一種oled顯示器及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種OLED顯示器及其制備方法，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，可提高OLED顯示器的視角；該OLED顯示器包括多個子像素單元，每個所述子像素單元均包括依次設(shè)置在襯底基板上的第一電極、有機材料功能層、第二電極；進一步所述子像素單元還包括：設(shè)置在所述襯底基板和所述第一電極之間的第一緩沖層；其中，所述第一緩沖層與所述第一電極對應(yīng)部分且遠離所述襯底基板一側(cè)的表面具有凹陷的弧形形狀；所述第一電極為透明電極，所述第二電極為不透明金屬電極。用于底發(fā)射OLED顯示器的設(shè)計及制造，該OLED顯示器可增大視角。
【專利說明】-種OLED顯示器及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種0LED顯示器及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 有機發(fā)光二極管（Organic Light Emitting Diode,簡稱0LED)顯示器是一種有機 薄膜電致發(fā)光器件，其具有制備工藝簡單、成本低、易形成柔性結(jié)構(gòu)、視角寬等優(yōu)點；因此， 利用有機發(fā)光二極管的顯示技術(shù)已成為一種重要的顯示技術(shù)。
[0003] 從結(jié)構(gòu)上來劃分，0LED可以被分為頂發(fā)射0LED顯示器和底發(fā)射0LED顯示器。對 于底發(fā)射0LED顯示器，如圖1所示，包括依次設(shè)置在襯底基板10上的透明陽極11、有機材 料功能層30、不透明金屬陰極12。由于底發(fā)射0LED顯示器的陽極是透明的，所以微腔效應(yīng) 在底發(fā)射0LED顯示器中的表現(xiàn)并不明顯，同頂發(fā)射相比底發(fā)射的視角要大一些。
[0004] 然而，雖然底發(fā)射0LED顯示器的視角相對頂發(fā)射0LED顯示器來說要大一些，但 是，在實際使用中，人們還是希望所使用的0LED顯示器具有更大的視角以滿足不同的角度 觀看的需求。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005] 本發(fā)明提供一種0LED顯示器及其制備方法，可提高0LED顯示器的視角。
[0006] 為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案：
[0007] -方面，提供一種0LED顯示器，包括多個子像素單元，每個所述子像素單元均包 括依次設(shè)置在襯底基板上的第一電極、有機材料功能層、第二電極；進一步所述子像素單元 還包括：設(shè)置在所述襯底基板和所述第一電極之間的第一緩沖層；其中，所述第一緩沖層 與所述第一電極對應(yīng)部分且遠離所述襯底基板一側(cè)的表面具有凹陷的弧形形狀；所述第一 電極為透明電極，所述第二電極為不透明金屬電極。
[0008] 優(yōu)選的，所述第一緩沖層的厚度為2 μ m?5 μ m。
[0009] 優(yōu)選的，所述第一緩沖層的材料包括聚酰亞胺膠。
[0010] 基于上述，優(yōu)選的，所述子像素單元還包括設(shè)置在所述襯底基板和所述第一緩沖 層之間的薄膜晶體管。
[0011] 進一步優(yōu)選的，所述第一電極至少通過設(shè)置在所述第一緩沖層上的過孔與所述薄 膜晶體管的漏極電連接。
[0012] 優(yōu)選的，所述0LED顯示器還包括設(shè)置在所述襯底基板和所述薄膜晶體管之間的 第二緩沖層，所述第二緩沖層與所述襯底基板接觸。
[0013] 進一步的，所述第二緩沖層的材料包括氧化硅、氮化硅中的至少一種。
[0014] 另一方面，提供一種0LED顯示器的制備方法，所述0LED顯示器包括多個子像素單 元；所述方法包括：
[0015] 在襯底基板上形成第一緩沖層；其中，在每個所述子像素單元中對應(yīng)第一電極的 區(qū)域，所述第一緩沖層遠離所述襯底基板一側(cè)的表面具有凹陷的弧形形狀；
[0016] 在形成有所述第一緩沖層的基板上，在每個所述子像素單元的區(qū)域，依次形成所 述第一電極、有機材料功能層、第二電極；其中，所述第一電極為透明電極，所述第二電極為 不透明金屬電極。
[0017] 優(yōu)選的，所述在襯底基板上形成第一緩沖層包括：
