掩膜板及其制造方法、薄膜晶體管的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種掩膜板及其制造方法、薄膜晶體管的制造方法，該掩膜板包括：第一襯底基板和形成于第一襯底基板的上方的相移圖形，相鄰的相移圖形之間形成有開(kāi)口區(qū)域，相移圖形的上方和開(kāi)口區(qū)域內(nèi)形成有半色調(diào)圖形。在本發(fā)明中，利用該掩膜板通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成有源層圖形、源極以及漏極時(shí)，可實(shí)現(xiàn)薄膜晶體管的窄溝道設(shè)計(jì)。而薄膜晶體管的溝道寬度變窄，可有效的減小薄膜晶體管的體積，實(shí)現(xiàn)薄膜晶體管的超小化，從而提高顯示面板的開(kāi)口率以及滿足顯示面板高分辨率的設(shè)計(jì)需求。
【專利說(shuō)明】掩膜板及其制造方法、薄膜晶體管的制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種掩膜板及其制造方法、薄膜晶體管的制 造方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 薄膜晶體管液晶顯不器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，簡(jiǎn)稱 TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無(wú)輻射、制造成本相對(duì)較低等特點(diǎn)，在當(dāng)前的平板顯示器市 場(chǎng)占據(jù)了主導(dǎo)地位。
[0003] TFT-IXD包括若干個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元中包括有薄膜晶體管和像素電極， 該薄膜晶體管將數(shù)據(jù)線中的像素電壓寫(xiě)入到像素電極上，從而控制對(duì)應(yīng)的液晶分子進(jìn)行偏 轉(zhuǎn)，以實(shí)現(xiàn)像素顯示。在像素單元中，對(duì)應(yīng)薄膜晶體管的區(qū)域被覆蓋有黑矩陣，該區(qū)域不進(jìn) 行像素顯示。
[0004] 在現(xiàn)有技術(shù)中，由于薄膜晶體管的體積較大，使得像素單元中用于進(jìn)行像素顯示 的區(qū)域較小，因此整個(gè)顯示面板的開(kāi)口率較小。為保證顯示面板的開(kāi)口率，往往只能將像素 單元的面積設(shè)置的較大，從而使得在一定面積的顯示面板上，像素單元的數(shù)量相對(duì)較少，即 造成顯示面板的分辨率較低。目前，如何減小薄膜晶體管的體積是本領(lǐng)域的一個(gè)技術(shù)難題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明提供一種掩膜板及其制造方法、薄膜晶體管的制造方法，該掩膜板將相移 掩膜技術(shù)和半色調(diào)掩膜技術(shù)進(jìn)行結(jié)合，在實(shí)現(xiàn)通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成有源層圖形、源極以 及漏極的同時(shí)，還實(shí)現(xiàn)了薄膜晶體管的窄溝道設(shè)計(jì)。
[0006] 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種掩膜板，包括：第一襯底基板和形成于所述第 一襯底基板的上方的相移圖形，相鄰的所述相移圖形之間形成有開(kāi)口區(qū)域，所述相移圖形 的上方和所述開(kāi)口區(qū)域內(nèi)形成有半色調(diào)圖形。
[0007] 可選地，所述相移圖形的光透過(guò)率為：3 %?5%。
[0008] 可選地，所述半色調(diào)圖形的光透過(guò)率為：30%?50%。
[0009] 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供一種掩膜板的制造方法，包括：
[0010] 在第一襯底基板上形成相移膜；
[0011] 對(duì)所述相移膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成相移圖形，相鄰的所述相移圖形之間形成有開(kāi) 口區(qū)域；
[0012] 在所述相移圖形的上方和所述第一基板的上方形成半色調(diào)膜；
[0013] 對(duì)所述半色調(diào)膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成所述半色調(diào)圖形，所述半色調(diào)圖形位于所述 相移圖形的上方和所述開(kāi)口區(qū)域內(nèi)。
[0014] 可選地，所述相移圖形的光透過(guò)率為：3 %?5%。
[0015] 可選地，所述半色調(diào)圖形的光透過(guò)率為：30%?50%。
