元溝槽結(jié)構(gòu)510可包括或者不包括另外的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，例如與第一埋置電極515介電絕緣的另外的電極。
[0060]第二單元溝槽520包括第二埋置電極525以及第二絕緣層526，第二絕緣層526介電絕緣第二埋置電極525與在第一單元溝槽結(jié)構(gòu)和第二單元溝槽結(jié)構(gòu)510、520范圍之外的半導(dǎo)體材料。第二單元溝槽結(jié)構(gòu)520可包括另外的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，例如與第二埋置電極525介電絕緣的另外的電極。第一單元溝槽結(jié)構(gòu)和第二單元溝槽結(jié)構(gòu)510、520的數(shù)量可相等。其他實施例提供比第二單元溝槽結(jié)構(gòu)520更多的第一單元溝槽結(jié)構(gòu)510。例如，在兩個第二單元溝槽結(jié)構(gòu)520之間分別地提供至少兩個第一單元溝槽結(jié)構(gòu)510。第二單元溝槽結(jié)構(gòu)520之間的半導(dǎo)體臺面150可連接至或者不連接至源極電位。
[0061]第一單元溝槽結(jié)構(gòu)和第二單元溝槽結(jié)構(gòu)510、520可是以正規(guī)圖像布置的平行的長條。根據(jù)其他的實施例，單元溝槽結(jié)構(gòu)510、520的橫向截面區(qū)域可以是圓、橢圓、卵型或者具有或沒有圓角或者矩形(例如正方形)、或環(huán)形。例如，第一單元溝槽結(jié)構(gòu)和第二單元溝槽結(jié)構(gòu)510、520中的兩個或者三個可形成具有兩個或者三個同心環(huán)的布置，其中該環(huán)可以是圓、橢圓、橢圓狀或者矩形(例如具有或者沒有圓角的正方形)。
[0062]IGBT單元可在半導(dǎo)體部分100中朝向第一表面101的側(cè)面處形成，其中IGBT單元的有源區(qū)分別地形成于分隔第一單元溝槽結(jié)構(gòu)510和第二單元溝槽結(jié)構(gòu)520的第一半導(dǎo)體臺面150a中。在第一半導(dǎo)體臺面150a中，第一導(dǎo)電類型的源區(qū)110可直接鄰接第一表面101。源區(qū)110與第二導(dǎo)電類型的體區(qū)115形成第一 pn結(jié)，其中源區(qū)和體區(qū)110、115之間的界面在第一距離dl處大致平行于第一表面101延伸。在距離第一表面101第三距離d3處，體區(qū)115與第一導(dǎo)電類型的漂移層120形成第二 pn結(jié)。第一單元溝槽結(jié)構(gòu)和第二單元溝槽結(jié)構(gòu)510、520穿過源區(qū)110和體區(qū)115延伸至漂移層120中。
[0063]舉例說明的實施例涉及場截止IGBT，半導(dǎo)體部分100包括直接鄰接第二表面102的集電層130。集電層130可以是第二導(dǎo)電類型的連續(xù)的層。根據(jù)其他的實施例(例如涉及反向?qū)ㄐ虸GBT的)，集電層130可包括第一導(dǎo)電類型的第一部分和第二導(dǎo)電類型的第二部分，其中第一部分和第二部分在一個橫向方向上或者兩個橫向方向上交替。集電層130的平均凈雜質(zhì)濃度可以是至少lxl016cm_3,例如至少5xl017cm_3。
[0064]第二電極結(jié)構(gòu)320直接鄰接第二表面102。第二電極結(jié)構(gòu)320電連接至集電層130,且可由招A1、銅Cu或者招或銅的合金(比如AlS1、AlCu或者AlSiCu)作為主成分而構(gòu)成，或包含招A1、銅Cu或者招或銅的合金(比如AlS1、AlCu或者AlSiCu)作為主成分。根據(jù)其他的實施例，集電極320可包括一個、兩個、三個或者多個子層，其中每個子層包括鎳N1、鈦11、銀48、金411、鎢1、鉬Pt和/或鈀Pd中的至少一種作為主成分。例如，子層可包括金屬硅化物、金屬氮化物、或包括N1、T1、Ag、Au、W、Pt和/或Pd的金屬合金。對于IGBT，第二電極結(jié)構(gòu)320提供集電極，該集電極可提供半導(dǎo)體器件500的集電端C，或可電連接至半導(dǎo)體器件500的集電端C。
[0065]在漂移層120中，可在集電層130和漂移區(qū)120之間提供場截止層128。場截止層128的平均凈雜質(zhì)濃度可在5xl015cm_3至lxl017cm_3之間。根據(jù)實施例，電場截止層128的平均凈雜質(zhì)濃度超過至少五倍的漂移區(qū)121的平均凈雜質(zhì)濃度。舉例說明，漂移區(qū)121的的平均凈雜質(zhì)濃度可在5xl012cm_3至5xl014m_3之間。對于IGFET,第一導(dǎo)電類型的重?fù)诫s的接觸層替代集電層130，且第二電極結(jié)構(gòu)320提供漏電極，該漏電極可提供半導(dǎo)體器件500的漏端，或可電連接至半導(dǎo)體器件500的漏端。
