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技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體封裝體。

背景技術(shù)：

對(duì)于諸如個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、第三代(3G)移動(dòng)電話以及數(shù)碼照相機(jī)的移動(dòng)設(shè)備的消費(fèi)需求需要更大的容量來運(yùn)行各種應(yīng)用，并且需要更小的尺寸。已通過采用精細(xì)加工的半導(dǎo)體技術(shù)來滿足這種需求。然而，隨著這種技術(shù)由于其開發(fā)周期和成本的增加而達(dá)到極限，在移動(dòng)設(shè)備中正采用多芯片封裝體(MCP)技術(shù)。MCP是指一種復(fù)雜的芯片產(chǎn)品，在該芯片產(chǎn)品中，諸如或非閃存、與非閃存、SRAM芯片和UtRAM芯片的各種半導(dǎo)體芯片被安裝在單個(gè)封裝體上。通常，MCP具有其中兩個(gè)、四個(gè)或更多個(gè)相同類型的半導(dǎo)體芯片形成層疊的結(jié)構(gòu)。通常，在MCP中，形成MCP的半導(dǎo)體芯片的安裝面積可以減少50％或更多。與使用單獨(dú)的半導(dǎo)體芯片相比，還可以簡化半導(dǎo)體芯片的布線。因此，可以降低移動(dòng)設(shè)備的成本。此外，可以提高移動(dòng)設(shè)備的生產(chǎn)率。

通常，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件(例如，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM))包括用于將內(nèi)部數(shù)據(jù)輸出至外部設(shè)備的數(shù)據(jù)傳輸電路。此外，用于以每秒千兆比特(Gbps)的數(shù)據(jù)速率來輸出數(shù)據(jù)的高速數(shù)據(jù)傳輸電路采用了用于降低碼間串?dāng)_(ISI)抖動(dòng)的加強(qiáng)方法。以下描述了傳統(tǒng)的加強(qiáng)方法。

圖1為示出在無加強(qiáng)操作(a)和加強(qiáng)操作(b)的情況下，數(shù)據(jù)傳輸電路、傳輸線和數(shù)據(jù)接收電路中的增益的示圖。

參見圖1，由于寄生電阻和電容，數(shù)據(jù)傳輸線120具有低通濾波器特性。因此，如果不應(yīng)用加強(qiáng)操作(a)，則在經(jīng)由數(shù)據(jù)傳輸線120通過數(shù)據(jù)傳輸電路110傳送來的數(shù)據(jù)中可能存在失真，使得數(shù)據(jù)接收電路130接收到其高頻部分的增益已降低的數(shù)據(jù)。

考慮到前述的高頻信號(hào)失真，加強(qiáng)方法可以增強(qiáng)信號(hào)(或數(shù)據(jù))的高頻成分以及發(fā)送由數(shù)據(jù)傳輸電路110增強(qiáng)的信號(hào)。因此，應(yīng)用加強(qiáng)方法(b)，數(shù)據(jù)傳輸電路110增強(qiáng)了信號(hào)的高頻成分，以及輸出增強(qiáng)的信號(hào)。因此，盡管數(shù)據(jù)傳輸線120具有低通濾波器 特性，但是數(shù)據(jù)接收電路130可以接收針對(duì)每個(gè)頻率具有相同增益的信號(hào)。

圖2為示出根據(jù)傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)傳輸電路中的加強(qiáng)操作的數(shù)據(jù)波形的示圖。

參見圖2，當(dāng)數(shù)據(jù)DATA轉(zhuǎn)換時(shí)，加強(qiáng)操作可以增強(qiáng)數(shù)據(jù)DATA的電平。例如，當(dāng)數(shù)據(jù)DATA從低邏輯轉(zhuǎn)換至高邏輯時(shí)，將數(shù)據(jù)DATA驅(qū)動(dòng)至“高”值在特定時(shí)段期間增強(qiáng)。當(dāng)數(shù)據(jù)DATA從高邏輯轉(zhuǎn)換至低邏輯時(shí)，將數(shù)據(jù)DATA驅(qū)動(dòng)至“低”值在特定時(shí)段期間增強(qiáng)。數(shù)據(jù)DATA的高頻成分在數(shù)據(jù)DATA轉(zhuǎn)換的時(shí)刻產(chǎn)生。因此，在數(shù)據(jù)DATA轉(zhuǎn)換時(shí)刻的加強(qiáng)操作可以增強(qiáng)數(shù)據(jù)DATA的高頻成分。

圖3示出用于執(zhí)行加強(qiáng)操作的數(shù)據(jù)傳輸電路的配置。

參見圖3，數(shù)據(jù)傳輸電路可以包括：輸出驅(qū)動(dòng)器310、加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)器320和輸出焊盤330。

輸出驅(qū)動(dòng)器310可以耦接至輸出焊盤330，并且可以響應(yīng)于輸出數(shù)據(jù)OUT_DATA來驅(qū)動(dòng)輸出焊盤330。當(dāng)輸出數(shù)據(jù)OUT_DATA為高數(shù)據(jù)時(shí)，輸出驅(qū)動(dòng)器310可以上拉驅(qū)動(dòng)輸出焊盤330，而當(dāng)輸出數(shù)據(jù)OUT_DATA為低數(shù)據(jù)時(shí)，輸出驅(qū)動(dòng)器310可以下拉驅(qū)動(dòng)輸出焊盤330。

