一種陣列基板及其制備方法和顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板及其制備方法和顯示裝置。該陣列基板包括基板以及設(shè)置于基板上的薄膜晶體管、柵線和數(shù)據(jù)線，薄膜晶體管包括柵極、源極和漏極、以及設(shè)置于柵極與源極和漏極之間的柵絕緣層，柵極與柵線電連接，柵絕緣層中設(shè)置有數(shù)據(jù)線嵌入?yún)^(qū)，數(shù)據(jù)線設(shè)置于數(shù)據(jù)線嵌入?yún)^(qū)內(nèi)，數(shù)據(jù)線與源極電連接。該陣列基板通過將數(shù)據(jù)線設(shè)置于柵絕緣層中的數(shù)據(jù)線嵌入?yún)^(qū)內(nèi)，使得數(shù)據(jù)線的邊緣區(qū)域相對像素區(qū)域內(nèi)的其他區(qū)域不會形成斷差或形成的斷差較小，從而在取向膜摩擦?xí)r，不會出現(xiàn)摩擦弱區(qū)，也就不會有漏光產(chǎn)生，進(jìn)而可以減小數(shù)據(jù)線上方的黑矩陣寬度，提高顯示面板的開口率。該顯示裝置采用上述陣列基板，提高了對比度和透光率。
【專利說明】一種陣列基板及其制備方法和顯示裝置【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體地，涉及一種陣列基板及其制備方法和顯示裝置?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，人們對高亮度、高對比度、低能耗顯示裝置的要求越來越聞。
[0003]目前，平板顯示裝置盛行，平板顯示裝置在制造過程中普遍面臨如何避免漏光的問題。
[0004]如:對于ADS (Advanced Super Dimension Switch,高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù))模式的液晶顯示裝置來說，顯示面板通常在黑態(tài)畫面時易發(fā)生漏光，這種漏光會造成顯示面板黑態(tài)畫面亮度偏高，致使顯示面板對比度偏低；對于HADS (High Aperture Ratio AdvancedSuper Dimension Switch,高開口率高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù))模式的液晶顯示裝置來說，同樣存在上述漏光而導(dǎo)致對比度偏低的問題。
[0005]造成像素邊緣漏光的主要原因是摩擦(rubbing)弱區(qū)形成漏光，其中，摩擦弱區(qū)是指通過摩擦方式在陣列基板的內(nèi)側(cè)形成取向膜時，在形成有金屬線(如數(shù)據(jù)線，柵線等)的區(qū)域，由于金屬線的邊緣區(qū)域相對像素區(qū)其他區(qū)域的斷差較大，使得摩擦布在經(jīng)過該區(qū)域時因摩擦不充分而形成的摩擦較弱的區(qū)域。通常，摩擦弱區(qū)的液晶分子取向性較差，在黑態(tài)或白態(tài)時，摩擦弱區(qū)的液晶分子可能出現(xiàn)無法按照特定方向取向，從而形成漏光的現(xiàn)象；在陣列基板與彩膜基板對合后，當(dāng)黑矩陣也無法遮蓋摩擦弱區(qū)時，漏光就會表現(xiàn)出來。
