技術(shù)編號(hào):12007971
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及太陽(yáng)能晶硅電池的生產(chǎn)制造領(lǐng)域,尤其涉及一種太陽(yáng)能晶硅電池的制造方法。背景技術(shù)在常規(guī)的太陽(yáng)能晶硅電池制造中,通常使用常規(guī)離子注入方法形成太陽(yáng)能晶硅電池的P-N結(jié),其具體方法是對(duì)太陽(yáng)能晶硅電池的硅基片進(jìn)行一次離子注入,然后執(zhí)行退火工藝以形成所述P-N結(jié)。在該一次注入工藝的過(guò)程中,若采用固定的注入量,選擇不同的退火條件會(huì)影響結(jié)深和表面濃度。例如若退火的溫度升高或者時(shí)間加長(zhǎng),則相應(yīng)地表面濃度降低且結(jié)深變大,導(dǎo)致電壓提升、接觸電阻增大以及橫向電阻變??;若退火的溫度降低或者時(shí)間減短,則相應(yīng)地表面濃...
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