[0018] 在所述襯底基板上形成第一緩沖層薄膜；
[0019] 利用圖形化的掩模板的遮蔽作用，對與所述掩模板的開口對應(yīng)的所述第一緩沖層 薄膜進行干法刻蝕，形成表面具有凹陷的弧形形狀的所述第一緩沖層；
[0020] 其中，所述掩模板的開口與所述子像素單元的預(yù)定區(qū)域?qū)?yīng)，且所述開口的靠近 所述第一緩沖層薄膜一側(cè)的面積大于遠離所述第一緩沖層薄膜一側(cè)的面積。
[0021] 優(yōu)選的，在每個所述子像素單元中，還形成位于所述襯底基板和所述第一緩沖層 之間的薄膜晶體管。
[0022] 本發(fā)明提供了一種0LED顯示器及其制備方法，所述0LED顯示器包括多個子像素 單元，每個所述子像素單元均包括依次設(shè)置在襯底基板上的第一電極、有機材料功能層、第 二電極；進一步所述子像素單元還包括：設(shè)置在所述襯底基板和所述第一電極之間的第一 緩沖層；其中，所述第一緩沖層與所述第一電極對應(yīng)部分且遠離所述襯底基板一側(cè)的表面 具有凹陷的弧形形狀；所述第一電極為透明電極，所述第二電極為不透明金屬電極。
[0023] 本發(fā)明通過將所述第一緩沖層與所述第一電極對應(yīng)部分且遠離所述襯底基板一 側(cè)的表面設(shè)置成具有凹陷的弧形形狀，以使所述第二電極的表面形成具有凹陷的弧形形 狀，這樣從有機材料功能層的發(fā)光層發(fā)出的光在到達不透明的第二電極表面時，會使反射 光更加發(fā)散的從透明的第一電極一側(cè)出射，從而使得不同角度的光的出射率增加，進而增 大了所述0LED顯示器的視角以及發(fā)光強度。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0024] 為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以 根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0025] 圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種0LED顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026] 圖2為本發(fā)明實施例提供的一種0LED顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0027] 圖3為本發(fā)明實施例提供的一種0LED顯示器實現(xiàn)出射光視角增大的示意圖；
[0028] 圖4為本發(fā)明實施例提供的一種0LED顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖二；
[0029] 圖5為本發(fā)明實施例提供的一種0LED顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖三；
[0030] 圖6為本發(fā)明實施例提供的一種制備0LED顯示器的流程示意圖；
[0031] 圖7-圖9為本發(fā)明實施例提供的一種形成表面具有凹陷的弧形形狀的第一緩沖 層的過程示意圖。
[0032] 01-0LED顯示器；10-襯底基板；11-透明陽極；12-不透明金屬陰極；20-第一電 極；30-有機材料功能層；40-第二電極；50-第一緩沖層；50a-第一緩沖層薄膜；60-薄膜 晶體管；601-柵極；602-柵絕緣層；603-半導(dǎo)體有源層；604-源極；605-漏極；70-第二緩 沖層；80-掩模板；801-掩模板的開口。
【具體實施方式】
[0033] 下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；?本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他 實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0034] 本發(fā)明實施例提供了一種0LED顯示器01，如圖2和圖3所示，該0LED顯示器01 包括多個子像素單元，每個所述子像素單元均包括依次設(shè)置在襯底基板10上的第一電極 20、有機材料功能層30、第二電極40 ;進一步所述子像素單元還包括：設(shè)置在所述襯底基板 10和所述第一電極20之間的第一緩沖層50 ;其中，所述第一緩沖層50與所述第一電極20 對應(yīng)部分且遠離所述襯底基板10 -側(cè)的表面具有凹陷的弧形形狀；所述第一電極20為透 明電極，所述第二電極40為不透明金屬電極。