[0006]通常情況下，柵線上方對應(yīng)的彩膜基板中黑矩陣寬度較大，因此，柵線附近很少發(fā)生漏光；而為了不影響顯示面板的開口率，數(shù)據(jù)線上方對應(yīng)的黑矩陣寬度一般較小，在陣列基板和彩膜基板對位不好的情況下，數(shù)據(jù)線附近特別是數(shù)據(jù)線的邊緣對應(yīng)區(qū)域經(jīng)常容易出現(xiàn)漏光現(xiàn)象。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述技術(shù)問題，提供一種陣列基板及其制備方法和顯示面板。該陣列基板，通過將數(shù)據(jù)線設(shè)置于柵絕緣層中的數(shù)據(jù)線嵌入?yún)^(qū)內(nèi)，即條形槽內(nèi)，使得數(shù)據(jù)線的邊緣區(qū)域相對像素區(qū)域內(nèi)的其他區(qū)域不會形成斷差或形成的斷差較小，從而減弱摩擦弱區(qū)形成的漏光，使得數(shù)據(jù)線所在區(qū)域的邊緣區(qū)域在未被黑矩陣遮擋住的情況下，也不會出現(xiàn)漏光現(xiàn)象，保證了陣列基板的品質(zhì)。
[0008]本發(fā)明提供一種陣列基板，包括:基板以及設(shè)置于所述基板上的薄膜晶體管、柵線和數(shù)據(jù)線，所述薄膜晶體管包括柵極、源極和漏極、以及設(shè)置于所述柵極與所述源極和漏極之間的柵絕緣層，所述柵極與所述柵線電連接，所述柵絕緣層中設(shè)置有數(shù)據(jù)線嵌入?yún)^(qū)，所述數(shù)據(jù)線設(shè)置于所述數(shù)據(jù)線嵌入?yún)^(qū)內(nèi)，所述數(shù)據(jù)線與所述源極電連接 。
[0009]優(yōu)選的，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線交叉設(shè)置將所述基板劃分為多個像素區(qū)域，所述薄膜晶體管設(shè)置于所述像素區(qū)域內(nèi)，所述數(shù)據(jù)線嵌入?yún)^(qū)為開設(shè)于所述柵絕緣層中對應(yīng)著所述薄膜晶體管設(shè)置區(qū)域以外的條形槽，所述條形槽的延伸方向與所述柵線的延伸方向垂直。
[0010]優(yōu)選的，所述條形槽開設(shè)在對應(yīng)著相鄰像素區(qū)域之間的數(shù)據(jù)線走線區(qū)域，所述數(shù)據(jù)線的寬度小于等于所述條形槽的寬度。
[0011]優(yōu)選的，所述條形槽的深度等于所述柵絕緣層的厚度，所述數(shù)據(jù)線與所述柵線同層設(shè)置，且所述數(shù)據(jù)線的高度小于等于所述柵絕緣層的厚度；
[0012]或者，所述條形槽開設(shè)于所述柵絕緣層的表層，且所述條形槽的深度小于所述柵絕緣層的厚度，所述數(shù)據(jù)線設(shè)置于所述條形槽的底部，所述數(shù)據(jù)線的高度小于等于所述條形槽的深度。
[0013]本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。
[0014]本發(fā)明還提供一種陣列基板的制備方法，包括:在基板上形成薄膜晶體管、柵線和數(shù)據(jù)線的步驟，形成所述薄膜晶體管的步驟包括形成柵極的圖形、同層設(shè)置的源極和漏極的圖形的步驟，所述方法還包括，采用構(gòu)圖工藝，形成包括柵絕緣層的圖形和數(shù)據(jù)線嵌入?yún)^(qū)的圖形的步驟，所述數(shù)據(jù)線形成于所述數(shù)據(jù)線嵌入?yún)^(qū)內(nèi)，所述數(shù)據(jù)線與所述源極電連接。
[0015]優(yōu)選的，所述數(shù)據(jù)線嵌入?yún)^(qū)為形成于所述柵絕緣層中對應(yīng)著所述薄膜晶體管設(shè)置區(qū)域以外的條形槽，所述條形槽的延伸方向與所述柵線的延伸方向垂直。
[0016]優(yōu)選的，形成包括柵絕緣層的圖形和數(shù)據(jù)線嵌入?yún)^(qū)的圖形的步驟包括:采用全色調(diào)掩模板，在構(gòu)圖工藝中形成包括所述柵絕緣層的圖形和所述條形槽的圖形，所述條形槽的深度等于所述柵絕緣層的厚度；
