本發(fā)明關(guān)于清潔方法，尤其是關(guān)于其清潔裝置。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體集成電路(IC)產(chǎn)業(yè)已快速成長(zhǎng)一段時(shí)日。IC材料與設(shè)計(jì)的技術(shù)進(jìn)步，使每一代的IC比前一代的IC更小且其電路更復(fù)雜。新一代的IC具有較大的功能密度(比如固定芯片面積中的內(nèi)連線元件數(shù)目)，與較小的尺寸(比如工藝形成的最小構(gòu)件或連線)。工藝尺寸縮小往往有利于增加工藝效率并降低相關(guān)成本。工藝尺寸縮小會(huì)增加工藝復(fù)雜度，但工藝尺寸縮小的優(yōu)點(diǎn)顯而易見(jiàn)，因此需要更小的IC工藝。舉例來(lái)說(shuō)，對(duì)高解析度蝕刻工藝的需求持續(xù)成長(zhǎng)。

蝕刻技術(shù)的一為極紫外線蝕刻(EUVL)。EUVL在極紫外線區(qū)中曝光掩模，以形成圖案于基板上。一般而言，EUVL所用的掩模稱作EUV掩模，而EUVL所用的光波長(zhǎng)介于約1nm至約100nm之間。

現(xiàn)有的蝕刻技術(shù)通常適用于特定目的，而無(wú)法用于所有領(lǐng)域。舉例來(lái)說(shuō)，重復(fù)使用EUVL工藝中的EUV掩模將產(chǎn)生一些問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明一實(shí)施例提供的清潔掩模的系統(tǒng)，包括：托架，設(shè)置以支撐掩模且位于掩模的第一側(cè)；聲音能量產(chǎn)生器，設(shè)置以產(chǎn)生聲音能量，其包括超聲波的頻率與波長(zhǎng)的機(jī)械振動(dòng)；以及流體施加器，耦接至聲音能量產(chǎn)生器，使流體施加器接收聲音能量產(chǎn)生器產(chǎn)生的聲音能量，以產(chǎn)生聲音攪動(dòng)的流體流導(dǎo)向掩模的第二側(cè)，其中掩模的第一側(cè)與第二側(cè)對(duì)向設(shè)置，且其中掩模的第一側(cè)包括圖案。

本發(fā)明一實(shí)施例提供的清潔基板的系統(tǒng)，包括：托架，設(shè)置以支撐并水平地旋轉(zhuǎn)基板，基板具有相反兩側(cè)的上表面與下表面，且基板的上表面包括圖案；第一噴嘴，位于與基板的下表面相鄰處，且設(shè)置以施加依超聲 波頻率振動(dòng)的流體流至基板的下表面上，使基板依超聲波頻率機(jī)械振動(dòng)；以及第二噴嘴，位于與基板的上表面相鄰處，且設(shè)置以釋放化學(xué)溶液至基板的上表面上。

本發(fā)明一實(shí)施例提供的清潔方法，包括：將聲音攪動(dòng)的流體流導(dǎo)向基板的第一表面，使基板依超聲波頻率機(jī)械振動(dòng)，以移除基板的第一表面上的污染粒子，其中基板的第一表面與第二表面反向設(shè)置，且其中基板的第二表面包括一圖案。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明實(shí)施例中，用以清潔掩模的系統(tǒng)的附圖。

圖2是本發(fā)明某些實(shí)施例中，極紫外線(EUV)掩模的附圖。

圖3是本發(fā)明某些實(shí)施例中，以圖1的系統(tǒng)清潔掩模的方法的附圖。

圖4A至4B是本發(fā)明某些實(shí)施例中，回應(yīng)聲音能量產(chǎn)生器的掩模其多個(gè)點(diǎn)位上的感測(cè)聲壓的附圖。

附圖標(biāo)記說(shuō)明：

θ 角度

100 系統(tǒng)

102、200、402 掩模

102-A 正面

102-B 背面

104 支撐指

106 支撐柱

108、118、404 噴嘴

110 聲音能量產(chǎn)生器

119 噴霧

120 流體流

122 托架

202 光罩基板

204 導(dǎo)電層

206 ML

208 保護(hù)層

210 吸收層

230 不透明區(qū)

240 反射區(qū)

