透明導體和包含該透明導體的光學顯示裝置制造方法
【專利摘要】本申請公開了透明導體和包含該透明導體的光學顯示裝置。更具體地說，本申請公開了透明導體，所述透明導體包含基底層以及在基底層的一面或兩面上形成的透明導電膜，所述透明導電膜包含金屬納米線，其中所述基底層為延遲膜；本申請還公開了包含該透明導體的光學顯示裝置。
【專利說明】透明導體和包含該透明導體的光學顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及透明導體和包含該透明導體的光學顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002] 透明導體已用于多種應用，包括用于顯示設備的觸摸屏面板和柔性顯示器等，因 此近年來已對透明導體進行了積極的研究。透明導體不僅需要在透明度、薄層電阻等方面 具有良好的基本性質(zhì)，而且還需要具有彎曲性質(zhì)以滿足將應用擴展至柔性顯示器的需求。 近來，已開發(fā)了透明導體，其中形成了包括金屬納米線（諸如銀納米線等）的導電層。此類 透明導體具有良好彎曲性質(zhì)的優(yōu)點。當用于顯示器中時，普通透明導體的對比度隨觀察者 觀看顯示器的角度而變化。而且普通透明導體在穿過液晶的過程中具有較差的視角延遲結(jié) 果。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明的透明導體可包括基底層；和在所述基底層的一面或兩面上形成的透明導 電膜，所述透明導電膜包含金屬納米線，其中所述基底層可為延遲膜。
[0004] 本發(fā)明的光學顯示裝置可包括所述透明導體。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0005] 圖1舉例說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的透明導體的截面視圖。
[0006] 圖2舉例說明根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式的透明導體的截面視圖。
[0007] 圖3舉例說明根據(jù)本發(fā)明的其它實施方式的透明導體的截面視圖。
[0008] 圖4舉例說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的透明導體的示意圖。
[0009] 圖5舉例說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的光學顯示裝置的截面視圖。
[0010] 圖6舉例說明根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式的光學顯示裝置的截面視圖。
[0011] 圖7舉例說明根據(jù)本發(fā)明的進一步的實施方式的光學顯示裝置的截面視圖。

【具體實施方式】
[0012] 現(xiàn)在將更詳細地描述本發(fā)明的某些實施方式，這樣它們可容易地由本領(lǐng)域普通技 術(shù)人員參考附圖而實施。本發(fā)明可以不同方式實施而不限于下列實施方式。在附圖中，為清 楚起見將省略與本發(fā)明的實施方式的描述無關(guān)的元素。在整個附圖和說明書中將使用相同 的附圖標記指示相同或類似的部件。如本文所用，參考附圖來定義術(shù)語諸如"上面"和"下 面"。因此，應理解，當從不同角度觀看時，術(shù)語"上面"可與術(shù)語"下面"互換使用。
[0013] 在本申請中，"R〇"意指"平面內(nèi)方向的延遲值"并且可由式1定義：
[0014] [式 1]
[0015] Ro= (ηχ-ny)Xd
[0016] 在式1中，nx和ny分別為膜的X-軸和膜的y-軸的折射率，并且d為以nm計的 膜的厚度。
[0017] 在本申請中，"Rth"意指"厚度方向的延遲值"并且可由式2定義：
[0018] [式 2]
[0019] Rth= ((nx+ny)/2-nz)Xd
[0020] 在式2中，nx、ny和nz分別為膜的x-軸、膜的y-軸和膜的z-軸的折射率，并且 d為以nm計的膜的厚度。
[0021] 在本申請的實施方式中，折射率由nx、ny或nz表示，可分別在450nm、550nm和 65〇nm波長，通過使用AxoScan(Axometrics,Inc.)測量。
