專利名稱：陣列基板及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及陣列基板及顯示裝置。
背景技術(shù)：
隨著顯示技術(shù)的迅速發(fā)展，顯示裝置的尺寸在不斷的增大，驅(qū)動電路的頻率也在不斷的增大，因此，需要遷移率更高的薄膜晶體管進行工作。其中，遷移率是指載流子(電子和空穴)在單位電場作用下的平均漂移速度，即載流子在電場作用下運動速度的快慢。載流子運動得越快，遷移率越大；載流子運動得越慢，遷移率越小。由于現(xiàn)有的非晶硅薄膜晶體管的遷移率無法滿足大尺寸的顯示裝置，因此，具有高遷移率的多晶硅薄膜晶體管和金屬氧化物薄膜晶體管得到了廣泛重視，而金屬氧化物半導(dǎo)體TFT(Thin FilmTransistor,薄膜晶體管)(如 IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide,銦嫁鋒氧化物)TFT)以其遷移率高，透明，制作工藝簡單等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于顯示裝置中。目前，金屬氧化物TFT的結(jié)構(gòu)主要分為刻蝕阻擋型(Etch Stop Type)、背溝道刻蝕型(Back Channel Etch Type)和共面型(Coplanar Type)三種類型。然而，在制備薄膜晶體管陣列基板的過程中，刻蝕阻擋型金屬氧化物TFT制作工藝簡單，但是需要一次額外的光刻工藝形成刻蝕阻擋層，增加了金屬氧化物TFT的制作工藝流程。背溝道刻蝕型金屬氧化物TFT由于金屬氧化物半導(dǎo)體層上沒有設(shè)置保護層，在形成源漏金屬電極時很容易對金屬氧化物半導(dǎo)體層造成破壞，從而損害了金屬氧化物TFT的性能。共面型金屬氧化物TFT雖然在制備過程中避免了在形成源漏金屬電極工藝中對金屬氧化物半導(dǎo)體層的破壞，與刻蝕阻擋型制作金屬氧化物TFT相比還少了 一次光刻工藝，減少了制備制造的投入，但是由于漏極、金屬氧化物半導(dǎo)體層與像素電極層之間的電阻較大，降低了金屬氧化物TFT的顯示特性。

實用新型內(nèi)容本實用新型的實施例提供一種陣列基板及顯示裝置，能夠在避免形成源漏金屬電極時對金屬氧化物半導(dǎo)體層造成破壞，同時，使用像素電極層與金屬氧化物半導(dǎo)體層直接接觸，不需要漏極金屬，降低了金屬氧化物半導(dǎo)體層與像素電極層之間的電阻，大大提升了顯示裝置的顯示特性。為達到上述目的，本實用新型的實施例采用如下技術(shù)方案:本實用新型實施例提供一種陣列基板，包括:基板；設(shè)置于所述基板上的包括柵極的柵極層；設(shè)置于所述柵極層上的柵絕緣層；設(shè)置于所述柵絕緣層上的包括源極的源極層；以及設(shè)置于所述源極層和所述柵絕緣層上的包括有源層的金屬氧化物半導(dǎo)體層，其中，所述源極與所述有源層直接接觸；[0012]與所述有源層直接接觸的像素電極層，其中，所述柵極對應(yīng)于所述像素電極層與所述有源層接觸的接觸部與所述源極之間的位置。所述像素電極層設(shè)置于所述金屬氧化物半導(dǎo)體層上，或者設(shè)置于所述金屬氧化物半導(dǎo)體層與所述柵絕緣層之間。所述陣列基板，還包括:設(shè)置于所述金屬氧化物半導(dǎo)體層上的絕緣層。所述絕緣層內(nèi)形成有過孔，所述像素電極層通過所述過孔與所述有源層連接。本實用新型實施例提供一種顯示裝置，包括具有上述任一特征的陣列基板。