倒裝led芯片的反射層結(jié)構(gòu)及倒裝led芯片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種倒裝LED芯片的反射層結(jié)構(gòu)及含有該結(jié)構(gòu)的裝裝LED芯片。一種倒裝LED芯片的反射層結(jié)構(gòu)，包括設(shè)置于P型歐姆接觸層的下側(cè)的反射層，所述反射層與P型歐姆接觸層之間還沒有一過渡層，所述反射層選自Ag反射層或Al反射層，過渡層選自AlN過渡層。通過設(shè)置過渡層使Al或Ag反射層與半導(dǎo)體層附著力更強(qiáng)，可以將反射層的上表面做的更加平整，反光效果更好，提高光的利用效率；過渡層的導(dǎo)熱性非常好，能及時將半導(dǎo)體產(chǎn)生的熱量擴(kuò)散，延長的芯片的使用壽命。
【專利說明】倒裝LED芯片的反射層結(jié)構(gòu)及倒裝LED芯片
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于光電【技術(shù)領(lǐng)域】，具體是涉及一種倒裝LED芯片的反射層結(jié)構(gòu)及含有該結(jié)構(gòu)的裝裝LED芯片。
【背景技術(shù)】
[0002]倒裝LED芯片與正裝LED芯片相比，倒裝LED芯片具有較好的散熱功能和發(fā)光效率，具有低電壓、高亮度、高可靠性、高飽和電流密度等優(yōu)點(diǎn)，性能方面有較大的優(yōu)勢，具有良好的發(fā)展前景。
[0003]由于倒裝LED的發(fā)光層位于P型和N型半導(dǎo)體層的中間，發(fā)光層發(fā)出的光一部分向下射出，但芯片的下面是焊接面和不透明的基板，為了有效利用這部分光，通常會在芯片的底部鍍上一層反射層，反射層以Al或Ag材質(zhì)為主。
[0004]以Al或Ag材質(zhì)作為反射層時，由于Al或Ag材質(zhì)與半導(dǎo)體層的附著力很差,在制作時很難將其覆蓋在半體層上，工藝復(fù)雜成本高，即使鍍上后，其結(jié)合力也不強(qiáng)；現(xiàn)有技術(shù)中有用三氧化二鋁等作為鍍銀前的過渡層，但是三氧化二鋁與半導(dǎo)體結(jié)合力不好、以及導(dǎo)熱性能非常差，LED在發(fā)光時會產(chǎn)生大量熱量，影響LED芯片的壽命，因此無法從根本上解決現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的目的是提供一種倒裝LED芯片的反射層結(jié)構(gòu)，使Al或Ag材質(zhì)反射層能更好的附著于半導(dǎo)體上，并將半導(dǎo)體發(fā)光產(chǎn)生的熱量快速的導(dǎo)走，延長芯片的壽命。
[0006]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明是通過以下的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的:
[0007]氮化鋁AlN由III A族元素Al和V A族元素N化合而成的半導(dǎo)體材料，導(dǎo)熱性好，熱膨脹系數(shù)小，是良好的耐熱沖擊材料，同時還發(fā)現(xiàn)，氮化鋁與半導(dǎo)體的附著性能很好，并且與銀或鋁的附著性能也非常好。
[0008]基于上述技術(shù)，本發(fā)明將氮化鋁用于倒裝LED芯片上，作為銀或鋁反射層的過渡層，提供一種倒裝LED芯片的反射層結(jié)構(gòu)，包括設(shè)置于P型歐姆接觸層的下側(cè)的反射層，所述反射層與P型歐姆接觸層之間還沒有一過渡層，所述反射層選自Ag反射層或Al反射層，過渡層選自AlN過渡層。
[0009]本發(fā)明還進(jìn)一步提供一種倒裝LED芯片，包括有藍(lán)寶石襯底；設(shè)置于藍(lán)寶石襯底下側(cè)的N型半導(dǎo)體層；設(shè)置于N型半導(dǎo)體層下側(cè)的P型半導(dǎo)體層；設(shè)置于P型半導(dǎo)體層下側(cè)的P型歐姆接觸層；設(shè)置于P型歐姆接觸層的下側(cè)的反射層，所述反射層與P型歐姆接觸層之間還沒有AlN過渡層，所述反射層選自Ag反射層或Al反射層。
[0010]以上所述的倒裝LED芯片，其中，所述半導(dǎo)體層選自GaN半導(dǎo)體層。在反射層的下側(cè)還設(shè)有一保護(hù)層。
[0011]本發(fā)明的有益效果在于:通過設(shè)置過渡層使Al或Ag反射層與半導(dǎo)體層附著力更強(qiáng)，可以將反射層的上表面做的更加平整，反光效果更好，提高光的利用效率；過渡層的導(dǎo)熱性非常好，能及時將半導(dǎo)體產(chǎn)生的熱量擴(kuò)散，延長的芯片的使用壽命。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1是本發(fā)明實(shí)施例的倒裝LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0013]以下結(jié)合附圖與具體實(shí)施例對本發(fā)明的技術(shù)方案做詳細(xì)說明。
[0014]參照圖1所示，本實(shí)施例的倒裝LED芯片包括有藍(lán)寶石襯底1、設(shè)置于藍(lán)寶石襯底下側(cè)的N-GaN層2、設(shè)置于N-GaN層下側(cè)的P-GaN層3、N-GaN層與P-GaN層中間的發(fā)光層23、設(shè)置于P-GaN層下側(cè)的P型歐姆接觸層4、設(shè)置于P型歐姆接觸層的下側(cè)的銀反射層6、N型歐姆接觸層5、P型焊接電極7和N型焊接電極8。
[0015]在P型歐姆接觸層下側(cè)制備銀反射層之前，先在P型歐姆接觸層上鍍一層氮化鋁，作為P型歐姆接觸層與銀反射層之間的過渡層9，讓銀反射層6的結(jié)合力和導(dǎo)熱性都更加好。為了更好保護(hù)銀反射層，在銀反射層的下側(cè)還設(shè)有一保護(hù)層10。
[0016]以上實(shí)施例為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，本發(fā)明不限于上述實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言，在不背離本發(fā)明技術(shù)原理的基礎(chǔ)上所做的任何顯而易見的改動，都屬于本發(fā)明的構(gòu)思和所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種倒裝LED芯片的反射層結(jié)構(gòu)，包括設(shè)置于P型歐姆接觸層的下側(cè)的反射層，其特征在于:所述反射層與P型歐姆接觸層之間還沒有一過渡層，所述反射層選自Ag反射層或Al反射層，過渡層選自AlN過渡層。
2.一種倒裝LED芯片，包括有藍(lán)寶石襯底；設(shè)置于藍(lán)寶石襯底下側(cè)的N型半導(dǎo)體層；設(shè)置于N型半導(dǎo)體層下側(cè)的P型半導(dǎo)體層；設(shè)置于P型半導(dǎo)體層下側(cè)的P型歐姆接觸層；設(shè)置于P型歐姆接觸層的下側(cè)的反射層，其特征在于:所述反射層與P型歐姆接觸層之間還沒有AlN過渡層，所述反射層選自Ag反射層或Al反射層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的倒裝LED芯片，其特征在于:所述半導(dǎo)體層選自GaN半導(dǎo)體層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的倒裝LED芯片，其特征在于:在反射層的下側(cè)還設(shè)有一保護(hù)層。
【文檔編號】H01L33/44GK103456859SQ201310399087
【公開日】2013年12月18日 申請日期:2013年9月5日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月5日
【發(fā)明者】唐小玲, 夏紅藝, 羅路遙 申請人:深圳市智訊達(dá)光電科技有限公司