[0066]第二埋置電極525提供絕緣柵電極Ga。施加于絕緣柵電極Ga的電位控制少數(shù)載流子在體區(qū)115的溝道部分115a中的分布，其中溝道部分115a鄰接在源區(qū)110和漂移層120之間的第二單元溝槽結(jié)構(gòu)520。如果在正向偏壓模式下，施加于絕緣柵電極Ga的電位超過預(yù)定閾值電壓，則在體區(qū)115中沿第二絕緣層526 (是有效的柵極絕緣層)形成第一導(dǎo)電類型的反型溝道，并且形成源區(qū)110和漂移層120之間的導(dǎo)通電流。絕緣柵電極Ga可電連接至第三電極結(jié)構(gòu)330，該第三電極結(jié)構(gòu)330可提供半導(dǎo)體器件500的柵端G或可電連接或電耦合至半導(dǎo)體器件500的柵端G。
[0067]第一單元溝槽結(jié)構(gòu)510之間的第二半導(dǎo)體臺面150b可包括或者可不包括源區(qū)110。在后面的情形下，體區(qū)115可在第一表面101和漂移層120之間延伸。
[0068]第一單元溝槽結(jié)構(gòu)510提供可電連接至半導(dǎo)體器件500的發(fā)射端E的埋置源電極S。絕緣柵電極Ga與埋置源電極S絕緣。至少第二單元溝槽結(jié)構(gòu)520可包括在第一表面101和第二埋置電極525之間的覆蓋絕緣體210，以減少絕緣柵電極Ga和源區(qū)110之間的重疊。其他實施例可提供給一些或者所有第二半導(dǎo)體臺面150b接觸。
[0069]介電的包覆層220可將至少第二單元溝槽結(jié)構(gòu)520和第二半導(dǎo)體臺面150b與沉積在由第一表面101定義的側(cè)面處的第一電極結(jié)構(gòu)310介電絕緣。第一接觸結(jié)構(gòu)315電連接第一電極結(jié)構(gòu)310與第一半導(dǎo)體臺面150a和直接鄰接第一半導(dǎo)體臺面150a的第一單元溝槽結(jié)構(gòu)510。第二接觸結(jié)構(gòu)316電連接第一電極結(jié)構(gòu)310與不直接鄰接第一半導(dǎo)體臺面150a的其他第一單元溝槽結(jié)構(gòu)510。
[0070]第一接觸結(jié)構(gòu)315中的每一個包括在包覆層220的開口中的第一部分315a以及在第一半導(dǎo)體臺面150a和直接鄰接第一半導(dǎo)體臺面150a的第一單元溝槽結(jié)構(gòu)510之間的第二部分315b。第二部分315b從第一表面101延伸至半導(dǎo)體部分100中。第一表面101和第二部分315b的埋置邊沿之間的第二距離d2大于第一距離dl，且小于第三距離d3。
[0071]第一接觸結(jié)構(gòu)315的第二部分315b可具有大致垂直的側(cè)壁。根據(jù)一個實施例，第二部分315b的側(cè)壁隨著距第一表面101的距離的增加而成錐形。
[0072]根據(jù)一個實施例，第一接觸結(jié)構(gòu)315的第二部分315b的第一側(cè)壁歪向第一表面101，并且直接鄰接第一半導(dǎo)體臺面150a。第一接觸結(jié)構(gòu)315的第二部分315b的第二側(cè)壁歪向第一表面101，并且直接鄰接第一埋置電極515。朝向第一半導(dǎo)體臺面150a的第一側(cè)壁和朝向第一埋置電極515的第二側(cè)壁可具有完全相同的斜角。相對于第一接觸結(jié)構(gòu)315的第二部分315b的第一側(cè)壁，第二側(cè)壁可以更大的角度偏離垂直于第一表面101的方向。
[0073]第一接觸結(jié)構(gòu)315的第二部分315b位于第一絕緣層516的第一部分的垂直投影中。第一絕緣層516可具有統(tǒng)一的寬度，其中第一絕緣層516的寬度可等于或者小于第一接觸結(jié)構(gòu)315的第二部分315b的寬度。第一接觸結(jié)構(gòu)315足夠深以提供直接的接觸給體區(qū) 115。
[0074]重?fù)诫s的接觸區(qū)117可沿第一接觸結(jié)構(gòu)315的界面形成于第一半導(dǎo)體臺面150a的體區(qū)115中。第二電極結(jié)構(gòu)310以及第三電極結(jié)構(gòu)330分別地可包括至少一個阻擋層
311、331。舉例說明，阻擋層可具有在5nm至lOOnm范圍內(nèi)的統(tǒng)一厚度，并且可由下列成分組成或包含下列成分:例如氮化鈦TiN、氮化鉭TaN、鎢化鈦TiW、鈦Ti或鉭Ta的層。主層
312、332可由下列成分組成或包含下列成分:鎢或者基于鎢的金屬(比如鎢化鈦TiW)、重?fù)诫s的多晶硅、碳C、鋁A1、銅Cu或者鋁和銅的合金(例如AlCu或者AlSiCu)。