[0022] 在本申請中，"（甲基）丙烯?；?可意指丙烯?；?或甲基丙烯酰基。
[0023] 根據(jù)本發(fā)明的實施方式的透明導體可包括基底層；和在基底層的一面或兩面上形 成的透明導電膜?；讓涌蔀檠舆t膜，因此本發(fā)明的透明導體可具有補償視角的效應。
[0024] 在下文，將參考圖1和圖4描述本發(fā)明的實施方式。
[0025] 圖1舉例說明根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的透明導體的截面視圖。且圖4舉例說 明根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的透明導體的示意圖。參見圖4,根據(jù)本發(fā)明的一個實施方 式的透明導體100的X-軸的方向與基底層110的縱向MD相同，y-軸的方向與基底層110 的橫向TD相同，且Z-軸的方向與基底層110的厚度方向相同。在圖4中，X-軸、y-軸和 Z-軸彼此正交。盡管圖4舉例說明了具有在其一面上形成的透明導電膜的透明導體，但該 圖還適用于具有在其兩面上形成的透明導電膜的透明導體。
[0026] 參見圖1，根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，透明導體100可包括基底層110 ;和在基底 層110上形成的第一透明導電膜120。基底層110可為延遲膜，這樣透明導體100由于良好 的波長色散可補償延遲。
[0027] 在一個實施方式中，透明導體100自身補償了λ/2或λ/4延遲。例如，透明導體 100在450nm的波長處可具有120nm至150nm或120nm至135nm的Ro值。且透明導體100 的Ro值在550nm的波長處可為135nm至155nm或140nm至150nm。并且，透明導體100的 Ro值在650nm的波長處可為130nm至155nm或145nm至155nm。
[0028] 在一個實施方式中，透明導體100在450nm的波長處可具有50nm至70nm的Rth 值。且透明導體100的Rth值在550nm的波長處可為50nm至80nm或65nm至75nm。并且， 透明導體100的Rth值在650nm的波長處可為50nm至80nm或65nm至75nm。
[0029] 在一個實施方式中，透明導體100在450nm、550nm或650nm的各個波長處可具有 I. 50nm至I. 65nm的nx值。且透明導體100的ny值在450nm、550nm或650nm的各個波長 處可為I. 50nm至I. 65nm。并且，透明導體100的nz值在450nm、550nm或650nm的各個波 長處可為I. 50nm至I. 65nm。
[0030] 在一個實施方式中，透明導體100可具有0. 9至I. 1的B/A，該B/A為在450nm的 波長處的Ro值B(以nm計）與在550nm的波長處的Ro值A(chǔ)(以nm計）之比。在該B/A的 范圍內(nèi)，可實現(xiàn)改善的視角和增強的可見度。例如，B/A可為0. 9至1. 06。
[0031] 在另一個實施方式中，透明導體100可具有0. 9至I. 1的C/A，該C/A為在650nm 的波長處的Ro值C(以nm計）與在550nm的波長處的Ro值A(chǔ)(以nm計）之比。在該C/A 的范圍內(nèi)，可實現(xiàn)改善的視角和增強的可見度。例如，C/A可為1. 001至1. 1。
[0032] 透明導體100在可見光范圍內(nèi)（例如在400nm至700nm的波長處）可呈現(xiàn)透明性。 在一個實施方式中，如使用霧度計在400nm至700nm的波長處測量的，透明導體100可具有 0%至1.5% (例如0.01%至1.5%)的霧度值，和90%或以上至100%或以下（例如90% 至95%)的總透射率。在該范圍內(nèi)，透明導體可呈現(xiàn)良好的透明性并且可用作透明導體。
[0033] 如使用4-Pin探針測量的，透明導體100可具有150(Ω/ □)或以下（例如 50(Ω/ □)至150(Ω/ □)、或30(Ω/ □)至1〇〇(Ω/ □))的薄層電阻。在該范圍內(nèi)，由 于薄層電阻較低，透明導體可用作觸摸面板的電極膜，并且可適用于大的觸摸面板。
[0034] 透明導體100可具有10μm至250μm(例如50μm至150μm)的厚度，但不限于 此。在該范圍內(nèi)，透明導體可用作透明電極膜，如用于觸摸面板（包括柔性觸摸面板）的透 明電極膜。
