一種用于芯片封裝的引線框架的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明屬于芯片封裝的引線框架【技術(shù)領(lǐng)域】，具體公開了一種用于芯片封裝的引線框架的制備方法，包括以下步驟：在一整塊金屬銅箔基體的上下表面各貼附一層干膜；通過曝光和顯影去除所述金屬銅箔基體上表面的部分干膜，以露出引線框架中需要蝕刻去除的金屬銅箔部分；通過化學(xué)藥水蝕刻去除上一步驟中露出的金屬銅箔部分；再在金屬銅箔基體上表面的干膜之上粘接一層基底材料；退去金屬銅箔基體下表面貼附的干膜以露出引線框架。通過本發(fā)明方法可以獲得精度更高和具有獨立焊盤的引線框架，滿足BGA類產(chǎn)品對于高精細(xì)度、多引腳、小節(jié)距等方面的需求。
【專利說明】一種用于芯片封裝的引線框架的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于芯片封裝的引線框架【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種用于芯片封裝的引線框架的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]引線框架的主要功能是為芯片提供機(jī)械支撐的載體，并作為導(dǎo)電介質(zhì)內(nèi)外連接芯片電路而形成電信號通路，以及與封裝外殼一同向外散發(fā)芯片工作時產(chǎn)生熱量的散熱通路。隨著封裝密度提高，封裝體積減小，引線密度(單位封裝面積上的引線數(shù))的快速增長，引線框架正向短，輕，薄，高精細(xì)度多引腳，小節(jié)距方向發(fā)展。
[0003]目前，引線框架的生產(chǎn)主要包括兩種方法:第一種是沖壓，將一整塊金屬板材通過沖壓工藝形成，比如我國第201210564926.4號專利申請，該專利就是先取銅合金片材沖壓，通過高速沖床，借助沖裁模具的凹凸模進(jìn)行沖壓形成引線框架；第二種就是蝕刻，將一整塊金屬板材通過化學(xué)蝕刻的方式，得到最終的金屬引線框。這些加工方法得到的引線框，根本無法實現(xiàn)獨立焊盤，所謂的獨立焊盤就是相互獨立沒有電氣連接的焊盤結(jié)構(gòu)，如圖1中的102。如圖1所示，引線框架的各個部分需要連接筋103連接，如果要得到獨立焊盤101，就需要在完成封裝后進(jìn)行二次蝕刻，去除連接筋103之后才能斷開連接得到真正的獨立焊盤101。
[0004]上述方式已經(jīng)無法滿足BGA類產(chǎn)品的封裝要求，因為上述工藝不僅精度不高，而且在封裝后再進(jìn)行二次蝕刻有可能傷害BGA類產(chǎn)品。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種用于芯片封裝的引線框架的制備方法，通過該方法可以制備具有獨立焊盤的引線框架，而且其制備精度更高可以滿足BGA類產(chǎn)品的封裝要求。
[0006]為了實現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案如下:
[0007]—種用于芯片封裝的引線框架的制備方法，包括以下步驟:
[0008]在一整塊金屬銅箔基體的上下表面各貼附一層干膜；
[0009]通過曝光和顯影去除所述金屬銅箔基體上表面的部分干膜，以露出引線框架中需要蝕刻去除的金屬銅箔部分；
[0010]通過化學(xué)藥水蝕刻去除上一步驟中露出的金屬銅箔部分；
[0011]再在金屬銅箔基體上表面的干膜之上粘接一層基底材料；
[0012]退去金屬銅箔基體下表面貼附的干膜以露出引線框架。
[0013]進(jìn)一步的，在退去金屬銅箔基體下表面貼附的干膜以露出引線框架后還包括以下步驟:對露出的引線框架進(jìn)行表面處理。
[0014]進(jìn)一步的，所述表面處理包括對銅面進(jìn)行的抗氧化、化學(xué)純錫、電鍍純錫、電鍍鎳金、化學(xué)鎳金、化學(xué)鎳鈀金中的一種或多種處理。[0015]進(jìn)一步的，所述基底材料為聚酰亞胺(PI )，滌綸樹脂(PET)，液晶聚合物(LCP)，聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)，聚四氟乙烯(PTFE)系薄膜，F(xiàn)R-1, FR-2，F(xiàn)R-4，陶瓷，鋼片中的任意一種或多種。
[0016]進(jìn)一步的，所述干膜的厚度為20~100微米。
[0017]進(jìn)一步的，所述再在金屬銅箔基體上表面的干膜之上粘接一層基底材料步驟中，粘接基底材料所使用的層間膠的厚度為10~100微米。
[0018]進(jìn)一步的，所述基底材料的厚度為10~200微米。