[0035] 這里，對于傳統(tǒng)的底發(fā)射0LED顯示器，有機材料功能層30和第二電極40之間的 界面是一個平面，從有機材料功能層30的發(fā)光層發(fā)出的光以近似垂直于該界面的方向入 射到所述第二電極40的表面，那么反射回來的光也以垂直于界面的方向從第一電極20出 射，即，例如如圖3中的出射光1。而對于本發(fā)明提供的底發(fā)射0LED顯示器，由于有機材料 功能層30和第二電極40之間的界面是向第一電極20方向凸出的弧形界面，這時，從有機 材料功能層30的發(fā)光層發(fā)出的光以同樣方向（堅直方向）入射到所述第二電極40的表面 時，該入射光線就會和法線方向之間形成一定的入射角，根據(jù)反射原理，反射回來的光也會 以一定角度從第一電極20出射，S卩，例如圖3中的出射光2。
[0036] 由此可以看出，當不透明的第二電極40靠近有機材料功能層30 -側(cè)的表面的形 狀發(fā)生改變時，從第二電極40反射之后從透明的第一電極20出射的這部分光的出射角度 會更加發(fā)散，從而也使不同角度的光的出射率增加，進而可以增大所述0LED顯示器01的視 角。
[0037] 需要說明的是，第一，不對所述第一緩沖層50的材料進行限定，只要能使其遠離 所述襯底基板10的一側(cè)表面形成具有凹陷的弧形形狀即可。
[0038] 其中，當所述第一緩沖層50的材料為導(dǎo)電材料時，需在該第一緩沖層50和第一電 極20之間設(shè)置絕緣層，具體根據(jù)實際情況進行設(shè)定，在此不再贅述。
[0039] 第二，由于所述第一緩沖層50位于所述第一電極20的下方，S卩：位于下方的第一 緩沖層50需先制備形成，位于上方的第一電極20后制備形成，因此，在第一緩沖層50與所 述第一電極20對應(yīng)部分的上表面具有凹陷的弧形形狀的情況下，在其上方形成第一電極 20也具有凹陷的弧形形狀，同理位于所述第一電極20上方的有機材料功能層30和第二電 極40也具有凹陷的弧形形狀。
[0040] 第三，第一電極20可以為陽極或陰極，第二電極40可以為陰極或陽極。即：若第 一電極20為陽極，則第二電極40陰極；若第一電極20為陰極，則第二電極40為陽極。
[0041] 對于所述有機材料功能層30,其可以至少包括發(fā)光層，進一步還可以包括電子傳 輸層和空穴傳輸層，在此基礎(chǔ)上為了能夠提高電子和空穴注入發(fā)光層的效率，所述有機材 料功能層30還可以包括設(shè)置在陰極與所述電子傳輸層之間的電子注入層，以及設(shè)置在所 述空穴傳輸層與陽極之間的空穴注入層。
[0042] 基于此，當向陽極和陰極施加工作電壓時，陽極中的空穴和陰極中的電子均注入 到所述發(fā)光層中；空穴和電子在所述發(fā)光層中相遇，二者復(fù)合在一起形成電子-空穴對、并 釋放出能量；該能量以光的形式發(fā)出，經(jīng)過所述發(fā)光層中的不同發(fā)光分子而顯示為不同顏 色的光，并從所述有機材料功能層30的兩側(cè)均勻的射出。
[0043] 其中，一個像素單元中的三個子像素單元的所述發(fā)光層可以分別包括紅光、綠光、 藍光的發(fā)光分子；當然，上述發(fā)光層也可以僅包括白光的發(fā)光分子，在此不做限定。
[0044] 第四，所述0LED顯示器01可以是無源矩陣型顯示器，也可以是有源矩陣型顯示 器，在此不做限定。
[0045] 第五，本發(fā)明實施例中，相鄰的第一電極20之間可以通過像素隔離層進行隔離， 在此不再贅述。
[0046] 第六，本發(fā)明所有實施例的附圖均示意性的繪示出與發(fā)明點有關(guān)的圖案層，對于 與發(fā)明點無關(guān)的圖案層不進行繪示或僅繪示出部分。
[0047] 本發(fā)明實施例提供了一種0LED顯示器01，包括多個子像素單元，每個所述子像素 單元均包括依次設(shè)置在襯底基板10上的第一電極20、有機材料功能層30、第二電極40 ;進 一步所述子像素單元還包括：設(shè)置在所述襯底基板10和所述第一電極20之間的第一緩沖 層50 ;其中，所述第一緩沖層50與所述第一電極20對應(yīng)部分且遠離所述襯底基板10 -側(cè) 的表面具有凹陷的弧形形狀；所述第一電極20為透明電極，所述第二電極40為不透明金屬 電極。
