一種引線框架的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種引線框架的制作方法，它以矩形的銅合金片為基材，包括以下步驟：半蝕刻，使在銅合金片基材正面形成呈矩陣排列的圓形凸臺；對根據(jù)預(yù)制作的集成電路元件中芯片的大小及需要焊引線的數(shù)量所涉及到的圓形凸臺進(jìn)行表面電鍍；對蝕刻區(qū)進(jìn)行塑封；對塑封區(qū)下面的區(qū)域從背面進(jìn)行蝕刻并蝕穿；對蝕刻區(qū)進(jìn)行絕緣；切割成型。該方法可以用于制作不同尺寸的引線框架，且成本低、適用范圍廣。
【專利說明】一種引線框架的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及引線框架【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種引線框架的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]引線框架作為集成電路的芯片載體，是制作生產(chǎn)集成電路半導(dǎo)體元件的基本部件。引線框架一般包括多個呈矩陣排列的功能單元，所述功能單元包括中間的裝片區(qū)(用于安裝芯片)和裝片區(qū)周圍的打線區(qū)(打線區(qū)由多個小焊點組成)。這種引線框架一旦制成，裝片區(qū)與打線區(qū)的尺寸便是固定的，即換過來說，制備不同尺寸(包括裝片區(qū)、打線區(qū))的引線框架，就需要不同尺寸的模具。所以該引線框架制備過程中，為了制備不同尺寸的引線框架，需要不同尺寸的模具，這使得引線框架的制備成本高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種引線框架的制作方法，該方法可以用于制作不同尺寸的引線框架，且成本低、適用范圍廣。
[0004]本發(fā)明所采用的技術(shù)方案為:
[0005]一種引線框架的制作方法，以矩形的銅合金片為基材，其特征在于包括以下步驟:
[0006](I)半蝕刻:對銅合金片基材正面進(jìn)行半蝕刻，使在銅合金片基材正面形成呈矩陣排列的圓形凸臺，圓形凸臺的截面圓直徑為0.25-0.35mm、相鄰圓形凸臺同一水平面的截面圓的圓心距為0.5mm。
[0007](2)電鍍:根據(jù)預(yù)制作的集成電路元件中芯片的大小及需要焊引線的數(shù)量選擇合適位置的圓形凸臺進(jìn)行表面電鍍，形成電鍍區(qū)，電鍍金屬為銀或鎳鈀金。舉個例子，在圓形凸臺的截面圓直徑為0.25mm、相鄰圓形凸臺同一水平面的截面圓的圓心距為0.5mm的情況下:若需安裝的芯片為IcmXlcm的方形片、需要焊引線的數(shù)量為88根，則電鍍選擇的圓形凸臺為一個23X23方形矩陣圓形凸臺的最外面一圈；若需安裝的芯片為IcmX Icm的方形片、需要焊引線的數(shù)量為180根，則電鍍選擇的圓形凸臺為一個24X24方形矩陣圓形凸臺的最外面兩圈；若需安裝的芯片為0.5cmX0.5cm的方形片、需要焊引線的數(shù)量為48根，則電鍍選擇的圓形凸臺為一個13X13方形矩陣圓形凸臺的最外面一圈。這里面電鍍區(qū)作為焊引線之用、即相當(dāng)于打線區(qū)，電鍍區(qū)內(nèi)部的區(qū)域作為裝芯片之用、即相當(dāng)于裝片區(qū)，而電鍍區(qū)和內(nèi)部的裝片區(qū)合起來就組成了引線框架的功能單元。
[0008](3)塑封:對步驟(I)中半蝕刻形成的蝕刻區(qū)進(jìn)行塑封，塑封的材料為環(huán)氧樹脂。
[0009](4) 二次背面蝕刻:對銅合金片基材上塑封區(qū)下面的區(qū)域繼續(xù)蝕刻并蝕穿，使銅合金片基材形成若干個呈矩陣排列的圓柱形臺。
[0010](5)絕緣:對步驟(4)中蝕刻形成的蝕刻區(qū)進(jìn)行絕緣，絕緣的材料為綠油。
[0011](6)切割成型:根據(jù)使用需要進(jìn)行切割，形成包括一個或若干個呈矩陣排列的功能單元的引線框架。若使用僅需要一個功能單元就夠了，那么就切割形成一個功能單元的引線框架，若使用需要多個功能單元，那么就切割成相應(yīng)數(shù)量功能單元的引線框架。
