制造具有屏蔽電極結(jié)構(gòu)的絕緣柵半導(dǎo)體器件的方法相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本申請(qǐng)涉及題目為“METHODOFMAKINGANELECTRODECONTACTSTRUCTUREANDSTRUCTURETHEREFOR”的申請(qǐng)，該申請(qǐng)具有案卷號(hào)ONS01413F2，具有共同受讓人和共同發(fā)明人，該申請(qǐng)與本身請(qǐng)一起同時(shí)提交。技術(shù)領(lǐng)域本文一般地涉及半導(dǎo)體器件，并且更具體地涉及形成絕緣柵器件和結(jié)構(gòu)的方法。

背景技術(shù)：
金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體晶體管（MOSFET）器件已經(jīng)用于許多功率切換應(yīng)用（例如，DC-DC轉(zhuǎn)換器）中。在典型的MOSFET中，柵電極通過(guò)施加適當(dāng)?shù)臇艠O電壓來(lái)提供導(dǎo)通和關(guān)斷控制。舉例來(lái)說(shuō)，在N型增強(qiáng)式MOSFET中，導(dǎo)通在導(dǎo)電的N型反轉(zhuǎn)層（即，溝道區(qū)）響應(yīng)于超過(guò)固有閾值電壓的正的柵極電壓的施加而形成于P型體區(qū)內(nèi)時(shí)發(fā)生。反轉(zhuǎn)層將N型源區(qū)連接至N型漏區(qū)，并且允許多數(shù)載流子在這些區(qū)域之間傳導(dǎo)。有一類(lèi)其中柵電極形成于從半導(dǎo)體材料（例如，硅）的主表面向下延伸的溝槽內(nèi)的MOSFET器件。電流在該類(lèi)器件中主要以垂直的方向流過(guò)器件，并且因此能夠使器件單元封裝得更緊密。在其他全部條件相同的情況下，封裝較緊密的器件單元能夠提高載流能力并且降低器件的導(dǎo)通電阻。實(shí)現(xiàn)降低的比導(dǎo)通電阻（歐姆·單位面積）的性能是MOSFET器件設(shè)計(jì)者的一個(gè)重要目標(biāo)。降低的比導(dǎo)通電阻能夠?yàn)镸OSFET設(shè)計(jì)確定產(chǎn)品成本和毛利潤(rùn)或盈利能力。例如，低的比導(dǎo)通電阻允許較小的MOSFET管芯或芯片，這進(jìn)而在半導(dǎo)體材料和封裝結(jié)構(gòu)方面導(dǎo)致更低的成本。但是，在制造可實(shí)現(xiàn)包括降低的比導(dǎo)通電阻在內(nèi)的所期望性能的更高密度的MOSFET器件方面仍然存在著挑戰(zhàn)。此類(lèi)挑戰(zhàn)包括：提供可靠的管芯尺寸縮減，降低制造成本，簡(jiǎn)化工藝步驟，以及提高成品率。因此，所希望的是具有用于減小單元間距，降低制造成本，簡(jiǎn)化處理步驟，提高成品率或者它們的組合的方法及結(jié)構(gòu)。此外，與相關(guān)的結(jié)構(gòu)相比，用于維持或提高電性能的方法和結(jié)構(gòu)是有利的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種用于制造具有屏蔽電極結(jié)構(gòu)的絕緣柵半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟：提供具有主表面的半導(dǎo)體材料區(qū)；形成從所述主表面延伸至所述半導(dǎo)體材料區(qū)之內(nèi)的溝槽；形成沿著所述溝槽的表面的第一電介質(zhì)層；形成鄰接于所述第一電介質(zhì)層的第一導(dǎo)電層，其中所述第一導(dǎo)電層被配置為屏蔽電極；從所述溝槽的上側(cè)壁表面去除所述第一電介質(zhì)層的部分；其后形成沿著所述溝槽的所述上側(cè)壁表面的柵極電介質(zhì)層；形成鄰接于所述柵極電介質(zhì)層的第一間隔層；其后形成覆蓋于所述第一導(dǎo)電層上的第二電介質(zhì)層；去除所述第一間隔層；以及形成鄰接于所述柵極電介質(zhì)層和所述第二電介質(zhì)層的第二導(dǎo)電層，其中所述第二導(dǎo)電層被配置為控制電極。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，其中形成所述第一間隔層的步驟可以包括形成包含抗氧化材料的所述第一間隔層，并且其中去除所述第一間隔層的步驟包括蝕刻所述第一間隔層。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，其中形成所述第一間隔層的步驟可以包括形成氮化物間隔層。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，還包括在所述柵極電介質(zhì)層與所述第一間隔層之間形成第二間隔層的步驟。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，其中形成所述第二間隔層的步驟包括形成結(jié)晶半導(dǎo)體間隔層。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，其中形成所述第二電介質(zhì)層的步驟可以包括使用局部氧化來(lái)形成所述第二電介質(zhì)層。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，其中形成所述第一導(dǎo)電層的步驟可以包括使所述第一導(dǎo)電層凹進(jìn)到所述第一電介質(zhì)層的上表面之下的步驟。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，還可以包括以下步驟：在所述半導(dǎo)體材料區(qū)內(nèi)形成第一摻雜區(qū)，其中所述第一摻雜區(qū)和溝槽是鄰接的，并且其中所述第一摻雜區(qū)具有第一導(dǎo)電類(lèi)型；以及形成鄰接于所述第一摻雜區(qū)的第二摻雜區(qū)，其中所述第二摻雜區(qū)具有與所述第一導(dǎo)電類(lèi)型相反的第二導(dǎo)電類(lèi)型。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，還可以包括以下步驟：形成覆蓋于所述主表面上的第三電介質(zhì)層；形成覆蓋于所述第三電介質(zhì)層上的第四電介質(zhì)層，其中所述第三和第四電介質(zhì)層包括不同的材料，并且其中所述第三和第四電介質(zhì)層在形成所述溝槽的步驟之前形成；以及在形成所述第二電介質(zhì)層的步驟之后蝕刻以去除所述第一間隔層和所述第四電介質(zhì)層。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，其中形成所述溝槽的步驟可以包括形成具有傾斜側(cè)壁的所述溝槽。