陶瓷電子零件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陶瓷電子零件，其能夠盡量抑制在具有中間導(dǎo)電樹脂層的多層構(gòu)造的外部電極中可能產(chǎn)生于該中間導(dǎo)電樹脂層與金屬層的界面的剝離。外部電極(12)所具有的中間導(dǎo)電樹脂層(12c)含有包含導(dǎo)電性填料的環(huán)氧樹脂，該中間導(dǎo)電樹脂層(12c)滿足(B)/(A)≤0.47和(C)/(A)≥0.39這兩個(gè)條件((A)、(B)及(C)是根據(jù)利用ATR法所得的中間導(dǎo)電樹脂層(12c)的波數(shù)與光譜強(qiáng)度的關(guān)系線求出的最大光譜強(qiáng)度)。
【專利說明】陶瓷電子零件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種積層陶瓷電容器等陶瓷電子零件。
【背景技術(shù)】
[0002]積層陶瓷電容器等陶瓷電子零件包括用于使用焊料等電性接合于基板的焊墊等的外部電極。該外部電極一般具有依次包括I層基底金屬層、至少I層中間金屬層和I層表面金屬層的多層構(gòu)造。
[0003]所述陶瓷電子零件具有由于因接合時(shí)或使用時(shí)的溫度變化所產(chǎn)生的內(nèi)力、或者接合時(shí)或使用時(shí)所施加的外力，而導(dǎo)致在以陶瓷為主體的零件主體中產(chǎn)生裂痕的擔(dān)憂，所以作出以下嘗試:將所述外部電極中的中間金屬層替換成含有“包含導(dǎo)電性填料的合成樹脂”的中間導(dǎo)電樹脂層，利用該中間導(dǎo)電樹脂層緩解所述內(nèi)力及外力而消除所述擔(dān)憂(參照下述專利文獻(xiàn)I)。
[0004]但是，如果將所述外部電極中的中間金屬層替換成含有“包含導(dǎo)電性填料的合成樹脂”的中間導(dǎo)電樹脂層，那么有因所述內(nèi)力及外力而導(dǎo)致在該中間導(dǎo)電樹脂層與金屬層(是指基底金屬層、表面金屬層、或其他中間金屬層)的界面產(chǎn)生剝離的擔(dān)憂。
[0005][【背景技術(shù)】文獻(xiàn)]
[0006][專利文獻(xiàn)]
[0007][專利文獻(xiàn)I]日本專利特開平11-219849號(hào)公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】

[0008][發(fā)明所要解決的問題]
[0009]本發(fā)明的目的在于提供一種陶瓷電子零件，其能夠盡量抑制在具有中間導(dǎo)電樹脂層的多層構(gòu)造的外部電極中可能產(chǎn)生于該中間導(dǎo)電樹脂層與金屬層的界面的剝離。
[0010][解決問題的技術(shù)手段]
[0011]為了達(dá)成所述目的，本發(fā)明的陶瓷電子零件包括多層構(gòu)造的外部電極，該外部電極具有含有包含導(dǎo)電性填料的合成樹脂的中間導(dǎo)電樹脂層，所述中間導(dǎo)電樹脂層含有包含導(dǎo)電性填料的環(huán)氧樹脂，用兩軸曲線表示利用ATR法(Attenuated Total Reflectancemethod，減弱全反射法)所得的所述中間導(dǎo)電樹脂層的波數(shù)與光譜強(qiáng)度的關(guān)系線，(1)設(shè)定將所述關(guān)系線中的波數(shù)為HOOcnT1的光譜強(qiáng)度與波數(shù)為1560cm—1的光譜強(qiáng)度連結(jié)的基準(zhǔn)直線BLa，在1500±25CM-1的波數(shù)域中，將平行于光譜強(qiáng)度軸的檢測(cè)直線DLa和所述關(guān)系線的交點(diǎn)Al、與該檢測(cè)直線DLa和所述基準(zhǔn)直線BLa的交點(diǎn)Α2的距離最大時(shí)的(交點(diǎn)Al的光譜強(qiáng)度)_(交點(diǎn)Α2的光譜強(qiáng)度)設(shè)