[0017]或者，采用半色調(diào)掩模板，在構(gòu)圖工藝中形成包括所述柵絕緣層的圖形和所述條形槽的圖形，所述條形槽形成于所述柵絕緣層的表層，且所述條形槽的深度小于所述柵絕緣層的厚度。
[0018]優(yōu)選的，所述條形槽形成在對應(yīng)著相鄰像素區(qū)域之間的數(shù)據(jù)線走線區(qū)域，所述數(shù)據(jù)線的寬度小于等于所述條形槽的寬度。
[0019]優(yōu)選的，所述數(shù)據(jù)線的高度小于等于所述條形槽的深度。
[0020]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明所提供的陣列基板，通過將數(shù)據(jù)線設(shè)置于柵絕緣層中的數(shù)據(jù)線嵌入?yún)^(qū)內(nèi)，即條形槽內(nèi)，使得數(shù)據(jù)線的邊緣區(qū)域相對像素區(qū)域內(nèi)的其他區(qū)域不會形成斷差或形成的斷差較小，從而使陣列基板在摩擦形成取向膜時，摩擦布對數(shù)據(jù)線所在區(qū)域與其他區(qū)域的摩擦均比較一致，不會形成摩擦弱區(qū)或形成的摩擦弱區(qū)較小，進(jìn)而使數(shù)據(jù)線所在區(qū)域的邊緣區(qū)域在未被黑矩陣遮擋住的情況下，也不會出現(xiàn)漏光現(xiàn)象，保證了陣列基板的品質(zhì)。本發(fā)明所提供的顯示裝置，由于采用上述陣列基板，一方面，顯示裝置不會出現(xiàn)漏光現(xiàn)象，從而提高了顯示裝置的對比度；另一方面，即使數(shù)據(jù)線上方對應(yīng)的黑矩陣的寬度減小，也不會導(dǎo)致顯示裝置出現(xiàn)漏光現(xiàn)象，從而也提高了顯示裝置的透光率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1為本發(fā)明實(shí)施例1中陣列基板的平面示意圖；
[0022]圖2為圖1中陣列基板沿AA剖切線位置處的剖視圖；
[0023]圖3為圖1中陣列基板沿BB剖切線位置處的剖視圖；
[0024]圖4A為形成包括柵極和柵線的圖形的步驟示意圖；[0025]圖4B為形成包括柵絕緣層和條形槽的圖形的步驟示意圖；
[0026]圖4C為形成包括有源層的圖形的步驟示意圖；
[0027]圖4D為形成包括像素電極的圖形的步驟示意圖；
[0028]圖4E為形成包括數(shù)據(jù)線、源極和漏極的圖形的步驟示意圖；
[0029]圖4F為形成包括鈍化層的圖形的步驟示意圖；
[0030]圖4G為形成包括公共電極的圖形的步驟示意圖；
[0031]圖5為本發(fā)明實(shí)施例2中陣列基板對應(yīng)著圖1中沿BB剖切線位置處的剖視圖。
[0032]其中的附圖標(biāo)記說明:
[0033]1.基板；2.薄膜晶體管；21.柵極；22.源極；23.漏極；24.柵絕緣層；241.條形槽；25.有源層；3.柵線；4.數(shù)據(jù)線；5.像素電極；6.鈍化層；7.公共電極。
【具體實(shí)施方式】
[0034]為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對本發(fā)明一種陣列基板及其制備方法和顯示裝置作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0035]實(shí)施例1:
[0036]本實(shí)施例提供一種陣列基板，如圖1和圖2所不，包括:基板I以及設(shè)置于基板I上的薄膜晶體管2、柵線3和數(shù)據(jù)線4，薄膜晶體管2包括柵極21、同層設(shè)置的源極22和漏極23、以及設(shè)置于柵極21與源極22和漏極23之間的柵絕緣層24，柵極21與柵線3電連接，柵絕緣層24中設(shè)置有數(shù)據(jù)線嵌入?yún)^(qū)，數(shù)據(jù)線4設(shè)置于數(shù)據(jù)線嵌入?yún)^(qū)內(nèi)，數(shù)據(jù)線4與源極22電連接。