300 方法

302、304、306、308 步驟

401、403、405、407 感測(cè)器

406 聲音攪動(dòng)的流體流

420、430、440、450 曲線

421 虛線

具體實(shí)施方式

下述內(nèi)容提供的不同實(shí)施例可實(shí)施本發(fā)明的不同結(jié)構(gòu)。特定構(gòu)件與排列的實(shí)施例是用以簡(jiǎn)化本發(fā)明而非局限本發(fā)明。舉例來(lái)說(shuō)，形成第一構(gòu)件于第二構(gòu)件上的敘述包含兩者直接接觸，或兩者之間隔有其他額外構(gòu)件而非直接接觸。此外，本發(fā)明的多種實(shí)例將重復(fù)標(biāo)號(hào)及/或符號(hào)以簡(jiǎn)化并清楚說(shuō)明。不同實(shí)施例中具有相同標(biāo)號(hào)的元件并不必然具有相同的對(duì)應(yīng)關(guān)系及/或排列。

此外，空間性的相對(duì)用語(yǔ)如「下方」、「其下」、「較下方」、「上方」、「較上方」、或類似用語(yǔ)可用于簡(jiǎn)化說(shuō)明某一元件與另一元件在圖示中的相對(duì)關(guān)系?？臻g性的相對(duì)用語(yǔ)可延伸至以其他方向使用的元件，而非局限于圖示方向。元件亦可轉(zhuǎn)動(dòng)90°或其他角度，因此方向性用語(yǔ)僅用以說(shuō)明圖示中的方向。

圖1是某些實(shí)施例中，用以清潔掩模102的系統(tǒng)100的簡(jiǎn)化圖。在下述的特定實(shí)施例中，掩模102為極紫外線(EUV)掩模。EUV掩模的詳細(xì)結(jié)構(gòu)如圖2所示的掩模200。然而系統(tǒng)100可用以清潔其他元件如基板及/或晶片，其仍屬本公開(kāi)的范疇。

如圖1所示，系統(tǒng)100包含托架122以支撐并旋轉(zhuǎn)掩模102。托架122亦包含支撐指104與支撐柱106。在此實(shí)施例中的支撐指104支撐掩模102(比如接觸掩模的背面102-B)，但某些其他實(shí)施例中的支撐指104可作為 掩模102的鉗夾。掩模102的正面102-A包含結(jié)構(gòu)的圖案。這些結(jié)構(gòu)圖案有關(guān)于半導(dǎo)體裝置或其部份，比如多個(gè)柵極結(jié)構(gòu)(例如多晶硅結(jié)構(gòu)、金屬柵極結(jié)構(gòu)、或類似物)、源極/漏極區(qū)、內(nèi)連線線路或通孔、虛置結(jié)構(gòu)、及/或其他合適圖案。掩模102的背面102-B不包含結(jié)構(gòu)的圖案。如圖所示，掩模102的背面102-b與正面102-A對(duì)向設(shè)置。

如圖1所示，系統(tǒng)100包含噴嘴118朝向掩模102的正面102-A(或與其相鄰)，噴嘴108朝向掩模102的背面102-B(或與其相鄰)，以及聲音能量產(chǎn)生器110耦接至掩模102的背面102-B的噴嘴108。在某些實(shí)施例中，噴嘴118朝掩模102的正面102-A施加噴霧119(如化學(xué)溶液)。同樣地，噴嘴108朝掩模102的背面102-B施加流體流(或流體徑)120。

在下述某些特定實(shí)施例中，自噴嘴108施加的流體流120以角度θ入射至掩模102的背面。聲音能量產(chǎn)生器110與背面的噴嘴108的操作，將搭配圖3的流程圖詳述于下。

對(duì)非常小的半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點(diǎn)如14nm來(lái)說(shuō)，極紫外線蝕刻(EUVL)為可靠的圖案化技術(shù)。EUVL非常類似需要掩模以印刷晶片的光學(xué)蝕刻，除了其采用的射線為EUV區(qū)(波長(zhǎng)范圍介于1nm至約100nm之間)。一般而言，用于EUVL工藝的射線波長(zhǎng)為約13.5nm。