[0035] 透明導體100可用作諸如觸摸面板、電子紙（E-paper)或太陽能電池的裝置的透 明電極膜。
[0036] 基底層110可為延遲膜，并且透明導體可具有補償視角的效應。在一個實施方式 中，基底層可為λ/2或λ/4延遲膜。
[0037] 在一個實施方式中，基底層在450nm的波長處可具有120nm至150nm或125nm至 140nm的Ro值。且基底層的Ro值在550nm的波長處可為50nm至280nm、50nm至200nm、 250nm至280nm、130nm至155nm或140nm至150nm。并且，基底層的Ro值在650nm的波長 處可為 130nm至 155nm或 145nm至 155nm。
[0038] 在一個實施方式中，基底層在450nm的波長處可具有50nm至70nm或55nm至65nm 的Rth值。且基底層的Rth值在550nm的波長處可為30nm至200nm、30nm至80nm、60nm至 80nm或65nm至75nm。并且，基底層的Rth值在650nm的波長處可為60nm至90nm或73nm 至 85nm〇
[0039] 在一個實施方式中，基底層在450nm、550nm或650nm的各個波長處可具有I. 50nm 至I. 65nm的nx值。且基底層的ny值在450nm、550nm或650nm的各個波長處可為I. 50nm 至I. 65nm。并且，基底層的nz值在450nm、550nm或650nm的各個波長處可為I. 50nm至 L65nm〇
[0040] 在一個實施方式中，基底層可為λ/2延遲膜，其在550nm的波長處可具有250nm 至280nm的平面內(nèi)方向的延遲值（Ro)，以及50nm至200nm的厚度方向的延遲值（Rth)。在 另一個實施方式中，基底層可為/4延遲膜，其在55〇111]1的波長處可具有13〇111]1至15〇111]1 的平面內(nèi)方向的延遲值（Ro),以及30nm至80nm的厚度方向的延遲值（Rth)。
[0041] 在一個實施方式中，基底層可為延遲PC膜，其在450nm、550nm或650nm的各個波 長處可具有I. 50nm至I. 65nm的nx值、I. 50nm至I. 65nm的ny值、I. 50nm至I. 65nm的nz 值。在另一個實施方式中，基底層可為延遲COP膜，其在450nm、550nm或650nm的各個波長 處可具有I. 55nm至I. 65nm的nx值、I. 55nm至I. 65nm的ny值、I. 50nm至I. 65nm的nz值。
[0042] 基底層110可為具有透明性的膜。在一個實施方式中，基底層在550nm的波長處 可具有的膜具有85%至100% (例如90%至99%)的透射率。
[0043] 基底層110可包括用光學透明樹脂形成的膜，但不限于，聚碳酸酯樹脂、環(huán)烯烴樹 脂膜、聚酯樹脂膜、非環(huán)狀聚烯烴樹脂膜、聚砜樹脂膜、聚酰亞胺樹脂膜、硅酮樹脂膜、聚苯 乙烯樹脂膜、聚丙烯酰類（POlyacryl)樹脂膜或聚氯乙烯樹脂膜。聚酯可包括例如，聚對苯 二甲酸乙二醇酯（PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯等。
[0044] 基底層110可為單層樹脂膜或為兩個或更多個樹脂膜堆疊的層壓材料。
[0045] 基底層110可具有ΙΟμπι至200μπι(例如50μπι至150μπι)的厚度。在該范圍內(nèi)， 透明導體在用于顯示器中時可提供補償視角的效應。
[0046] 如圖1中未示出的，功能層可進一步堆疊在基底層110的一面或兩面。功能層包括 硬涂層、抗腐蝕層、抗眩光涂層、粘結(jié)促進劑、用于防止低聚物洗脫的涂層等的一個或多個， 但并不限于此。
[0047]第一透明導電膜120可為導電層，包括由金屬納米線形成的導電網(wǎng)。因此，第一透 明導電膜120可呈現(xiàn)導電性，并且提供優(yōu)異的柔性和彎曲性質(zhì)。因此，透明導電膜可通過包 括蝕刻等的圖案化方法形成電極以確保柔性，且由此可用于柔性設備。
[0048]第一透明導電膜120可包括基質(zhì)；和浸漬于基質(zhì)中的金屬納米線的導電網(wǎng)?；|(zhì) 可提高基底層110與第一透明導電膜120的粘結(jié)性以及提高耐溶劑性，并且防止金屬納米 線暴露而防止氧化。基質(zhì)可用包含粘結(jié)劑和引發(fā)劑的組合物形成。在一個實施方式中，第 一透明導電膜可包括13wt%至23wt%的金屬納米線，以及77wt%至87wt%的基質(zhì)。在該 范圍內(nèi)，透明導電膜可確保導電性，并且可期望其提高與基底層的粘結(jié)性。