[0048] 本發(fā)明實施例通過將所述第一緩沖層50與所述第一電極20對應(yīng)部分且遠離所述 襯底基板10 -側(cè)的表面設(shè)置成具有凹陷的弧形形狀，以使所述第二電極40的表面形成具 有凹陷的弧形形狀，這樣從有機材料功能層30的發(fā)光層發(fā)出的光在到達不透明的第二電 極40表面時，會使反射光更加發(fā)散的從透明的第一電極20 -側(cè)出射，從而使得不同角度的 光的出射率增加，進而增大了所述0LED顯示器01的視角以及發(fā)光強度。
[0049] 優(yōu)選的，所述第一緩沖層50的厚度可以為2 μ m?5 μ m。
[0050] 這樣，即不會使所述0LED顯示器01太厚而無法滿足薄型化的市場需求，又不會由 于太薄而無法制備形成具有凹陷的弧形形狀表面的所述第一緩沖層50。
[0051] 優(yōu)選的，所述第一緩沖層50的材料可以為聚酰亞胺膠（PI)。
[0052] 這是由于PI的結(jié)構(gòu)并不致密，當通過例如干法刻蝕制備形成具有凹陷的弧形形 狀表面的所述第一緩沖層50時，可以很容易的將需要凹陷的那部分PI材料刻蝕掉，并且刻 蝕出預(yù)期的效果。
[0053] 在上述基礎(chǔ)上，考慮到無源矩陣應(yīng)用于大尺寸顯示器時有其不足的一面，優(yōu)選的， 本發(fā)明實施例提供的0LED顯示器01為有源矩陣型0LED顯示器，S卩，如圖4所示，所述0LED 顯示器01的每個子像素單元還可以包括設(shè)置在所述襯底基板10和所述第一緩沖層50之 間的薄膜晶體管60。
[0054] 其中，所述薄膜晶體管60包括柵極601、柵絕緣層602、半導(dǎo)體有源層603、源極 604和漏極605 ;且所述薄膜晶體管60可以是頂柵型，也可以是底柵型。
[0055] 當然，所述0LED顯示器01還包括與所述柵極601電連接的柵線、柵線引線（圖中 未標識出）等，與所述源極604電連接的數(shù)據(jù)線、數(shù)據(jù)線引線（圖中未標識出）等。
[0056] 進一步的，考慮到若使漏極605與所述第二電極40電連接，勢必需要所述第二電 極40穿過有機材料功能層30和第一電極20,來與漏極605電連接，這樣一方面可能導(dǎo)致第 二電極40與第一電極20發(fā)生短路，另一方面由于有機材料功能層30材料的特殊性，制備 工藝相對也復(fù)雜?；诖耍景l(fā)明實施例優(yōu)選為，將所述漏極605與所述第一電極20電連 接，且所述第一電極20通過設(shè)置在所述第一緩沖層50上的過孔與所述薄膜晶體管的漏極 605電連接。
[0057] 優(yōu)選的，如圖5所示，所述0LED顯示器01還包括設(shè)置在所述襯底基板10和所述 薄膜晶體管60之間的第二緩沖層70,所述第二緩沖層70與所述襯底基板10接觸。
[0058] 所述第二緩沖層70可以是單層或多層結(jié)構(gòu)，其材料例如可以是SiN(氮化硅）、 SiOx(氧化娃）等。
[0059] 通過所述第二緩沖層70有助于改善所述襯底基板10的表面平整度和附著力，而 且還有助于改善抗水氧滲透性。
[0060] 需要說明的是，由于有機材料功能層30材料的特殊性，本發(fā)明實施例中，0LED顯 示器01還應(yīng)包括用于封裝有機材料的封裝層；其中，所述封裝層可以是薄膜封裝也可以是 基板封裝，在此不做限定。
[0061] 本發(fā)明實施例還提供了一種0LED顯示器的制備方法，所述0LED顯示器01包括多 個子像素單元；在此基礎(chǔ)上，如圖6所示，所述方法包括如下步驟：
[0062] S10、參考圖2所示，在襯底基板10上形成第一緩沖層50 ;其中，在每個所述子像 素單元中對應(yīng)第一電極20的區(qū)域，所述第一緩沖層50遠離所述襯底基板10 -側(cè)的表面具 有凹陷的弧形形狀。
[0063] S11、參考圖2所示，在形成有所述第一緩沖層50的基板上，在每個所述子像素單 元的區(qū)域，依次形成所述第一電極20、有機材料功能層30、第二電極40。
[0064] 其中，所述第一電極20為透明電極，所述第二電極40為不透明金屬電極。
[0065] 需要說明的是，第一，此處不對表面具有凹陷的弧形形狀的第一緩沖層50的形成 方法進行限定。
[0066] 第二，由于先制備形成第一緩沖層50,然后在所述第一緩沖層50的上方制備形成 第一電極20,因此，在第一緩沖層50與所述第一電極20對應(yīng)部分的上表面具有凹陷的弧形 形狀的情況下，在其上方形成第一電極20也具有凹陷的弧形形狀，同理位于所述第一電極 20上方的有機材料功能層30和第二電極40也具有凹陷的弧形形狀。