[0075]第一接觸結(jié)構(gòu)和第二接觸結(jié)構(gòu)315、316可以是固態(tài)的接觸結(jié)構(gòu)，可包括多孔層，或可包括如圖2所示的孔洞。源區(qū)110可以窄的長條形式被提供，并且可在平行于長條狀的第一單元溝槽結(jié)構(gòu)和第二單元溝槽結(jié)構(gòu)510、520的橫向方向上與體區(qū)115的部分相間。
[0076]導(dǎo)致接觸結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體臺面之間未對齊的不同的光刻層的不確定性和不等性，通常將最小臺面寬度限制在約600nm。作為代替，圖4A至4D中的半導(dǎo)體器件500有利于縮小半導(dǎo)體臺面的寬度至小于300nm，例如小于200nm。
[0077]為增加短路承受度，進(jìn)一步的實施例涉及第一溝槽結(jié)構(gòu)和第二溝槽結(jié)構(gòu)510、520的布局修改，以進(jìn)一步減少有效溝道的寬度，例如通過分割第二單元溝槽結(jié)構(gòu)520，或者通過局部地增加第二絕緣層526的厚度。
[0078]雖然本文中舉例說明和描述了特定的實施例，但在不脫離本發(fā)明的范圍情況下，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可領(lǐng)會各種可替代所示和所描述的特定的實施例的替代和/或等效的實現(xiàn)方式。本申請旨在涵蓋本文所討論的特定的實施例的任何改編或者變化。因此，本發(fā)明旨在僅由權(quán)利要求及其等同物限制。
[0079]如上面已經(jīng)提到的，上述實施例僅以說明為目的，并且不應(yīng)以任何方式解釋為對本申請范圍的限制。
【權(quán)利要求】
1.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括: 提供從第一表面延伸至半導(dǎo)體部分中的第一單元溝槽結(jié)構(gòu)和第二單元溝槽結(jié)構(gòu)，其中所述第一單元溝槽結(jié)構(gòu)包括第一埋置電極以及在所述第一埋置電極和半導(dǎo)體臺面之間的第一絕緣層，所述半導(dǎo)體臺面分隔所述第一單元溝槽結(jié)構(gòu)和所述第二單元溝槽結(jié)構(gòu)； 提供覆蓋所述第一表面的包覆層； 圖形化所述包覆層以形成具有最小寬度大于所述第一絕緣層的厚度的開口，所述開口暴露在所述第一表面處的所述第一絕緣層的第一垂直部分； 除去所述第一絕緣層的暴露部分以在所述半導(dǎo)體臺面和所述第一埋置電極之間形成凹部；以及 在所述凹部和所述開口中提供接觸結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括 在所述半導(dǎo)體臺面中，沿所述第一表面形成第一導(dǎo)電類型的源區(qū)和在距所述第一表面為第一距離處形成互補(bǔ)的第二導(dǎo)電類型的體區(qū)，所述第一距離小于所述凹部的垂直延伸。
3.如權(quán)利要求2所述的方法， 其中所述源區(qū)被形成以從所述第一單元溝槽結(jié)構(gòu)延伸至所述第二單元溝槽結(jié)構(gòu)，并分隔所述體區(qū)與所述第一表面。
4.如權(quán)利要求1所述的方法， 其中除所述第一絕緣層的所述第一垂直部分之外，所述開口被形成以暴露所述第一埋置電極的部分和所述半導(dǎo)體臺面的部分。
5.如權(quán)利要求1所述的方法， 其中形成所述凹部的步驟包括沿所述半導(dǎo)體臺面和所述第一埋置電極，選擇性蝕刻所述第一絕緣層。
6.如權(quán)利要求1所述的方法， 其中在所述包覆層中形成所述開口以及在所述半導(dǎo)體臺面和所述第一埋置電極之間形成所述凹部被結(jié)合在單個的原位制程中。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括 在提供所述接觸結(jié)構(gòu)之前，橫向地擴(kuò)寬所述凹部。
8.如權(quán)利要求1所述的方法， 其中形成所述凹部包括原位橫向地擴(kuò)寬所述凹部。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括 在提供所述接觸結(jié)構(gòu)之前，通過等離子體注入，在被所述凹部暴露的所述半導(dǎo)體臺面的側(cè)壁部分中注入所述第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括 在提供所述接觸結(jié)構(gòu)之前，通過離子束注入，在被所述凹部暴露的所述半導(dǎo)體臺面的側(cè)壁部分中注入所述第二導(dǎo)電類型的雜質(zhì)。