[0049]在一個實施方式中，第一透明導電膜120可包括金屬納米線層（其包含金屬納米 線、粘結(jié)劑和引發(fā)劑的固化產(chǎn)物）和在金屬納米線層上的外涂層（其包含粘結(jié)劑和引發(fā)劑 的固化產(chǎn)物）。第一透明導電膜120可通過如下制備：在基底層上涂覆并干燥包含金屬納 米線、溶劑、粘結(jié)劑和添加劑（例如，增稠劑等）的金屬納米線層組合物以形成金屬納米線 網(wǎng)的涂層（例如，濕的薄涂覆層），以及在涂層上涂覆并固化包含粘結(jié)劑、溶劑和引發(fā)劑的 外涂層組合物。當涂覆外涂層組合物時，其可滲透并填充金屬納米線網(wǎng)空的區(qū)域，然后可被 固化以形成第一透明導電膜的基質(zhì)。在第一透明導電膜中，在金屬納米線層上形成外涂層 以防止金屬納米線的氧化。通過降低金屬納米線層的表面的粗糙度能夠?qū)⑷魏螌訅翰牧戏€(wěn) 定地堆疊在第一透明導電膜上。金屬納米線層可在外涂層上形成并且結(jié)合到外涂層中。術(shù) 語"結(jié)合（incorporated) "意指金屬納米線層和外涂層不是通過粘合劑層等彼此鍵合,并且 不具有獨立可分離的形式。
[0050]在另一個實施方式中，第一透明導電膜120可包括金屬納米線層（其包含金屬納 米線、粘結(jié)劑和引發(fā)劑的固化產(chǎn)物），并且可通過如下制備：在基底層上涂覆并固化包含金 屬納米線、粘結(jié)劑、引發(fā)劑、添加劑（例如，增稠劑、分散劑等）和溶劑的第一透明導電膜組 合物。
[0051] 由于納米線的形狀，金屬納米線具有比金屬納米顆粒好得多的可分散性。此外，由 于顆粒與納米線之間的形狀的差異，金屬納米線可顯著降低第一透明導電膜的薄層電阻。
[0052] 金屬納米線可具有超細線形狀，該超細線形狀具有特定截面。在一個實施方式中， 金屬納米線具有10至1，〇〇〇的縱橫比L/d，縱橫比為金屬納米線的長度L與截面的直徑d 之比。在該范圍內(nèi)，甚至在低密度的納米線中，可實現(xiàn)具有高導電率的網(wǎng)以及具有低薄層電 阻的透明導體。例如，縱橫比可為500至1，000,例如500至700。
[0053] 金屬納米線可具有大于Onm至IOOnm或以下的截面直徑（d)。在該范圍內(nèi)，由于高 的L/d，可實現(xiàn)具有高導電率和低薄層電阻的透明導體。例如，直徑可為30nm至IOOnm(例 如 60nm至IOOnm)。
[0054] 金屬納米線可具有不少于20μm的長度（L)。在該范圍內(nèi)，由于高的L/d，可實現(xiàn) 具有高導電率和低薄層電阻的透明導體。例如，長度可為20μπι至50μπι。
[0055] 金屬納米線可包括由任何適合的金屬制備的納米線。例如，金屬納米線可包括由 銀、銅、金或其混合物制備的納米線。作為舉例說明，納米線可由銀或含銀混合物制備。
[0056] 金屬納米線可通過本領(lǐng)域中常用的任何適合的方法來制備，或可為商購的產(chǎn)品。 例如，金屬納米線可通過在多元醇和聚乙烯吡咯烷酮存在下還原金屬鹽（例如，硝酸銀、 AgNO3)而合成。或者，金屬納米線可包括由CambriosTechnologiesCorporation商購的 產(chǎn)品（例如，ClearOhnT油墨，包含金屬納米線的溶液）。
[0057] 第一透明導電膜120可包含不少于13wt% (例如13wt%至23wt% )的金屬納米 線。在該范圍內(nèi)，第一透明導電膜可具有足夠的導電率，并且形成導電網(wǎng)絡。
[0058] 粘結(jié)劑可包含于金屬納米線層組合物、外涂層組合物或透明導電膜組合物中。粘 結(jié)劑可包含一種或多種具有可固化官能團（例如，（甲基）丙烯酸酯基）的單體和低聚物。 在一個實施方式中，粘結(jié)劑可包含氨基甲酸酯（甲基）丙烯酸酯低聚物、（甲基）丙烯酸酯 類的單官能單體或（甲基）丙烯酸酯類的多官能單體中的一種或多種。
