技術編號：7054798
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明公開了。第一單元溝槽結構和第二單元溝槽從第一表面延伸至半導體襯底中。該第一單元溝槽結構包括第一埋置電極以及在該第一埋置電極和半導體臺面之間的第一絕緣層，半導體臺面分隔第一單元溝槽結構和第二單元溝槽結構。包覆層覆蓋第一表面。圖形化該包覆層以形成具有最小寬度大于第一絕緣層厚度的開口。該開口暴露第一絕緣層在第一表面處的第一垂直部分。除去第一絕緣層的暴露部分以形成在半導體臺面和第一埋置電極之間的凹部。接觸結構在該開口和該凹部中。接觸結構電連接半導體臺面中的埋...
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