本實用新型實施例提供的陣列基板及顯示裝置，陣列基板包括基板，設(shè)置于基板上的包括柵極的柵極層，設(shè)置于柵極層上的柵絕緣層，設(shè)置于柵絕緣層上的包括源極的源極層，以及設(shè)置于源極層和柵絕緣層上的包括有源層的金屬氧化物半導(dǎo)體層，其中，源極與有源層直接接觸，以及與有源層直接接觸的像素電極層，其中，柵極對應(yīng)于像素電極層與有源層接觸的接觸部與源極之間的位置。通過該方案，由于在形成了源極之后，在柵絕緣層上設(shè)置了金屬氧化物半導(dǎo)體層，并且金屬氧化物半導(dǎo)體層與像素電極層直接接觸，能夠在避免形成源漏金屬電極時對金屬氧化物半導(dǎo)體層造成破壞，同時，使用像素電極層與金屬氧化物半導(dǎo)體層直接接觸，不需要漏極金屬，降低了金屬氧化物半導(dǎo)體層與像素電極層之間的電阻，大大提升了顯示裝置的顯示特性。

圖1為本實用新型實施例提供的陣列基板的局部結(jié)構(gòu)剖視示意圖一；圖2為本實用新型實施例提供的陣列基板的俯視圖一；圖3為本實用新型實施例提供的陣列基板的局部結(jié)構(gòu)剖視示意圖二 ；圖4為本實用新型實施例提供的陣列基板的俯視圖二 ；圖5為本實用新型實施例提供的制作陣列基板的方法流程圖一；圖6到圖12為本實用新型實施例提供的陣列基板制造過程中的各步驟所形成的局部結(jié)構(gòu)剖視示意圖；圖13為本實用新型實施例提供的制作陣列基板的方法流程圖二 ；圖14到圖16為本實用新型實施例提供的另一陣列基板制造過程中的相關(guān)步驟所形成的局部結(jié)構(gòu)剖視示意圖。
具體實施方式
下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。本實用新型實施例提供一種陣列基板，包括:基板；設(shè)置于基板上的包括柵極的柵極層；[0032]設(shè)置于柵極層上的柵絕緣層；設(shè)置于柵絕緣層上的包括源極的源極層；以及設(shè)置于源極層和柵絕緣層上的包括有源層的金屬氧化物半導(dǎo)體層，其中，源極與有源層直接接觸；與有源層直接接觸的像素電極層，其中，柵極對應(yīng)于像素電極層與有源層接觸的接觸部與源極之間的位置。在第一種可能的實現(xiàn)方式中，本實用新型實施例提供一種陣列基板1，該陣列基板的局部結(jié)構(gòu)剖視圖如圖1所示，包括:基板10 ；設(shè)置于基板10上的包括柵極的柵極層11 ;設(shè)置于柵極層11上的柵絕緣層12 ；設(shè)置于柵絕緣層12上的包括源極的源極層13 ;以及設(shè)置于源極層13和柵絕緣層12上的包括有源層的金屬氧化物半導(dǎo)體層14，其中，源極與有源層直接接觸；與有源層直接接觸的像素電極層15，其中，柵極對應(yīng)于像素電極層15與有源層接觸的接觸部與源極之間的位置。進一步地，像素電極層15設(shè)置于金屬氧化物半導(dǎo)體層14上。進一步地，該陣列基板I還包括:設(shè)置于金屬氧化物半導(dǎo)體層14上的絕緣層16。進一步地，絕緣層16內(nèi)形成有過孔160，像素電極層15通過過孔160與有源層連接。進一步地，金屬氧化物半導(dǎo)體層14的材料為銦鎵鋅氧化物。其中，絕緣層16和柵絕緣層12的材料可以為二氧化硅。需要補充的是，本實用新型實施例所提供的絕緣層16和柵絕緣層12的材料可以為二氧化硅，也可以為其他能夠起到保護絕緣層16下方的金屬氧化物半導(dǎo)體層14和柵絕緣層12下方的包括柵極的柵極層11并起絕緣作用的其他材料，本實用新型不做限制。