[0059](甲基）丙烯酸酯類的單官能單體或（甲基）丙烯酸酯類的多官能單體可包括具 有不少于1 (例如1至6)的官能度的（甲基）丙烯酸單體，例如具有1個碳原子至20個碳 原子的直鏈烷基的（甲基）丙烯酸酯、具有3個碳原子至20個碳原子的支鏈烷基的（甲 基）丙烯酸酯、具有1個碳原子至20個碳原子的羥基的（甲基）丙烯酸酯、具有3個碳原 子至20個碳原子的環(huán)脂族基團的（甲基）丙烯酸酯、具有3至20個碳原子的多價醇的多 官能（甲基）丙烯酸酯及其混合物。
[0060] 例如，（甲基）丙烯酸酯類的單官能單體可包括但不限于（甲基）丙烯酸異冰片 酯、（甲基）丙烯酸環(huán)戊酯或（甲基）丙烯酸環(huán)己酯等。
[0061] 例如，（甲基）丙烯酸酯類的多官能單體可包括但不限于二（甲基）丙烯酸三羥 甲基丙烷酯、三（甲基）丙烯酸三羥甲基丙烷酯、四（甲基）丙烯酸二三羥甲基丙烷酯、三 (甲基）丙烯酸季戊四醇酯、四（甲基）丙烯酸季戊四醇酯、三（2-羥基乙基）異氰脲酸酯 三（甲基）丙烯酸酯、三（甲基）丙烯酸甘油酯、二（甲基）丙烯酸乙二醇酯、二（甲基） 丙烯酸新戊二醇酯、二（甲基）丙烯酸己二醇酯、五（甲基）丙烯酸二季戊四醇酯、六（甲 基）丙烯酸二季戊四醇酯或二（甲基）丙烯酸環(huán)癸烷二甲醇酯等。
[0062] 引發(fā)劑可為任何適合的引發(fā)劑，沒有限制，只要其在150nm至500nm的吸收波長處 吸收光以誘發(fā)光反應。例如，引發(fā)劑可包括氧化膦引發(fā)劑或α-羥基酮引發(fā)劑等。例如，弓丨 發(fā)劑可包括雙-?；?氧化膦、二苯基（2, 4, 6-三甲基苯甲?；┭趸?、1-羥基環(huán)己基苯 基酮或其混合物。
[0063] 添加劑可包括增稠劑或分散劑等，并且可包含于含有金屬納米線的溶液（例如， 由CambriosTechnologiesCorporation購得的ClearOhm?油墨）中以提供金屬納米線。[0064]溶劑可包括主要溶劑和共溶劑。主要溶劑可包括水和丙酮等，并且共溶劑可包括 醇，例如用于水和丙酮混溶的甲醇等。
[0065] 在一個實施方式中，第一透明導電膜120可為以下組合物的固化產(chǎn)物，該組合物 基于固體的總重量包含13wt%至23wt%的金屬納米線、75wt%至85wt%的粘結(jié)劑和lwt% 至3wt%的引發(fā)劑。在該范圍內(nèi)，可用單一涂覆來實現(xiàn)減少工藝次數(shù)的效果。
[0066] 在另一個實施方式中，第一透明導電膜120可為以下組合物的固化產(chǎn)物，該組合 物基于固體的總重量包含13wt%至23wt%的金屬納米線、75wt%至85wt%的粘結(jié)劑和添 加劑以及Iwt%至3wt%的引發(fā)劑。在該范圍內(nèi)，可用單一涂覆來實現(xiàn)減少工藝次數(shù)的效 果。
[0067] 第一透明導電膜120可具有IOnm至1μm(例如50nm至500nm)的厚度，更具體 為IOOnm至200nm。在該范圍內(nèi)，第一透明導體可用作觸摸面板的膜。
[0068] 在下文，將參考圖2描述本發(fā)明的實施方式。圖2舉例說明根據(jù)本發(fā)明的另一個 實施方式的透明導體的截面視圖。參見圖2,根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式的透明導體100 可包括基底層110、在基底層110的上面上形成的第一透明導電膜120并且另一個第一透明 導電膜120可在基底層110的下面上形成，其中基底層110可為延遲膜。在圖2中，透明導 體基本上與圖1中根據(jù)本發(fā)明的實施方式的透明導體相同，除了第二透明導電膜進一步在 基底層的下面上形成以外。
[0069] 參見圖3,在下文描述根據(jù)本發(fā)明的其它實施方式的透明導體。參見圖3,根據(jù)本 發(fā)明的其它實施方式的透明導體100'可包括基底層110、在基底層110的上面上形成的第 一透明導電膜120和在基底層110的下面上形成的第二透明導電膜130,其中基底層110可 為延遲膜。在圖3中，透明導體基本上與圖1中根據(jù)本發(fā)明的實施方式的透明導體相同，除 了第二透明導電膜進一步在基底層的下面上形成以外。
[0070] 第二透明導電膜130可在基底層110的另一面上形成，基底層100在一面上具 有第一透明導電膜120。因此，第二透明導電膜130可進一步支撐基底層110。第二透明 導電膜130可通過包含導電材料體現(xiàn)出導電性。導電材料可包括碳-納米管或金屬納米 線和導電聚合物的混合物。導電聚合物可包括PEDOT(聚（3, 4-亞乙基二氧基噻吩））或 PED0T:PSS(聚（3, 4-亞乙基二氧基噻吩：聚苯乙烯磺酸酯）等。