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，其中形成所述第一電介質(zhì)層的步驟可以包括以下步驟：形成包含熱氧化物的第一氧化物層；形成包含沉積氧化物的第二氧化物層；在形成所述柵極電介質(zhì)層的步驟之前去除所述第一和第二氧化物層中沿著所述溝槽的所述上側(cè)壁表面的上部，其中所述去除步驟使所述第一導(dǎo)電層的上部露出；以及去除所述第一導(dǎo)電層的一部分以使所述第一導(dǎo)電層凹進(jìn)到所述第一和第二氧化物層的上表面之下。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供一種用于形成絕緣柵半導(dǎo)體器件的工藝，包括以下步驟：在襯底內(nèi)形成從主表面延伸的第一溝槽；形成沿著所述溝槽的表面的屏蔽電極電介質(zhì)層；形成鄰接于所述屏蔽電極電介質(zhì)層的屏蔽電極，其中所述屏蔽電極電介質(zhì)層使所述屏蔽電極與所述襯底分離開(kāi)；從所述溝槽的上側(cè)壁表面去除所述屏蔽電極電介質(zhì)層的部分；形成沿著所述溝槽的所述上側(cè)壁的柵極電介質(zhì)層；形成沿著所述柵極電介質(zhì)層的間隔層，其中所述間隔層包含抗氧化材料；其后使用氧化工藝形成覆蓋于所述屏蔽電極上的電介質(zhì)層；去除所述間隔層；形成鄰接于所述柵極電介質(zhì)層的柵電極；在所述襯底內(nèi)形成第一導(dǎo)電類(lèi)型的體區(qū)，其中所述體區(qū)和所述溝槽是鄰接的；以及按照與所述體區(qū)間隔開(kāi)的關(guān)系來(lái)形成第二導(dǎo)電類(lèi)型的源區(qū)。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，其中形成所述間隔層的步驟可以包括形成氮化物間隔層，并且其中所述去除所述間隔層的步驟包括蝕刻所述氮化物間隔層。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，還可以包括在所述氮化物間隔層與所述柵極電介質(zhì)層之間形成結(jié)晶半導(dǎo)體間隔層的步驟。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，還可以包括在形成所述溝槽的步驟之前形成覆蓋于所述主表面上的掩蔽層的步驟，其中所述掩蔽層包括電介質(zhì)層，并且其中所述電介質(zhì)層和所述間隔層包括氮化物材料。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供一種用于形成半導(dǎo)體器件的方法，包括以下步驟：提供具有溝槽和第一電極的襯底，所述第一電極處于所述溝槽的下部并且通過(guò)沿著所述溝槽的表面形成的電介質(zhì)層與所述襯底隔離；去除所述電介質(zhì)層的沿著所述溝槽的上側(cè)壁表面的部分；形成沿著所述溝槽的所述上側(cè)壁的柵極電介質(zhì)層；形成沿著所述柵極電介質(zhì)層的第一間隔層，其中所述第一間隔層包含抗氧化材料；使用局部氧化工藝來(lái)形成鄰接于所述第一電極以及所述柵極電介質(zhì)層的下部的電極間電介質(zhì)層，其中所述局部氧化工藝增加所述下部的厚度；去除所述第一間隔層；以及形成鄰接于所述第一電介質(zhì)層的第二電極。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，還可以包括在所述柵極電介質(zhì)層與所述第一間隔層之間形成第二間隔層的步驟。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，其中形成所述第一間隔層的步驟可以包括形成氮化物間隔層，并且其中去除所述第一間隔層的步驟包括蝕刻所述氮化物間隔層。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，其中形成所述第二間隔層的步驟包括形成多晶硅間隔層。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，其中形成所述第二間隔層的步驟包括形成非晶硅間隔層。附圖說(shuō)明圖1-9示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件在不同制造階段的局部截面圖；圖10示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件在制造的一個(gè)中間步驟的局部截面圖；以及圖11-17示出了圖1-9的根據(jù)第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件在更多制造階段的局部截面圖。為了圖示的簡(jiǎn)單和清晰，在附圖中的元件并不一定按比例繪制，并且相同的附圖標(biāo)記在不同的附圖中一般表示相同的元件。因此，為了描述的簡(jiǎn)單起見(jiàn)可以省略關(guān)于熟知的步驟和元件的描述及細(xì)節(jié)。如同本文所使用的，載流電極意指?jìng)魉痛┻^(guò)器件的電流的器件元件，例如，MOS晶體管的源區(qū)和漏區(qū)、雙極晶體管的發(fā)射極或集電極或者二極管的陰極或陽(yáng)極，而控制電極意指控制穿過(guò)器件的電流的器件元件，例如，MOS晶體管的柵極或雙極晶體管的基極。雖然這些器件在此被解釋為特定的N溝道器件，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，根據(jù)本發(fā)明的描述，P溝道器件和互補(bǔ)器件同樣是可以的。為了附圖的清晰起見(jiàn)，將器件結(jié)構(gòu)的摻雜區(qū)示為一般具有直線邊和角度精確的角；但是，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，由于摻雜物的擴(kuò)散及活化，摻雜區(qū)的邊緣一般不是直線，并且角部也不是精確的角。而且，術(shù)語(yǔ)“主表面”在結(jié)合半導(dǎo)體區(qū)或襯底來(lái)使用時(shí)意指半導(dǎo)體區(qū)或襯底的與另一種材料（例如，電電介質(zhì)、絕緣體、導(dǎo)體或多晶半導(dǎo)體）一起形成界面的表面。主表面可以具有沿x、y和z方向改變的形貌。另外，在本發(fā)明的描述中的結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)為蜂窩狀基體設(shè)計(jì)（cellularbasedesign）（在蜂窩狀基體設(shè)計(jì)中，體區(qū)是多個(gè)分離的不同蜂窩狀區(qū)域或條帶狀區(qū)域）或者單一基體設(shè)計(jì)（在單一基體設(shè)計(jì)中，體區(qū)是按延長(zhǎng)的圖形形成的單一區(qū)域，典型為按照蛇形圖形或者具有所連接的附件的中心部分）。