需要說明的是，本實用新型實施例所提供的陣列基板1，由于柵絕緣層12上并沒有設(shè)置漏極，而是使用像素電極層15和金屬氧化物半導(dǎo)體層14直接接觸的方式，不需要漏極。由于金屬氧化物半導(dǎo)體層14的材料為銦鎵鋅氧化物，當(dāng)薄膜晶體管工作時，銦鎵鋅氧化物導(dǎo)通，使源極與像素電極層15和金屬氧化物半導(dǎo)體層14導(dǎo)通，起到了代替漏極的作用，同時，降低了金屬氧化物半導(dǎo)體層14與像素電極層15之間的電阻，大大提升了顯示裝置的顯示特性。本實用新型實施例提供的陣列基板I的俯視圖如圖2所示，包括基板10，設(shè)置于基板10上的包括柵極的柵極層11，設(shè)置于柵極層11上的柵絕緣層(圖中未畫出)，設(shè)置于柵絕緣層上的包括源極的源極層13，以及設(shè)置于源極層13和柵絕緣層上的包括有源層的金屬氧化物半導(dǎo)體層14，其中，源極與有源層直接接觸，與有源層直接接觸的像素電極層15，其中，柵極對應(yīng)于像素電極層15與有源層接觸的接觸部與源極之間的位置。需要說明的是，本實用新型實施例所提供的陣列基板1，如圖2中虛線框所標(biāo)注的區(qū)域，由于柵絕緣層12上并沒有設(shè)置漏極，而是使用像素電極層15和金屬氧化物半導(dǎo)體層14直接接觸的方式，代替了不需要漏極，降低了金屬氧化物半導(dǎo)體層14與像素電極層15之間的電阻，大大提升了顯示裝置的顯示特性。在第二種可能的實現(xiàn)方式中，本實用新型實施例提供一種陣列基板1，該陣列基板的局部結(jié)構(gòu)剖視圖如圖3所示，包括:基板10 ；設(shè)置于基板10上的包括柵極的柵極層11 ；設(shè)置于柵極層11上的柵絕緣層12 ；設(shè)置于柵絕緣層12上的包括源極的源極層13 ；以及設(shè)置于源極層13和柵絕緣層12上的包括有源層的金屬氧化物半導(dǎo)體層14，其中，源極與有源層直接接觸；與有源層直接接觸的像素電極層15，其中，柵極對應(yīng)于像素電極層15與有源層接觸的接觸部與源極之間的位置。進一步地，像素電極層15設(shè)置于金屬氧化物半導(dǎo)體層14與柵絕緣層12之間，其中，像素電極層15與金屬氧化物半導(dǎo)體層14直接接觸。進一步地，該陣列基板I還包括:設(shè)置于金屬氧化物半導(dǎo)體層14上的絕緣層16。進一步地，金屬氧化物半導(dǎo)體層14的材料為銦鎵鋅氧化物。其中，絕緣層16和柵絕緣層12的材料可以為二氧化硅。需要補充的是，本實用新型實施例所提供的絕緣層16和柵絕緣層12的材料可以為二氧化硅，也可以為其他能夠起到保護絕緣層16下方的金屬氧化物半導(dǎo)體層14和柵絕緣層12下方的包括柵極的柵極層11并起絕緣作用的其他材料，本實用新型不做限制。需要說明的是，本實用新型實施例所提供的陣列基板1，由于柵絕緣層12上并沒有設(shè)置漏極，而是使用像素電極層15和金屬氧化物半導(dǎo)體層14直接接觸的方式，不需要漏極。由于金屬氧化物半導(dǎo)體層14的材料為銦鎵鋅氧化物，當(dāng)薄膜晶體管工作時，銦鎵鋅氧化物導(dǎo)通，使源極與像素電極層15和金屬氧化物半導(dǎo)體層14導(dǎo)通，起到了代替漏極的作用，同時，降低了金屬氧化物半導(dǎo)體層14與像素電極層15之間的電阻，大大提升了顯示裝置的顯示特性。需要說明的是，在第二種可能的實現(xiàn)方式中，由于像素電極層15設(shè)置于金屬氧化物半導(dǎo)體層14與柵絕緣層12之間，且像素電極層15與金屬氧化物半導(dǎo)體層14直接接觸，因此，絕緣層16內(nèi)無需形成過孔。