[0071] 在一個實例中，第二透明導電膜130的厚度可與第一透明導電膜120的厚度相同 或不同。在一個實施方式中，第二透明導電膜130的厚度可與第一透明導電膜120的厚度 相同，以在圖案化后實現(xiàn)相同的電阻。具體地說，第二透明導電膜130的厚度可為IOnm至 1μm、50nm至 500nm、或IOOnm至 200nm。
[0072] 在下文，將詳細描述實施方式的裝置。根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的裝置可包括 根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的透明導體或其圖案化的形式。例如，該裝置可包括但不限于 光學顯示裝置、電子紙或太陽能電池。光學顯示裝置可包括觸摸面板、觸摸屏面板或柔性顯 不器等。
[0073] 在下文，將參考圖5至圖7描述根據(jù)本發(fā)明的實施方式的光學顯示裝置。圖5至 圖7是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的光學顯示裝置的截面視圖。
[0074] 參見圖5,上述實施方式的光學顯示裝置200可包括透明電極組件230,其包含基 底層110、基底層110的上面上的第一電極255和第二電極260以及基底層110的下面上 的第三電極265和第四電極270 ;第一電極255和第二電極260的上面上方（over)的視窗 205 ;第三電極265和第四電極270下面上方的第一偏振板235 ;在第一偏振板235的下面上 的彩色濾光器（CF)240 ;在CF240的下面上包含薄膜晶體管（TFT)245的面板；和在TFT245 的下面上的第二偏振板250。透明電極組件230可通過如下制造：圖案化另一個實施方式 的透明導體或進一步包括在基底層的下面上形成的第一透明導電膜的一個實施方式的透 明導體。
[0075] 透明電極組件230可通過如下制備：使用給定方法（例如，蝕刻等）分別圖案化第 一透明導電膜120和第二透明導電膜130以形成第一電極255、第二電極260、第三電極265 和第四電極270。而且，基底層110可為延遲膜，且因此具有補償視角的效應，例如用于光穿 過第二偏振板250、CF240、TFT245和第一偏振板235傳播。
[0076] 第一電極255和第二電極260可為Rx電極，且第三電極265和第四電極270可為 Tx電極,或者反之亦然。
[0077] 視窗205可在光學顯示裝置中進行屏幕顯示功能并且可由任何適合的玻璃材料 或塑料膜制備。第一偏振板235和第二偏振板250可使外部或內(nèi)部的光偏振以賦予光學顯 示裝置偏振能力，并且可包括偏振器或偏振器和保護膜的層壓材料。而且，偏振器和保護膜 可包括通常用于偏振板領(lǐng)域的任何一個。
[0078] 粘合劑膜210、212可分別放置在視窗205與透明電極組件230之間，以及在透明 電極組件230與第一偏振板235之間，從而保持透明電極組件230、視窗205和第一偏振板 235之間的粘結(jié)性。粘合劑膜210、212可為本領(lǐng)域中通常使用的任何適合的粘含劑膜，例 如，光學透明的粘合劑（OCA)膜。
[0079] 參見圖6,另一個實施方式的光學顯示裝置300可包括透明電極組件330,其包含 基底層110、基底層110的上面上的第三電極265和第四電極270。光學顯示裝置300可進 一步包括視窗205,其具有在其下面上的第一電極255和第二電極260且第三電極265和第 四電極270的上面上方形成；透明電極組件330的下面上方的第一偏振板235 ;在第一偏振 板235的下面上的彩色濾光器（CF) 240 ;在CF240的下面上包含薄膜晶體管（TFT) 245的面 板；和在TFT245的下面上的第二偏振板250。透明電極組件330可通過圖案化一個實施方 式的透明導體制造。該實施方式可與本發(fā)明的一個實施方式的裝置相同，但除了透明電極 組件是通過圖案化一個實施方式的透明導體而制造的并且第一電極和第二電極是在視窗 的下面上形成的以外。