[0016] 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種薄膜晶體管的制造方法，包括：
[0017] 在第二襯底基板的上方形成有源層；
[0018] 在所述有源層的上方形成源漏金屬層；
[0019] 采用上述的掩膜板對(duì)所述有源層和所述金屬層采用一次構(gòu)圖工藝以形成有源層 圖形、源極和漏極，所述源極和所述漏極之間形成有溝道。
[0020] 可選地，所述在第二襯底基板的上方形成有源層的步驟之前還包括：
[0021] 在所述第二襯底基板的上方形成柵金屬層；
[0022] 對(duì)所述柵金屬層進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成柵極；
[0023] 在所述柵極的上方和所述第二襯底基板的上方形成柵極絕緣層；
[0024] 所述在第二襯底基板的上方形成有源層的步驟具體包括：
[0025] 在所述柵極絕緣層的上方形成所述有源層。
[0026] 可選地，所述源極的寬度為1. 5um?2. 5um ;
[0027] 所述漏極的寬度為1. 5um?2. 5um ;
[0028] 所述溝道區(qū)域?qū)挾葹?. 5um?2. 5um。
[0029] 可選地，所述對(duì)所述有源層和所述金屬層采用一次構(gòu)圖工藝以形成有源層圖形、 源極和漏極，所述源極和所述漏極之間形成有溝道的步驟具體包括：
[0030] 在所述源漏金屬層的上方形成光刻膠；
[0031] 利用上述權(quán)利要求1-3中任一所述的掩膜板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光，并對(duì)曝光后 的所述光刻膠進(jìn)行顯影處理；
[0032] 對(duì)所述源漏金屬層和所述有源層進(jìn)行刻蝕處理；
[0033] 對(duì)所述光刻膠進(jìn)行灰化處理，以去除位于薄膜晶體管的溝道區(qū)域的上方的所述光 刻膠；
[0034] 對(duì)所述源漏金屬層進(jìn)行再刻蝕以形成所述源極和所述漏極，所述源極和所述漏極 之間形成有所述溝道區(qū)域；
[0035] 將所述源極和所述漏極上的所述光刻膠剝離。
[0036] 本發(fā)明具有以下有益效果：
[0037] 本發(fā)明提供了一種掩膜板及其制造方法、薄膜晶體管的制造方法，其中該掩膜板 包括：第一襯底基板和形成于第一襯底基板的上方的相移圖形，相鄰的相移圖形之間形成 有開(kāi)口區(qū)域，相移圖形的上方和開(kāi)口區(qū)域內(nèi)形成有半色調(diào)圖形。在制備薄膜晶體管的過(guò)程 中，利用該掩膜板通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成有源層圖形、源極以及漏極時(shí)，可實(shí)現(xiàn)薄膜晶體管 的窄溝道設(shè)計(jì)。而薄膜晶體管的溝道寬度變窄，可有效的減小薄膜晶體管的體積，實(shí)現(xiàn)薄膜 晶體管的超小化，從而提高顯示面板的開(kāi)口率以及滿足顯示面板高分辨率的設(shè)計(jì)需求。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0038] 圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039] 圖2為對(duì)應(yīng)圖1所示的掩膜板下方光相移量以及光透過(guò)率的示意圖；
[0040] 圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜板的制造方法的流程圖；
[0041] 圖4a為在第一襯底基板上形成相移膜的示意圖；
[0042] 圖4b為對(duì)相移膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成相移圖形的示意圖；
[0043] 圖4c為在相移圖形的上方和第一基板的上方形成半色調(diào)膜的示意圖；
[0044] 圖5為本發(fā)明提供的薄膜晶體管的又一制造方法的流程圖；
[0045] 圖6a為在第二襯底基板的上方形成柵金屬層的示意圖；
[0046] 圖6b為對(duì)柵金屬層進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成柵極的示意圖；
[0047] 圖6c為在柵極的上方和第二襯底基板的上方形成柵極絕緣層的示意圖；
[0048] 圖6d為在柵極絕緣層的上方形成有源層的示意圖；
[0049] 圖6e為在有源層的上方形成源漏金屬層的示意圖；
[0050] 圖6f為在源漏金屬層的上方形成光刻膠的示意圖；
[0051] 圖6g為對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影后的示意圖；
[0052] 圖6h為對(duì)源漏金屬層和有源層進(jìn)行刻蝕處理后的示意圖；
[0053] 圖6i為對(duì)光刻膠進(jìn)行灰化處理的示意圖；
[0054] 圖6j為對(duì)源漏金屬層進(jìn)行再刻蝕以形成源極和漏極的示意圖；