[0019]進(jìn)一步的，所述金屬銅箔基體的厚度為6~70微米。
[0020]由于本發(fā)明采用精度可以更容易控制的曝光、顯影、蝕刻一整套完整的工序，從而最終提高了引線框架的制作精度，進(jìn)而可以根據(jù)BGA的需要制作出相應(yīng)的高精度、多引腳、小間距的引線框架。不僅如此，本實施例一次加工即可獲得了獨立焊盤，在方便后續(xù)芯片封裝工藝的同時，可以避免芯片封裝完成后二次蝕刻對芯片帶來的傷害，從而間接提高產(chǎn)品質(zhì)量。
[0021]因此，通過本發(fā)明方法可以獲得精度更高和具有獨立焊盤的引線框架，滿足BGA類產(chǎn)品對于高精細(xì)度、多引腳、小節(jié)距等方面的需求。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1是現(xiàn)有沖壓或蝕刻技術(shù)制備的引線框架的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖2a圖2e是本發(fā)明各步驟對應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖3是本發(fā)明成品的俯視圖；
[0025]圖4是本發(fā)明成品的左視圖。
[0026]圖中:
[0027]101、引線框架主體 102、獨立焊盤
[0028]IO3、連接筋
[0029]201、金屬銅箔基體 202、上層干膜
[0030]203、下層干膜204、基底材料層
[0031]205、層間膠
【具體實施方式】
[0032]為了充分地了解本發(fā)明的目的、特征和效果，以下將結(jié)合附圖對本發(fā)明的構(gòu)思、具體結(jié)構(gòu)及產(chǎn)生的技術(shù)效果作進(jìn)一步說明。
[0033]實施例1
[0034]本實施例公開了一種用于芯片封裝的引線框架的制備方法，包括以下步驟:
[0035](I)、如圖2a所示，在一整塊金屬銅箔基體201的上下表面各貼附一層干膜(202、203)，上層干膜202作為金屬圖形化的圖形化介質(zhì)，下層干膜203用于保護(hù)銅箔在加工過程中不被蝕刻藥水蝕刻；
[0036](2)、如圖2b所示，通過曝光和顯影去除所述金屬銅箔基體上表面的部分干膜，以露出引線框架中需要蝕刻去除的金屬銅箔部分；即是本步驟僅僅是單面曝光和顯影，只曝光和顯影上層干膜202，作為保護(hù)作用的下層干膜203并不需要將其曝光和顯影，使其繼續(xù)起保護(hù)作用；曝光，經(jīng)光源作用在干膜上將需要去除部分的圖像轉(zhuǎn)移到干膜上；顯影，通過堿液作用，將未發(fā)生光聚合反應(yīng)之感光材料部分沖掉；曝光和顯影都是常規(guī)技術(shù)不再累述；
[0037](3)、如圖2c所示，通過化學(xué)藥水蝕刻去除上一步驟中露出的金屬銅箔部分，通過本步驟之后金屬引線框架就成型了，由于還有下層干膜203的存在，就可以利用它的支撐作用一次性制作到位將現(xiàn)有引線框架中的連接筋蝕刻掉獲得獨立焊盤；
[0038](4)、如圖2d所示，再在金屬銅箔基體上表面的干膜202之上粘接一層基底材料204，為了實現(xiàn)粘接，本實施例在制作過程中引入了一層間膠205將上層干膜202和基底材料層204連接起來，通過本步驟不僅給中間的具有獨立焊盤的引線框架提供了更穩(wěn)定的支撐，而且在將本實施例與BGA類結(jié)合完成最終封裝后，可以揭去上層干膜202實現(xiàn)基底材料層204的玻璃，進(jìn)而不妨礙BGA類產(chǎn)品的使用；
[0039](5)、如圖2e所示，退去金屬銅箔基體201下表面貼附的干膜203以露出引線框架；通過本實施例方法獲得的成品如圖3和4所示，由于有了層基底材料204的支撐，本實施例實現(xiàn)了獨立焊盤的制作。
[0040]本實施例為了滿足后續(xù)封裝工藝的要求，在退去金屬銅箔基體下表面貼附的干膜以露出引線框架后還包括以下步驟:對露出的引線框架進(jìn)行表面處理，所述表面處理包括對銅面進(jìn)行的抗氧化、化學(xué)純錫、電鍍純錫、電鍍鎳金、化學(xué)鎳金、化學(xué)鎳鈀金中的一種或多種處理。
