技術(shù)特征：
1.一種用于制造具有屏蔽電極結(jié)構(gòu)的絕緣柵半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟：提供具有主表面的半導(dǎo)體材料區(qū)；形成從所述主表面延伸至所述半導(dǎo)體材料區(qū)之內(nèi)的溝槽；形成沿著所述溝槽的表面的第一電介質(zhì)層；形成鄰接于所述第一電介質(zhì)層的第一導(dǎo)電層，其中所述第一導(dǎo)電層被配置為屏蔽電極；從所述溝槽的上側(cè)壁表面去除所述第一電介質(zhì)層的部分；其后形成沿著所述溝槽的所述上側(cè)壁表面的柵極電介質(zhì)層；形成鄰接于所述柵極電介質(zhì)層的第一間隔層；其后形成覆蓋于所述第一導(dǎo)電層上的第二電介質(zhì)層；去除所述第一間隔層，其中在形成所述第二電介質(zhì)層之后且在去除所述第一間隔層之后，所述柵極電介質(zhì)層沿著所述溝槽的所述上側(cè)壁表面保留；以及形成鄰接于所述柵極電介質(zhì)層和所述第二電介質(zhì)層的第二導(dǎo)電層，其中所述第二導(dǎo)電層被配置為控制電極。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述第一間隔層的步驟包括形成包含抗氧化材料的所述第一間隔層，并且其中去除所述第一間隔層的步驟包括蝕刻所述第一間隔層。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在所述柵極電介質(zhì)層與所述第一間隔層之間形成第二間隔層的步驟。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述第二電介質(zhì)層的步驟包括使用局部氧化來形成所述第二電介質(zhì)層。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括以下步驟：在所述半導(dǎo)體材料區(qū)內(nèi)形成第一摻雜區(qū)，其中所述第一摻雜區(qū)和溝槽是鄰接的，并且其中所述第一摻雜區(qū)具有第一導(dǎo)電類型；以及形成鄰接于所述第一摻雜區(qū)的第二摻雜區(qū)，其中所述第二摻雜區(qū)具有與所述第一導(dǎo)電類型相反的第二導(dǎo)電類型。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述第一電介質(zhì)層的步驟包括以下步驟：形成包含熱氧化物的第一氧化物層；形成包含沉積氧化物的第二氧化物層；在形成所述柵極電介質(zhì)層的步驟之前去除所述第一和第二氧化物層中沿著所述溝槽的所述上側(cè)壁表面的上部，以使所述第一導(dǎo)電層的上部露出；以及去除所述第一導(dǎo)電層的一部分以使所述第一導(dǎo)電層凹進(jìn)到所述第一和第二氧化物層的上表面之下。7.一種用于形成絕緣柵半導(dǎo)體器件的工藝，包括以下步驟：在襯底內(nèi)形成從主表面延伸的第一溝槽；形成沿著所述溝槽的表面的屏蔽電極電介質(zhì)層；形成鄰接于所述屏蔽電極電介質(zhì)層的屏蔽電極，其中所述屏蔽電極電介質(zhì)層使所述屏蔽電極與所述襯底分離開；從所述溝槽的上側(cè)壁表面去除所述屏蔽電極電介質(zhì)層的部分；形成沿著所述溝槽的所述上側(cè)壁表面的柵極電介質(zhì)層；形成沿著所述柵極電介質(zhì)層的間隔層，其中所述間隔層包含抗氧化材料；其后使用氧化工藝形成覆蓋于所述屏蔽電極上的電介質(zhì)層；去除所述間隔層，其中在形成覆蓋于所述屏蔽電極上的所述電介質(zhì)層之后且在去除所述間隔層之后，所述柵極電介質(zhì)層沿著所述溝槽的所述上側(cè)壁表面保留；形成鄰接于所述柵極電介質(zhì)層的柵電極；在所述襯底內(nèi)形成第一導(dǎo)電類型的體區(qū)，其中所述體區(qū)和所述溝槽是鄰接的；以及按照與所述體區(qū)間隔開的關(guān)系來形成第二導(dǎo)電類型的源區(qū)。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的工藝，其中形成所述間隔層的步驟包括形成氮化物間隔層，并且其中所述去除所述間隔層的步驟包括蝕刻所述氮化物間隔層，所述工藝還包括在所述氮化物間隔層與所述柵極電介質(zhì)層之間形成結(jié)晶半導(dǎo)體間隔層的步驟。9.一種用于形成半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟：提供具有溝槽和第一電極的襯底，所述第一電極處于所述溝槽的下部并且通過沿著所述溝槽的表面形成的電介質(zhì)層與所述襯底隔離；去除所述電介質(zhì)層的沿著所述溝槽的上側(cè)壁表面的部分；形成沿著所述溝槽的所述上側(cè)壁的柵極電介質(zhì)層；形成沿著所述柵極電介質(zhì)層的第一間隔層；形成沿著所述第一間隔層的第二間隔層，其中所述第二間隔層包含抗氧化材料；使用局部氧化工藝來形成鄰接于所述第一電極以及所述柵極電介質(zhì)層的下部的電極間電介質(zhì)層，其中所述局部氧化工藝增加所述柵極電介質(zhì)層的下部的厚度；去除所述第二間隔層；以及形成鄰接于所述柵極電介質(zhì)層的第二電極。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中在形成所述電極間電介質(zhì)層之后且在去除所述第二間隔層之后，所述柵極電介質(zhì)層沿著所述溝槽的所述上側(cè)壁表面保留。