11.一種制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括: 將第一單元溝槽和第二單元溝槽從第一表面引入至半導(dǎo)體襯底中，其中第一半導(dǎo)體臺面形成于所述第一單元溝槽和所述第二單元溝槽之間，并且第二半導(dǎo)體臺面形成于所述第一單元溝槽之間； 沿著至少所述第一單元溝槽的側(cè)壁提供第一絕緣層； 在所述第一單元溝槽中在所述第一絕緣層上提供第一埋置電極； 提供覆蓋所述第一表面的包覆層； 圖形化所述包覆層以形成具有最小寬度大于所述第一絕緣層的厚度的第一開口和第二開口，所述第一開口暴露鄰接所述第一半導(dǎo)體臺面的所述第一絕緣層的第一垂直部分，所述第二開口暴露位于所述第二半導(dǎo)體臺面之間的所述第一單元溝槽的所述第一埋置電極； 除去所述第一絕緣層的暴露部分以在所述第一半導(dǎo)體臺面和所述第一埋置電極之間形成凹部；以及 沉積導(dǎo)電材料以形成在所述凹部和所述第一開口中的第一接觸結(jié)構(gòu)和在所述第二開口中的第二接觸結(jié)構(gòu)。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，進(jìn)一步包括: 在提供所述第一接觸結(jié)構(gòu)之前擴(kuò)寬所述凹部。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，進(jìn)一步包括 在提供所述第一接觸結(jié)構(gòu)之前，通過離子束注入，在被所述凹部暴露的所述第一半導(dǎo)體臺面的側(cè)壁部分中注入雜質(zhì)。
14.一種半導(dǎo)體器件包括: 從第一表面延伸至半導(dǎo)體襯底中的第一單元溝槽結(jié)構(gòu)和第二單元溝槽結(jié)構(gòu)，其中第一半導(dǎo)體臺面分隔所述第一單元溝槽結(jié)構(gòu)和所述第二單元溝槽結(jié)構(gòu)，并且第二半導(dǎo)體臺面分隔所述第一單元溝槽結(jié)構(gòu)，所述第一單元溝槽結(jié)構(gòu)分別地包括第一埋置電極和第一絕緣層，所述第一絕緣層的第一垂直部分分隔所述第一埋置電極與所述第一半導(dǎo)體臺面； 在所述第一表面上的包覆層； 第一接觸結(jié)構(gòu)，每個第一接觸結(jié)構(gòu)均包括在所述包覆層的開口中的第一部分和在所述第一半導(dǎo)體臺面其中的一個與直接鄰接相應(yīng)的所述第一半導(dǎo)體臺面的所述第一埋置電極其中的一個之間的第二部分。
15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中 所述第一接觸結(jié)構(gòu)的所述第二部分的第一側(cè)壁直接鄰接所述第一半導(dǎo)體臺面，和 第二側(cè)壁直接鄰接所述第一埋置電極，且至少所述第二側(cè)壁以小于90度傾向所述第一表面101。
16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件， 其中所述第一側(cè)壁和所述第二側(cè)壁隨著距所述第一表面的距離的增加而形成錐形，以及相對于所述第一接觸結(jié)構(gòu)的所述第二部分的所述第一側(cè)壁，所述第二側(cè)壁以更大的角度偏離所述第一表面的法線。
17.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括 第二接觸結(jié)構(gòu)，每個第二接觸結(jié)構(gòu)形成于所述包覆層的開口中，并直接鄰接所述第二半導(dǎo)體臺面的兩個之間的所述第一埋置電極其中的一個電極。
18.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件， 其中所述第一絕緣層具有統(tǒng)一的寬度。
19.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件， 其中所述第一絕緣層的寬度等于或者小于所述第一接觸結(jié)構(gòu)的所述第二部分的寬度。
20.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件， 其中所述第一接觸結(jié)構(gòu)的所述第二部分位于所述第一絕緣層的所述第一垂直部分的垂直投影中。
【文檔編號】H01L29/423GK104347424SQ201410374151
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2014年7月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月9日
【發(fā)明者】J·G·拉文, M·科托羅格亞, H-J·舒爾策, H·伊塔尼, E·格瑞布爾, A·哈格霍弗 申請人:英飛凌科技股份有限公司