圖2是多種實(shí)施例中，用于EUVL中的EUV的掩模200。一般而言，多種掩?？捎糜贓UVL，而這些掩模的清理方法仍屬本公開(kāi)范疇。舉例來(lái)說(shuō)，EUV掩?？砂p光強(qiáng)度掩模(BIM)與相轉(zhuǎn)移掩模(PSM)。BIM幾乎都是吸收區(qū)(亦稱作不透明區(qū))，以及吸收區(qū)以外的反射區(qū)。不透明區(qū)中的吸收物幾乎完全吸收入射光。反射區(qū)不含吸收物，且其包含的多層結(jié)構(gòu)(ML)將反射入射光。PSM包含吸收區(qū)與反射區(qū)。吸收區(qū)反射的部份入射光，與反射區(qū)反射的入射光具有相位差異(通常為180°)，可增加解析度與影像品質(zhì)。PSM可為衰減型PSM(AttPSM)與間隔型PSM(AltPSM)。AttPSM的吸收物通常具有2％至15％的反射率，而AltPSM的吸收物通常具有大于50％的反射率。

如圖2所示，掩模200包含掩?；?02，其由低熱膨脹材料(LTEM)所組成。LTEM可包含摻雜氧化鈦的氧化硅，及/或其他低熱膨脹材料。LTEM的掩?；?02可使加熱掩模所造成的影像扭曲問(wèn)題最小化。在一實(shí)施例 中，LTEM基板包含的材料具有低缺陷等級(jí)與平滑表面。此外為了靜電固定，導(dǎo)電層204可形成于LTEM的掩?；?02的背側(cè)表面上如圖2所示。在一實(shí)施例中，導(dǎo)電層204包含氮化鉻或其他合適導(dǎo)電材料。

掩模200包含反射式的ML(多層)206于掩?；?02上的前側(cè)表面(與導(dǎo)電層204形成其上的背側(cè)表面相對(duì))上。依據(jù)Fresnel方程式，當(dāng)光穿過(guò)不同折射率的兩種材料的界面時(shí)，會(huì)產(chǎn)生光反射的現(xiàn)象。當(dāng)折射率差異越大，反射光越大。在某些實(shí)施例中為增加反射光強(qiáng)度，可增加交替的材料的多層界面數(shù)目，使光建設(shè)性干涉于每一不同界面處。ML 206包含多個(gè)膜對(duì)，比如鉬/硅(Mo/Si)膜對(duì)，即每一膜對(duì)中的鉬層位于硅層之上或之下。在另一實(shí)施例中，ML 206包含鉬/鈹(Mo/Be)膜對(duì)，或?qū)UV波長(zhǎng)具有高反射率的任何合適材料。ML 206的每一層厚度取決于EUV的波長(zhǎng)及入射角。調(diào)整ML 206的厚度，可使每一界面反射的EUV光具有最大的建設(shè)性干涉，且使ML 206對(duì)EUV光具有最小吸收。ML 206可選自對(duì)選定射線種類及/或波長(zhǎng)具有高反射率。在特定例子中，ML 206中的膜對(duì)數(shù)目介于20至80之間，不過(guò)任何數(shù)目的膜對(duì)均有可能。在一例中，ML 206包含四十對(duì)的Mo/Si層。在此例中，每一Mo/Si膜對(duì)的厚度為約7nm，而ML 206的總厚度為280nm。在此例中，反射率可達(dá)約70％。

掩模200包含保護(hù)層208形成于ML 206上以具有一或多個(gè)功能。在一實(shí)例中，保護(hù)層208作為圖案化工藝或其他步驟(如修補(bǔ)或清潔)中的蝕刻停止層。在其他實(shí)例中，保護(hù)層可避免氧化ML 206。保護(hù)層208可包含單一膜或多層膜以具有額外功能。在某些實(shí)施例中，保護(hù)層包括緩沖層位于ML 206上，以及蓋層位于緩沖層上。緩沖層是設(shè)計(jì)以避免氧化ML 206。在某些實(shí)例中，緩沖層包含厚度為約4nm至7nm的硅。在其他實(shí)例中，可采用低溫沉積工藝形成緩沖層，以避免ML 206的相互擴(kuò)散。蓋層是形成于緩沖層上，以作為吸收層的圖案化或修補(bǔ)工藝中的蝕刻停止層。蓋層與吸收層具有不同的蝕刻特性。在多種實(shí)例中，蓋層包含釕、釕化合物如硼化釕或釕硅、鉻、氧化鉻、或氮化鉻。低溫沉積工藝常擇以形成蓋層，以避免ML 206的相互擴(kuò)散。