但是，為了便于理解，在本發(fā)明的描述中的一種實(shí)施例在本文中都將被描述為蜂窩狀基體設(shè)計(jì)。應(yīng)當(dāng)理解，本公開(kāi)內(nèi)容既包含蜂窩狀基體設(shè)計(jì)，也包含單一基體設(shè)計(jì)。具體實(shí)施方式圖1示出了根據(jù)第一實(shí)施例半導(dǎo)體器件10或單元10在制造的早期階段的局部截面圖。器件10包括半導(dǎo)體材料區(qū)、半導(dǎo)體襯底或半導(dǎo)體區(qū)11，該區(qū)域可以是例如具有大約0.001-0.005歐姆·厘米的電阻率的N型硅襯底12。舉例來(lái)說(shuō)，襯底12可以摻雜磷、砷或銻。在所示出的實(shí)施例中，襯底12為器件10提供漏區(qū)、漏極觸點(diǎn)或者第一載流觸點(diǎn)。在本實(shí)施例中，器件10可以包括有源區(qū)102和接觸區(qū)103，在該接觸區(qū)103中可以實(shí)現(xiàn)與例如以下所描述的屏蔽電極結(jié)構(gòu)的接觸。此外，在本實(shí)施例中，可以將器件10配置為垂直功率MOSFET結(jié)構(gòu)，但是該描述同樣適用于絕緣柵雙極晶體管（IGBT）、MOS柵控晶閘管以及本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的其他相關(guān)的或等同的結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體層、漂移區(qū)或擴(kuò)展的漏區(qū)14可以形成于襯底12之內(nèi)、之上或者覆蓋于襯底12上。在一種實(shí)施例中，半導(dǎo)體層14可以使用半導(dǎo)體外延生長(zhǎng)技術(shù)來(lái)形成。作為選擇，半導(dǎo)體層14可以使用半導(dǎo)體摻雜與擴(kuò)散技術(shù)來(lái)形成。在適用于50伏的器件的實(shí)施例中，半導(dǎo)體層14可以是N型，摻雜濃度為大約1.0×1016-1.0×1017原子/立方厘米（atoms/cm3），并且可以具有大約3-5微米的厚度。半導(dǎo)體層14的摻雜濃度和厚度可以根據(jù)所期望的器件10的源-漏極擊穿電壓（BVDSS）的額定值（rating）而增大或減小。在一種實(shí)施例中，半導(dǎo)體層14可以具有梯級(jí)式摻雜物分布。在可替換的實(shí)施例中，襯底12的導(dǎo)電類(lèi)型可以與半導(dǎo)體層14的導(dǎo)電類(lèi)型相反，從而形成例如IGBT的實(shí)施例。掩蔽層47可以形成為覆蓋于半導(dǎo)體材料區(qū)11的主表面18上。在一種實(shí)施例中，半導(dǎo)體材料區(qū)11還包括與主表面18相對(duì)的主表面19。在一種實(shí)施例中，掩蔽層47可以包括電介質(zhì)膜或者對(duì)用來(lái)形成以下所描述的溝槽的蝕刻化學(xué)品有抵抗力的膜。在一種實(shí)施例中，掩蔽層47可以包括多個(gè)層，包括，例如，0.030微米的熱氧化物電介質(zhì)層471、大約0.2微米的氮化硅電介質(zhì)層472以及大約0.1微米的沉積氧化物電介質(zhì)層473。根據(jù)一種實(shí)施例，電介質(zhì)層472可以被配置用于保護(hù)主表面18免受在例如于溝槽結(jié)構(gòu)形成之后發(fā)生的后續(xù)工藝步驟中的侵蝕作用的影響。該侵蝕作用是相關(guān)器件在熱氧化物沿著溝槽結(jié)構(gòu)的上表面且接近于半導(dǎo)體層14沿著主表面18的露出部分形成時(shí)的問(wèn)題。除了其他問(wèn)題外，侵蝕問(wèn)題還可以導(dǎo)致沿著主表面18的非均勻電介質(zhì)層，該非均勻電介質(zhì)層進(jìn)而可以對(duì)后續(xù)形成的摻雜區(qū)（例如，體區(qū)和/或源區(qū)）的摻雜物分布造成不利影響。然后，開(kāi)口58和59可以形成于掩蔽層47內(nèi)。在一種實(shí)施例中，可以使用光刻膠和蝕刻工藝來(lái)形成開(kāi)口58和59。在一種實(shí)施例中，開(kāi)口58可以具有大約0.2-0.25微米的寬度16，并且開(kāi)口59可以具有大約0.4-0.5微米的寬度17。在一種實(shí)施例中，在開(kāi)口58之間的初始間距181可以為大約0.55-0.65微米。在開(kāi)口58和59形成之后，可以去除半導(dǎo)體層14的區(qū)段以形成從主表面18延伸的溝槽22和27。舉例來(lái)說(shuō)，溝槽22和27可以使用以氟碳化學(xué)品（例如，SF6/O2）進(jìn)行的等離子體蝕刻技術(shù)來(lái)蝕刻。在一種實(shí)施例中，溝槽22和27可以部分延伸至半導(dǎo)體層14內(nèi)。在一種實(shí)施例中，溝槽22和27可以延伸穿過(guò)半導(dǎo)體層14并進(jìn)入襯底12內(nèi)。在一種實(shí)施例中，與使用側(cè)壁間隔物來(lái)界定溝槽的較深部分的多步驟蝕刻工藝相反，溝槽22和27可以在不使用側(cè)壁間隔物的情況下以單一蝕刻步驟來(lái)形成，這減少了工藝步驟數(shù)并且節(jié)省了成本。在一種實(shí)施例中，可以以例如大約88°-89.5°的斜率使用傾斜側(cè)壁蝕刻。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)使用SF6/O2化學(xué)品時(shí)，傾斜側(cè)壁可以通過(guò)增加O2的流量來(lái)實(shí)現(xiàn)，O2流量的增加會(huì)增加側(cè)壁的Si-F-O鈍化劑。當(dāng)使用傾斜蝕刻時(shí)，溝槽22在溝槽22的下表面附近可以隔開(kāi)大約0.6-0.70微米的距離182，如圖1所一般示出的。在一種實(shí)施例中，溝槽22和27可以具有大約1.5-2.5微米的深度。根據(jù)本實(shí)施例，溝槽22可以被配置為用于形成于有源區(qū)102內(nèi)的器件10的有源器件的柵電極的和屏蔽電極的溝槽，而溝槽27可以被配置為接觸溝槽，在該接觸溝槽中可以形成到接觸區(qū)103內(nèi)的屏蔽電極的外部接觸。在一種實(shí)施例中，接觸區(qū)103可以位于器件10的外圍部分內(nèi)。在另一種實(shí)施例中，接觸區(qū)103可以位于器件10的中央部分內(nèi)。在又一種實(shí)施例中，可以使用多個(gè)接觸區(qū)103。例如，一個(gè)接觸區(qū)可以布置于器件10的外圍部分內(nèi)，而另一個(gè)接觸區(qū)可以布置于器件10的中央部分內(nèi)。