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多芯片平鋪正裝有基島復合式平腳金屬框架結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號:7032319閱讀:136來源:國知局
多芯片平鋪正裝有基島復合式平腳金屬框架結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種多芯片平鋪正裝有基島復合式平腳金屬框架結(jié)構(gòu),所述結(jié)構(gòu)包括金屬基板框(1),所述金屬基板框(1)內(nèi)部設置有基島(2)和引腳(3),所述引腳(3)呈臺階狀,所述引腳(3)的臺階面上設置有金屬層(4),所述基島(2)有多個,所述多個基島(2)背面均正裝有芯片(6),所述芯片(6)表面與芯片(6)表面之間以及芯片(6)表面與金屬層(4)表面之間通過金屬線(7)相連接,所述金屬基板框(1)內(nèi)部區(qū)域填充有塑封料(8),所述塑封料(8)背面與金屬基板框(1)背面齊平。本實用新型的有益效果是:它能夠解決傳統(tǒng)金屬引線框的板厚之中無法埋入物件而限制金屬引線框的功能性和應用性能。
【專利說明】多芯片平鋪正裝有基島復合式平腳金屬框架結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種多芯片平鋪正裝有基島復合式平腳金屬框架結(jié)構(gòu),屬于半導體封裝【技術(shù)領(lǐng)域】。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)的四面扁平無引腳金屬引線框結(jié)構(gòu)主要有兩種:
[0003]一種是四面扁平無引腳封裝(QFN)引線框,這種結(jié)構(gòu)的引線框由銅材金屬框架與耐高溫膠膜組成(如圖3所示);
[0004]一種是預包封四面扁平無引腳封裝(PQFN)引線框,這種結(jié)構(gòu)的引線框結(jié)構(gòu)包括引腳與基島,引腳與基島之間的蝕刻區(qū)域填充有塑封料(如圖4所示)。
[0005]上述傳統(tǒng)金屬引線框存在以下缺點:
[0006]1、傳統(tǒng)金屬引線框作為裝載芯片的封裝載體,本身不具備系統(tǒng)功能,從而限制了傳統(tǒng)金屬引線框封裝后的集成功能性與應用性能;
[0007]2、由于傳統(tǒng)金屬引線框本身不具備系統(tǒng)功能,只能在引線框正面進行芯片及組件的平鋪或者堆疊封裝,而功率器件與控制芯片封裝在同一封裝體內(nèi),功率器件的散熱會影響控制芯片信號的傳輸;
[0008]3、由于傳統(tǒng)金屬引線框本身不具備系統(tǒng)功能,所以多功能系統(tǒng)集成模塊只能在傳統(tǒng)金屬引線框正面通過多芯片及組件的平鋪或堆疊而實現(xiàn),相應地也就增大元器件模塊在PCB上所占用的空間。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本實用新型的目的在于克服上述不足,提供一種多芯片平鋪正裝有基島復合式平腳金屬框架結(jié)構(gòu),它能夠解決傳統(tǒng)金屬引線框缺乏系統(tǒng)功能的問題。
[0010]本實用新型的目的是這樣實現(xiàn)的:一種多芯片平鋪正裝有基島復合式平腳金屬框架結(jié)構(gòu),它包括金屬基板框,所述金屬基板框內(nèi)部設置有基島和引腳,所述引腳呈臺階狀,所述基島和引腳的正面與金屬基板框正面齊平,所述引腳的背面與金屬基板框的背面齊平,所述基島背面與引腳的臺階面齊平,所述引腳的臺階面上設置有金屬層,所述基島有多個,所述多個基島背面均通過導電或不導電粘結(jié)物質(zhì)正裝有芯片,所述芯片表面與芯片表面之間以及芯片表面與金屬層表面之間通過金屬線相連接,所述金屬基板框內(nèi)部區(qū)域填充有塑封料,所述塑封料正面與引腳臺階面齊平,所述塑封料背面與金屬基板框背面齊平,所述基島正面、引腳的正面和背面以及金屬基板框的正面和背面設置有抗氧化層。
[0011]所述芯片與基島背面之間設置有金屬層。
[0012]所述引腳臺階面上設置有單圈或多圈導電柱子。
[0013]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實用新型具有以下有益效果:
[0014]1、復合金屬引線框架的夾層可以因為系統(tǒng)與功能的需要而在需要的位置或是區(qū)域內(nèi)埋入主動元件或是組件或是被動的組件,成為一個單層線路系統(tǒng)級的金屬引線框架;[0015]2、從復合式金屬引線框架成品的外觀完全看不出來內(nèi)部夾層已埋入了因系統(tǒng)或是功能需要的對象,尤其是硅材的芯片的埋入連X光都無法檢視,充分達到系統(tǒng)與功能的隱密性及保護性;
[0016]3、復合式金屬引線框架的夾層在制作過程中可以埋入高功率器件,二次封裝再進行控制芯片的裝片,從而高功率器件與控制芯片分別裝在復合式金屬引線框兩側(cè),可以避免高功率器件散熱而干擾控制芯片的信號傳輸;
[0017]4、復合式金屬引線框架本身內(nèi)含埋入對象的功能,二次封裝后可以充分實現(xiàn)系統(tǒng)功能的集成與整合,從而同樣功能的元器件模塊的體積尺寸要比傳統(tǒng)引線框封裝的模塊來的小,相應在PCB上所占用的空間也就比較少,從而也就降低了成本;