[0055] 圖6k為將源極和漏極上的光刻膠剝離的示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0056] 為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明提 供的掩膜板及其制造方法、薄膜晶體管的制造方法進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0057] 圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜板的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，該掩膜板用于在利 用一次構(gòu)圖工藝以形成有源層圖形、源極和漏極的過(guò)程中，對(duì)有源層和源漏金屬層進(jìn)行掩 膜，該掩膜板包括：第一襯底基板1和形成于第一襯底基板1的上方相移圖形2,相鄰的相 移圖形2之間形成有開(kāi)口區(qū)域4,相移圖形2的上方和開(kāi)口區(qū)域4內(nèi)形成有半色調(diào)圖形3。
[0058] 在本實(shí)施例中，可選地，相移圖形2的光透過(guò)率為：3%?5% ;半色調(diào)圖形3的光 透過(guò)率為：30%?50%。
[0059] 本實(shí)施例中以相移圖形2的光透過(guò)率為5%，半色調(diào)圖形3的光透過(guò)率為50%為 例進(jìn)行說(shuō)明。圖2為對(duì)應(yīng)圖1所示的掩膜板下方光相移量以及光透過(guò)率的示意圖，如圖2 所示，為更好的對(duì)本發(fā)明的發(fā)明原理進(jìn)行描述，本發(fā)明中將掩膜板分為5個(gè)區(qū)域（圖2中的 區(qū)域A?E)，其中區(qū)域A和區(qū)域E中沒(méi)有相移圖形2和半色調(diào)圖形3,因此區(qū)域A和區(qū)域E 的光透過(guò)率為100% ;區(qū)域B和區(qū)域D中既有相移圖形2還有半色調(diào)圖形3,因此區(qū)域B和 區(qū)域D的光透過(guò)率為2. 5% (相移圖形的光透過(guò)率與半色調(diào)圖形的光透過(guò)率的乘積）；區(qū)域 C中僅有半色調(diào)圖形3,因此區(qū)域C的光透過(guò)率為50%。本實(shí)施例中，假定光線透過(guò)區(qū)域A 后的相移量為0°，由于在區(qū)域B和區(qū)域D中存在相移圖形2,因此透過(guò)區(qū)域B和區(qū)域D的 光線的相移量為180°，而區(qū)域C和區(qū)域E中沒(méi)有相移圖形2,因此透過(guò)區(qū)域C和區(qū)域E的 光線的相移量為0°。此時(shí)，在區(qū)域B和區(qū)域C交界部附近透過(guò)各處的光能夠產(chǎn)生相消干 涉，即區(qū)域B和區(qū)域C交界部附近的光透過(guò)率接近為0。同理，區(qū)域C與區(qū)域D也能產(chǎn)生相 消干涉。因此，區(qū)域C的透光寬度小于區(qū)域C的實(shí)際寬度。
[0060] 作為本發(fā)明中的一般情況，若本實(shí)施例中相移圖形2的光透過(guò)率為m (3 % 彡m彡5% )，半色調(diào)圖形的光透過(guò)率為n(30%彡η彡50% )時(shí)，相應(yīng)地在圖2中，區(qū)域A 和區(qū)域E的光透過(guò)率為100%，區(qū)域B和區(qū)域D的光透過(guò)率為m*n，區(qū)域C的光透過(guò)率為η。 對(duì)于m和η取具體數(shù)值的情況，本實(shí)施例不再一一列舉。
[0061] 在實(shí)際應(yīng)用中，該掩膜板上覆蓋有相移圖形2的區(qū)域?qū)?yīng)薄膜晶體管中的源極和 漏極，該掩膜板的開(kāi)口區(qū)域4對(duì)應(yīng)薄膜晶體管中的溝道區(qū)域。由于開(kāi)口區(qū)域4的實(shí)際透光 寬度較小，因此可實(shí)現(xiàn)薄膜晶體管的窄溝道設(shè)計(jì)。
[0062] 本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種掩膜板的制造方法，圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的掩膜 板的制造方法的流程圖，如圖3所示，該制造方法包括：
[0063] 步驟101 :在第一襯底基板上形成相移膜。
[0064] 圖4a為在第一襯底基板上形成相移膜的不意圖，如圖4a所不，通過(guò)氣相沉積技術(shù) 在第一襯底基板1上沉積一層相移膜21。其中，該相移膜21的光透過(guò)率為：3%?5%，可 選地，該相移膜的材料為有機(jī)材料。
[0065] 步驟102 :對(duì)相移膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成相移圖形，相鄰的相移圖形之間形成有 開(kāi)口區(qū)域。