圖2示出了器件10在另加的處理之后的局部截面圖。在一個(gè)可選步驟中，犧牲層（未示出）被形成為與溝槽22和27的表面鄰接。舉例來(lái)說(shuō)，可以形成熱氧化硅層。然后，犧牲層和電介質(zhì)層473可以使用例如蝕刻工藝來(lái)去除。然后，材料層261可以沿著溝槽22和27的表面而形成。在一種實(shí)施例中，層261可以是電介質(zhì)材料或絕緣材料。舉例來(lái)說(shuō)，層261可以是大約0.03微米的濕氧化物層或熱氧化物層。半導(dǎo)體層14的部分可以在熱氧化物的形成期間被消耗，這使得間距181近似減少了犧牲層（若使用）的以及層261的厚度，被指定為縮減間距或第一縮減（reduction）1810。在一種實(shí)施例中，第一縮減1810可以為大約0.5-0.6微米。圖3示出了器件10在進(jìn)一步處理之后的局部截面圖。共形層262可以沿著層261和電介質(zhì)層472的側(cè)壁部分而形成，并且覆蓋電介質(zhì)層472。在一種實(shí)施例中，共形層262可以是電介質(zhì)材料或絕緣材料。在一種實(shí)施例中，共形層262可以是沉積氧化物。在一種實(shí)施例中，與使用側(cè)壁間隔物和局部氧化技術(shù)來(lái)僅沿著溝槽的下表面形成屏蔽電極電介質(zhì)不同，電介質(zhì)層261和共形層262沿著溝槽22的全部表面而形成，這可以導(dǎo)致柵極長(zhǎng)度控制的可變性，由于較長(zhǎng)的鳥(niǎo)嘴效應(yīng)而增加?xùn)?漏極電容，以及由于對(duì)相鄰的半導(dǎo)體層額外的及較大的侵蝕而影響器件收縮。舉例來(lái)說(shuō)，共形層262可以具有大約0.05-0.1微米的厚度。在可替換的實(shí)施例中，共形層262可以通過(guò)沉積多晶硅層并使其完全氧化以將其轉(zhuǎn)變?yōu)闊嵫趸飦?lái)形成。在一種實(shí)施例中，層261和/或262被配置為屏蔽電極電介質(zhì)層或結(jié)構(gòu)259，該電介質(zhì)層或結(jié)構(gòu)259使屏蔽電極（例如，在圖17中所示出的元件21）與半導(dǎo)體層14及襯底12（若溝槽22鄰接于襯底12）分離、絕緣或間隔開(kāi)。在一種實(shí)施例中，屏蔽電極電介質(zhì)結(jié)構(gòu)259可以在氮化物材料不存在的情況下形成，因?yàn)槿藗円寻l(fā)現(xiàn)，相關(guān)器件中的氮化物材料在反向偏置的條件下或者在非箝位感應(yīng)開(kāi)關(guān)（UIS）的條件下會(huì)俘獲不期望的電荷，這可以導(dǎo)致不穩(wěn)定的擊穿電壓特性。在一種實(shí)施例中，材料層可以形成為覆蓋于主表面18上以及形成于溝槽22和27內(nèi)。在一種實(shí)施例中，該材料層可以是結(jié)晶半導(dǎo)體材料、導(dǎo)電材料或者它們的組合。在一種實(shí)施例中，材料層可以是摻雜的多晶硅。在一種實(shí)施例中，多晶硅可以摻雜以N型摻雜劑，例如，磷或砷。在后續(xù)的步驟中，可以使該材料層平坦化以分別于溝槽22和27內(nèi)形成中間結(jié)構(gòu)1021和1141。在一種實(shí)施例中，化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)可以用于平坦化步驟。當(dāng)材料層包括結(jié)晶半導(dǎo)體材料時(shí)，材料層可以在平坦化之前或之后進(jìn)行熱處理，以便例如使存在于結(jié)晶半導(dǎo)體材料內(nèi)的任何摻雜劑材料活化和/或擴(kuò)散。圖4示出了器件10在更多處理之后的局部截面圖。例如，可以使中間結(jié)構(gòu)1021和1141在溝槽22和27內(nèi)可以進(jìn)一步凹進(jìn)，以形成屏蔽電極21和屏蔽電極接觸部分141。例如，以氟或氯基化學(xué)品進(jìn)行的干法蝕刻可以用于該凹進(jìn)步驟。在一種實(shí)施例中，可以使用蝕刻步驟（例如，濕法蝕刻步驟）來(lái)去除覆蓋于電介質(zhì)層472上的且沿著電介質(zhì)層472的側(cè)壁部分的共形層262。濕法蝕刻步驟可以被用來(lái)從溝槽22的上側(cè)壁部分或側(cè)壁部分221以及從溝槽27的上側(cè)壁部分或側(cè)壁部分271進(jìn)一步去除共形層262和層261，如圖5所示。在一種實(shí)施例中，可以使用緩沖氫氟酸（HF）剝離。蝕刻步驟還可以使屏蔽電極21的部分210及屏蔽電極接觸部分141的部分1410露出，例如，如圖5所示。圖6示出了器件10在另加的處理之后的局部截面圖。在一種實(shí)施例中，電介質(zhì)層266可以沿著側(cè)壁部分221和271以及沿著露出部分210和1410來(lái)形成。在一種實(shí)施例中，電介質(zhì)層266可以是薄的犧牲層或熱氧化物層，或者另一電介質(zhì)層或絕緣層。在一種實(shí)施例中，電介質(zhì)層266可以具有大約0.005-0.01微米的厚度。隨后，可以使用蝕刻步驟來(lái)去除屏蔽電極21和屏蔽電極接觸部分141的額外部分，例如，如圖7所示。在一種實(shí)施例中，電介質(zhì)層266的覆蓋于屏蔽電極21和屏蔽電極接觸部分141上的部分可以以初始穿透蝕刻(initialbreak-throughetch)或去除步驟來(lái)去除。舉例來(lái)說(shuō)，氟基化學(xué)品可以用于穿透步驟，而氟或氯基化學(xué)品可以用于凹進(jìn)蝕刻步驟。圖8示出了器件10在進(jìn)一步處理之后的局部截面圖。在一種實(shí)施例中，可以使用去除步驟來(lái)去除電介質(zhì)層266以及層261和262的部分。然后，根據(jù)本實(shí)施例，電介質(zhì)層沿著溝槽22和27的側(cè)壁部分221和227而形成。在一種實(shí)施例中，電介質(zhì)層還可以形成為覆蓋于層261和262的部分、屏蔽電極21和/或屏蔽電極觸點(diǎn)141之上。根據(jù)本實(shí)施例，電介質(zhì)層形成沿著溝槽22的上側(cè)壁表面221的柵極層或柵極電介質(zhì)層26。柵極層26可以是氧化物、氮化物、五氧化二鉭、二氧化鈦、鈦酸鍶鋇、高介電常數(shù)(高k)的電介質(zhì)材料、它們的組合或者本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的其他相關(guān)材料或等同材料。根據(jù)本實(shí)施例，柵極層26被形成在屏蔽電極電介質(zhì)結(jié)構(gòu)259被形成之后。在形成屏蔽電極電介質(zhì)結(jié)構(gòu)259之后形成柵極層26會(huì)使柵極層26減少暴露于多個(gè)等離子體蝕刻及其他蝕刻步驟(這些步驟可以導(dǎo)致成品率問(wèn)題和柵極控制問(wèn)題)下，從而提高器件10的性能。