掩模200亦包含吸收層210形成于保護(hù)層208上。在此實(shí)施例中，吸收層210吸收照射至圖案化掩模上的EUV波長(zhǎng)范圍中的射線。吸收層210 包含多層膜層，且每一膜層包含鉻、氧化鉻、氮化鉻、鈦、氧化鈦、氮化鈦、鉭、氧化鉭、氮化鉭、氮氧化鉭、氮化硼鉭、氧化硼鉭、氮氧化硼鉭、鋁、鋁-銅、氧化鋁、銀、氧化銀、鈀、釕、鉬、其他合適材料、或上述的組合。

如圖2所示的某些實(shí)施例中，可依據(jù)IC布局圖案(或單純的IC圖案)圖案化吸收層140，以定義不透明區(qū)230與反射區(qū)240。在不透明區(qū)230中保留吸收層210于掩模200上，并在反射區(qū)240中移除吸收層210。

雖然EUVL工藝的操作環(huán)境保持于相對(duì)清潔，但仍有污染形成于掩模的正面/背面上。舉例來(lái)說(shuō)，某些污染有機(jī)物(如殘留的光阻剝除液)可形成于掩模正面上。這些污染有機(jī)物通常的分布尺寸介于約50nm至約100nm之間，且通常分布成圖案。另一方面，某些較大的污染粒子可能形成于掩模背面上。這些掩模背面上的污染粒子通常介于約3微米至50微米之間。不論是哪種污染物形成于掩模上，都會(huì)干擾圖案化工藝。舉例來(lái)說(shuō)，污染粒子可能會(huì)導(dǎo)致散焦或失焦等問(wèn)題。如此一來(lái)，需在每次蝕刻工藝后進(jìn)行清潔工藝，以移除上述污染物。由于不同尺寸的污染物形成于掩模的每一側(cè)上，現(xiàn)有方法需采用兩道以上的清潔工藝以移除掩模兩側(cè)上的污染物。在一實(shí)例中，可采用第一強(qiáng)度的噴霧清潔掩模正面上的污染有機(jī)物，接著以第二強(qiáng)度的噴霧清潔掩模背面上的污染粒子。如前所述，由于掩模兩側(cè)的污染物的尺寸不同，第一強(qiáng)度可與第二強(qiáng)度不同。此外，由于現(xiàn)有清潔系統(tǒng)只包含單一噴嘴施加不同強(qiáng)度的噴霧，且需翻轉(zhuǎn)掩模的工藝。此翻轉(zhuǎn)工藝在清潔掩模背面時(shí)可能產(chǎn)生額外污染物于掩模正面上，并在清潔掩模時(shí)消耗額外時(shí)間。

如此一來(lái)，本發(fā)明提供系統(tǒng)與方法，以臨場(chǎng)清潔掩模的兩側(cè)。即使有兩種不同尺寸的污染物形成于掩模兩側(cè)上，下述實(shí)施例仍可同時(shí)移除掩模兩側(cè)上的污染物。

圖3是多種實(shí)施例中，清潔掩模的方法300的流程圖。方法300將搭配圖1的系統(tǒng)100、圖1的掩模102、及/或圖2的掩模200說(shuō)明。雖然下述說(shuō)明中的圖3的方法300是用以清潔EUV掩模，但本發(fā)明的方法300可用于清潔多種掩模及/或晶片。

方法300的步驟302支撐并旋轉(zhuǎn)掩模102/200。如前所述，拖架122可 用以支撐與旋轉(zhuǎn)掩模102/200。在某些實(shí)施例中，掩模102/200的轉(zhuǎn)速可介于0rpm(每分鐘轉(zhuǎn)幾圈)至500rpm之間。如此一來(lái)，掩模102/200在步驟304至308中可為靜態(tài)(例如0rpm)或水平地旋轉(zhuǎn)。

接著進(jìn)行方法300的步驟304，經(jīng)由噴嘴108將流體流120施加至掩模背面(如102-B)上。流體流的組成為清潔液體(第一化學(xué)溶液)如臭氧水、氫氧化四甲基銨(TMAH)、溶于水中的二氧化碳(CO2)、溶于水中的氫(H2)、或標(biāo)準(zhǔn)清潔品1(SC1)。更特別的是，圖1中的角度θ可介于約60度至約90度之間。