本實用新型實施例提供的陣列基板I的俯視圖如圖4所示，包括基板10，設(shè)置于基板10上的包括柵極的柵極層11，設(shè)置于柵極層11上的柵絕緣層(圖中未畫出)，設(shè)置于柵絕緣層上的包括源極的源極層13，以及設(shè)置于源極層13和柵絕緣層上的包括有源層的金屬氧化物半導(dǎo)體層14，其中，源極與有源層直接接觸，與有源層直接接觸的像素電極層15，其中，柵極對應(yīng)于像素電極層15與有源層接觸的接觸部與源極之間的位置。需要說明的是，本實用新型實施例所提供的陣列基板1，如圖2中虛線框所標(biāo)注的區(qū)域，由于柵絕緣層12上并沒有設(shè)置漏極，而是使用像素電極層15和金屬氧化物半導(dǎo)體層14直接接觸的方式，代替了不需要漏極，降低了金屬氧化物半導(dǎo)體層14與像素電極層15之間的電阻，大大提升了顯示裝置的顯示特性。[0073]上述的第一種實現(xiàn)方式的陣列基板與第二種實現(xiàn)方式的陣列基板的區(qū)別僅在于，第一種實現(xiàn)方式中的像素電極層15位于金屬氧化物半導(dǎo)體層14之上，且像素電極層15與金屬氧化物半導(dǎo)體層14之間有絕緣層16，像素電極層15與金屬氧化物半導(dǎo)體層14之間通過過孔160連接；而第二種實現(xiàn)方式中的金屬氧化物半導(dǎo)體層14位于像素電極層15之上，像素電極層15位于柵絕緣層12與金屬氧化物半導(dǎo)體層14之間，且絕緣層16位于金屬氧化物半導(dǎo)體層14之上。但是這兩種實現(xiàn)方式的陣列基板的目的均是使像素電極層15和金屬氧化物半導(dǎo)體層14直接接觸，當(dāng)薄膜晶體管工作時，金屬氧化物半導(dǎo)體層14導(dǎo)通，使源極與像素電極層15和金屬氧化物半導(dǎo)體層14導(dǎo)通，起到了代替漏極的作用，同時，降低了金屬氧化物半導(dǎo)體層14與像素電極層15之間的電阻，大大提升了顯示裝置的顯示特性。本實用新型實施例提供的陣列基板包括:基板，設(shè)置于基板上的包括柵極的柵極層，設(shè)置于柵極層上的柵絕緣層，設(shè)置于柵絕緣層上且在柵極上方的包括源極的源極層，設(shè)置于源極層和柵絕緣層上且與源極直接接觸的包括有源層的金屬氧化物半導(dǎo)體層，以及與有源層直接接觸的像素電極層，其中，柵極對應(yīng)于像素電極層與有源層接觸的接觸部與源極之間的位置。通過該方案，由于在形成了源極之后，在柵絕緣層上設(shè)置了金屬氧化物半導(dǎo)體層，并且金屬氧化物半導(dǎo)體層與像素電極層直接接觸，能夠在避免形成源漏金屬電極時對金屬氧化物半導(dǎo)體層造成破壞，同時，使用像素電極層與金屬氧化物半導(dǎo)體層直接接觸，不需要漏極金屬，降低了金屬氧化物半導(dǎo)體層與像素電極層之間的電阻，大大提升了顯示裝置的顯示特性。本實用新型實施例提供一種陣列基板的制作方法，如圖5所示，該方法包括:SlOl、在基板上形成包括柵極的柵極層。如圖6所示，在制作陣列基板時，首先在經(jīng)過預(yù)先清洗的基板10上，例如通過濺射工藝形成一層?xùn)艠O金屬薄膜，并例如通過掩膜和濕法刻蝕的工藝，在基板10上形成包括柵極的柵極層11。其中，濕法刻蝕是一種刻蝕方法，是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進行腐蝕的技術(shù)。S102、在柵極層上形成柵絕緣層。