[0012]本發(fā)明引線框架的制作方法在進(jìn)行蝕刻時，僅僅是蝕刻形成呈矩陣排列的圓形凸臺，不管預(yù)制作的集成電路元件需要的芯片尺寸是什么、焊引線的數(shù)量為多少，蝕刻步驟和使用的模具都一樣，而至于預(yù)制作的集成電路中裝片區(qū)和打線區(qū)的規(guī)格，只要通過電鍍時對電鍍位置進(jìn)行一個適合的選擇即可，所以本發(fā)明引線框架的制作方法步驟簡單、使用一個模具就可以實現(xiàn)制作不同尺寸的引線框架、制作成本低、適用范圍廣。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1所示的是本發(fā)明引線框架制作方法的工序示意圖。
[0014]其中:1、銅合金片；2、圓形凸臺；3、電鍍區(qū)；4、塑封區(qū)；5、圓柱形臺；6、絕緣區(qū)。
【具體實施方式】
[0015]以下結(jié)合實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步具體描述，但不局限于此。
[0016]如圖1所示，本實施例引線框架的制作方法，該方法以矩形的銅合金片I為基材，具體包括以下步驟:
[0017](I)半蝕刻:對銅合金片I基材正面進(jìn)行半蝕刻，使在銅合金片I基材正面形成呈矩陣排列的圓形凸臺2,圓形凸臺2的截面圓直徑為0.25-0.35mm、相鄰圓形凸臺12同一水平面的截面圓的圓心距為0.5mm，得到圖1 (a)所示；
[0018](2)電鍍:根據(jù)預(yù)制作的集成電路元件中芯片的大小及需要焊引線的數(shù)量選擇合適位置的圓形凸臺2進(jìn)行表面電鍍，形成電鍍區(qū)3，電鍍金屬為銀或鎳鈀金，當(dāng)為鎳鈀金時在基材表面依次電鍍鎳層0.5-2.0um、鈀層20-150nm、金層3_15nm，得到如圖1 (b)所示；
[0019](3)塑封:對步驟(1)中半蝕刻形成的蝕刻區(qū)進(jìn)行塑封，形成塑封區(qū)4，塑封的材料為環(huán)氧樹脂，得到如圖1 (C)所示；
[0020](4)二次背面蝕刻:對銅合金片I基材上塑封區(qū)4下面的區(qū)域繼續(xù)蝕刻并蝕穿，使銅合金片I被蝕刻成呈矩陣排列的圓柱形臺5，得到如圖1 (d)所示；
[0021](5)絕緣:對步驟(4)中蝕刻形成的蝕刻區(qū)進(jìn)行塑封，形成絕緣區(qū)6，絕緣的材料為綠油，如圖1 (e)所示；
[0022](6)切割成型:根據(jù)使用需要進(jìn)行切割，形成包括一個功能單元的引線框架，如圖1(f)所示。
[0023]本發(fā)明的上述實施例是對本發(fā)明的說明而不能用于限制本發(fā)明，與本發(fā)明的權(quán)利要求書相當(dāng)?shù)暮x和范圍內(nèi)的任何改變，都應(yīng)認(rèn)為是包括在權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種引線框架的制作方法，以矩形的銅合金片為基材，其特征在于包括以下步驟: (1)半蝕刻:對銅合金片基材正面進(jìn)行半蝕刻，使在銅合金片基材正面形成呈矩陣排列的圓形凸臺，圓形凸臺的截面圓直徑為0.25-0.35_、相鄰圓形凸臺同一水平面的截面圓的圓心距為0.5mm ； (2)電鍍:對根據(jù)預(yù)制作的集成電路元件中芯片的大小及需要焊引線的數(shù)量所涉及到的圓形凸臺進(jìn)行表面電鍍，電鍍金屬為銀或鎳鈀金； (3)塑封:對步驟(I)中半蝕刻形成的蝕刻區(qū)進(jìn)行塑封，塑封的材料為環(huán)氧樹脂； (4)背面蝕刻:對銅合金片基材上塑封區(qū)下面的區(qū)域從背面進(jìn)行蝕刻并蝕穿，使銅合金片基材形成若干個呈矩陣排列的圓柱形臺； (5)絕緣:對步驟(4)中蝕刻形成的蝕刻區(qū)進(jìn)行絕緣，絕緣的材料為綠油； (6)切割成型:根據(jù)使用需要進(jìn)行切割，形成包括一個或多個呈矩陣排列的功能單元的引線框架。
【文檔編號】H01L21/48GK103531486SQ201310455710
【公開日】2014年1月22日 申請日期:2013年9月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月28日
【發(fā)明者】黎超豐, 鄧道斌, 鄭康定, 李昌文, 林海見 申請人:寧波康強(qiáng)電子股份有限公司