[0066] 圖4b為對(duì)相移膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成相移圖形的示意圖，如圖4b所示，通過(guò)構(gòu)圖 工藝對(duì)相移膜21進(jìn)行圖像化，以形成相移圖形2。其中，該相移圖形2可對(duì)透過(guò)的光線的相 移產(chǎn)生180°的變化。
[0067] 需要說(shuō)明的是，本發(fā)明中的構(gòu)圖工藝是指包括光刻膠涂布、掩膜、曝光、顯影和對(duì) 膜層刻蝕中的部分或全部步驟。
[0068] 步驟103 :在相移圖形的上方和第一基板的上方形成半色調(diào)膜。
[0069] 圖4c為在相移圖形的上方和第一基板的上方形成半色調(diào)膜的示意圖，如圖4c所 示，通過(guò)氣相沉積技術(shù)在相移圖形2的上方和第一基板1的上方沉積一層半色調(diào)膜31，該 半色調(diào)膜31的光透過(guò)率為：30%?50%，可選地，該半色調(diào)膜31的材料為氧化鉻（化學(xué)式 CrO)。
[0070] 步驟104 :對(duì)半色調(diào)膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成半色調(diào)圖形，半色調(diào)圖形位于相移圖 形的上方和開(kāi)口區(qū)域內(nèi)。
[0071] 參考圖1，通過(guò)構(gòu)圖工藝對(duì)半色調(diào)膜31進(jìn)行圖像化，以形成半色調(diào)圖形3,該半色 調(diào)圖形3位于相移圖形2的上方和開(kāi)口區(qū)域4內(nèi)。掩膜板的制造流程結(jié)束。
[0072] 此外，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種薄膜晶體管的制造方法，該薄膜晶體管的制造 方法包括：
[0073] 步驟201 :在第二襯底基板的上方形成有源層。
[0074] 步驟202 :在有源層的上方形成源漏金屬層。
[0075] 步驟203 :采用上述實(shí)施例中提供的掩膜板對(duì)有源層和金屬層采用一次構(gòu)圖工藝 以形成有源層圖形、源極和漏極，源極和漏極之間形成有溝道。
[0076] 在步驟203的構(gòu)圖工藝中，所使用的掩膜板為上述實(shí)施例中提供的掩膜板，該掩 膜板將相移掩膜技術(shù)和半色調(diào)掩膜技術(shù)進(jìn)行結(jié)合，在實(shí)現(xiàn)通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成有源層圖 形、源極以及漏極的同時(shí)，還實(shí)現(xiàn)了薄膜晶體管的窄溝道設(shè)計(jì)。該掩膜板的具體結(jié)構(gòu)可參見(jiàn) 上述實(shí)施例中的描述，此處不再贅述。
[0077] 本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種薄膜晶體管的又一制造方法。圖5為本發(fā)明提供的薄 膜晶體管的又一制造方法的流程圖，如圖5所示，該制造方法包括：
[0078] 步驟301 :在第二襯底基板的上方形成柵金屬層。
[0079] 圖6a為在第二襯底基板的上方形成柵金屬層的示意圖，如圖6a所示，通過(guò)氣相 沉積技術(shù)在第二襯底基板5的上方襯底一層?xùn)沤饘賹?1，其中該柵金屬層61的厚度為 200nm ?400nm。
[0080] 步驟302 :對(duì)柵金屬層進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成柵極。
[0081] 圖6b為對(duì)柵金屬層進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成柵極的示意圖，如圖6b所示，通過(guò)構(gòu)圖工 藝對(duì)柵金屬層61進(jìn)行圖像化，以形成柵極6。
[0082] 步驟303 :在柵極的上方和第二襯底基板的上方形成柵極絕緣層。
[0083] 圖6c為在柵極的上方和第二襯底基板的上方形成柵極絕緣層的示意圖，如圖6c 所示，通過(guò)氣相沉積技術(shù)在柵極6的上方和第二襯底基板5的上方沉積一層?xùn)艠O絕緣層7， 其中該柵極絕緣層7的厚度為300nm?500nm。
[0084] 步驟304 :在柵極絕緣層的上方形成有源層。
[0085] 圖6d為在柵極絕緣層的上方形成有源層的示意圖，如圖6d所示，通過(guò)氣相沉積技 術(shù)在柵極絕緣層7的上方沉積一層有源層81，其中該有源層81的厚度為：150nm?250nm， 有源層81的材料為非晶硅（化學(xué)式a -Si)。
[0086] 步驟305 :在有源層的上方形成源漏金屬層。
[0087] 圖6e為在有源層的上方形成源漏金屬層的不意圖，如圖6e所不，通過(guò)氣相沉積技 術(shù)在有源層81的上方沉積一層源漏金屬層91，其中該源漏金屬層91的厚度為：200nm? 400nm。
