技術(shù)特征：
1.一種用于制造單臺面工藝晶閘管的芯片的制作方法，所述芯片包含：位于N型長基區(qū)（N1）及其上下兩側(cè)的第二P型短基區(qū)（P2）和第一P型短基區(qū)（P1）；設置在第二P型短基區(qū)（P2）上的第一擴磷區(qū)域（N2），及設置在第一擴磷區(qū)域（N2）上的陰極；設置在第二P型短基區(qū)（P2）上的門極，及設置在第一P型短基區(qū)（P1）上的陽極；設置在N型長基區(qū)（N1）周邊的隔離墻，及設置在第二P型短基區(qū)（P2）與隔離墻之間的鈍化臺面，其特征在于：所述芯片的隔離墻經(jīng)過以下的步驟形成：硅片雙面經(jīng)過氧化、光刻隔離窗口、沉積多晶硅薄膜及蒸發(fā)金屬鋁后，進行反刻金屬鋁以保留隔離窗口上的金屬鋁，再通過對通隔離擴散形成所述的隔離墻；其中，在硅片雙面形成的氧化層的厚度≥1.0um；雙面光刻隔離窗口時，所述隔離窗口的寬度為80-200um，并腐凈隔離窗口內(nèi)的氧化層；在硅片兩側(cè)的表面及硅片兩側(cè)的隔離窗口內(nèi)沉積多晶硅薄膜，所述多晶硅薄膜的厚度為0.3-2.0um；雙面蒸發(fā)金屬鋁，使得鋁膜厚度為0.2~1.0um；反刻金屬鋁，只保留所述隔離窗口上的金屬鋁膜寬度為80~200um；對通隔離擴散時，擴散溫度1200~1280℃，擴散時間20~60小時，以實現(xiàn)硅片厚度為200-500um的對通隔離；擴散氣氛：氮氣與氧氣比例5:1~10:1，其中氮氣流量2~6L/min，氧氣流量0.2~0.6L/min，升溫速率3~5℃/min、降溫速率1~3℃/min；形成的隔離墻厚度為100~300um；在對通隔離擴散后進行表面腐蝕，以去除隔離窗口內(nèi)的鋁硅合金層。2.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于：通過蒸發(fā)金屬鋁擴散形成所述芯片中的隔離墻后，該芯片中的其他部分進一步通過以下步驟形成：硼鋁擴散、光刻K區(qū)、磷擴散、正面刻槽、臺面造型、鈍化保護、光刻引線、雙面金屬化、反刻金屬、芯片測試、硅片劃切。3.如權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于：所述芯片中進一步包含設置在所述第一P型短基區(qū)（P1）上的第三擴磷區(qū)域（N4），和設置在所述第二P型短基區(qū)（P2）上的第二擴磷區(qū)域（N3）；則，該芯片上在進行光刻K區(qū)的步驟時，是在硅片的正面形成所述第一擴磷區(qū)域（N2）和第二擴磷區(qū)域（N3），還在硅片的背面形成所述第三擴磷區(qū)域（N4）。4.一種單臺面工藝的晶閘管，其特征在于，設置有以權(quán)利要求1所述方法制作的芯片，所述芯片的陽極焊接在框架上，所述芯片的門極和陰極分別通過導線連接到框架相應的管腳上，所述晶閘管還設置有保護該芯片的外殼；其中，所述芯片中設置有經(jīng)過蒸發(fā)金屬鋁擴散形成的隔離墻，實現(xiàn)對厚度為200-500um硅片的對通隔離；所述經(jīng)過蒸發(fā)金屬鋁擴散形成的隔離墻，是指在硅片雙面經(jīng)過氧化、光刻隔離窗口、沉積多晶硅薄膜及蒸發(fā)金屬鋁后，進行反刻金屬鋁以保留隔離窗口上的金屬鋁，再通過對通隔離擴散形成所形成的隔離墻；其中，所述隔離墻是通過在硅片兩側(cè)的表面及硅片兩側(cè)的隔離窗口內(nèi)沉積多晶硅薄膜及在硅片雙面蒸發(fā)金屬鋁擴散形成。5.如權(quán)利要求4所述的晶閘管，其特征在于：在所述芯片中，所述第一P型短基區(qū)（P1）上還設置有第三擴磷區(qū)域（N4）；則所述陽極設置在所述第一P型短基區(qū)（P1）和所述第三擴磷區(qū)域（N4）上；在所述第二P型短基區(qū)（P2）上還設置有第二擴磷區(qū)域（N3）；則所述門極設置在所述第二擴磷區(qū)域（N3）上，而所述陰極設置在所述第一擴磷區(qū)域（N2）和所述第二P型短基區(qū)（P2）上。