技術(shù)特征：
1.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括：形成包括非金屬的第一間隔部分和非金屬的第二間隔部分的掩模圖案，該非金屬的第一間隔部分在下目標(biāo)層上在第一方向上延伸，該非金屬的第二間隔部分在下目標(biāo)層上在第二方向上延伸以在多個(gè)位置交叉該非金屬的第一間隔部分，其中形成所述掩模圖案包括：在所述下目標(biāo)層上形成第一硬掩模層，形成所述第一硬掩模層包括形成有機(jī)掩模層和在所述有機(jī)掩模層上形成無(wú)機(jī)掩模層；在所述第一硬掩模層上形成非金屬的緩沖圖案，所述非金屬的緩沖圖案在所述第二方向上延伸；在所述第一硬掩模層上以及在所述非金屬的緩沖圖案上形成在所述第一方向上延伸的硬掩模圖案；利用所述硬掩模圖案蝕刻所述第一硬掩模層以去除所述無(wú)機(jī)掩模層的被所述硬掩模圖案暴露的部分，從而暴露所述有機(jī)掩模層，并留下在所述非金屬的緩沖圖案下面和在所述硬掩模圖案下面的無(wú)機(jī)掩模圖案；以及從所述非金屬的緩沖圖案以及從所述無(wú)機(jī)掩模圖案去除所述硬掩模圖案；以及利用所述掩模圖案蝕刻所述下目標(biāo)層。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中蝕刻所述下目標(biāo)層還包括：在蝕刻所述下目標(biāo)層時(shí)，去除所述掩模圖案的非金屬的第二間隔部分的上部分。3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述非金屬的第一和第二間隔部分沒有金屬。4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述非金屬的第一和第二間隔部分包括相應(yīng)的非金屬的第一和第二間隔線形部分。5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成硬掩模圖案包括形成硬掩模圖案以包括覆蓋所述下目標(biāo)層下面的隔離區(qū)并且在所述非金屬的緩沖圖案的直接相鄰部分之間延伸的部分。6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一硬掩模層和所述非金屬的緩沖圖案具有相對(duì)于所述硬掩模圖案的蝕刻選擇性。7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述掩模圖案還包括：利用所述非金屬的緩沖圖案和所述無(wú)機(jī)掩模圖案蝕刻所述有機(jī)掩模層的暴露部分以暴露下面的部分所述下目標(biāo)層并形成所述掩模圖案的所述非金屬的第一和第二間隔部分。8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中所述掩模圖案的所述第二間隔部分包括所述非金屬的緩沖圖案。9.如權(quán)利要求7所述的方法，其中蝕刻所述下目標(biāo)層包括利用所述無(wú)機(jī)掩模圖案、下面的所述有機(jī)掩模層和所述非金屬的緩沖圖案各向異性地蝕刻所述下目標(biāo)層。10.如權(quán)利要求9所述的方法，還包括：從所述下目標(biāo)層去除所述掩模圖案。11.如權(quán)利要求10所述的方法，還包括：在所述下目標(biāo)層的暴露部分上形成填充材料。12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述非金屬的第一間隔部分間隔開第一距離，所述非金屬的第二間隔部分間隔開與所述第一距離不同的第二距離。13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中所述第二距離在整個(gè)所述下目標(biāo)層上變化。14.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述非金屬的第一間隔部分間隔開第一距離，所述非金屬的第二間隔部分間隔開與所述第一距離相等的第二距離。15.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述半導(dǎo)體器件包括靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。