在一種實(shí)施例中，柵極層26可以是氧化硅，并且可以具有大約0.01-0.06微米的厚度。在柵極層26的形成中可以進(jìn)一步消耗半導(dǎo)體層14的部分，這會(huì)使間距181近似減少柵極層26的厚度。間距181的這種縮減被指定為縮減間距或第二縮減1811。在一種實(shí)施例中，第二縮減1811可以為大約0.045-0.055微米。在存在著沿溝槽22的下側(cè)壁部分的層261和262的情況下并且當(dāng)柵極層26在屏蔽電極電介質(zhì)結(jié)構(gòu)259形成之后形成時(shí)，在溝槽22內(nèi)的柵極層26的下部260可以比柵極層26的上部薄。這種減薄作用被認(rèn)為至少部分由存在于減薄作用在其附近發(fā)生的各種不同材料層內(nèi)的應(yīng)力引起。雖然在層261和262形成之后形成柵極電介質(zhì)層26會(huì)提高柵極電介質(zhì)層26的整體性，但是柵極電介質(zhì)層的減薄作用可以導(dǎo)致成品率降低和/或器件性能受損。根據(jù)本實(shí)施例，減薄作用的影響得以減小。圖9示出了器件10在另加的處理之后的局部截面圖。在后續(xù)的步驟中，材料層沿著柵極層26形成并覆蓋于主表面18上。在一種實(shí)施例中，材料層可以是與柵極層26不同的材料。在一種實(shí)施例中，材料層可以是抗氧化材料。然后，可以對(duì)材料層進(jìn)行各向異性蝕刻以沿著柵極層26的側(cè)壁部分形成間隔層55，而使柵極層26的其他部分露出于屏蔽電極21和屏蔽電極接觸部分141之上。在一種實(shí)施例中，間隔層55可以是氮化物材料，例如，沉積的氮化硅。在一種實(shí)施例中，間隔層55可以具有大約0.015-0.02微米的厚度。在一種實(shí)施例中，間隔層55的下部鄰接于柵極層26的下部260和/或填充進(jìn)其內(nèi)，例如，如圖9所示。圖10示出了根據(jù)一種可替換的實(shí)施例的器件10的局部截面圖。在一個(gè)可替換的處理步驟中，結(jié)晶半導(dǎo)體材料層可以在用來(lái)形成間隔層55的材料層形成之前沿著柵極層26形成并覆蓋于主表面18上。然后，用來(lái)形成間隔層55的材料層可以沿著結(jié)晶半導(dǎo)體材料層而形成。然后，可以對(duì)兩個(gè)層都進(jìn)行各向異性蝕刻以形成間隔層55和56，例如，如圖10所示。作為選擇，可以在層55形成之前對(duì)該層結(jié)晶半導(dǎo)體層進(jìn)行各向異性蝕刻。在一種實(shí)施例中，間隔層56可以包括大約0.03微米的多晶硅，并且可以進(jìn)行摻雜或不摻雜。在另一種實(shí)施例中，間隔層56可以包括0.03微米的非晶硅，并且可以進(jìn)行摻雜或不摻雜。圖11示出了基于圖9的實(shí)施例的器件10在另加的處理之后的局部截面圖。根據(jù)本實(shí)施例，層127可以形成為鄰接于屏蔽電極21和屏蔽電極接觸部分141。在一種實(shí)施例中，層127可以包括電介質(zhì)材料或絕緣材料，并且被配置為例如多晶間（interpoly）電介質(zhì)層或電極間電介質(zhì)層。在一種實(shí)施例中，層127可以包括使用濕式氧化技術(shù)形成的氧化硅。在一種實(shí)施例中，層127可以具有大約0.1-0.3微米的厚度。根據(jù)本實(shí)施例，間隔物55（以及可任選地，間隔物56）被配置用于提供對(duì)柵極層26沿著下部260的減薄進(jìn)行補(bǔ)償?shù)木植垦趸饔谩Ｔ谝环N實(shí)施例中，層127在柵極層26和屏蔽電介質(zhì)結(jié)構(gòu)259相接或毗連的位置附近增加?xùn)艠O層26的厚度。在柵極電介質(zhì)層于多晶間電介質(zhì)層形成之后形成的相關(guān)器件中，柵極減薄作用并沒(méi)有得到適當(dāng)?shù)慕鉀Q，這能夠?qū)е鲁善仿式档秃?或器件性能受損。在本實(shí)施例中，用來(lái)形成柵極層26的電介質(zhì)層在多晶間電介質(zhì)層127形成之前形成，并且根據(jù)本實(shí)施例，以局部氧化工藝來(lái)減小柵極層減薄作用的影響，從而提高例如性能和成品率。因此，能夠減小減薄作用的影響，而在不增加處理成本的情況下形成多晶間電介質(zhì)。而且，因?yàn)闁艠O層26在層127形成之前形成，而不是如同在相關(guān)的器件內(nèi)那樣稍后被剝離并重新形成，所以能夠保持半導(dǎo)體層14與柵極層26之間的界面的整體性。圖12示出了器件10在進(jìn)一步處理之后的局部截面圖。在后續(xù)的步驟中且根據(jù)本實(shí)施例，間隔物55（和56，若存在）通過(guò)蝕刻或剝離或者另一種物理去除工藝來(lái)去除。根據(jù)本實(shí)施例，與將間隔物55暴露于在通常使間隔物55保留于原地的情況下使間隔物55轉(zhuǎn)變?yōu)椴煌牟牧系南墓に嚥煌?，間隔物55以物理方式去除。已知，使用例如氮化柵極或氮化物消耗的柵極結(jié)構(gòu)的相關(guān)器件具有與高氧化物電荷、高界面態(tài)密度及較差的膜均勻性相關(guān)的成品率和性能問(wèn)題。在本實(shí)施例中，間隔物55的物理去除會(huì)減少上述問(wèn)題，從而提高器件10的性能。在一種實(shí)施例中，還可以去除電介質(zhì)層472。在一個(gè)可選步驟中，可以使用氧化工藝來(lái)提高或增加?xùn)艠O層26的厚度。隨后，可以使導(dǎo)電或結(jié)晶半導(dǎo)體層281形成為覆蓋于主表面18上并且形成于溝槽22和27內(nèi)。在一種實(shí)施例中，層281可以包括摻雜的多晶硅。在一種實(shí)施例中，多晶硅可以摻雜以N型摻雜劑，例如，磷或砷。隨后，掩蔽層（未示出）可以形成為覆蓋于主表面18上，并且可以使用去除步驟來(lái)從溝槽27內(nèi)去除層281的部分。然后，可以去除該掩蔽層。根據(jù)本實(shí)施例，材料層可以形成為覆蓋于主表面18上且沿著溝槽27的部分。在一種實(shí)施例中，材料層可以是電介質(zhì)材料或絕緣材料。在一種實(shí)施例中，材料層可以包括沉積氧化物，并且可以具有大約0.08-0.12微米的厚度。然后，可以對(duì)材料層可以進(jìn)行各向異性蝕刻，以在溝槽27內(nèi)形成間隔層68。各向異性蝕刻步驟同樣可以去除層127的部分，以在溝槽27中的層127內(nèi)形成開(kāi)口1270，從而使屏蔽接觸部分141的一部分露出。根據(jù)本實(shí)施例，屏蔽接觸部分141被配置以提供用于使與另一屏蔽電極部分142（在圖14中示出）進(jìn)行后續(xù)接觸的平面或水平部分1410。在一種實(shí)施例中，可以使平面部分1410一般取向?yàn)槠叫杏谝r底12的主表面19。