接著進(jìn)行方法300的步驟306，以聲音能量產(chǎn)生器110產(chǎn)生機(jī)械振動(dòng)，且經(jīng)由流體流120傳至掩模102/200。上述聲音能量產(chǎn)生器110耦接至噴嘴108并產(chǎn)生聲波。聲波攪動(dòng)流體流120后，施加至掩模102/200的背面的流體流120可機(jī)械振動(dòng)掩模102/200。上述聲音攪動(dòng)的流體流120中具有依特定頻率機(jī)械振動(dòng)的微泡，且振動(dòng)的微泡可用以移除掩模102/200背面上的污染物。一般而言，這些微泡的直徑尺寸為約3微米。

在多種實(shí)施例中的方法300其步驟306中，聲音能量產(chǎn)生器110產(chǎn)生的機(jī)械振動(dòng)頻率可介于約1MHz(百萬(wàn)赫)至約3MHz。上述頻率一般稱作超聲波(Megasonic)頻率。在其他實(shí)施例中，系統(tǒng)100可采用多種頻率以清潔掩模，比如聲音能量產(chǎn)生器110產(chǎn)生的約2萬(wàn)赫茲至約4萬(wàn)赫茲的超聲波(Ultrasonic)頻率。

接著進(jìn)行方法300的步驟308，使噴嘴118施加噴霧119至掩模200的正面上。在某些實(shí)施例中，噴霧119可包含第二化學(xué)溶液，其與前述的第一化學(xué)溶液不同。在其他實(shí)施例中，第一化學(xué)溶液與第二化學(xué)溶液相同。第二化學(xué)溶液可包含硫化氫酸、過(guò)氧化氫、或上述的組合(如SPM)。在某些其他實(shí)施例中，噴嘴118可結(jié)合產(chǎn)生電漿、臭氧水溶液(DIO3)、及/或聲波(如超聲波)的設(shè)備，以移除形成于掩模102/200正面上的污染物(如光阻剝除液)。在使用聲波的例子中，聲音能量產(chǎn)生器(可與聲音能量產(chǎn)生器110相同或不同)可耦接至噴嘴118，以產(chǎn)生聲音攪動(dòng)的流體流。

可以理解的是，在步驟302至308之前、之中、及/或之后可進(jìn)行其他步驟/工藝，且可結(jié)合某些上述工藝。舉例來(lái)說(shuō)，步驟304至308可結(jié)合為單一步驟。在清潔掩模102/200的工藝中，可將噴霧119與超聲波頻率振蕩 的流體流120各自同時(shí)施加至掩模102/200的正面與背面上。值得注意的是，某些實(shí)施例中的步驟302至308不需翻轉(zhuǎn)掩模，即可避免或限制清潔工藝所移除的污染物再次粘附回掩模。

圖4A與4B是某些實(shí)施例中，掩模上多個(gè)點(diǎn)所測(cè)得的聲壓。如前所述，當(dāng)聲音攪動(dòng)的流體流施加至掩模表面上時(shí)，流體流中產(chǎn)生的微泡可移除表面上的污染物。一般而言，施加于掩模表面上的聲音攪動(dòng)流體流其強(qiáng)度及/或效果，可由表面上測(cè)得的聲壓定量。在第4A圖中，噴嘴404(可視作前述的噴嘴108及/或118)產(chǎn)生聲音攪動(dòng)的流體流406于掩模402(可視作前述的掩模102/200)的背面上。當(dāng)聲音攪動(dòng)的流體流406施加至掩模402上時(shí)，感測(cè)器401、403、405、與407將監(jiān)測(cè)掩模402上不同點(diǎn)位的聲壓。在第4A圖所示的實(shí)施例中，感測(cè)器401位于掩模背面，且位于聲音攪動(dòng)的流體流406入射掩模處；感測(cè)器403位于掩模正面，且位于聲音攪動(dòng)的流體流406入射掩模處；感測(cè)器405與407則位于掩模正面，且分別位于與聲音攪動(dòng)的流體流406入射掩模處相隔不同水平距離處。圖4B是感測(cè)器401、403、405、與407所測(cè)得的聲壓曲線。曲線420對(duì)應(yīng)感測(cè)器401測(cè)得的聲壓，與聲音能量產(chǎn)生器110提供的聲音功率的相對(duì)曲線。曲線430對(duì)應(yīng)感測(cè)器403測(cè)得的聲壓，與聲音能量產(chǎn)生器110提供的聲音功率的相對(duì)曲線。曲線440對(duì)應(yīng)感測(cè)器405測(cè)得的聲壓，與聲音能量產(chǎn)生器110提供的聲音功率的相對(duì)曲線。曲線450對(duì)應(yīng)感測(cè)器407測(cè)得的聲壓，與聲音能量產(chǎn)生器110提供的聲音功率的相對(duì)曲線。