如圖7 所不，在柵極層 11 上，例如通過 PECVD (Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，等離子體增強化學(xué)氣相沉積)方法，形成柵絕緣層12，以使得柵絕緣層12保護柵絕緣層12下方的包括柵線的柵極層11不受破壞，并且該柵絕緣層12起到絕緣的作用。其中，柵絕緣層12的材料可以為二氧化硅。需要補充的是，本實用新型實施例所提供的柵絕緣層12的材料可以為二氧化硅，也可以為其他能夠起到保護柵絕緣層12下方的包括柵極的柵極層11，并起絕緣作用的其他材料，本實用新型不做限制。S103、在柵絕緣層上形成包括源極的源極層。其中，源極形成于柵極的上方。如圖8所示，在柵絕緣層12上，例如通過濺射工藝形成一層金屬薄膜，并通過掩膜和濕法刻蝕的工藝，在柵絕緣層12上形成包括源極的源極層13，源極形成于柵極11的上方。S104、在源極層和柵絕緣層上形成包括有源層的金屬氧化物半導(dǎo)體層，其中，源極與有源層直接接觸。[0086]如圖9所示，在源極層13和柵絕緣層12上，例如通過濺射工藝形成一層金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜，并通過掩膜和濕法刻蝕的工藝，在源極層13和柵絕緣層12上形成金屬氧化物半導(dǎo)體層14，其中，源極與有源層直接接觸。進一步地，金屬氧化物半導(dǎo)體層14的材料為銦鎵鋅氧化物。需要說明的是，由于在形成金屬氧化物半導(dǎo)體層14之前，就已經(jīng)在柵絕緣層12上刻蝕形成了源極，因此能夠避免在形成源極時對金屬氧化物半導(dǎo)體層14造成破壞，保護了金屬氧化物半導(dǎo)體層14的完整性。S105、在金屬氧化物半導(dǎo)體層上形成絕緣層。如圖10所示，在金屬氧化物半導(dǎo)體層14上，例如通過PECVD方法形成絕緣層16，以使得絕緣層16保護絕緣層16下方的金屬氧化物半導(dǎo)體層14不受破壞，并且該絕緣層16起到絕緣的作用。其中，絕緣層16的材料優(yōu)選為二氧化硅。需要補充的是，本實用新型實施例所提供的絕緣層16的材料可以為二氧化硅，也可以為其他能夠起到保護絕緣層16下方的金屬氧化物半導(dǎo)體層14，并起絕緣作用的其他材料，本實用新型不做限制。S106、在絕緣層內(nèi)形成過孔，使得像素電極層通過過孔與有源層連接。如圖11所示，例如通過掩膜和干法刻蝕的工藝，在絕緣層16上形成過孔160，使得像素電極層通過過孔與有源層連接。其中，干法刻蝕是一種用等離子體進行薄膜刻蝕的技術(shù)，通過選擇合適的氣體，就可以使氣體更快地與材料進行反應(yīng)，實現(xiàn)刻蝕去除的目的。S107、在金屬氧化物半導(dǎo)體層上形成像素電極層，其中，像素電極層與有源層直接接觸，且柵極對應(yīng)于像素電極層與有源層接觸的接觸部與源極之間的位置。如圖12所示，在絕緣層16上，例如通過濺射工藝形成一層像素電極薄膜，通過掩膜和濕法刻蝕的工藝，在金屬氧化物半導(dǎo)體層14上形成像素電極層15，其中，像素電極層15與有源層直接接觸，且柵極對應(yīng)于像素電極層與有源層接觸的接觸部與源極之間的位置。需要說明的是，本實用新型實施例所提供的陣列基板的制作方法，由于柵絕緣層12上并沒有設(shè)置漏極，而是使用像素電極層15和金屬氧化物半導(dǎo)體層14直接接觸的方式，不需要漏極。由于金屬氧化物半導(dǎo)體層14的材料為銦鎵鋅氧化物，當(dāng)薄膜晶體管工作時，驅(qū)使銦鎵鋅氧化物導(dǎo)電，使源極與像素電極層15和金屬氧化物半導(dǎo)體層14導(dǎo)通，起到了代替漏極的作用，同時，降低了金屬氧化物半導(dǎo)體層14與像素電極層15之間的電阻，大大提升了顯示裝置的顯示特性。