[0088] 步驟306 :利用掩膜板對(duì)有源層和源漏金屬層進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝以形有源層圖 形、源極和漏極，源極和漏極之間形成有溝道，其中，該掩膜板包括第一襯底基板和形成于 第一襯底基板的上方的相移圖形，相鄰的相移圖形之間形成有開(kāi)口區(qū)域，相移圖形的上方 和開(kāi)口區(qū)域內(nèi)形成有半色調(diào)圖形。
[0089] 在步驟306中具體包括：
[0090] 步驟3061 :在源漏金屬層的上方形成光刻膠。
[0091] 圖6f為在源漏金屬層的上方形成光刻膠的示意圖，如圖6f所示，通過(guò)光刻膠涂布 裝置在源漏金屬層91涂布一層正性光刻膠10。
[0092] 步驟3062 :利用掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，并對(duì)曝光后的光刻膠進(jìn)行顯影處理。。
[0093] 圖6g為對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光和顯影后的示意圖，如圖6g所示，利用上述實(shí)施例中提 供的掩膜板對(duì)光刻膠10進(jìn)行掩膜和曝光，并利用顯影液對(duì)曝光后的光刻膠10進(jìn)行顯影。經(jīng) 過(guò)顯影液處理后，光刻膠10上對(duì)應(yīng)于掩膜板上沒(méi)有相移圖形和半色調(diào)圖形的區(qū)域被完全 去除，光刻膠10上對(duì)應(yīng)于掩膜板上既有相移圖形還有半色調(diào)圖形的區(qū)域被完全保留，光刻 膠10上對(duì)應(yīng)于掩膜板上僅有半色調(diào)圖形的區(qū)域部分保留。
[0094] 步驟3063 :對(duì)源漏金屬層和有源層進(jìn)行刻蝕處理。
[0095] 圖6h為對(duì)源漏金屬層和有源層進(jìn)行刻蝕處理后的示意圖，如圖6h所示，先通過(guò)濕 法刻蝕以去除未位于光刻膠下方的源漏金屬層91 ;再通過(guò)干法刻蝕以去除未位于光刻膠 下方的有源層81，以形成有源層圖形8。
[0096] 步驟3064 :對(duì)光刻膠進(jìn)行灰化處理，以去除位于薄膜晶體管的溝道區(qū)域的上方的 光刻膠。
[0097] 圖6i為對(duì)光刻膠進(jìn)行灰化處理的示意圖，如圖6i所示，通過(guò)灰化裝置對(duì)光刻膠10 進(jìn)行灰化處理，此時(shí)位于薄膜晶體管的溝道區(qū)域的上方的光刻膠10被完全灰化，而位于薄 膜晶體管的源極和漏極的上方的光刻膠10被部分灰化。
[0098] 步驟3065 :對(duì)源漏金屬層進(jìn)行再刻蝕以形成源極和漏極，源極和漏極之間形成有 溝道區(qū)域。
[0099] 圖6j為對(duì)源漏金屬層進(jìn)行再刻蝕以形成源極和漏極的示意圖，如圖6j所示，再次 對(duì)源漏金屬層91進(jìn)行濕法刻蝕，此時(shí)由于溝道區(qū)域11上方的光刻膠被去除，因此在對(duì)源漏 金屬層91進(jìn)行再刻蝕時(shí)，位于溝道區(qū)域的源漏金屬層91會(huì)被刻蝕掉，此時(shí)剩余的源漏金屬 層即為薄膜晶體管的源極9a和漏極9b，此時(shí)源極9a的寬度為1. 5um?2. 5um，漏極9b的 寬度為1. 5um?2. 5um，溝道區(qū)域11的寬度為1. 5um?2. 5um。
[0100] 步驟3066 :將源極和漏極上的光刻膠剝離。
[0101] 圖6k為將源極和漏極上的光刻膠剝離的示意圖，如圖6k所示，采用剝離液使得源 極9a和漏極9b上的光刻膠11剝離，薄膜晶體管的制造流程結(jié)束。
[0102] 需要說(shuō)明的是，若在有源層的上方還形成有歐姆接觸層（圖中未示出）時(shí)，則在上 述步驟3066之前還包括：
[0103] 步驟3066a :對(duì)溝道區(qū)域的歐姆接觸層進(jìn)行干法刻蝕；
[0104] 通過(guò)步驟3066a可以將溝道區(qū)域的歐姆接觸層刻蝕掉，此時(shí)僅在源極與有源層之 間以及漏極與有源層之間存在歐姆接觸層圖形，該歐姆接觸層圖形用于減小有源層與源極 或漏極之間的電阻。
[0105] 本發(fā)明實(shí)施例提供了一種掩膜板，在利用該掩膜板通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成有源層 圖形、源極以及漏極時(shí)，可實(shí)現(xiàn)薄膜晶體管的窄溝道設(shè)計(jì)。而薄膜晶體管的溝道寬度變窄， 可有效的減小薄膜晶體管的體積，實(shí)現(xiàn)薄膜晶體管的超小化，從而提高顯示面板的開(kāi)口率 以及滿足顯示面板高分辨率的設(shè)計(jì)需求。
[0106] 需要說(shuō)明的是，上述實(shí)施例是以制備底柵型的薄膜晶體管為例進(jìn)行說(shuō)明的，本領(lǐng) 域的技術(shù)人員應(yīng)該知曉的是，將上述制造流程中的部分步驟的順序進(jìn)行變換也可制備出頂 柵型的薄膜晶體管，具體過(guò)程不再詳細(xì)描述。