[0037]另外，在本實(shí)施例中，薄膜晶體管還包括有源層25，有源層25設(shè)置在源極22和漏極23與柵絕緣層24之間，并與柵極21相對應(yīng)設(shè)置。
[0038]其中，柵線3和數(shù)據(jù)線4交叉設(shè)置將基板I劃分為多個像素區(qū)域，薄膜晶體管2設(shè)置于像素區(qū)域內(nèi)，數(shù)據(jù)線嵌入?yún)^(qū)為開設(shè)于柵絕緣層24中對應(yīng)著薄膜晶體管2設(shè)置區(qū)域以外的條形槽241，條形槽241的延伸方向與柵線3的延伸方向垂直。
[0039]另外，在像素區(qū)域內(nèi)還設(shè)置有像素電極5，像素電極5設(shè)置在柵絕緣層24與漏極23之間。本實(shí)施例中的陣列基板還包括鈍化層6和公共電極7，鈍化層6設(shè)置在源極22和漏極23上方并覆蓋整個陣列基板，公共電極7設(shè)置在鈍化層6上方。其中，公共電極7為條形狹縫狀結(jié)構(gòu)，像素電極5為板狀。
[0040]在本實(shí)施例中，如圖3所示，條形槽241開設(shè)在對應(yīng)著相鄰像素區(qū)域之間的數(shù)據(jù)線走線區(qū)域，數(shù)據(jù)線4的寬度小于等于條形槽241的寬度。條形槽241的深度等于柵絕緣層24的厚度，數(shù)據(jù)線4與柵線3同層設(shè)置，且數(shù)據(jù)線4的高度小于等于柵絕緣層24的厚度。如此設(shè)置，能夠使數(shù)據(jù)線4完全嵌入至條形槽241中，優(yōu)選使得數(shù)據(jù)線4的上表面與條形槽241的槽口齊平，從而使數(shù)據(jù)線4相對像素區(qū)域內(nèi)的其他區(qū)域僅能形成較小的斷差或不會形成斷差。
[0041]其中，柵絕緣層24采用氮化硅或氧化硅材料，數(shù)據(jù)線4采用鑰、鋁、釹鋁合金、銅、鈦或合金材料。
[0042]本實(shí)施例還提供一種上述陣列基板的制備方法，如圖4A-4G所示，包括:在基板上形成薄膜晶體管2、柵線3和數(shù)據(jù)線4的步驟，形成薄膜晶體管2的步驟包括形成柵極21的圖形、同層設(shè)置的源極22和漏極23的圖形的步驟，該制備方法還包括，采用一次構(gòu)圖工藝，形成包括柵絕緣層24的圖形和數(shù)據(jù)線嵌入?yún)^(qū)的圖形的步驟，數(shù)據(jù)線4形成于數(shù)據(jù)線嵌入?yún)^(qū)內(nèi)，數(shù)據(jù)線4與源極22電連接。另外，該制備方法還包括形成有源層25的圖形、像素電極5的圖形、鈍化層6的圖形和公共電極7的圖形的步驟。
[0043]其中，數(shù)據(jù)線嵌入?yún)^(qū)為形成于柵絕緣層24中對應(yīng)著薄膜晶體管2設(shè)置區(qū)域以外的條形槽241，條形槽241的延伸方向與柵線3的延伸方向垂直。
[0044]具體地，該陣列基板的制備方法包括以下步驟:
[0045]步驟S1:采用一次構(gòu)圖工藝，在基板I上形成包括柵極21的圖形和柵線3的圖形(如圖4A所示)。
[0046]在該步驟中，首先，采用濺射方法在基板I上沉積一層金屬膜，該金屬膜采用鑰、鋁、釹鋁合金、銅、鈦或合金材料；然后通過曝光、顯影和濕法刻蝕工藝，形成柵極21的圖形和柵線3的圖形。其中，柵極21與柵線3電連接。
[0047]步驟S2:采用一次構(gòu)圖工藝，在完成步驟SI的基板I上形成包括柵絕緣層24的圖形和條形槽241的圖形(如圖4B所示)。
[0048]在該步驟中，先通過化學(xué)氣相沉積法在完成步驟SI的基板I上沉積一層?xùn)沤^緣層膜，該柵絕緣層膜采用氮化硅或氧化硅材料；