在一種實(shí)施例中，可以使平面部分1410一般取向?yàn)榇怪庇跍喜?7的側(cè)壁部分271。平面部分1410還示出于圖13中，圖13是器件10的接觸區(qū)103的90度旋轉(zhuǎn)。在一種實(shí)施例中，平面部分1410按凹進(jìn)配置終止于接觸區(qū)103中的溝槽27內(nèi)。平面部分1410對(duì)相關(guān)器件的一種改進(jìn)，在該相關(guān)器件中，屏蔽接觸結(jié)構(gòu)向上彎曲至主表面18，作為單一或連續(xù)結(jié)構(gòu)。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在相關(guān)器件中，屏蔽接觸結(jié)構(gòu)的彎曲部分的形成是成品率問(wèn)題的源頭。圖13還示出了柵電極接觸部分282，該柵電極接觸部分282同樣可以形成于接觸區(qū)103內(nèi)，并且被配置用于提供與器件10的有源部分102內(nèi)的柵電極28間的外部電連接。在一種實(shí)施例中，柵電極接觸部分282可以形成為層281的一部分。圖14示出了器件10在進(jìn)一步處理之后的局部截面圖。材料層可以形成為覆蓋于主表面18上并且形成于溝槽27內(nèi)。在一種實(shí)施例中，該材料層可以包括結(jié)晶半導(dǎo)體材料、導(dǎo)電材料或者它們的組合。在一種實(shí)施例中，該材料層可以包括摻雜的多晶硅。在一種實(shí)施例中，多晶硅可以摻雜以N型摻雜劑，例如，磷或砷。隨后，可以將電介質(zhì)層471用作停止層來(lái)使該材料層平坦化。在一種實(shí)施例中，可以將化學(xué)機(jī)械平坦化用于平坦化步驟。該平坦化步驟可以被用來(lái)形成屏蔽接觸部分142，該屏蔽接觸部分142根據(jù)本實(shí)施例沿著平面部分1410與屏蔽接觸部分141接觸。另外，該平坦化步驟可以在溝槽22內(nèi)形成柵電極28，例如，如圖14所示。隨后，掩蔽層（未示出）可以形成為覆蓋于接觸區(qū)103上，而體區(qū)、基體或摻雜區(qū)31可以形成為從與溝槽22相鄰的主表面18延伸。體區(qū)31可以具有與半導(dǎo)體層14的導(dǎo)電類(lèi)型相反的導(dǎo)電類(lèi)型。在一種實(shí)施例中，體區(qū)31可以具有P型導(dǎo)電性，并且可以使用例如硼摻雜劑源來(lái)形成。體區(qū)31具有適合于形成反轉(zhuǎn)層的摻雜濃度，該反轉(zhuǎn)層可作為器件10的傳導(dǎo)溝道或溝道區(qū)45（例如，如圖17所示）來(lái)操作。體區(qū)31可以從主表面18延伸達(dá)例如大約0.5-2.0微米的深度。應(yīng)當(dāng)理解，體區(qū)31可以在制造的較早期階段形成，例如，在溝槽22形成之前形成。體區(qū)31可以使用諸如離子注入和退火技術(shù)之類(lèi)的摻雜技術(shù)來(lái)形成。圖15示出了器件10在另加的處理之后的局部截面圖。在后續(xù)的步驟中，掩蔽層131可以形成為覆蓋于主表面18的部分上。在一種實(shí)施例中，源區(qū)、電流傳導(dǎo)區(qū)或載流區(qū)33可以形成于體區(qū)31當(dāng)中、之內(nèi)或者覆蓋于體區(qū)31上，并且可以從主表面18延伸達(dá)例如大約0.1-0.5微米的深度。在一種實(shí)施例中，源區(qū)33可以具有N型導(dǎo)電性，并且可以使用例如磷或砷摻雜劑源來(lái)形成。在一種實(shí)施例中，離子注入摻雜工藝可以被用來(lái)在體區(qū)31內(nèi)形成源區(qū)33。然后，可以去除掩蔽層131，并且可以對(duì)所注入的摻雜劑進(jìn)行退火。柵電極28和屏蔽電極接觸部分142可以凹進(jìn)到主表面18之下，如圖16所示。在一種實(shí)施例中，大約0.15-0.25微米的材料可以由于凹進(jìn)步驟而被去除。在一個(gè)可選步驟中，增強(qiáng)或?qū)щ妳^(qū)89可以形成于柵電極28和/或屏蔽電極接觸部分142的上表面內(nèi)。在一種實(shí)施例中，導(dǎo)電區(qū)89可以是自對(duì)準(zhǔn)的硅化物結(jié)構(gòu)。在一種實(shí)施例中，導(dǎo)電區(qū)89可以是硅化鈷。然后，可以形成材料層477，使其覆蓋于主表面18、柵電極28及屏蔽電極接觸部分142上。在一種實(shí)施例中，材料層477可以是電介質(zhì)材料或絕緣材料。在一種實(shí)施例中，材料層477可以是氮化物層（例如，沉積的氮化硅層），并且可以具有大約0.05微米的厚度。在一種實(shí)施例中，可以形成一個(gè)或多個(gè)層41，使其覆蓋于主表面18上。在一種實(shí)施例中，層41包括電介質(zhì)層或絕緣層，并且可以被配置為層間電介質(zhì)（ILD）結(jié)構(gòu)。在一種實(shí)施例中，層41可以是氧化硅，例如，摻雜的或未摻雜的沉積氧化硅。在一種實(shí)施例中，層41可以包括至少一層以磷或硼和磷摻雜的沉積氧化硅以及至少一層未摻雜的氧化物。在一種實(shí)施例中，層41可以具有大約0.4-1.0微米的厚度。在一種實(shí)施例中，可以使層41平坦化以提供更均勻的表面形貌，這會(huì)提高可制造性。隨后，可以形成掩蔽層（未示出）使其覆蓋于器件10上，并且可以形成開(kāi)口、通孔或接觸溝槽422以與源區(qū)33、體區(qū)31及屏蔽接觸部分142形成接觸，例如，如圖17所示。在一種實(shí)施例中，可以去除掩蔽層，并且可以使用凹進(jìn)蝕刻來(lái)去除源區(qū)33的部分和屏蔽接觸部分142的部分。凹進(jìn)蝕刻步驟可以使體區(qū)31的在源區(qū)33下方的部分露出。然后，可以在體區(qū)31內(nèi)形成可以被配置用于提供與體區(qū)31間的較低接觸電阻的P型體區(qū)觸點(diǎn)、增強(qiáng)區(qū)或接觸區(qū)36。離子注入（例如，使用硼）和退火技術(shù)可以被用來(lái)形成接觸區(qū)36。然后，導(dǎo)電區(qū)43可以形成于接觸溝槽422內(nèi)并且被配置以提供到源區(qū)33、體區(qū)31（通過(guò)接觸區(qū)36）及屏蔽電極接觸部分142的電接觸。在一種實(shí)施例中，導(dǎo)電區(qū)43可以是一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電插頭結(jié)構(gòu)。在一種實(shí)施例中，導(dǎo)電區(qū)43可以包括導(dǎo)電屏障結(jié)構(gòu)或襯墊（liner）和導(dǎo)電填充材料。