專利名稱：一種芯片堆疊熔接輔助裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及元件表面貼裝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及芯片堆疊熔接的輔助裝置。
背景技術(shù)：
隨著SMT貼片制造技術(shù)的發(fā)展，各種SMT工藝層出不窮，POP (元件堆疊技術(shù))工藝也已大量運(yùn)用在手機(jī)制造生產(chǎn)過程中。由于其要求兩個芯片貼裝在一起，必須用POP專用FEEDER (飛達(dá))才能實(shí)現(xiàn)，但是POP FEEDER由于價格昂貴，不利于降低制造成本。
發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，本實(shí)用新型的目的就是為了解決以上問題，提供一種芯片堆疊熔接的輔助裝置，來替代價格昂貴的POP FEEDER。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案:一種芯片堆疊熔接輔助裝置，包括方體材質(zhì)，上底面或下底面面積分別大于四側(cè)面任意一側(cè)面積，方體材質(zhì)在上底面開有至少一方形凹槽，凹槽的底部開有孔，凹槽底部高于所述下底面，凹槽的側(cè)壁構(gòu)成的水平方向上的孔徑大于底部開孔的側(cè)壁構(gòu)成的水平方向上的孔徑。優(yōu)選地，方體材質(zhì)為合成石。優(yōu)選地，方形凹槽的側(cè)壁構(gòu)成垂直于上底面或下底面的縱切面。優(yōu)選地，方形凹槽側(cè)壁至少設(shè)有兩個向外水平方向延伸的相互對應(yīng)的垂直側(cè)凹面。優(yōu)選地，垂直側(cè)凹面設(shè)置在所述四個對角位置，和/或在四條對邊位置。優(yōu)選地，垂直側(cè)凹面的側(cè)壁構(gòu)成垂直于所述上底面或下底面的縱切面。進(jìn)一步地，方形凹槽底部設(shè)為掛壁，用于托住芯片。優(yōu)選地，掛壁高于所述下底面至少0.5毫米。優(yōu)選地，孔設(shè)有四個與方形凹槽側(cè)壁對應(yīng)的側(cè)壁。優(yōu)選地，凹槽的側(cè)壁構(gòu)成的水平方向上的孔徑大于底部開孔的側(cè)壁構(gòu)成的水平方向上的孔徑至少0.5毫米。本實(shí)用新型的有益效果是結(jié)構(gòu)簡單，可替代價格昂貴的POP FEEDER，有利于降低制造成本，有利于熔接工藝有效控制。

圖1示出本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2示出本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例的細(xì)部；圖3示出圖2描述的細(xì)部使用的側(cè)面透視圖。
具體實(shí)施方式
[0019]為了使本領(lǐng)域相關(guān)技術(shù)人員更好地理解本實(shí)用新型的技術(shù)方案，下面將結(jié)合本實(shí)用新型較佳實(shí)施方式的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施方式中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施方式僅僅是本實(shí)用新型較佳實(shí)施方式，而不是全部的實(shí)施方式。本實(shí)用新型是為了替代價格昂貴的POP FEEDER而提出的芯片堆疊熔接技術(shù)。根據(jù)本實(shí)用新型的目的，示出一較佳實(shí)施例加以說明，在本實(shí)施例中，芯片堆疊熔接輔助裝置，包括:圓角方體合成石材質(zhì)101，上底面111或下底面112面積分別大于四側(cè)面任意一側(cè)面積，方體材質(zhì)在上底面111開有六個凹槽102，如圖1示出，結(jié)合參考圖2，在每個凹槽102的底部開有方形孔103，孔在俯視狀態(tài)下構(gòu)成孔邊105。接著還是參考圖2結(jié)合圖3，凹槽102的形狀、大小根據(jù)芯片的輪廓定，由于一般的芯片的輪廓都是正方形，所以此凹槽102首先也設(shè)置為水平方向成方形邊緣的凹口 109。