技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種單臺面工藝的晶閘管，用于制造該晶閘管的芯片及其制作方法，晶閘管包含外殼、芯片、框架三部分，其中的芯片包含N型長基區(qū)N1，P型短基區(qū)P1、P2，隔離墻，擴磷區(qū)域N2（或擴磷區(qū)域N2、N3、N4），鈍化臺面等。尤其所述的隔離墻是由蒸發(fā)金屬鋁擴散而成，對于單向晶閘管芯片、雙向晶閘管芯片都適用：一種優(yōu)選方案中，硅片表面噴砂后蒸發(fā)金屬鋁，經(jīng)反刻、真空合金，對通隔離擴散后形成隔離墻。另一種優(yōu)選方案中，硅片經(jīng)氧化、光刻隔離窗口后，沉積多晶硅薄膜，蒸發(fā)寬度與隔離窗口寬度一致的金屬鋁，進行對通隔離擴散后形成隔離墻。以此方法生產(chǎn)的單臺面工藝晶閘管性能優(yōu)越、穩(wěn)定可靠。

技術(shù)研發(fā)人員：周榕榕;王成森;沈怡東;黎重林
受保護的技術(shù)使用者：江蘇捷捷微電子股份有限公司
文檔號碼：201310209154
技術(shù)研發(fā)日：2013.05.30
技術(shù)公布日：2017.02.08