在一種實(shí)施例中，屏障結(jié)構(gòu)可以包括金屬/金屬-氮化物結(jié)構(gòu)，例如，鈦/鈦-氮化物或者本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的其他相關(guān)材料或等同材料。在另一種實(shí)施例中，屏障結(jié)構(gòu)還可以包括金屬-硅化物結(jié)構(gòu)。在一種實(shí)施例中，導(dǎo)電填充材料包括鎢。在一種實(shí)施例中，可以使導(dǎo)電區(qū)43平坦化以提供更均勻的表面形貌。導(dǎo)電層44可以形成為覆蓋于主表面18上，并且導(dǎo)電層46可以形成為覆蓋于主表面19上。導(dǎo)電層44和46通常被配置用于提供在器件10的個(gè)體器件構(gòu)件與下一層級(jí)的組件之間的電連接。在一種實(shí)施例中，導(dǎo)電層44可以是鈦/鈦-氮化物/鋁-銅或者本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的其他相關(guān)材料或等同材料，并且被配置為源電極或端子。在一種實(shí)施例中，導(dǎo)電層46可以是可焊接的金屬結(jié)構(gòu)，例如，鈦-鎳-銀、鉻-鎳-金或者本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的其他相關(guān)材料或等同材料，并且被配置為漏電極或端子。在一種實(shí)施例中，可以形成另一鈍化層（未示出）使其覆蓋于導(dǎo)電層44上。在一種實(shí)施例中，屏蔽電極21的整體或一部分可以連接至導(dǎo)電層44，從而將屏蔽電極21配置為：其在器件10使用時(shí)處于與源區(qū)33相同的電位。在另一種實(shí)施例中，屏蔽電極21可以被配置為獨(dú)立地偏置或者部分耦接至柵電極28。在一種實(shí)施例中，器件10的操作可以按以下說(shuō)明來(lái)進(jìn)行。假定源電極（或輸入端子）44和屏蔽電極21在0伏的電位VS下操作，柵電極28將接收4.5伏的控制電壓VG，該控制電壓VG大于器件10的導(dǎo)通閾值，并且漏電極（或輸出端子）46將在小于2.0伏的漏極電位VD下操作。VG和VS的值會(huì)促使體區(qū)31反轉(zhuǎn)相鄰的柵電極28以形成溝道45，該溝道45會(huì)將源區(qū)33電連接至半導(dǎo)體層14。器件電流IDS將從漏電極46流出，并且經(jīng)由半導(dǎo)體層14、溝道45和源區(qū)33路由至源電極44。在一種實(shí)施例中，IDS的量級(jí)為10.0安培。要將器件10切換至關(guān)斷狀態(tài)，需對(duì)柵電極28施加比器件10的導(dǎo)通閾值小的控制電壓VG（例如，VG<1.0伏）。該控制電壓會(huì)去除溝道45，并且IDS不再會(huì)流過(guò)器件10。根據(jù)本實(shí)施例，柵極層26在多晶間電介質(zhì)層127之前形成。隨后用來(lái)形成多晶間電介質(zhì)層127的方法會(huì)減小柵極層的減薄作用，這會(huì)提高成品率和器件性能。此外，通過(guò)使用多部分的屏蔽接觸結(jié)構(gòu)（例如，元件141和142）和平面接觸部分（例如，元件1410），可形成改進(jìn)的屏蔽電極接觸結(jié)構(gòu)，以提供到屏蔽電極21的電接觸，這會(huì)提高成品率和性能。上述方法及結(jié)構(gòu)提供了優(yōu)于相關(guān)器件的若干優(yōu)點(diǎn)。例如，該方法可以促進(jìn)管芯收縮至大約0.8微米或更小，這可以提高性能參數(shù)，例如，比導(dǎo)通電阻。此外，與一些以往方法相比，該方法會(huì)促進(jìn)更高的成品率以及改進(jìn)的柵極氧化物性能。根據(jù)以上全部描述，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以確定：根據(jù)一種實(shí)施例，一種用于形成半導(dǎo)體器件的方法包括以下步驟：提供具有主表面（例如，元件18）的半導(dǎo)體材料區(qū)（例如，元件11）。該方法包括形成從主表面延伸至半導(dǎo)體材料區(qū)之內(nèi)的溝槽（例如，元件22）。該方法包括形成沿著溝槽的表面的第一電介質(zhì)層（例如，元件261、262），以及形成鄰接于第一電介質(zhì)層的第一導(dǎo)電層（例如，元件21），其中第一導(dǎo)電層被配置為屏蔽電極。該方法包括從溝槽的上側(cè)壁表面（例如，元件221）去除第一電介質(zhì)層的部分。該方法包括其后形成沿著溝槽的上側(cè)壁表面的柵極電介質(zhì)層（例如，元件26）。該方法包括形成鄰接于柵極電介質(zhì)層的第一間隔層（例如，元件55），并且其后形成覆蓋于第一導(dǎo)電層上的第二電介質(zhì)層（例如，元件127）。該方法包括去除第一間隔層。該方法包括形成鄰接于柵極電介質(zhì)層和第二電介質(zhì)層的第二導(dǎo)電層（例如，元件28），其中第二導(dǎo)電層被配置為控制電極。本領(lǐng)域技術(shù)人員還應(yīng)當(dāng)意識(shí)到，根據(jù)本發(fā)明的另一種實(shí)施例，以上段落所描述的方法還包括以下步驟：在柵極電介質(zhì)層與第一間隔層之間形成第二間隔層（例如，元件56）。本領(lǐng)域技術(shù)人員還應(yīng)當(dāng)意識(shí)到，根據(jù)本發(fā)明的另一種實(shí)施例，以上段落所描述的方法還包括形成第二間隔層（例如，元件56）的步驟，該步驟包括形成結(jié)晶半導(dǎo)體間隔層。本領(lǐng)域技術(shù)人員還應(yīng)當(dāng)意識(shí)到，根據(jù)本發(fā)明的另一種實(shí)施例，以上段落所描述的方法還包括以下步驟：形成覆蓋于主表面上的第三電介質(zhì)層（例如，元件471），形成覆蓋于主表面上的第四電介質(zhì)層（例如，元件472），其中第三和第四電介質(zhì)層包括不同的材料，并且其中第三和第四電介質(zhì)層在形成溝槽的步驟之前形成，以及在形成第二電介質(zhì)層的步驟之后蝕刻以去除第一間隔層和第四電介質(zhì)層。本領(lǐng)域技術(shù)人員還應(yīng)當(dāng)意識(shí)到，根據(jù)本發(fā)明的另一種實(shí)施例，以上段落所描述的方法還包括以下步驟：形成包含熱氧化物的第一氧化物層（例如，元件261），形成包含沉積氧化物的第二氧化物層（例如，元件262）；在形成柵極電介質(zhì)層的步驟之前去除第一和第二氧化物層沿著溝槽的上側(cè)壁表面（例如，元件221）的上部，其中該去除步驟使第一導(dǎo)電層（例如，元件21）的上部（例如，元件210）露出，以及去除第一導(dǎo)電層的一部分以使第一導(dǎo)電層凹進(jìn)到第一和第二氧化物層的上表面之下。