[0018]5、復合式金屬引線框架的夾層在制作過程中可以因為導熱或是散熱需要而在需要的位置或是區(qū)域內(nèi)埋入導熱或是散熱對象,從而改善整個封裝結(jié)構(gòu)的散熱效果;
[0019]6、復合式金屬引線框架成品本身就富含了各種的組件,如果不再進行后續(xù)第二次封裝的情況下,將復合式金屬引線框架依照每一格單元切開,本身就可成為一個超薄的封裝體;
[0020]7、復合式金屬引線框架除了本身內(nèi)含對象的埋入功能之外還可以在封裝體外圍再疊加不同的單元封裝或是系統(tǒng)級封裝,充分達到單層線路金屬引線框架的雙系統(tǒng)或是多系統(tǒng)級的封裝技術(shù)能力;
[0021]8、復合式金屬引線框架內(nèi)所埋入的物件或?qū)ο缶c金屬厚度齊平,充分的體現(xiàn)出超薄與高密度的填充在復合式金屬引線框內(nèi)的厚度空間之中。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1為本實用新型一種多芯片平鋪正裝有基島復合式平腳金屬框架結(jié)構(gòu)實施例1的示意圖。
[0023]圖2為本實用新型一種多芯片平鋪正裝有基島復合式平腳金屬框架結(jié)構(gòu)實施例2的示意圖。
[0024]圖3為傳統(tǒng)四面扁平無引腳封裝(QFN)引線框結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0025]圖4為預包封四面扁平無引腳封裝(PQFN)引線框結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0026]其中:
[0027]金屬基板框I
[0028]基島2
[0029]引腳3
[0030]金屬層4
[0031]導電或不導電粘結(jié)物質(zhì)5
[0032]芯片6
[0033]金屬線7
[0034]塑封料8
[0035]抗氧化層9
[0036]導電柱子10?!揪唧w實施方式】
[0037]實施例1:
[0038]參見圖1,本實用新型一種多芯片平鋪正裝有基島復合式平腳金屬框架結(jié)構(gòu),它包括金屬基板框1,所述金屬基板框I內(nèi)部設置有基島2和引腳3,所述引腳3呈臺階狀,所述基島2和引腳3的正面與金屬基板框I正面齊平,所述引腳3的背面與金屬基板框I的背面齊平,所述基島2背面與引腳3的臺階面齊平,所述引腳3的臺階面上設置有金屬層4,所述基島2有多個,所述多個基島2背面均通過導電或不導電粘結(jié)物質(zhì)5正裝有芯片6,所述芯片6表面與芯片6表面之間以及芯片6表面與金屬層4表面之間通過金屬線7相連接,所述金屬基板框I內(nèi)部區(qū)域填充有塑封料8,所述塑封料8正面與引腳3臺階面齊平,所述塑封料8背面與金屬基板框I背面齊平,所述基島2正面、引腳3的正面和背面以及金屬基板框I的正面和背面設置有抗氧化層9。
[0039]所述芯片6與基島2背面之間設置有金屬層4。
[0040]實施例2:
[0041]參見圖2,實施例2與實施例1的區(qū)別在于:所述引腳3臺階面上設置有單圈或多圈導電柱子10。
【權(quán)利要求】
1.一種多芯片平鋪正裝有基島復合式平腳金屬框架結(jié)構(gòu),其特征在于:它包括金屬基板框(1),所述金屬基板框(I)內(nèi)部設置有基島(2)和引腳(3),所述引腳(3)呈臺階狀,所述基島(2)和引腳(3)的正面與金屬基板框(I)正面齊平,所述引腳(3)的背面與金屬基板框(I)的背面齊平,所述基島(2)背面與引腳(3)的臺階面齊平,所述引腳(3)的臺階面上設置有金屬層(4),所述基島(2)有多個,所述多個基島(2)背面均通過導電或不導電粘結(jié)物質(zhì)(5)正裝有芯片(6),所述芯片(6)表面與芯片(6)表面之間以及芯片(6)表面與金屬層(4)表面之間通過金屬線(7)相連接,所述金屬基板框(I)內(nèi)部區(qū)域填充有塑封料(8),所述塑封料(8)正面與引腳(3)臺階面齊平,所述塑封料(8)背面與金屬基板框(I)背面齊平,所述基島(2)正面、引腳(3)的正面和背面以及金屬基板框(I)的正面和背面設置有抗氧化層(9)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多芯片平鋪正裝有基島復合式平腳金屬框架結(jié)構(gòu),其特征在于:所述芯片(6)與基島(2)背面之間設置有金屬層(4)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種多芯片平鋪正裝有基島復合式平腳金屬框架結(jié)構(gòu),其特征在于:所述引腳(3)臺階面上設置有單圈或多圈導電柱子(10)。
【文檔編號】H01L23/495GK203707116SQ201320791528
【公開日】2014年7月9日 申請日期:2013年12月5日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月5日
【發(fā)明者】梁志忠, 梁新夫, 王亞琴 申請人:江蘇長電科技股份有限公司
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