[0080] 透明電極組件330可通過如下制備：使用給定方法圖案化圖1中透明導體中的第 一透明導電膜120以形成第三電極265和第四電極270。而且，基底層110可為延遲膜，且 因此具有補償視角的效應，例如用于穿過第二偏振板250、CF240、TFT245和第一偏振板235 傳播。第一電極255和第二電極260可通過使用通常用于形成電極的任何適合的方法而形 成。
[0081] 參見圖7,又一個實施方式的光學顯示裝置400可包括第一透明電極組件430a，其 包含第一基底層ll〇a，以及第一基底層IlOa的上面上的第一電極255和第二電極260。光 學顯示裝置400可進一步包括第一透明電極組件430a的下面上的第二透明電極組件430b， 其包含第二基底層ll〇b，以及第二基底層IlOb的上面上的第三電極265和第四電極270 ; 第二透明電極組件430b的下面上的第一偏振板235 ;第一偏振板235的下面上的彩色濾光 器（CF)240 ;CF240的下面上的薄膜晶體管（TFT)245 ;和在TFT245的下面上的第二偏振板 250。第一透明電極組件430a和第二透明電極組件430b可通過圖案化一個實施方式的透 明導體來制造。該實施方式可與本發(fā)明的一個實施方式的裝置相同，但除了透明電極組件 是通過圖案化作為粘合劑膜層壓的一個實施方式的透明導體來制備的以外。
[0082] 第一透明電極組件430a和第二透明電極組件430b通過如下制備：使用給定方法 圖案化圖1中透明導體中的第一透明導電膜120以形成第一電極、第二電極、第三電極和第 四電極。而且，基底層可為延遲膜，且因此具有補償視角的效應，例如用于光穿過第二偏振 板250、CF240、TFT245和第一偏振板235傳播。
[0083] 粘合劑膜210、212、214可分別放置在第一透明電極組件430a與視窗205之間， 在第一透明電極組件430a與第二透明電極組件430b之間，以及在第二透明電極組件430b與第一偏振板235之間，從而保持透明電極組件、視窗和第一偏振板之中的粘結(jié)性。粘合劑 膜210、212、214可為本領(lǐng)域中通常使用的任何適合的粘合劑膜，例如，光學透明的粘合劑 (OCA)膜。而且，盡管未在圖4至6中舉例說明，第一基底層、第二基底層或基底層還可包括 具有通過粘合劑等堆疊的樹脂膜的層壓材料。
[0084] 在下文，將參考本發(fā)明的優(yōu)選實施例更詳細地描述本發(fā)明的結(jié)構(gòu)和功能。然而，應 注意到，這些實施例是為了本發(fā)明的優(yōu)選說明而提供，而不應以限制本發(fā)明的任何方式解 釋。
[0085] 實施例和對比例中使用的組分的詳情于表1中列出：
[0086]表1
[0087]

【權(quán)利要求】
1. 一種透明導體，包含： 基底層；和 在所述基底層的一面或兩面上形成的透明導電膜，所述透明導電膜包含金屬納米線， 其中所述基底層為延遲膜。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導體，其中所述透明導體具有0. 9至1. 1的B/A，所述B/ A為在450皿的波長處W皿計的Ro值B與在550皿的波長處W皿計的Ro值A(chǔ)之比， 其中所述Ro由式1定義： [式1] Ro = (nx-ny) X d 在式1中，nx和ny分別為所述透明導體的X-軸的折射率和所述透明導體的y-軸的 折射率，并且d為W nm計的所述透明導體的厚度。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導體，其中所述透明導體具有0. 9至1. 1的C/A，所述C/ A為在650皿的波長處W皿計的Ro值C與在550皿的波長處W皿計的Ro值A(chǔ)之比， 其中所述Ro由式1定義： [式1] Ro = (nx-ny) X d 在式1中，nx和ny分別為所述透明導體的X-軸的折射率和所述透明導體的y-軸的 折射率，并且d為W皿計的所述透明導體的厚度。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導體，其中所述透明導體在550nm的波長處具有135nm 至 155nm 的 Ro, 其中所述Ro由式1定義： [式1] Ro = (nx-ny) X d 在式1中，nx和ny分別為所述透明導體的X-軸的折射率和所述透明導體的y-軸的 折射率，并且d為W皿計的所述透明導體的厚度。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導體，其中所述透明導體具有10 y m至250 y m的厚度。