本實用新型實施例提供的陣列基板的制作方法，在基板上形成包括的柵極層?xùn)艠O，在柵極層上形成柵絕緣層，在柵絕緣層上且在柵極上方形成包括源極的源極層，在源極層和柵絕緣層上形成與源極直接接觸的包括有源層的金屬氧化物半導(dǎo)體層，以及在金屬氧化物半導(dǎo)體層上形成像素電極層，其中，像素電極層與金屬氧化物半導(dǎo)體層直接接觸。通過該方案，由于在形成了源極之后，在柵絕緣層上設(shè)置了金屬氧化物半導(dǎo)體層，并且金屬氧化物半導(dǎo)體層與像素電極層直接接觸，能夠在避免形成源漏金屬電極時對金屬氧化物半導(dǎo)體層造成破壞，同時，使用像素電極層與金屬氧化物半導(dǎo)體層直接接觸，不需要漏極金屬，降低了金屬氧化物半導(dǎo)體層與像素電極層之間的電阻，大大提升了顯示裝置的顯示特性。[0099]本實用新型實施例還提供一種陣列基板的制作方法，如圖11所示，該方法包括:S201、在基板上形成包括柵極的柵極層。如圖6所示，在制作陣列基板時，首先在經(jīng)過預(yù)先清洗的基板10上，例如通過濺射工藝形成一層?xùn)艠O金屬薄膜，并例如通過掩膜和濕法刻蝕的工藝，在基板10上形成包括柵極的柵極層11。其中，濕法刻蝕是一種刻蝕方法，是將刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進行腐蝕的技術(shù)。S202、在柵極層上形成柵絕緣層。如圖1 所不，在柵極層 11 上，例如通過 PECVD (Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，等離子體增強化學(xué)氣相沉積)方法，形成柵絕緣層12，以使得柵絕緣層12保護柵絕緣層12下方的包括柵線的柵極層11不受破壞，并且該柵絕緣層12起到絕緣的作用。其中，柵絕緣層12的材料可以為二氧化硅。需要補充的是，本實用新型實施例所提供的柵絕緣層12的材料可以為二氧化硅，也可以為其他能夠起到保護柵絕緣層12下方的包括柵極的柵極層11，并起絕緣作用的其他材料，本實用新型不做限制。S203、在柵絕緣層上形成包括源極的源極層和像素電極層。如圖14所示，在柵絕緣層12上，例如通過濺射工藝形成一層像素電極薄膜，例如通過掩膜和濕法刻蝕的工藝，在柵絕緣層12上形成像素電極層15 ;并且在柵絕緣層12上例如通過濺射工藝形成一層金屬薄膜，并例如通過掩膜和濕法刻蝕的工藝，在柵絕緣層12上形成包括源極的源極層13。S204、在源極層、柵絕緣層和像素電極層上形成包括有源層的金屬氧化物半導(dǎo)體層，其中，源極與有源層直接接觸，像素電極層與金屬氧化物半導(dǎo)體層直接接觸，且柵極對應(yīng)于像素電極層與有源層接觸的接觸部與源極之間的位置。如圖15所示，在源極層13、柵絕緣層12和像素電極層15上，例如通過濺射工藝形成一層金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜，并例如通過掩膜和濕法刻蝕的工藝，在源極層13、柵絕緣層12和像素電極層15上形成包括有源層的金屬氧化物半導(dǎo)體層14，其中，源極與有源層直接接觸，像素電極層15與金屬氧化物半導(dǎo)體層14直接接觸，且柵極對應(yīng)于像素電極層與有源層接觸的接觸部與源極之間的位置。進一步地，金屬氧化物半導(dǎo)體層14的材料為銦鎵鋅氧化物。需要說明的是，由于在形成金屬氧化物半導(dǎo)體層14之前，就已經(jīng)在柵絕緣層12上刻蝕形成了源極，因此能夠避免在形成源極時對金屬氧化物半導(dǎo)體層14造成破壞，保護了金屬氧化物半導(dǎo)體層14的完整性。