為最大光譜強(qiáng)度Α，(2)設(shè)定將所述關(guān)系線中的波數(shù)為1560CHT1的光譜強(qiáng)度與波數(shù)為lSOOcnT1的光譜強(qiáng)度連結(jié)的基準(zhǔn)直線BLb，在1730±25CM-1的波數(shù)域中，將平行于光譜強(qiáng)度軸的檢測(cè)直線DLb和所述關(guān)系線的交點(diǎn)B1、與該檢測(cè)直線DLb和所述基準(zhǔn)直線BLb的交點(diǎn)Β2的距離最大時(shí)的(交點(diǎn)BI的光譜強(qiáng)度)_(交點(diǎn)Β2的光譜強(qiáng)度)設(shè)為最大光譜強(qiáng)度B，(3)設(shè)定將所述關(guān)系線中的波數(shù)為3075CHT1的光譜強(qiáng)度與波數(shù)為3675cm—1的光譜強(qiáng)度連結(jié)的基準(zhǔn)直線BLc，在3300±300cm—1的波數(shù)域中，將平行于光譜強(qiáng)度軸的檢測(cè)直線DLc和所述關(guān)系線的交點(diǎn)Cl、與該檢測(cè)直線DLc和所述基準(zhǔn)直線BLc的交點(diǎn)C2的距離最大時(shí)的(交點(diǎn)Cl的光譜強(qiáng)度)_(交點(diǎn)C2的光譜強(qiáng)度)設(shè)為最大光譜強(qiáng)度C，這時(shí)所述中間導(dǎo)電樹脂層滿足B/A ( 0.47和C/Α≥0.39這兩個(gè)條件。
[0012][發(fā)明的效果]
[0013]根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種陶瓷電子零件，其能夠盡量抑制在具有中間導(dǎo)電樹脂層的多層構(gòu)造的外部電極中可能產(chǎn)生于該中間導(dǎo)電樹脂層與金屬層的界面的剝離。
[0014]本發(fā)明的所述目的及其他目的、和與各目的相對(duì)應(yīng)的特征及效果可以通過以下的說明及附圖而明了。
【專利附圖】

【附圖說明】[0015]圖UA)是應(yīng)用了本發(fā)明的積層陶瓷電容器的縱剖視圖，圖1(B)是圖UA)的P部放大圖。
[0016]圖2是表示樣品I~10各自的干燥條件、硬化條件、B/Α的值、C/Α的值、及耐熱不良率的值的圖。
[0017]圖3 (A)及圖3(B)是用來說明最大光譜強(qiáng)度A、B及C的決定方法的圖。
[0018][符號(hào)的說明]
[0019]10 積層陶瓷電容器
[0020]11 零件主體
[0021]12 外部電極
[0022]12a基底金屬層
[0023]12b第I中間金屬層
[0024]12c中間導(dǎo)電樹脂層
[0025]12d第2中間金屬層
[0026]12e表面金屬層
【具體實(shí)施方式】
[0027]《積層陶瓷電容器的基本構(gòu)造》
[0028]首先，引用圖UA)及圖1(B)對(duì)應(yīng)用了本發(fā)明的積層陶瓷電容器的基本構(gòu)造進(jìn)行說明。
[0029]積層陶瓷電容器10是長度、寬度及高度的基準(zhǔn)尺寸具有長度 > 寬度=高度的尺寸關(guān)系、或長度> 寬度 > 高度的尺寸關(guān)系的大致長方體形狀，且包括大致長方體形狀的零件主體11、及位于零件主體11的長度方向的兩端部的I對(duì)外部電極12。另外，圖UA)的左右方向的尺寸相當(dāng)于長度，圖1(A)的從近前側(cè)朝向里側(cè)的方向的尺寸相當(dāng)于寬度，圖1(A)的上下方向的尺寸相當(dāng)于高度。
[0030]零件主體11具有隔著介電層Ilb積層大致矩形狀的多層內(nèi)部電極層Ila而成的電容形成部，并且在高度方向的兩側(cè)及寬度方向的兩側(cè)具有不存在內(nèi)部電極層IIa的邊界(margin)部。
