本發(fā)明涉及太陽(yáng)能晶硅電池的生產(chǎn)制造領(lǐng)域，尤其涉及一種太陽(yáng)能晶硅電池的制造方法。

背景技術(shù)：
在常規(guī)的太陽(yáng)能晶硅電池制造中，通常使用常規(guī)離子注入方法形成太陽(yáng)能晶硅電池的P-N結(jié)，其具體方法是對(duì)太陽(yáng)能晶硅電池的硅基片進(jìn)行一次離子注入，然后執(zhí)行退火工藝以形成所述P-N結(jié)。在該一次注入工藝的過(guò)程中，若采用固定的注入量，選擇不同的退火條件會(huì)影響結(jié)深和表面濃度。例如若退火的溫度升高或者時(shí)間加長(zhǎng)，則相應(yīng)地表面濃度降低且結(jié)深變大，導(dǎo)致電壓提升、接觸電阻增大以及橫向電阻變小；若退火的溫度降低或者時(shí)間減短，則相應(yīng)地表面濃度增加且結(jié)深變小，導(dǎo)致電壓減小、接觸電阻變小以及橫向電阻變大。接觸電阻和橫向電阻均會(huì)影響太陽(yáng)能晶硅電池的發(fā)電效率，由于工藝受限，使用上述常規(guī)離子注入方法制造的太陽(yáng)能晶硅電池?zé)o法有效地提升發(fā)電效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于提供一種太陽(yáng)能晶硅電池的制造方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種太陽(yáng)能晶硅電池的制造方法，該方法包括：提供硅基片；對(duì)所述硅基片進(jìn)行第一次離子注入；對(duì)所述硅基片進(jìn)行第一次退火；對(duì)所述硅基片進(jìn)行第二次離子注入；對(duì)所述硅基片進(jìn)行第二次退火；對(duì)所述硅基片進(jìn)行后續(xù)加工以形成太陽(yáng)能晶硅電池。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的太陽(yáng)能晶硅電池的制造方法中，通過(guò)兩次離子注入及相應(yīng)的退火形成太陽(yáng)能晶硅電池的P-N結(jié)，可以使太陽(yáng)能晶硅電池的橫向電阻和接觸電阻更接近理想值，從而提升該太陽(yáng)能晶硅電池的發(fā)電效率。附圖說(shuō)明通過(guò)閱讀參照以下附圖所作的對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯：圖1是根據(jù)本發(fā)明的太陽(yáng)能晶硅電池的制造方法的一種具體實(shí)施方式的流程圖；圖2是根據(jù)圖1示出的太陽(yáng)能晶硅電池的制造方法的一種可選實(shí)施例的流程圖。具體實(shí)施方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例作詳細(xì)描述。首先請(qǐng)參考圖1，圖1是根據(jù)本發(fā)明的太陽(yáng)能晶硅電池的制造方法的一種具體實(shí)施方式的流程圖，該方法包括如下步驟：步驟S100，提供硅基片；步驟S200，對(duì)所述硅基片進(jìn)行第一次離子注入；步驟S300，對(duì)所述硅基片進(jìn)行第一次退火；步驟S400，對(duì)所述硅基片進(jìn)行第二次離子注入；步驟S500，對(duì)所述硅基片進(jìn)行第二次退火；步驟S600，對(duì)所述硅基片進(jìn)行后續(xù)加工以形成太陽(yáng)能晶硅電池。具體地，步驟S100中提供的硅基片是用于制造太陽(yáng)能晶硅電池的常見(jiàn)各類硅片，例如根據(jù)制造需求選擇的具有合適的尺寸、厚度和摻雜屬性的硅片。在步驟S200中，對(duì)所述硅基片進(jìn)行第一次離子注入，典型地，例如注入磷離子。為了對(duì)步驟S200中注入的離子進(jìn)行熱激活，執(zhí)行步驟S300，對(duì)所述硅基片進(jìn)行第一次退火。執(zhí)行步驟S200至步驟S300可用于控制太陽(yáng)能晶硅電池的橫向電阻，優(yōu)選地：所述第一次離子注入的注入能量的取值范圍是5Kev-15Kev，其注入量的取值范圍是0.5×1015/cm2至1.0×1015/cm2；所述第一次退火的退火溫度的取值范圍是600攝氏度至1000攝氏度，更優(yōu)選地該第一次退火的退火溫度的取值范圍是770攝氏度至820攝氏度；所述第一次退火的過(guò)程中高溫區(qū)時(shí)間的取值范圍是1分鐘至15分鐘。