如圖4B所示，曲線420的聲壓高于曲線430、440與450的聲壓，顯示雖然聲音攪動(dòng)的流體流是由掩模402背面入射，但仍振動(dòng)掩模整體。此外，圖4B的虛線421的右側(cè)中，感測(cè)器401所測(cè)得的聲壓趨于穩(wěn)定，即聲音能量產(chǎn)生器提供的超聲波功率超過(guò)臨界值后，將不會(huì)進(jìn)一步增加聲壓。

依據(jù)上述內(nèi)容可知本發(fā)明的諸多優(yōu)點(diǎn)。然而需理解的是，上述內(nèi)容不需包含所有優(yōu)點(diǎn)，其他實(shí)施例可具有不同優(yōu)點(diǎn)，且所有實(shí)施例不需具有特定優(yōu)點(diǎn)。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)之一為提供新穎的方法清潔掩模。如前所述，通過(guò)本發(fā)明的方法與系統(tǒng)，可依掩模的正面與背面分別采用兩種不同的方式，以同時(shí)清潔掩模的正面與背面。在某些實(shí)施例中，由于一般形成于掩模背面上 的污染物比形成于掩模正面上的污染物具有較大尺寸，本發(fā)明的方法與系統(tǒng)可進(jìn)行臨場(chǎng)清潔工藝。此外，由于各自清潔掩模的正面與背面，因此不需進(jìn)行翻轉(zhuǎn)工藝，即有利于避免翻轉(zhuǎn)工藝造成的交叉污染。

本發(fā)明某些實(shí)施例提供清潔掩模的系統(tǒng)，包括：托架，設(shè)置以支撐掩模且位于掩模的第一側(cè)；聲音能量產(chǎn)生器，設(shè)置以產(chǎn)生聲音能量，其包括超聲波的頻率與波長(zhǎng)的機(jī)械振動(dòng)；以及流體施加器，耦接至聲音能量產(chǎn)生器，使流體施加器接收聲音能量產(chǎn)生器產(chǎn)生的聲音能量，以產(chǎn)生聲音攪動(dòng)的流體流導(dǎo)向掩模的第二側(cè)，其中掩模的第一側(cè)與第二側(cè)對(duì)向設(shè)置，且其中掩模的第一側(cè)包括圖案。

本發(fā)明某些實(shí)施例提供清潔基板的系統(tǒng)，包括：托架，設(shè)置以支撐并水平地旋轉(zhuǎn)基板，基板具有相反兩側(cè)的上表面與下表面，且基板的上表面包括圖案。此系統(tǒng)亦包括第一噴嘴，位于與基板的下表面相鄰處，且設(shè)置以施加依超聲波頻率振動(dòng)的流體流至基板的下表面上，使基板依超聲波頻率機(jī)械振動(dòng)；以及第二噴嘴，位于與基板的上表面相鄰處，且設(shè)置以釋放化學(xué)溶液至基板的上表面上。

本發(fā)明多種實(shí)施例提供基板的清潔方法，包括：將聲音攪動(dòng)的流體流導(dǎo)向基板的第一表面，使基板依超聲波頻率機(jī)械振動(dòng)，以移除基板的第一表面上的污染粒子，其中基板的第一表面與第二表面反向設(shè)置，且其中基板的第二表面包括一圖案。

上述實(shí)施例的特征有利于本技術(shù)領(lǐng)域中技術(shù)人員理解本發(fā)明。本技術(shù)領(lǐng)域中技術(shù)人員應(yīng)理解可采用本申請(qǐng)案作為基礎(chǔ)，設(shè)計(jì)并變化其他工藝與結(jié)構(gòu)以完成上述實(shí)施例的相同目的及/或相同優(yōu)點(diǎn)。本技術(shù)領(lǐng)域中技術(shù)人員亦應(yīng)理解，這些等效置換并未脫離本發(fā)明的精神與范疇，并可在未脫離本發(fā)明的精神與范疇的前提下進(jìn)行改變、替換。