[0031]各內(nèi)部電極層Ila例如包含鎳、銅、鈀、鉬、銀、金、或它們的合金，各內(nèi)部電極層Ila的輪廓及厚度大致相同。各介電層Ilb及邊界部例如包含鈦酸鋇、鈦酸鍶、鈦酸鈣、鈦酸鎂、鋯酸鈣、鈦酸鋯酸鈣、鋯酸鋇、或氧化鈦，各介電層Ilb的厚度大致相同。
[0032]滿足小型化及大電容化需求的實(shí)際的積層陶瓷電容器10的內(nèi)部電極層Ila的總數(shù)達(dá)到100以上，不過在圖UA)中，為了方便圖示而顯示以下情況:將內(nèi)部電極層Ila的總數(shù)設(shè)為18，將從上開始數(shù)第奇數(shù)層的內(nèi)部電極層Ila的左側(cè)端緣電性連接于左側(cè)的外部電極12，且將從上開始數(shù)第偶數(shù)層的內(nèi)部電極層Ila的右側(cè)端緣電性連接于右側(cè)的外部電極12。
[0033]I對(duì)外部電極12分別以連續(xù)覆蓋零件主體11的長度方向的端面和4個(gè)側(cè)面(高度方向的2面及寬度方向的2面)的一部分的方式設(shè)置。各外部電極12是具有密接于零件主體11的基底金屬層12a、密接于該基底金屬層12a的表面的第I中間金屬層12b、密接于該第I中間金屬層12b的表面的中間導(dǎo)電樹脂層12c、密接于該中間導(dǎo)電樹脂層12c的表面的第2中間金屬層12d、及密接于第2中間金屬層12d的表面的表面金屬層12e的5層構(gòu)造。
[0034]基底金屬層12a例如包含鎳、銅、鈀、鉬、銀、金、或它們的合金、與和所述介電層Iib及邊界部為同一性質(zhì)的通用材質(zhì)成分的混成物、或所述金屬或合金與二氧化硅等玻璃成分的混成物。第I中間金屬層12b及第2中間金屬層12d例如包含鎳、銅、鈀、鉬、銀、金、或它們的合金。表面金屬層12e例如包含錫、鈀、金、鋅、或它們的合金。
[0035]中間導(dǎo)電樹脂層12c例如含有包含導(dǎo)電性填料的環(huán)氧樹脂，該導(dǎo)電性填料例如包括包含銀、銅、鎳、或其合金的金屬填料、或碳填料。導(dǎo)電性填料的代表形狀為粒狀、碎片(flake)狀、纖維狀等。而且，中間導(dǎo)電樹脂層12c中的環(huán)氧樹脂與導(dǎo)電性填料的質(zhì)量比優(yōu)選在9:1?6: 4的范圍內(nèi)。
[0036]《樣品I?10的具體構(gòu)造及其制造方法》
[0037]接下來，對(duì)圖2所示的樣品I?10(參照?qǐng)D2)的具體構(gòu)造及制法進(jìn)行說明。另外，各樣品I?10的基本構(gòu)造與所述積層陶瓷電容器10相同。
[0038]樣品I?10為3225尺寸(長度、寬度及高度的基準(zhǔn)尺寸為3.2mm、2.5mm、2.5mm)，內(nèi)部電極層Ila包含鎳，其層數(shù)為200，平均厚度大致為Ι.Ομπι。介電層Ilb及邊界部包含鈦酸鋇，介電層Ilb的平均厚度大致為10.Ομπι。
[0039]而且，外部電極12的基底金屬層12a包含鎳及通用材質(zhì)成分(鈦酸鋇)的混成物，其厚度大致為ΙΟ.Ομπι。第I中間金屬層12b包含銅，其厚度大致為4.Ομπι。中間導(dǎo)電樹脂層12c含有包含銀填料的環(huán)氧樹脂，其厚度大致為30.0 μ m，環(huán)氧樹脂與銀填料的質(zhì)量比大致為8: 2。第2中間金屬層12d包含鎳，其厚度大致為3.Ομπι。表面金屬層12e包含錫，其厚度大致為5.Ομπι。
[0040]零件主體11是利用如下方法制作而成，也就是說，適當(dāng)積層并壓接將包括鈦酸鋇粉末、乙醇(溶劑)、聚乙烯醇縮丁醛(粘合劑)和分散劑等添加劑的漿料涂敷成片狀并進(jìn)行干燥所得的部分、與在該部分上將包括鎳粉末、松脂醇(溶劑)、乙基纖維素(粘合劑)和分散劑等添加劑的糊劑印刷成大致矩形狀并進(jìn)行干燥所得的部分后，在還原性氣氛下或低氧分壓氣氛下，以與鈦酸鋇粉末及鎳粉末相對(duì)應(yīng)的溫度分布對(duì)積層并壓接所述兩部分所得的構(gòu)件進(jìn)行煅燒(包括脫粘合劑處理及煅燒處理)。