[0049]在柵絕緣層膜上涂覆一層光刻膠；
[0050]采用全色調(diào)掩模板，通過一次曝光和顯影工藝，完全保留柵絕緣層膜上對應(yīng)著形成柵絕緣層部分的光刻膠，完全去除對應(yīng)著形成條形槽部分的光刻膠和除柵絕緣層部分以外其它部分的光刻膠；
[0051]經(jīng)過干法刻蝕工藝，將對應(yīng)著完全去除了光刻膠的柵絕緣層膜刻蝕去除；
[0052]去除或剝離剩余部分的光刻膠。從而形成柵絕緣層和柵絕緣層中的條形槽。其中，條形槽的深度等于柵絕緣層的厚度。
[0053]通過以上步驟即形成柵絕緣層24的圖形和條形槽241的圖形。其中，條形槽241的深度等于柵絕緣層24的厚度，條形槽241形成在對應(yīng)著相鄰像素區(qū)域之間的數(shù)據(jù)線走線區(qū)域。
[0054]步驟S3:采用構(gòu)圖工藝，在完成步驟S2的基板I上形成有源層25的圖形(如圖4C所示)。
[0055]在該步驟中，先通過化學(xué)氣相沉積法在完成步驟S2的基板I上沉積有源層膜，該有源層膜采用非晶硅材料；然后通過曝光、顯影和干法刻蝕工藝，形成有源層25的圖形。有源層25與柵極21相對應(yīng)設(shè)置。
[0056]步驟S4:采用構(gòu)圖工藝，在完成步驟S3的基板I上形成像素電極5的圖形(如圖4D所示)。
[0057]在該步驟中，先采用濺射方法在完成步驟S3的基板I上沉積一層金屬氧化物膜，該金屬氧化物膜采用氧化銦錫(ITO)材料；然后通過曝光、顯影和濕法刻蝕工藝，形成像素電極5的圖形。像素電極5形成在像素區(qū)域內(nèi)。
[0058]步驟S5:采用一次構(gòu)圖工藝，在完成步驟S4的基板I上形成包括數(shù)據(jù)線4的圖形、源極22的圖形和漏極23的圖形(如圖4E所示)。
[0059]在該步驟中，先采用濺射方法在完成步驟S4的基板I上沉積一層金屬膜，該金屬膜采用鑰、鋁、釹鋁合金、銅、鈦或合金材料；然后通過曝光、顯影和濕法刻蝕工藝，形成數(shù)據(jù)線4的圖形、源極22的圖形和漏極23的圖形。其中，數(shù)據(jù)線4形成于條形槽241內(nèi)，并與柵線3處于同一層中；且數(shù)據(jù)線4的寬度小于等于條形槽241的寬度，數(shù)據(jù)線4的高度小于等于柵絕緣層24的厚度。因此，數(shù)據(jù)線4能夠完全嵌入至條形槽241中，從而使數(shù)據(jù)線4相對像素區(qū)域內(nèi)的其他區(qū)域不會形成斷差。漏極23設(shè)置在像素電極5上方并與其電連接。
[0060]步驟S6:采用構(gòu)圖工藝，在完成步驟S5的基板I上形成鈍化層6的圖形(如圖4F所示)。
[0061]在該步驟中，先通過化學(xué)氣相沉積法在完成步驟S5的基板I上沉積一層鈍化層膜，該鈍化層膜采用氮化硅或氧化硅材料；然后通過曝光、顯影和干法刻蝕工藝，形成鈍化層6的圖形。鈍化層6將完成步驟S5的整個基板I覆蓋。
[0062]步驟S7:采用構(gòu)圖工藝，在完成步驟S6的基板I上形成公共電極7的圖形(如圖4G所示)。
[0063]在該步驟中，先采用濺射方法在完成步驟S6的基板I上沉積一層金屬氧化物膜，該金屬氧化物膜采用氧化銦錫(ITO)材料；然后通過曝光、顯影和濕法刻蝕工藝，形成公共電極7的圖形。其中，公共電極7形成在鈍化層6上方，且公共電極7為條形狹縫狀結(jié)構(gòu)。
[0064]至此，陣列基板基本制備完畢，緊接著下一步即是在該陣列基板內(nèi)側(cè)形成取向膜，取向膜通過摩擦布對陣列基板內(nèi)側(cè)表面摩擦而形成，在本實(shí)施例中，由于數(shù)據(jù)線4完全嵌入至柵絕緣層24中的條形槽241內(nèi)，使得數(shù)據(jù)線4的邊緣區(qū)域相對像素區(qū)域的其他區(qū)域僅存在較小的斷差或不存在斷差，也即陣列基板內(nèi)側(cè)表面相對比較平坦，從而使得摩擦布在經(jīng)過數(shù)據(jù)線4所在區(qū)域時摩擦比較充分，不會形成摩擦弱區(qū)，因此，即使數(shù)據(jù)線4所在區(qū)域的邊緣區(qū)域未被黑矩陣擋住，也不會出現(xiàn)漏光現(xiàn)象。