接下來(lái)執(zhí)行步驟S400，對(duì)所述硅基片進(jìn)行第二次離子注入，通常該第二次離子注入的注入離子與所述第一次離子注入的注入離子相同。為了對(duì)步驟S400中注入的離子進(jìn)行熱激活，相應(yīng)地執(zhí)行步驟S500，對(duì)所述硅基片進(jìn)行第二次退火。執(zhí)行步驟S400至步驟S500可用于控制太陽(yáng)能晶硅電池接觸電阻，典型地可以控制所述第二離子注入和所述第二次退火的具體參數(shù)，使表面濃度達(dá)到優(yōu)選值，以便于控制所述接觸電阻。優(yōu)選地，所述第二次離子注入的注入能量的取值范圍是5Kev-15Kev，其注入量的取值范圍是2.0×1015/cm2至2.6×1015/cm2；所述第二次退火的退火溫度的取值范圍是630攝氏度至1030攝氏度，更優(yōu)選地該第二次退火的退火溫度的取值范圍是830攝氏度至860攝氏度；所述第二次退火的過(guò)程中高溫區(qū)時(shí)間的取值范圍是5分鐘至45分鐘。需要特別說(shuō)明的是，根據(jù)工藝要求，在選擇所述第第一次退火和第二次退火的執(zhí)行參數(shù)時(shí)，應(yīng)滿足所述第二次退火的退火溫度至少比所述第一退火的退火溫度高30攝氏度，且所述第二次退火的高溫區(qū)時(shí)間通常比所述第一次退火的高溫區(qū)時(shí)間長(zhǎng)。接下來(lái)執(zhí)行步驟S500，所述硅基片經(jīng)過(guò)步驟S400至步驟500的執(zhí)行處理后用于后續(xù)加工形成太陽(yáng)能晶硅電池，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解所述后續(xù)加工例如基于所述硅基片形成太陽(yáng)能晶硅電池的背電極、前電極以及其他組件，在此不再贅述。圖1示出的具體實(shí)施方式的一些實(shí)施例中，步驟S300中的所述第一次退火在無(wú)氧真空環(huán)境或充斥惰性氣體的環(huán)境中進(jìn)行，因此所述硅基片表面不會(huì)因所述第一次退火生成二氧化硅氧化層。在圖1示出的具體實(shí)施方式的另一些的實(shí)施例中，步驟S300中的所述第一次退火在具有氧氣的環(huán)境中完成，因此所述硅基片表面會(huì)生成阻擋步驟S400中的所述第二次退火順利完成的二氧化硅氧化層。針對(duì)此類實(shí)施例，需要在步驟S300執(zhí)行后移除因所述第一次退火而形成的氧化層。請(qǐng)參考圖2，圖2是根據(jù)圖1示出的太陽(yáng)能晶硅電池的制造方法的一種可選實(shí)施例的流程圖，該流程圖中包括的步驟S100至步驟S600的說(shuō)明與圖1示出的具體實(shí)施方式中相同步驟的說(shuō)明一致。圖2示出的方法流程與圖1示出的方法流程區(qū)別之處在于：步驟S300執(zhí)行后本方法還包括步驟S700，該步驟S700，除去所述硅基片表面的氧化層。所述氧化層在步驟S300中進(jìn)行所述第一次退火中形成，例如因退火而生成的二氧化硅層。典型地，使用氫氟酸移除所述氧化層。閱讀了本發(fā)明的公開(kāi)文本后，無(wú)論是使用涉及在太陽(yáng)能晶硅電池制造領(lǐng)域中公知的一些特征附加至本發(fā)明基礎(chǔ)上，或是用上述一些特征替換本說(shuō)明書(shū)描述過(guò)的技術(shù)特征，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)都是顯而易見(jiàn)的。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的太陽(yáng)能晶硅電池的制造方法中，通過(guò)兩次離子注入及相應(yīng)的退火形成太陽(yáng)能晶硅電池的P-N結(jié)，可以使太陽(yáng)能晶硅電池的橫向電阻和接觸電阻更接近理想值，從而提升該太陽(yáng)能晶硅電池的發(fā)電效率。以上所揭露的僅為本發(fā)明的幾種較佳的實(shí)施例而已，當(dāng)然不能以此來(lái)限定本發(fā)明之權(quán)利范圍，因此依本發(fā)明權(quán)利要求所作的等同變化，仍屬本發(fā)明所涵蓋的范圍。