[0041]外部電極12的基底金屬層12a是利用如下方法制作而成，也就是說，將向所述糊劑中添加鈦酸鋇粉末(通用材質(zhì)成分)所得的成分涂布在煅燒前的零件主體(11)的長度方向的兩端部，而與該零件主體一起煅燒；或者將所述糊劑涂布在煅燒后的零件主體11的長度方向的兩端部，且在還原性氣氛下或低氧分壓氣氛下實(shí)施烘烤處理。第I中間金屬層12b是利用如下方法制作而成，也就是說，將制作基底金屬層12a后的零件主體11投入至鍍敷槽而實(shí)施電解鍍敷。中間導(dǎo)電樹脂層12c是利用如下方法制作而成，也就是說，在制作第I中間金屬層12b后，通過熱處理使將硬化前的“包含銀填料的環(huán)氧樹脂”涂布在該第I中間金屬層12b的表面且進(jìn)行干燥所得的構(gòu)件硬化。這里的干燥條件(氣氛、溫度及時(shí)間)及硬化條件(氣氛、溫度及時(shí)間)如圖2的“干燥”及“硬化”所示。第2中間金屬層12d是利用如下方法制作而成，也就是說，將制作中間導(dǎo)電樹脂層12c后的零件主體11投入至鍍敷槽而實(shí)施電解鍍敷。表面金屬層12e是利用如下方法制作而成，也就是說，將制作第2中間金屬層12d后的零件主體11投入至鍍敷槽而實(shí)施電解鍍敷。
[0042]《最大光譜強(qiáng)度A、B及C的決定方法及其依據(jù)》 [0043]接下來，引用圖3㈧及圖3(B)，對(duì)圖2的“B/Α”及“C/Α”中所使用的最大光譜強(qiáng)度A、B及C的決定方法及其依據(jù)進(jìn)行說明。另外，圖3(A)及圖3(B)是用具有波數(shù)軸(橫軸)和光譜強(qiáng)度軸(縱軸)的兩軸曲線表示利用ATR(Attenuated Total Reflection)法所得的圖2的樣品4的中間導(dǎo)電樹脂層12c的波數(shù)與光譜強(qiáng)度的關(guān)系線。
[0044]在決定最大光譜強(qiáng)度A時(shí)，如圖3㈧所示，首先，設(shè)定將關(guān)系線中的波數(shù)為1400cm1的光譜強(qiáng)度與波數(shù)為1560CHT1的光譜強(qiáng)度連結(jié)的基準(zhǔn)直線BLa。然后，在1500±25cm-1的波數(shù)域中，將平行于光譜強(qiáng)度軸的檢測(cè)直線DLa和關(guān)系線的交點(diǎn)Al、與該檢測(cè)直線DLa和基準(zhǔn)直線BLa的交點(diǎn)Α2的距離最大時(shí)的(交點(diǎn)Al的光譜強(qiáng)度)_(交點(diǎn)Α2的光譜強(qiáng)度)設(shè)為最大光譜強(qiáng)度Α。
[0045]另外，在決定最大光譜強(qiáng)度B時(shí)，如圖3㈧所示，首先，設(shè)定將關(guān)系線中的波數(shù)為1560CHT1的光譜強(qiáng)度與波數(shù)為lSOOcnT1的光譜強(qiáng)度連結(jié)的基準(zhǔn)直線BLb。然后，在HSOiZScnT1的波數(shù)域中，將平行于光譜強(qiáng)度軸的檢測(cè)直線DLb和關(guān)系線的交點(diǎn)B1、與該檢測(cè)直線DLb和基準(zhǔn)直線BLb的交點(diǎn)Α2的距離最大時(shí)的(交點(diǎn)BI的光譜強(qiáng)度)_(交點(diǎn)Β2的光譜強(qiáng)度)設(shè)為最大光譜強(qiáng)度B。
[0046]此外，在決定最大光譜強(qiáng)度C時(shí)，如圖3(B)所示，首先，設(shè)定將關(guān)系線中的波數(shù)為3075CHT1的光譜強(qiáng)度與波數(shù)為3675CHT1的光譜強(qiáng)度連結(jié)的基準(zhǔn)直線BLc。然后，在SSOOiSOOcnT1的波數(shù)域中，將平行于光譜強(qiáng)度軸的檢測(cè)直線DLc和關(guān)系線的交點(diǎn)Cl、與該檢測(cè)直線DLc和基準(zhǔn)直線BLc的交點(diǎn)C2的距離最大時(shí)的(交點(diǎn)Cl的光譜強(qiáng)度)-(交點(diǎn)C2的光譜強(qiáng)度)設(shè)為最大光譜強(qiáng)度C。