[0041]本實施例中采用的基底材料為聚酰亞胺(PI )，滌綸樹脂(PET )，液晶聚合物(LCP)，聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)，聚四氟乙烯(PTFE)系薄膜，F(xiàn)R-1, FR-2，F(xiàn)R-4，陶瓷，鋼片中的任意一種或多種；需要說明的是，本實施例包括但不限于上述材料，其他可以用來作為支撐和保持和穩(wěn)定襯墊類材料都是本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0042]為了提高引線框的制作效率和穩(wěn)定產(chǎn)品質(zhì)量，經(jīng)過 申請人:大量實驗，本實施例優(yōu)選以下尺寸:干膜(202、203)的厚度為20?100微米；在第(4)步中，粘接基底材料所使用的層間膠205的厚度為10?100微米；基底材料層的厚度為10?200微米；金屬銅箔基體201的厚度為6?70微米。
[0043]由于本實施例采用精度可以更容易控制的曝光、顯影、蝕刻一整套完整的工序，從而最終提高了引線框架的制作精度，進(jìn)而可以根據(jù)BGA的需要制作出相應(yīng)的高精度、多引腳、小間距的引線框架。不僅如此，本實施例一次加工即可獲得了獨立焊盤，在方便進(jìn)一步封裝工藝的同時，可以避免芯片封裝完成后二次蝕刻對芯片帶來的傷害，從而間接提高產(chǎn)
品質(zhì)量。
[0044]以上詳細(xì)描述了本發(fā)明的較佳具體實施例，應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員無需創(chuàng)造性勞動就可以根據(jù)本發(fā)明的構(gòu)思做出諸多修改和變化。因此，凡本【技術(shù)領(lǐng)域】中技術(shù)人員依本發(fā)明構(gòu)思在現(xiàn)有技術(shù)基礎(chǔ)上通過邏輯分析、推理或者根據(jù)有限的實驗可以得到的技術(shù)方案，均應(yīng)該在本權(quán)利要求書所確定的保護(hù)范圍之中。
【權(quán)利要求】
1.一種用于芯片封裝的引線框架的制備方法，其特征在于包括以下步驟: 在一整塊金屬銅箔基體的上下表面各貼附一層干膜； 通過曝光和顯影去除所述金屬銅箔基體上表面的部分干膜，以露出引線框架中需要蝕刻去除的金屬銅箔部分； 通過化學(xué)藥水蝕刻去除上一步驟中露出的金屬銅箔部分； 再在金屬銅箔基體上表面的干膜之上粘接一層基底材料； 退去金屬銅箔基體下表面貼附的干膜以露出引線框架。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于芯片封裝的引線框架的制備方法，其特征在于，在退去金屬銅箔基體下表面貼附的干膜以露出引線框架后還包括以下步驟: 對露出的引線框架進(jìn)行表面處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于芯片封裝的引線框架的制備方法，其特征在于: 所述表面處理包括對銅面進(jìn)行的抗氧化、化學(xué)純錫、電鍍純錫、電鍍鎳金、化學(xué)鎳金、化學(xué)鎳鈀金中的一種或多種處理。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的用于芯片封裝的引線框架的制備方法，其特征在于: 所述基底材料為聚酰亞胺(PI)，滌綸樹脂(PET)，液晶聚合物(LCP)，聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)，聚四氟乙烯(PTFE)系薄膜，F(xiàn)R-1，F(xiàn)R-2，F(xiàn)R-4，陶瓷，鋼片中的任意一種或多種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的用于芯片封裝的引線框架的制備方法，其特征在于: 所述干膜的厚度為20?100微米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的用于芯片封裝的引線框架的制備方法，其特征在于: 所述再在金屬銅箔基體上表面的干膜之上粘接一層基底材料步驟中，粘接基底材料所使用的層間膠的厚度為10?100微米。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的用于芯片封裝的引線框架的制備方法，其特征在于: 所述基底材料的厚度為10?200微米。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的用于芯片封裝的引線框架的制備方法，其特征在于: 所述金屬銅箔基體的厚度為6?70微米。
【文檔編號】H01L21/48GK103887185SQ201410138222
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2014年4月8日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月8日
【發(fā)明者】崔成強(qiáng), 王健 申請人:安捷利（番禺）電子實業(yè)有限公司