[0065]另外，需要說明的是，上述陣列基板的制備方法中，步驟S2中，可以先通過化學(xué)氣相沉積法在完成步驟SI的基板上沉積一層?xùn)沤^緣層膜；然后在完成步驟S3和S4之后，再采用全色調(diào)掩模板，通過一次曝光、顯影和干法刻蝕工藝，形成柵絕緣層的圖形和條形槽的圖形。
[0066]實(shí)施例2:
[0067]本實(shí)施例提供一種陣列基板，與實(shí)施例1不同的是，如圖5所示，條形槽241開設(shè)于柵絕緣層24的表層，且條形槽241的深度小于柵絕緣層24的厚度，數(shù)據(jù)線4設(shè)置于條形槽241的底部，數(shù)據(jù)線4的高度小于等于條形槽241的深度。如此設(shè)置，同樣能夠使數(shù)據(jù)線4完全嵌入至條形槽241中，從而使數(shù)據(jù)線4相對像素區(qū)域內(nèi)的其他區(qū)域僅形成較小的斷差或不會形成斷差。
[0068]另外，由于柵線(圖5中未示出)設(shè)置在柵絕緣層24的下方，所以數(shù)據(jù)線4和柵極21/柵線3之間還間隔著一薄層的柵絕緣層24，該一薄層的柵絕緣層24的厚度為柵絕緣層24的總厚度與條形槽241的深度之間的差值。如此設(shè)置，有利于數(shù)據(jù)線4與柵極21/柵線3之間保持絕緣以及抗靜電擊穿。
[0069]本實(shí)施例中陣列基板的其他結(jié)構(gòu)、大小及材質(zhì)與實(shí)施例1中相同，此處不再贅述。
[0070]相應(yīng)地，本實(shí)施例還提供一種上述陣列基板的制備方法，與實(shí)施例1中的制備方法不同的是，在形成包括柵絕緣層的圖形和數(shù)據(jù)線嵌入?yún)^(qū)的圖形的步驟中，也即在步驟S2中具體為:[0071 ] 在柵絕緣層膜上涂覆一層光刻膠；
[0072]采用半色調(diào)掩模板，通過一次曝光和顯影工藝，完全保留柵絕緣層膜上對應(yīng)著形成柵絕緣層部分的光刻膠，部分保留對應(yīng)著形成條形槽部分的光刻膠，完全去除除這兩部分以外的其它光刻膠；
[0073]經(jīng)過干法刻蝕工藝，將對應(yīng)著完全去除了光刻膠的柵絕緣層膜刻蝕去除；
[0074]再通過一次灰化工藝，繼續(xù)保留對應(yīng)著形成柵絕緣層部分的光刻膠，而將對應(yīng)著形成條形槽部分的光刻膠去除；
[0075]經(jīng)過干法刻蝕工藝，將對應(yīng)著去除了光刻膠的柵絕緣層膜部分進(jìn)行部分刻蝕去除，從而在柵絕緣層膜中形成條形槽。其中，條形槽的深度可以通過刻蝕速率以及刻蝕液的濃度進(jìn)行控制，條形槽的深度小于柵絕緣層膜的厚度。
[0076]去除或剝離剩余部分的光刻膠。
[0077]通過以上步驟即形成柵絕緣層的圖形和條形槽的圖形。其中，條形槽形成于柵絕緣層的表層，且條形槽的深度小于柵絕緣層的厚度。
[0078]陣列基板的其他制備方法和步驟與實(shí)施例1中相同，此處不再贅述。
[0079]實(shí)施例3:
[0080]本實(shí)施例提供一種陣列基板，與實(shí)施例1-2不同的是，該陣列基板中公共電極和像素電極的位置互換，即像素電極設(shè)置在鈍化層上方，且像素電極為條形狹縫狀結(jié)構(gòu)；而公共電極設(shè)置在柵絕緣層與鈍化層之間，且公共電極為板狀。
[0081]相應(yīng)地，基于實(shí)施例1中陣列基板的制備方法，在該陣列基板的制備方法中，形成像素電極的步驟(即步驟S4)與形成公共電極的步驟(即步驟S7)先后互換一下即可。