[0047]如上所述，圖3 (A)及圖3⑶表示圖2的樣品4的中間導(dǎo)電樹脂層12c的波數(shù)與光譜強(qiáng)度的關(guān)系線，因?yàn)槔盟鰶Q定方法求出的最大光譜強(qiáng)度A為0.1，最大光譜強(qiáng)度B為0.034，最大光譜強(qiáng)度C為0.048，所以如圖2的樣品4所示，B/Α成為0.34，C/A成為0.48。
[0048]所述決定方法是以下述內(nèi)容為依據(jù)。也就是說，作為中間導(dǎo)電樹脂層12c的主體的環(huán)氧樹脂具有苯環(huán)，該苯環(huán)在1500±25cm-1的波數(shù)域中出現(xiàn)波峰。也就是說，最大光譜強(qiáng)度A是捕捉該波峰所得的。而且，在環(huán)氧樹脂硬化的過程中，環(huán)氧基的一部分分解而變化成羰基，該羰基在HSOiZScnT1的波數(shù)域中出現(xiàn)波峰。也就是說，最大光譜強(qiáng)度B是捕捉該波峰所得的。此外，在環(huán)氧樹脂硬化的過程中，環(huán)氧基開環(huán)而產(chǎn)生OH基，該OH基在SSOOiSOOcnT1的波數(shù)域中出現(xiàn)波峰。也就是說，最大光譜強(qiáng)度C是捕捉該波峰所得的。
[0049]而且，基準(zhǔn)直線BLa的設(shè)定中所使用的波數(shù)HOOcnT1及1560cm—1是依據(jù)包括交點(diǎn)Al在內(nèi)的連續(xù)起伏的最小波數(shù)及最大波數(shù)，基準(zhǔn)直線BLb的設(shè)定中所使用的波數(shù)1560cm—1及l(fā)SOOcnT1是依據(jù)包括交點(diǎn)BI在內(nèi)的連續(xù)起伏的最小波數(shù)及最大波數(shù)，基準(zhǔn)直線BLc的設(shè)定中所使用的波數(shù)3075CHT1及3675CHT1是依據(jù)包括交點(diǎn)Cl在內(nèi)的連續(xù)起伏的最小波數(shù)及最大波數(shù)。
[0050]最大光譜強(qiáng)度A是基于熱性能穩(wěn)定的所述苯環(huán)，無論硬化條件如何，均大致不變。另一方面，最大光譜強(qiáng)度B因所述羰基的增加而變化，可以認(rèn)為該羰基的增加成為環(huán)氧樹脂的耐熱性劣化的原因，所以可以說優(yōu)選最大光譜強(qiáng)度B/最大光譜強(qiáng)度A(圖2的“B/A”)為盡量低的值。而且，最大光譜強(qiáng)度C因所述OH基的增加而變化，該OH基的增加成為環(huán)氧樹脂進(jìn)行硬化的標(biāo)準(zhǔn)，所以可以說優(yōu)選最大光譜強(qiáng)度C/最大光譜強(qiáng)度A (圖2的“C/Α”)為盡量高的值。
[0051 ]《圖2的“B/Α”及“C/Α”的測(cè)定方法》
[0052]接下來，對(duì)圖2的“B/Α”及“C/Α”的測(cè)定方法進(jìn)行說明。[0053]首先，分別準(zhǔn)備各10個(gè)所述樣品1-10，通過切斷或研磨使中間導(dǎo)電樹脂層12c的剖面露出。然后，利用紅外光譜成像系統(tǒng)(Bruker Optics公司制造，Vertex70),在室溫大致為25°C且濕度大致為50%的環(huán)境下，利用ATR法而獲得各中間導(dǎo)電樹脂層12c的波數(shù)與光譜強(qiáng)度的關(guān)系線(參照?qǐng)D3(A)及圖3(B))。然后，依據(jù)所述《最大光譜強(qiáng)度A、B及C的決定方法及其依據(jù)》中所說明的決定方法，求出各中間導(dǎo)電樹脂層12c的最大光譜強(qiáng)度A、B及C。然后，求出各樣品I~10的最大光譜強(qiáng)度B/最大光譜強(qiáng)度A的平均值(圖2的“B/A”)和最大光譜強(qiáng)度C/最大光譜強(qiáng)度A的平均值(圖2的“C/A”)。