S205、在金屬氧化物半導(dǎo)體層上形成絕緣層。如圖16所示，在金屬氧化物半導(dǎo)體層14上，例如通過PECVD方法形成絕緣層16，以使得絕緣層16保護絕緣層16下方的金屬氧化物半導(dǎo)體層14不受破壞，并且該絕緣層16起到絕緣的作用。其中，絕緣層16的材料可以為二氧化硅。需要補充的是，本實用新型實施例所提供的絕緣層16的材料可以為二氧化硅，也可以為其他能夠起到保護絕緣層16下方的金屬氧化物半導(dǎo)體層14，并起絕緣作用的其他材料，本實用新型不做限制。[0116]需要補充的是，由于此種方法所制作的陣列基板的像素電極層15位于金屬氧化物半導(dǎo)體層14和絕緣層16之下，因此，為了在焊盤區(qū)域露出像素電極層15，需要在制作金屬氧化物半導(dǎo)體層14和絕緣層16之后，通過刻蝕剝離的方法去除焊盤區(qū)域的金屬氧化物半導(dǎo)體層14和絕緣層16。需要說明的是，本實用新型實施例所提供的陣列基板的制作方法，由于柵絕緣層12上并沒有設(shè)置漏極，而是使用像素電極層15和金屬氧化物半導(dǎo)體層14直接接觸的方式，不需要漏極。由于金屬氧化物半導(dǎo)體層14的材料為銦鎵鋅氧化物，當(dāng)薄膜晶體管工作時，驅(qū)使銦鎵鋅氧化物導(dǎo)電，使源極與像素電極層15和金屬氧化物半導(dǎo)體層14導(dǎo)通，起到了代替漏極的作用，同時，降低了金屬氧化物半導(dǎo)體層14與像素電極層15之間的電阻，大大提升了顯示裝置的顯示特性。本實用新型實施例提供的陣列基板的制作方法，在基板上形成包括柵極的柵極層，在柵極層上形成柵絕緣層，在柵絕緣層上且在柵極的上方形成包括源極的源極層和像素電極層，以及在源極層、柵絕緣層和像素電極層上形成包括有源層的金屬氧化物半導(dǎo)體層，其中，源極與有源層直接接觸，像素電極層與金屬氧化物半導(dǎo)體層直接接觸，且柵極對應(yīng)于像素電極層與有源層接觸的接觸部與源極之間的位置。通過該方案，由于在形成了源極之后，在柵絕緣層上設(shè)置了金屬氧化物半導(dǎo)體層，并且金屬氧化物半導(dǎo)體層與像素電極層直接接觸，能夠在避免形成源漏金屬電極時對金屬氧化物半導(dǎo)體層造成破壞，同時，使用像素電極層與金屬氧化物半導(dǎo)體層直接接觸，不需要漏極金屬，降低了金屬氧化物半導(dǎo)體層與像素電極層之間的電阻，大大提升了顯示裝置的顯示特性。本實用新型實施例提供一種顯示裝置，包括具有上述任意特征的陣列基板。本實用新型中，盡管以IGZO作為金屬氧化物的典型例子進行了說明，然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，還可以以例如IGO (銦鎵氧化物)等其它金屬氧化物作為TFT的溝道層。盡管以二氧化硅作為絕緣層的材料的例子進行了說明，然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，也可以采用其他絕緣材料。此外，本實用新型以TFT的與數(shù)據(jù)線相連的一極為源極，以TFT的與像素電極相連的一極為被省略的漏極為例進行了說明，然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，對于TFT，其源極和漏極是可以互換的，這屬于本實用新型所描述的實施例的等同實施方式。