16.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括：在形成所述掩模圖案之前形成柵電極，其中蝕刻下目標(biāo)層暴露與在所述下目標(biāo)層下面的與所述柵電極相關(guān)的有源區(qū)。17.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述非金屬的第一間隔部分和所述非金屬的第二間隔部分分別包括在彼此垂直的第一和第二方向上延伸的非金屬的第一間隔線和非金屬的第二間隔線。18.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括：利用沒有金屬的多級(jí)掩模網(wǎng)格圖案蝕刻下目標(biāo)層，以暴露襯底的與和有源區(qū)相關(guān)的金屬柵結(jié)構(gòu)鄰近的有源區(qū)，其中所述多級(jí)掩模網(wǎng)格圖案包括順序堆疊在所述下目標(biāo)層上的第一掩模圖案和第二掩模圖案，其中所述第一掩模圖案具有網(wǎng)格形狀，且包括在第一方向延伸的第一間隔部分和在第二方向延伸的第二間隔部分，所述第二方向不同于所述第一方向，其中所述第一掩模圖案包括順序堆疊在所述下目標(biāo)層上的第一有機(jī)掩模圖案和第一無(wú)機(jī)掩模圖案，且所述第一有機(jī)掩模圖案和第一無(wú)機(jī)掩模圖案中的每個(gè)具有所述網(wǎng)格形狀，以及其中所述第二掩模圖案包括線形的非金屬的緩沖掩模圖案，所述線形的非金屬的緩沖掩模圖案彼此間隔開，疊置在所述第一掩模圖案的所述第二間隔部分中的相應(yīng)第二間隔部分上，并且在所述第二方向延伸。19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中所述第一有機(jī)掩模圖案和第一無(wú)機(jī)掩模圖案相對(duì)于所述金屬柵結(jié)構(gòu)具有高的蝕刻選擇性。20.如權(quán)利要求18所述的方法，還包括：在蝕刻所述下目標(biāo)層時(shí)，去除所述多級(jí)掩模網(wǎng)格圖案。21.如權(quán)利要求18所述的方法，其中所述第一間隔部分間隔開第一距離，所述第二間隔部分間隔開與所述第一距離不同的第二距離。22.如權(quán)利要求18所述的方法，其中所述第一間隔部分間隔開第一距離，所述第二間隔部分間隔開所述第一距離。23.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括：在襯底上的電介質(zhì)層中形成包括金屬的柵結(jié)構(gòu)，其中所述柵結(jié)構(gòu)與所述襯底中的目標(biāo)結(jié)構(gòu)相關(guān)；在所述電介質(zhì)層上形成非金屬掩模圖案；以及利用所述非金屬掩模圖案蝕刻所述電介質(zhì)層以暴露所述目標(biāo)結(jié)構(gòu)，其中所述非金屬掩模圖案具有網(wǎng)格形狀，其中所述非金屬掩模圖案包括順序堆疊在所述電介質(zhì)層上的有機(jī)掩模圖案和無(wú)機(jī)掩模圖案，且所述有機(jī)掩模圖案和無(wú)機(jī)掩模圖案中的每個(gè)具有網(wǎng)格形狀，其中所述無(wú)機(jī)掩模圖案具有單一個(gè)體的結(jié)構(gòu)，其中所述無(wú)機(jī)掩模圖案包括在第一方向延伸的非金屬的第一間隔部分和在第二方向延伸的非金屬的第二間隔部分，所述第二方向不同于所述第一方向，以及其中所述非金屬掩模圖案還包括在所述無(wú)機(jī)掩模圖案上的線形的非金屬的緩沖掩模圖案，所述線形的非金屬的緩沖掩模圖案彼此間隔開，疊置在所述無(wú)機(jī)掩模圖案的所述非金屬的第二間隔部分中的相應(yīng)第二間隔部分上，并且在所述第二方向延伸。24.如權(quán)利要求23所述的方法，其中所述非金屬掩模圖案具有相對(duì)于所述金屬的相對(duì)高的蝕刻選擇性。25.如權(quán)利要求23所述的方法，其中所述非金屬掩模圖案具有相對(duì)于所述電介質(zhì)層的相對(duì)低的蝕刻選擇性。26.如權(quán)利要求23所述的方法，其中蝕刻所述電介質(zhì)層還包括：在蝕刻所述電介質(zhì)層時(shí)，去除所述非金屬掩模圖案。