[0054]《圖2的“耐熱不良率”的測(cè)定方法》
[0055]接下來，對(duì)圖2的“耐熱不良率”的測(cè)定方法進(jìn)行說明。
[0056]首先，分別準(zhǔn)備各10個(gè)所述樣品I~10，將它們?cè)?70°C的焊料槽內(nèi)浸潰3秒鐘后取出。然后，通過切斷或研磨使各外部電極12的剖面露出，通過利用電子顯微鏡的剖面觀察，來確認(rèn)在各外部電極12中的中間導(dǎo)電樹脂層12c、與和該中間導(dǎo)電樹脂層12c密接的金屬層(是指第I中間金屬層12b和第2中間金屬層12d)的界面有無產(chǎn)生剝離。然后，求出各樣品I~10的剝離產(chǎn)生數(shù)/10 (圖2的“耐熱不良率”)。
[0057]《樣品I~10的評(píng)估》
[0058]根據(jù)圖2可知，樣品4~7的“耐熱不良率”均為O %，該樣品4~7的“B/Α”為0.47以下，“C/Α”為0.46以上。像在所述《最大光譜強(qiáng)度A、B及C的決定方法及其依據(jù)》的最后部分所說明那樣，因?yàn)椤癇/Α”優(yōu)選為盡量低的值，且“C/Α”優(yōu)選為盡量高的值，所以只要中間導(dǎo)電樹脂層12c滿足B/A ( 0.47和C/Α≤0.46這兩個(gè)條件，便可以確實(shí)地抑制可能在外部電極12所包括的中間導(dǎo)電樹脂層12c與密接于該中間導(dǎo)電樹脂層12c的金屬層(是指第I中間金屬層12b和第2中間金屬層12d)的界面產(chǎn)生的剝離。
[0059]而且，根據(jù)圖2可知，樣品I~3的“耐熱不良率”為20%及10%，遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于樣品8~10的“耐熱不良率”，而且樣品I~3的“B/Α”與樣品4~7的“B/Α”同樣地為0.47以下，所以只要中間導(dǎo)電樹脂層12c滿足B/A ( 0.47和C/Α≥0.39這兩個(gè)條件，便可以充分獲得抑制可能在外部電極12所包括的中間導(dǎo)電樹脂層12c與密接于該中間導(dǎo)電樹脂層12c的金屬層(是指第I中間金屬層12b和第2中間金屬層12d)的界面產(chǎn)生的剝離的效果。
[0060]《于其他陶瓷電子零件中的應(yīng)用》
[0061]以上說明是以外部電極12為5層構(gòu)造的情況為例，不過即便在如下情況下，也就是說，該外部電極12具有除第I中間金屬層12b及第2中間金屬層12d以外的3層構(gòu)造、具有除第I中間金屬層12b及第2中間金屬層12d中的一者以外的4層構(gòu)造、或具有增加了中間金屬層的6層以上的多層構(gòu)造，或者除中間導(dǎo)電樹脂層12c以外的金屬層的材料與所述材料不同，只要中間導(dǎo)電樹脂層12c滿足所述最大光譜強(qiáng)度的條件，那么也可以獲得與所述相同的效果。而且，以上說明是以中間導(dǎo)電樹脂層12c含有包含銀填料的環(huán)氧樹脂的情況為例，不過即便在銀填料包括銀合金填料或碳填料等其他導(dǎo)電性填料的情況下，只要中間導(dǎo)電樹脂層12c滿足所述最大光譜強(qiáng)度的條件，那么也可以獲得與所述相同的效果。
[0062]而且，以上說明是以外部電極12設(shè)置在積層陶瓷電容器中的情況為例，不過即便在如下情況下，也就是說，設(shè)置在除積層陶瓷電容器以外的陶瓷電子零件、例如積層陶瓷電感器中的多層構(gòu)造的外部電極具有與所述相同的中間導(dǎo)電樹脂層12c，只要該中間導(dǎo)電樹脂層12c滿足所述最大光譜強(qiáng)度的條件，那么也可以獲得與所述相同的效果。
【權(quán)利要求】