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導體，其中所述透明導體具有入/4延遲或入/2延遲。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導體，其中所述基底層為入/2延遲膜或入/4延遲膜。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導體，其中所述基底層選自聚碳酸醋膜、環(huán)帰姪膜、聚醋 膜、非環(huán)帰姪膜、聚諷膜、聚醜亞胺膜、娃麗膜、聚苯己帰膜、聚丙帰醜類膜或聚氯己帰膜。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導體，其中在所述基底層的一面或兩面進一步堆疊硬涂 層、抗腐蝕層、抗胺光涂層、粘結(jié)促進劑和用于防止低聚物洗脫的涂層中的一個或多個。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導體，其中所述金屬納米線為銀納米線。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導體，其中所述金屬納米線具有10至1，000的縱橫比 L/d，所述縱橫比為金屬納米線的長度L與截面的直徑d之比。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導體，其中所述金屬納米線W不少于13wt%的量存在 于所述透明導電膜中。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導體，其中所述透明導電膜包含金屬納米線層和在所 述金屬納米線層上的外涂層，所述金屬納米線層包含所述金屬納米線、粘結(jié)劑和引發(fā)劑的 固化產(chǎn)物，所述外涂層包含所述粘結(jié)劑和所述引發(fā)劑的固化產(chǎn)物。
14. 據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導體，其中所述透明導電膜包含所述金屬納米線、粘結(jié)劑 和引發(fā)劑的固化產(chǎn)物。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的透明導體，其中所述粘結(jié)劑包含氨基甲酸醋（甲基） 丙帰酸醋低聚物W及（甲基）丙帰酸醋類的單官能單體或多官能單體中的一種或多種。
16. 根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的透明導體，其中所述透明導電膜包含W下組合物的固 化產(chǎn)物，所述組合物包含13wt %至23wt %的所述金屬納米線、75wt %至85wt %的所述粘結(jié) 劑和Iwt%至3wt%的所述引發(fā)劑。
17. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導體，其中所述基底層具有50 y m至150 y m的厚度，且 所述透明導電膜具有10皿至1 y m的厚度。
18. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導體，其中所述透明導體在450nm的波長處具有120nm 至150皿的Ro,在550皿的波長處具有135皿至155皿的Ro,在650皿的波長處具有130皿 至 155nm 的 Ro, 其中所述Ro由式1定義： [式1] Ro = (nx-ny) X d 在式1中，nx和ny分別為所述透明導體的X-軸的折射率和所述透明導體的y-軸的 折射率，并且d為W皿計的所述透明導體的厚度。
19. 一種光學顯示裝置，包含根據(jù)權(quán)利要求1至18任一項所述的透明導體。
【文檔編號】H01B5/14GK104347157SQ201410374096
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2014年7月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月31日
【發(fā)明者】金度泳, 姜炅求, 具永權(quán), 申東明, 林亨泰, 黃伍顯 申請人:三星Sdi株式會社