[0082]本實(shí)施例中陣列基板的其他結(jié)構(gòu)、大小、材質(zhì)及制備方法與實(shí)施例1或2中相同，此處不再贅述。
[0083]實(shí)施例1-3 中的陣列基板，適用于 ADS (ADvanced Super Dimension Switch,高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù))和 HADS (High Aperture Ratio Advanced Super Dimension Switch,高開口率高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù))模式的液晶顯示面板中。
[0084]實(shí)施例4:
[0085]本實(shí)施例提供一種陣列基板，與實(shí)施例1-3不同的是，該陣列基板中不包括公共電極。
[0086]相應(yīng)地，基于實(shí)施例1-3任一中陣列基板的制備方法，本實(shí)施例中陣列基板的制備方法中不包括形成公共電極的步驟。
[0087]本實(shí)施例中陣列基板的其他結(jié)構(gòu)、大小、材質(zhì)及制備方法與實(shí)施例1-3中任一相同，此處不再贅述。
[0088]本實(shí)施例中的陣列基板，適用于TN (Twisted Nematic,扭曲向列)模式、VA(Vertical Alignment,垂直取向)模式的液晶顯示面板中。
[0089]實(shí)施例1-4的有益效果:實(shí)施例1-4中所提供的陣列基板，通過將數(shù)據(jù)線設(shè)置于柵絕緣層中的數(shù)據(jù)線嵌入?yún)^(qū)內(nèi)，即條形槽內(nèi)，使得數(shù)據(jù)線的邊緣區(qū)域相對像素區(qū)域內(nèi)的其他區(qū)域僅形成較小的斷差或不會形成斷差，從而使陣列基板在摩擦形成取向膜時，摩擦布對數(shù)據(jù)線所在區(qū)域的摩擦比較充分，僅形成較小的摩擦弱區(qū)或不會形成摩擦弱區(qū)，進(jìn)而使數(shù)據(jù)線所在區(qū)域的邊緣區(qū)域在未被黑矩陣遮擋住的情況下，不會出現(xiàn)漏光現(xiàn)象，保證了陣列基板的品質(zhì)。
[0090]實(shí)施例5:
[0091]本實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括實(shí)施例1-4任一中的陣列基板。
[0092]本實(shí)施例所提供的顯示裝置，由于采用實(shí)施例1-4任一的陣列基板，一方面，顯示裝置不會出現(xiàn)漏光現(xiàn)象，從而提高了顯示裝置的對比度；另一方面，即使數(shù)據(jù)線上方對應(yīng)的黑矩陣的寬度減小，也不會導(dǎo)致顯示裝置出現(xiàn)漏光現(xiàn)象，從而也提高了顯示裝置的透光率。
[0093]所述顯示裝置可以為:液晶面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0094]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括:基板以及設(shè)置于所述基板上的薄膜晶體管、柵線和數(shù)據(jù)線，所述薄膜晶體管包括柵極、源極和漏極、以及設(shè)置于所述柵極與所述源極和漏極之間的柵絕緣層，所述柵極與所述柵線電連接，其特征在于，所述柵絕緣層中設(shè)置有數(shù)據(jù)線嵌入?yún)^(qū)，所述數(shù)據(jù)線設(shè)置于所述數(shù)據(jù)線嵌入?yún)^(qū)內(nèi)，所述數(shù)據(jù)線與所述源極電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線交叉設(shè)置將所述基板劃分為多個像素區(qū)域，所述薄膜晶體管設(shè)置于所述像素區(qū)域內(nèi)，所述數(shù)據(jù)線嵌入?yún)^(qū)為開設(shè)于所述柵絕緣層中對應(yīng)著所述薄膜晶體管設(shè)置區(qū)域以外的條形槽，所述條形槽的延伸方向與所述柵線的延伸方向垂直。