1.一種陶瓷電子零件，其特征在于: 包括多層構(gòu)造的外部電極，該外部電極具有含有包含導(dǎo)電性填料的合成樹脂的中間導(dǎo)電樹脂層， 所述中間導(dǎo)電樹脂層含有包含導(dǎo)電性填料的環(huán)氧樹脂， 用兩軸曲線表示利用ATR法所得的所述中間導(dǎo)電樹脂層的波數(shù)與光譜強(qiáng)度的關(guān)系線，(I)設(shè)定將所述關(guān)系線中的波數(shù)為1400cm-1的光譜強(qiáng)度與波數(shù)為1560cm—1的光譜強(qiáng)度連結(jié)的基準(zhǔn)直線(BLa)，在1500±25cm-1的波數(shù)域中，將平行于光譜強(qiáng)度軸的檢測(cè)直線(DLa)和所述關(guān)系線的交點(diǎn)(Al)、與該檢測(cè)直線(DLa)和所述基準(zhǔn)直線(BLa)的交點(diǎn)(Α2)的距離最大時(shí)的(交點(diǎn)(Al)的光譜強(qiáng)度)_(交點(diǎn)(Α2)的光譜強(qiáng)度)設(shè)為最大光譜強(qiáng)度(Α)，(2)設(shè)定將所述關(guān)系線中的波數(shù)為1560cm—1的光譜強(qiáng)度與波數(shù)為lSOOcm—1的光譜強(qiáng)度連結(jié)的基準(zhǔn)直線(BLb)，在HSOiZScnT1的波數(shù)域中，將平行于光譜強(qiáng)度軸的檢測(cè)直線(DLb)和所述關(guān)系線的交點(diǎn)(BI)、與該檢測(cè)直線(DLb)和所述基準(zhǔn)直線(BLb)的交點(diǎn)(Β2)的距離最大時(shí)的(交點(diǎn)(BI)的光譜強(qiáng)度)_(交點(diǎn)(Β2)的光譜強(qiáng)度)設(shè)為最大光譜強(qiáng)度(B)，(3)設(shè)定將所述關(guān)系線中的波數(shù)為3075CHT1的光譜強(qiáng)度與波數(shù)為3675CHT1的光譜強(qiáng)度連結(jié)的基準(zhǔn)直線(BLc)，在SSOOiSOOcnT1的波數(shù)域中，將平行于光譜強(qiáng)度軸的檢測(cè)直線(DLc)和所述關(guān)系線的交點(diǎn)(Cl)、與該檢測(cè)直線(DLc)和所述基準(zhǔn)直線(BLc)的交點(diǎn)(C2)的距離最大時(shí)的(交點(diǎn)(Cl)的光譜強(qiáng)度)_(交點(diǎn)(C2)的光譜強(qiáng)度)設(shè)為最大光譜強(qiáng)度(C)，這時(shí)所述中間導(dǎo)電樹脂層滿足(B)/(A) ( 0.47和(C)/(A) ^ 0.39這兩個(gè)條件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷電子零件，其特征在于: 所述(C)/(A)≥0.39的條件為(C)/(A)≥0.46。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷電子零件，其特征在于: 所述外部電極是依次具有包含鎳的基底金屬層、包含銅的第I中間金屬層、所述中間導(dǎo)電樹脂層、包含鎳的第2中間金屬層、及包含錫的表面金屬層的5層構(gòu)造。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陶瓷電子零件，其特征在于: 所述外部電極是依次具有包含鎳的基底金屬層、包含銅的第I中間金屬層、所述中間導(dǎo)電樹脂層、包含鎳的第2中間金屬層、及包含錫的表面金屬層的5層構(gòu)造。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的陶瓷電子零件，其特征在于: 所述導(dǎo)電性填料為銀填料。
【文檔編號(hào)】H01G4/30GK103854854SQ201310347241
【公開日】2014年6月11日 申請(qǐng)日期:2013年8月9日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月6日
【發(fā)明者】小林智司, 中村智彰, 福田貴久 申請(qǐng)人:太陽誘電株式會(huì)社