本實用新型實施例提供的顯示裝置可以為液晶顯示裝置，液晶顯示裝置可以為液晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相框、手機、平板電腦等具有顯示功能的產(chǎn)品或者部件，且該液晶顯示裝置可以應(yīng)用上述陣列基板，該陣列基板的結(jié)構(gòu)與上述實施例相同，此處不再贅述。本實用新型實施例提供的顯示裝置還可以為0LED(0rganic Light-EmittingDiode,有機發(fā)光二極管)顯示裝置，包括上述實施例所提出的陣列基板，以及蒸鍍于該陣列基板之上的有機發(fā)光材料及封裝蓋板。以上所述，僅為本實用新型的具體實施方式
，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。因此，本實用新型的保護范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種陣列基板，其特征在于，包括: 基板； 設(shè)置于所述基板上的包括柵極的柵極層； 設(shè)置于所述柵極層上的柵絕緣層； 設(shè)置于所述柵絕緣層上的包括源極的源極層；以及 設(shè)置于所述源極層和所述柵絕緣層上的包括有源層的金屬氧化物半導(dǎo)體層，其中，所述源極與所述有源層直接接觸； 與所述有源層直接接觸的像素電極層， 其中，所述柵極對應(yīng)于所述像素電極層與所述有源層接觸的接觸部與所述源極之間的位置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極層設(shè)置于所述金屬氧化物半導(dǎo)體層上，或者設(shè)置于所述金屬氧化物半導(dǎo)體層與所述柵絕緣層之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括: 設(shè)置于所述金屬氧化物半導(dǎo)體層上的絕緣層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述絕緣層內(nèi)形成有過孔，所述像素電極層通過所述過孔與所述有源層連接。
5.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-4中任意一項所述的陣列基板。
專利摘要本實用新型實施例提供陣列基板及顯示裝置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，能夠在避免形成源漏金屬電極時對金屬氧化物半導(dǎo)體層造成破壞，同時，使用像素電極層與金屬氧化物半導(dǎo)體層直接接觸，不需要漏極金屬，降低了金屬氧化物半導(dǎo)體層與像素電極層之間的電阻，大大提升了顯示裝置的顯示特性。本實用新型的陣列基板包括基板；設(shè)置于基板上的包括柵極的柵極層；設(shè)置于柵極層上的柵絕緣層；設(shè)置于柵絕緣層上的包括源極的源極層；以及設(shè)置于源極層和柵絕緣層上的包括有源層的金屬氧化物半導(dǎo)體層，其中，源極與有源層直接接觸；與有源層直接接觸的像素電極層，其中，柵極對應(yīng)于像素電極層與有源層接觸的接觸部與源極之間的位置。
文檔編號H01L27/12GK203054410SQ20132004681
公開日2013年7月10日 申請日期2013年1月28日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月28日
發(fā)明者王慧, 徐向陽 申請人:合肥京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團股份有限公司