[0067] 本發(fā)明實施例提供了一種包括多個子像素單元的0LED顯示器的制備方法，包括： 在襯底基板10上形成第一緩沖層50 ;其中，在每個所述子像素單元中對應(yīng)第一電極20的 區(qū)域，所述第一緩沖層50遠離所述襯底基板10-側(cè)的表面具有凹陷的弧形形狀；在形成有 所述第一緩沖層50的基板上，在每個所述子像素單元的區(qū)域，依次形成第一電極20、有機 材料功能層30、第二電極40 ;其中，所述第一電極20為透明電極，所述第二電極40為不透 明金屬電極。
[0068] 本發(fā)明實施例通過在所述第一緩沖層50與所述第一電極20對應(yīng)部分且遠離所述 襯底基板10 -側(cè)的表面形成具有凹陷的弧形形狀，以使所述第二電極40的表面形成具有 凹陷的弧形形狀，這樣從有機材料功能層30的發(fā)光層發(fā)出的光在到達不透明的第二電極 40表面時，會使反射光更加發(fā)散的從透明的第一電極20 -側(cè)出射，從而使得不同角度的光 的出射率增加，進而增大了所述0LED顯示器01的視角以及發(fā)光強度。
[0069] 優(yōu)選的，上述步驟S10,具體可以包括如下過程：
[0070] S101、如圖7所示，在襯底基板10上形成第一緩沖層薄膜50a。
[0071] 由于PI的結(jié)構(gòu)并不致密，當下述通過干法刻蝕制備形成具有凹陷的弧形形狀表 面的所述第一緩沖層50時，可以很容易的將需要凹陷的那部分PI材料刻蝕掉，并且刻蝕出 預(yù)期的效果，所述第一緩沖層薄膜50a的材料采用PI材料。
[0072] S102、如圖8所示，利用圖形化的掩模板80的遮蔽作用，對與所述掩模板的開口 801對應(yīng)的所述第一緩沖層薄膜50a進行干法刻蝕，形成如圖9所示的表面具有凹陷的弧形 形狀的所述第一緩沖層50。
[0073] 其中，所述掩模板的開口 801與所述子像素單元的預(yù)定區(qū)域?qū)?yīng)，且所述開口 801 的靠近所述第一緩沖層薄膜50a -側(cè)的面積大于遠離所述第一緩沖層薄膜50a -側(cè)的面 積。
[0074] 需要說明的是，第一，干法刻蝕是用等離子體進行薄膜刻蝕的技術(shù)，基于此，本發(fā) 明實施例中采用如圖8所示形狀的掩模板80作為屏蔽，即利用所述掩模板80的影子效應(yīng)， 被所述掩模板80堅直阻擋住的區(qū)域（該區(qū)域中掩模板80與所述第一緩沖層薄膜50a具有 間隙）等離子體的濃度小，所以越靠近所述掩模板80的邊緣，刻蝕的效果也就越不明顯，刻 蝕出來的弧形結(jié)構(gòu)較淺；而正對所述掩模板的開口 801的區(qū)域，由于等離子體可以直接進 入，因而其等離子體濃度較大，刻蝕的效果也越明顯，刻蝕的深度會更深。
[0075] 第二，預(yù)定區(qū)域為每個所述子像素單元的對應(yīng)第一電極20的區(qū)域中，大于一定凹 陷深度的區(qū)域。
[0076] 第三，對與所述掩模板的開口 801對應(yīng)的所述第一緩沖層薄膜50a進行干法刻蝕 是指，對從所述開口 801處進入的等離子體，只要掩模板80和第一緩沖層薄膜50a之間具 有間隙，該等離子體可以到達，便可以對所述第一緩沖層薄膜50a進行刻蝕。
[0077] 優(yōu)選的，所述第一緩沖層50的厚度可以為2 μ m?5 μ m。
[0078] 這樣，即不會使所述0LED顯示器01太厚而無法滿足薄型化的市場需求，又不會由 于太薄而無法制備形成具有凹陷的弧形形狀表面的所述第一緩沖層50。
[0079] 優(yōu)選的，所述第一緩沖層50的材料可以為聚酰亞胺（PI)。
[0080] 在上述基礎(chǔ)上，考慮到無源矩陣應(yīng)用于大尺寸顯示器時有其不足的一面，優(yōu)選的， 本發(fā)明實施例提供的0LED顯示器01為有源矩陣型0LED顯示器，S卩，參考圖4所示，在所述 0LED顯示器01的每個子像素單元中，還形成位于所述襯底基板10和所述第一緩沖層50之 間的薄膜晶體管60。
[0081] 其中，所述薄膜晶體管60包括柵極601、柵絕緣層602、半導(dǎo)體有源層603、源極 604和漏極605 ;且所述薄膜晶體管60可以是頂柵型，也可以是底柵型。
[0082] 進一步的，所述第一電極20至少通過形成在所述第一緩沖層50上的過孔與所述 薄膜晶體管的漏極605電連接。