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述條形槽開設(shè)在對應(yīng)著相鄰像素區(qū)域之間的數(shù)據(jù)線走線區(qū)域，所述數(shù)據(jù)線的寬度小于等于所述條形槽的寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述條形槽的深度等于所述柵絕緣層的厚度，所述數(shù)據(jù)線與所述柵線同層設(shè)置，且所述數(shù)據(jù)線的高度小于等于所述柵絕緣層的厚度； 或者，所述條形槽開設(shè)于所述柵絕緣層的表層，且所述條形槽的深度小于所述柵絕緣層的厚度，所述數(shù)據(jù)線設(shè)置于所述條形槽的底部，所述數(shù)據(jù)線的高度小于等于所述條形槽的深度。
5.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的陣列基板。
6.一種陣列基板的制備方法，包括:在基板上形成薄膜晶體管、柵線和數(shù)據(jù)線的步驟，形成所述薄膜晶體管的步驟包括形成柵極的圖形、源極和漏極的圖形的步驟，其特征在于，所述方法還包括，采用構(gòu)圖工藝，形成包括柵絕緣層的圖形和數(shù)據(jù)線嵌入?yún)^(qū)的圖形的步驟，所述數(shù)據(jù)線形成于所述數(shù)據(jù)線嵌入?yún)^(qū)內(nèi)，所述數(shù)據(jù)線與所述源極電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線嵌入?yún)^(qū)為形成于所述柵絕緣層中對應(yīng)著所述薄膜晶體管設(shè)置區(qū)域以外的條形槽，所述條形槽的延伸方向與所述柵線的延伸方向垂直。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，形成包括柵絕緣層的圖形和數(shù)據(jù)線嵌入?yún)^(qū)的圖形的步驟包括:采用全色調(diào)掩模板，在構(gòu)圖工藝中形成包括所述柵絕緣層的圖形和所述條形槽的圖形，所述條形槽的深度等于所述柵絕緣層的厚度； 或者，采用半色調(diào)掩模板，在構(gòu)圖工藝中形成包括所述柵絕緣層的圖形和所述條形槽的圖形，所述條形槽形成于所述柵絕緣層的表層，且所述條形槽的深度小于所述柵絕緣層的厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述條形槽形成在對應(yīng)著相鄰像素區(qū)域之間的數(shù)據(jù)線走線區(qū)域，所述數(shù)據(jù)線的寬度小于等于所述條形槽的寬度。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線的高度小于等于所述條形槽的深度。
【文檔編號】H01L21/77GK103489878SQ201310469636
【公開日】2014年1月1日 申請日期:2013年10月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月9日
【發(fā)明者】趙海廷 申請人:合肥京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司