為了輕松取放堆疊芯片201于凹槽102，并且也保證堆疊芯片102在隨本實(shí)施方式的輔助裝置在移動過程中不過多地在凹槽102內(nèi)位置移動或跳動。在本實(shí)施例中孔邊105與側(cè)壁104的水平距離為0.1毫米，即掛壁108的寬度為0.1毫米。此外，通常情況下，操作人員會用鑷子等工具取放堆疊芯片201于凹槽102。所以，本實(shí)施例較佳的方案，將凹槽102四側(cè)壁104對邊向外上設(shè)有兩組相互對應(yīng)的第一圓弧側(cè)壁106，以及在四個對角上也設(shè)有四個第二圓弧側(cè)壁107。所構(gòu)成的凹槽102的側(cè)壁104構(gòu)成垂直于上底面111或下底面112的縱切面。掛壁108高于下底面112至少0.5毫米。以上僅表達(dá)了本實(shí)用新型的較佳實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本實(shí)用新型權(quán)利要求保護(hù)范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。因此，本實(shí)用新型專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種芯片堆疊熔接輔助裝置，其特征在于，包括一方體材質(zhì)，上底面或下底面面積分別大于四側(cè)面任意一側(cè)面積，所述方體材質(zhì)在上底面開有至少一方形凹槽，所述凹槽的底部開孔，所述凹槽底部高于所述下底面，所述凹槽的側(cè)壁構(gòu)成的水平方向上的孔徑大于所述底部開孔的側(cè)壁構(gòu)成的水平方向上的孔徑。
2.如權(quán)利要求1所述一種芯片堆疊熔接輔助裝置，其特征在于，所述方體材質(zhì)為合成O
3.如權(quán)利要求1所述一種芯片堆疊熔接輔助裝置，其特征在于，所述方形凹槽的側(cè)壁構(gòu)成垂直于所述上底面或下底面的縱切面。
4.如權(quán)利要求1所述一種芯片堆疊熔接輔助裝置，其特征在于，所述方形凹槽側(cè)壁設(shè)有至少兩個向外水平方向延伸的相互對應(yīng)的垂直側(cè)凹面。
5.如權(quán)利要求4所述一種芯片堆疊熔接輔助裝置，其特征在于，所述垂直側(cè)凹面設(shè)置在四個對角位置，和/或在四條對邊位置。
6.如權(quán)利要求4或5所述一種芯片堆疊熔接輔助裝置，其特征在于，所述垂直側(cè)凹面的側(cè)壁構(gòu)成垂直于所述上底面或下底面的縱切面。
7.如權(quán)利要求1所述一種芯片堆疊熔接輔助裝置，其特征在于，所述方形凹槽底部設(shè)為掛壁，用于托住芯片。
8.如權(quán)利要求1所述一種芯片堆疊熔接輔助裝置，其特征在于，所述孔設(shè)有四個與所述方形凹槽側(cè)壁對應(yīng)的側(cè)壁。
9.如權(quán)利要 求7所述一種芯片堆疊熔接輔助裝置，其特征在于，所述掛壁高于所述下底面至少0.5毫米。
10.如權(quán)利要求1所述一種芯片堆疊熔接輔助裝置，其特征在于，所述凹槽的側(cè)壁構(gòu)成的水平方向上的孔徑大于所述底部開孔的側(cè)壁構(gòu)成的水平方向上的孔徑至少0.5毫米。
專利摘要本實(shí)用新型涉及元件表面貼裝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及芯片堆疊熔接的輔助裝置。本實(shí)用新型提供的一種芯片堆疊熔接輔助裝置，包括方體材質(zhì)，上底面或下底面面積分別大于四側(cè)面任意一側(cè)面積，方體材質(zhì)在上底面開有至少一方形凹槽，凹槽的底部開有孔，凹槽底部高于所述下底面，凹槽的側(cè)壁構(gòu)成的水平方向上的孔徑大于底部開孔的側(cè)壁構(gòu)成的水平方向上的孔徑。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡單，有利于降低制造成本，有利于熔接工藝有效控制。
文檔編號H01L21/60GK203165866SQ20132004676
公開日2013年8月28日 申請日期2013年1月29日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月29日
發(fā)明者韓敏 申請人:上海斐訊數(shù)據(jù)通信技術(shù)有限公司