[0107] 可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說(shuō)明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施 方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精 神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種掩膜板，其特征在于，包括：第一襯底基板和形成于所述第一襯底基板的上方 的相移圖形，相鄰的所述相移圖形之間形成有開(kāi)口區(qū)域，所述相移圖形的上方和所述開(kāi)口 區(qū)域內(nèi)形成有半色調(diào)圖形。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述相移圖形的光透過(guò)率為：3%? 5%。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述半色調(diào)圖形的光透過(guò)率為：30%? 50%。
4. 一種掩膜板的制造方法，其特征在于，包括： 在第一襯底基板上形成相移膜； 對(duì)所述相移膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成相移圖形，相鄰的所述相移圖形之間形成有開(kāi)口區(qū) 域； 在所述相移圖形的上方和所述第一基板的上方形成半色調(diào)膜； 對(duì)所述半色調(diào)膜進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成所述半色調(diào)圖形，所述半色調(diào)圖形位于所述相移 圖形的上方和所述開(kāi)口區(qū)域內(nèi)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩膜板的制造方法，其特征在于，所述相移圖形的光透過(guò)率 為：3%?5%。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩膜板的制造方法，其特征在于，所述半色調(diào)圖形的光透過(guò) 率為：30%?50%。
7. -種薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，包括： 在第二襯底基板的上方形成有源層； 在所述有源層的上方形成源漏金屬層； 采用上述權(quán)利要求1-3中任一所述的掩膜板對(duì)所述有源層和所述金屬層采用一次構(gòu) 圖工藝以形成有源層圖形、源極和漏極，所述源極和所述漏極之間形成有溝道。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述在第二襯底基板 的上方形成有源層的步驟之前還包括： 在所述第二襯底基板的上方形成柵金屬層； 對(duì)所述柵金屬層進(jìn)行構(gòu)圖工藝以形成柵極； 在所述柵極的上方和所述第二襯底基板的上方形成柵極絕緣層； 所述在第二襯底基板的上方形成有源層的步驟具體包括： 在所述柵極絕緣層的上方形成所述有源層。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于， 所述源極的寬度為1. 5um?2. 5um ; 所述漏極的寬度為1. 5um?2. 5um ; 所述溝道區(qū)域的寬度為1. 5um?2. 5um。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述對(duì)所述有源層和 所述金屬層采用一次構(gòu)圖工藝以形成有源層圖形、源極和漏極，所述源極和所述漏極之間 形成有溝道的步驟具體包括： 在所述源漏金屬層的上方形成光刻膠； 利用上述權(quán)利要求1-3中任一所述的掩膜板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光，并對(duì)曝光后的所 述光刻膠進(jìn)行顯影處理； 對(duì)所述源漏金屬層和所述有源層進(jìn)行刻蝕處理； 對(duì)所述光刻膠進(jìn)行灰化處理，以去除位于薄膜晶體管的溝道區(qū)域的上方的所述光刻 膠； 對(duì)所述源漏金屬層進(jìn)行再刻蝕以形成所述源極和所述漏極，所述源極和所述漏極之間 形成有所述溝道區(qū)域； 將所述源極和所述漏極上的所述光刻膠剝離。
【文檔編號(hào)】H01L21/336GK104111581SQ201410325682
【公開(kāi)日】2014年10月22日 申請(qǐng)日期:2014年7月9日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月9日
【發(fā)明者】許睿 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司