本領(lǐng)域技術(shù)人員還應(yīng)當(dāng)意識(shí)到，根據(jù)又一種實(shí)施例，一種用于形成絕緣柵半導(dǎo)體器件的工藝包括以下步驟：在襯底（例如，元件11）內(nèi)形成從主表面（例如，元件18）延伸的第一溝槽（例如，元件22）。該方法包括形成沿著溝槽的表面的屏蔽電極電介質(zhì)層（例如，元件261、262）。該方法包括形成鄰接于屏蔽電極電介質(zhì)層的屏蔽電極（例如，元件21），其中屏蔽電極電介質(zhì)層使屏蔽電極與襯底分隔開(kāi)。該方法包括從溝槽的上側(cè)壁表面（例如，元件221）去除屏蔽電極電介質(zhì)層的部分。該方法包括形成沿著溝槽的上側(cè)壁的柵極電介質(zhì)層（例如，元件26）。該方法包括形成沿著柵極電介質(zhì)層的間隔層（例如，元件55），其中間隔層包含抗氧化材料。該方法包括其后使用氧化工藝形成覆蓋于屏蔽電極上的電介質(zhì)層（例如，元件127）。該方法包括去除間隔層。該方法包括形成鄰接于柵極電介質(zhì)層的柵電極（例如，元件28）。該方法包括在襯底內(nèi)形成第一導(dǎo)電類(lèi)型的體區(qū)（例如，元件31），其中體區(qū)與溝槽是鄰接的。該方法包括形成與體區(qū)間隔開(kāi)的第二導(dǎo)電類(lèi)型的源區(qū)（例如，元件36）。本領(lǐng)域技術(shù)人員還應(yīng)當(dāng)意識(shí)到，根據(jù)再一種實(shí)施例，一種用于形成半導(dǎo)體器件的方法包括以下步驟：提供具有主表面（例如，元件18）的半導(dǎo)體材料區(qū)（例如，元件11）。該方法包括形成覆蓋于主表面上的掩蔽層（例如，元件47），其中掩蔽層包括至少一個(gè)電介質(zhì)層（例如，471、472、473）。該方法包括在半導(dǎo)體材料區(qū)內(nèi)形成穿過(guò)掩蔽層內(nèi)的開(kāi)口（例如，元件58）的溝槽（例如，元件22）。該方法包括沿著溝槽的表面形成第一電極電介質(zhì)層（例如，元件261、262）以及形成鄰接于第一電極電介質(zhì)層的第一電極（例如，元件21）。該方法包括去除第一電極電介質(zhì)層的沿著溝槽（例如，元件221）的上側(cè)壁表面的部分。該方法包括形成沿著溝槽的上側(cè)壁表面的柵極電介質(zhì)層以及形成沿著柵極電介質(zhì)層的第一間隔層（例如，元件55）。該方法包括形成鄰接于第一電極和第一間隔層的電極間電介質(zhì)層（例如，元件127），其中電極間電介質(zhì)層增加了柵極電介質(zhì)層在柵極電介質(zhì)層與第一電極電介質(zhì)層相接處（例如，元件260）附近的厚度。該方法包括去除第一間隔層。該方法包括形成鄰接于柵極電介質(zhì)層的第二電極（例如，元件28）。該方法包括形成鄰接于溝槽的第一摻雜區(qū)（例如，元件31）以及形成在第一摻雜區(qū)附近的第二摻雜區(qū)（例如，元件33、36）。本領(lǐng)域技術(shù)人員還應(yīng)當(dāng)意識(shí)到，根據(jù)又一種實(shí)施例，一種用于形成半導(dǎo)體器件的方法包括以下步驟：提供具有溝槽（例如，元件22）和第一電極（例如，元件21）的襯底（例如，元件11），該第一電極在溝槽的下部?jī)?nèi)并且通過(guò)沿著溝槽的表面形成的電介質(zhì)層（例如，元件261、262）與襯底隔離。該方法包括去除電介質(zhì)層的沿著溝槽的上側(cè)壁表面（例如，元件221）的部分。該方法包括形成沿著溝槽的上側(cè)壁的柵極電介質(zhì)層（例如，元件26）。該方法包括形成沿著柵極電介質(zhì)層的間隔層（例如，元件55），其中間隔層包含抗氧化材料。該方法包括其后使用局部氧化工藝來(lái)形成鄰接于第一電極和柵極電介質(zhì)層的下部（例如，元件260）的電極間電介質(zhì)層（例如，元件127），其中局部氧化工藝會(huì)增加該下部的厚度。該方法包括去除間隔層。該方法包括形成鄰接于柵極電介質(zhì)層的第二電極（例如，元件28）。本領(lǐng)域技術(shù)人員還應(yīng)當(dāng)意識(shí)到，根據(jù)另一種實(shí)施例，本文所描述的方法還可以包括在不存在氮化物材料的情況下形成屏蔽電極電介質(zhì)結(jié)構(gòu)的步驟。本領(lǐng)域技術(shù)人員還應(yīng)當(dāng)意識(shí)到，根據(jù)本發(fā)明的另一種實(shí)施例，本文所描述的方法還可以包括以單一蝕刻步驟來(lái)形成溝槽的步驟。由以上全部描述看來(lái)，很明顯本文公開(kāi)了一種新方法。除了其他特征外，包括在溝槽的下部?jī)?nèi)形成絕緣的屏蔽電極結(jié)構(gòu)，形成沿著溝槽的上側(cè)壁部分的電介質(zhì)層，形成沿著電介質(zhì)層的間隔層，以及形成覆蓋于絕緣的屏蔽電極結(jié)構(gòu)上的多晶間電介質(zhì)層。該方法增加了在絕緣的屏蔽電極結(jié)構(gòu)附近的電介質(zhì)層的厚度，這會(huì)提高例如亞微米垂直功率晶體管器件的成品率和性能。此外，該方法還在多晶間電介質(zhì)層形成之前形成柵極電介質(zhì)層，這會(huì)保持半導(dǎo)體材料/柵極電介質(zhì)層界面的整體性，從而進(jìn)一步提高成品率和性能。雖然本發(fā)明的主題以特定的優(yōu)選實(shí)施例和示例實(shí)施例來(lái)描述，但是上述附圖及其描述僅描繪了本主題的典型實(shí)施例，并且因此不應(yīng)被認(rèn)為是對(duì)本發(fā)明范圍的限定。顯而易見(jiàn)的是，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)清楚眾多替代方案及變化。例如，雖然本主題已經(jīng)針對(duì)特定的N溝道MOSFET結(jié)構(gòu)進(jìn)行了描述，但是該方法及結(jié)構(gòu)可直接應(yīng)用于其他MOS晶體管，以及雙極晶體管、BiCMOS、金屬半導(dǎo)體FET（MESFET）、HFET，晶閘管雙向晶體管及其他晶體管結(jié)構(gòu)。如同下面的權(quán)利要求所反映的，創(chuàng)造性方面可能不僅僅只在于前面所公開(kāi)的單一實(shí)施例的所有特征中。因而，下面所表述的權(quán)利要求由此被明確并入“具體實(shí)施方式”部分中，每個(gè)權(quán)利要求都獨(dú)立作為本發(fā)明的一個(gè)單獨(dú)實(shí)施例。而且，雖然本文所描述的一些實(shí)施例包括一些特征，而不包括包含于其他實(shí)施例中的其他特征，但是不同實(shí)施例的特征的組合必定屬于本發(fā)明的范圍內(nèi)，并且形成不同的實(shí)施例，如同本領(lǐng)域技術(shù)人員所應(yīng)當(dāng)理解的。