[0083] 優(yōu)選的，參考圖5所示，所述方法還包括：在所述襯底基板10和所述薄膜晶體管 60之間形成第二緩沖層70,所述第二緩沖層70與所述襯底基板10接觸。所述第二緩沖層 70可以是單層或多層結(jié)構(gòu)，其材料例如可以是SiN(氮化硅）、SiOx (氧化硅）等。
[0084] 通過所述第二緩沖層70有助于改善所述襯底基板10的表面平整度和附著力，而 且還有助于改善抗水氧滲透性。
[0085] 以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何 熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵 蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護范圍為準。
【權(quán)利要求】
1. 一種OLED顯示器，包括多個子像素單元，每個所述子像素單元均包括依次設(shè)置在 襯底基板上的第一電極、有機材料功能層、第二電極；其特征在于，所述子像素單元還包括： 設(shè)置在所述襯底基板和所述第一電極之間的第一緩沖層； 其中，所述第一緩沖層與所述第一電極對應(yīng)部分且遠離所述襯底基板一側(cè)的表面具有 凹陷的弧形形狀； 所述第一電極為透明電極，所述第二電極為不透明金屬電極。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的0LED顯示器，其特征在于，所述第一緩沖層的厚度為2 μ m? 5 μ m〇
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的OLED顯示器，其特征在于，所述第一緩沖層的材料包括聚酰 亞胺膠。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的OLED顯示器，其特征在于，所述子像素單元還包 括設(shè)置在所述襯底基板和所述第一緩沖層之間的薄膜晶體管。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的OLED顯示器，其特征在于，所述第一電極至少通過設(shè)置在所 述第一緩沖層上的過孔與所述薄膜晶體管的漏極電連接。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的OLED顯示器，其特征在于，所述OLED顯示器還包括設(shè)置在所 述襯底基板和所述薄膜晶體管之間的第二緩沖層，所述第二緩沖層與所述襯底基板接觸。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的OLED顯示器，其特征在于，所述第二緩沖層的材料包括氧化 娃、氮化娃中的至少一種。
8. -種OLED顯示器的制備方法，所述OLED顯示器包括多個子像素單元；其特征在于， 所述方法包括： 在襯底基板上形成第一緩沖層；其中，在每個所述子像素單元中對應(yīng)第一電極的區(qū)域， 所述第一緩沖層遠離所述襯底基板一側(cè)的表面具有凹陷的弧形形狀； 在形成有所述第一緩沖層的基板上，在每個所述子像素單元的區(qū)域，依次形成所述第 一電極、有機材料功能層、第二電極； 其中，所述第一電極為透明電極，所述第二電極為不透明金屬電極。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述在襯底基板上形成第一緩沖層包括： 在所述襯底基板上形成第一緩沖層薄膜； 利用圖形化的掩模板的遮蔽作用，對與所述掩模板的開口對應(yīng)的所述第一緩沖層薄膜 進行干法刻蝕，形成表面具有凹陷的弧形形狀的所述第一緩沖層； 其中，所述掩模板的開口與所述子像素單元的預(yù)定區(qū)域?qū)?yīng)，且所述開口的靠近所述 第一緩沖層薄膜一側(cè)的面積大于遠離所述第一緩沖層薄膜一側(cè)的面積。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的方法，其特征在于，在每個所述子像素單元中，還形成位 于所述襯底基板和所述第一緩沖層之間的薄膜晶體管。
【文檔編號】H01L51/52GK104103673SQ201410325827
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2014年7月9日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月9日
【發(fā)明者】張鵬 申請人:京東方科技集團股份有限公司