矩陣列minidip引線框架的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了微電子生產(chǎn)領(lǐng)域的一種半導(dǎo)體封裝的引線框架、一種矩陣列MINIDIP引線框架。由引線框架及設(shè)在引線框架內(nèi)的若干個單元引線框架構(gòu)成，其特征在于：所述單元引線框架在所述框架上呈矩陣式排列，引線框架由上片引線框架和下片引線框架組成，上下片引線框架內(nèi)的單元引線框架呈外引線腳交錯排列，并通過柵條與所述框架邊框連接。本發(fā)明具有框架結(jié)構(gòu)簡單、工藝可靠、減少了銅框架和降低成本等優(yōu)點。
【專利說明】矩陣列MINIDIP引線框架
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及微電子生產(chǎn)領(lǐng)域的一種半導(dǎo)體封裝的引線框架、具體地說為一種矩陣列MINIDIP引線框架。
【背景技術(shù)】
[0002]DIP封裝的系列是早期開發(fā)出來的引線框架模式，當(dāng)時因受引線框架壓延銅箔制造技術(shù)、沖壓模具及沖壓技術(shù)的影響，封裝方面受塑封模具、電鍍選鍍技術(shù)、切筋成形模具技術(shù)、上芯/壓焊設(shè)備的識別精度和工作窗口范圍等條件的制約，引線框架一般設(shè)計在1am — 30mm以內(nèi)的寬度，呈雙排或單排設(shè)計，每條10 — 20個單元不等。目前單/雙排DIP系列產(chǎn)品屬人員密集型封裝產(chǎn)品，存在生產(chǎn)效率低、材料利
用率低、加工過程錯誤率高、使用設(shè)備多、導(dǎo)致占地面積大、能源消耗大、DIP手動加工模具安全風(fēng)險大等問題，MINIDIP橋生產(chǎn)時使用框架為五片式，芯片重疊串聯(lián)再并聯(lián)結(jié)合成整流橋；本體封裝后厚度達2.5mm ;所需銅框架成本較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種采用矩陣列MINIDIP引線框架，芯片平面排布方式生產(chǎn)，可有效降低封裝后的厚度，且減少了銅框架的成本。
[0004]本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的:
一種矩陣列MINIDIP引線框架，由引線框架及設(shè)在引線框架內(nèi)的若干個單元引線框架構(gòu)成，其特征在于:所述單元引線框架在所述框架上呈矩陣式排列，引線框架由上片引線框架和下片引線框架組成，上下片引線框架內(nèi)的單元引線框架呈外引線腳交錯排列，并通過柵條與所述框架邊框連接；所述引線單元框架是雙載體結(jié)構(gòu)即每個單元引線框架有兩個載體，單元引線框架的引腳與載體相連；所述引線框架內(nèi)的單元引線框架由18列10行構(gòu)成；上片引線框架上的單元引線框架的載體放置第一、第二 IC芯片，下片引線框架上的單元引線框架的載體放置第三、第四IC芯片。
[0005]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有以下有益效果:
1.框架結(jié)構(gòu)簡單，工藝可靠；
2.減少了銅框架、降低成本。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0006]圖1為矩陣列MINIDIP引線框架結(jié)構(gòu)圖；
圖2為單元引線框架連接圖；
圖3為整流橋電氣原理圖。
[0007]圖中:引線框架1、單元引線框架2、芯片載體3和引線4。
【具體實施方式】[0008]下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的內(nèi)容做進一步的描述:
如圖1所示為矩陣列MINIDIP引線框架結(jié)構(gòu)圖，由上下兩片引線框架組成，舊的MINIDIP橋生產(chǎn)時使用框架為五片式，芯片重疊串聯(lián)再并聯(lián)結(jié)合成整流橋；本體封裝后厚度達2.5mm ;所需銅框架成本較高；新的生產(chǎn)方式采用矩陣列、芯片平面排布方式生產(chǎn)，厚度可以降低至1.4mm。
[0009]本發(fā)明的引線框架由設(shè)在引線框架內(nèi)的若干個單元引線框架構(gòu)成，所述單元引線框架在所述框架上呈矩陣式排列，引線框架由上片引線框架和下片引線框架組成，上下片引線框架內(nèi)的單元引線框架呈外引線腳交錯排列，并通過柵條與所述框架邊框連接；所述引線單元框架是雙載體結(jié)構(gòu)即每個單元引線框架有兩個載體，單元引線框架的引腳與載體相連；所述引線框架內(nèi)的單元引線框架由18列10行構(gòu)成；上片引線框架上的單元引線框架的載體放置第一、第二 IC芯片，下片引線框架上的單元引線框架的載體放置第三、第四IC芯片。
【權(quán)利要求】
1.一種矩陣列MINIDIP引線框架，由引線框架及設(shè)在引線框架內(nèi)的若干個單元引線框架構(gòu)成，其特征在于:所述單元引線框架在所述框架上呈矩陣式排列，引線框架由上片引線框架和下片引線框架組成，上下片引線框架內(nèi)的單元引線框架呈外引線腳交錯排列，并通過柵條與所述框架邊框連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的矩陣列MINIDIP引線框架，其特征在于:所述引線單元框架是雙載體結(jié)構(gòu)即每個單元引線框架有兩個載體，單元引線框架的引腳與載體相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的矩陣列MINIDIP引線框架，其特征在于:引線框架內(nèi)的單元引線框架由18列10行構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的矩陣列MINIDIP引線框架，其特征在于:上片引線框架上的單元引線框架的載體放置第一、第二 IC芯片，下片引線框架上的單元引線框架的載體放置第三、第四IC芯片。
【文檔編號】H01L23/495GK103474412SQ201310446612
【公開日】2013年12月25日 申請日期:2013年9月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月27日
【發(fā)明者】黃建山, 陳建華, 張練佳, 梅余峰 申請人:如皋市易達電子有限責(zé)任公司