加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)器320可以耦接至輸出焊盤330，并且可以響應(yīng)于加強(qiáng)數(shù)據(jù)EM_DATA來驅(qū)動(dòng)輸出焊盤330。當(dāng)加強(qiáng)數(shù)據(jù)EM_DATA為高數(shù)據(jù)時(shí)，加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)器320可以上拉驅(qū)動(dòng)輸出焊盤330，而當(dāng)加強(qiáng)數(shù)據(jù)EM_DATA為低數(shù)據(jù)時(shí)，加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)器320可以下拉驅(qū)動(dòng)輸出焊盤330。加強(qiáng)數(shù)據(jù)EM_DATA可以被產(chǎn)生用來驅(qū)動(dòng)加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)器320，使得輸出數(shù)據(jù)OUT_DATA的轉(zhuǎn)變?cè)鰪?qiáng)。加強(qiáng)數(shù)據(jù)EM_DATA可以通過將輸出數(shù)據(jù)OUT_DATA延遲并反相來產(chǎn)生。供作參考，加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)器320的驅(qū)動(dòng)力可以被設(shè)定成具有相對(duì)于輸出驅(qū)動(dòng)器310的驅(qū)動(dòng)力的特定比例。

耦接至輸出焊盤330的驅(qū)動(dòng)器用作負(fù)載。因此，如果如上所述，輸出驅(qū)動(dòng)器310和加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)器320二者都耦接至輸出焊盤330，則可能過度地增加輸出焊盤330上的負(fù)載。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的各種實(shí)施例針對(duì)一種半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體封裝體，其能夠通過利用電容器來執(zhí)行預(yù)加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)，從而降低輸出焊盤的負(fù)載電容。

此外，本發(fā)明的各種實(shí)施例針對(duì)一種半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體封裝體，其使用形成為用作輸出焊盤的金屬線的層疊結(jié)構(gòu)作為電容器，而不占用電容器的單獨(dú)面積。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體器件可以包括：第一金屬線；第二金屬線；第一絕緣層，形成在第一金屬線與第二金屬線之間；第一驅(qū)動(dòng)單元，耦接至第一金屬線；第一驅(qū)動(dòng)單元，適用于響應(yīng)于第一數(shù)據(jù)來驅(qū)動(dòng)第一金屬線；以及第二驅(qū)動(dòng)單元，耦接至第二金屬線，第二驅(qū)動(dòng)單元適用于響應(yīng)于通過將第一數(shù)據(jù)反相和延遲而獲得的第二數(shù)據(jù)來驅(qū)動(dòng)第二金屬線。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體器件可以包括：多個(gè)焊盤組，沿第一方向布置，焊盤組中的每個(gè)包括沿第二方向?qū)盈B的第一金屬線和第二金屬線；多個(gè)第一驅(qū)動(dòng)單元，適用于響應(yīng)于第一數(shù)據(jù)來分別驅(qū)動(dòng)焊盤組的第一金屬線；以及多個(gè)第二驅(qū)動(dòng)單元，適用于響應(yīng)于通過將第一數(shù)據(jù)反相和延遲所獲得的第二數(shù)據(jù)來分別驅(qū)動(dòng)焊盤組的第二金屬線。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體封裝體可以包括硅襯底和層疊在硅襯底上的多個(gè)半導(dǎo)體器件。多個(gè)半導(dǎo)體器件中的每個(gè)可以包括：多個(gè)焊盤組，沿第一方向布置，焊盤組中的每個(gè)包括沿第二方向?qū)盈B的第一金屬線和第二金屬線；多個(gè)第一驅(qū)動(dòng)單元，適用于響應(yīng)于第一數(shù)據(jù)來分別驅(qū)動(dòng)焊盤組的第一金屬線；以及多個(gè)第二驅(qū)動(dòng)單元，適用于響應(yīng)于通過將第一數(shù)據(jù)反相和延遲所獲得的第二數(shù)據(jù)來分別驅(qū)動(dòng)焊盤組的第二金屬線。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，一種半導(dǎo)體器件可以包括：第一金屬線和第二金屬線，形成為輸出焊盤組，以在它們之間具有絕緣層；第一驅(qū)動(dòng)單元，適用于分別響應(yīng)于第一數(shù)據(jù)和第二數(shù)據(jù)來驅(qū)動(dòng)第一金屬線和第二金屬線；以及第二驅(qū)動(dòng)單元，適用于當(dāng)?shù)诙?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換時(shí)，響應(yīng)于第三數(shù)據(jù)來驅(qū)動(dòng)第一金屬線，以及當(dāng)?shù)谝粩?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換時(shí)，響應(yīng)于第四數(shù)據(jù)來驅(qū)動(dòng)第二金屬線，其中，第三數(shù)據(jù)和第四數(shù)據(jù)通過分別將第二數(shù)據(jù)和第一數(shù)據(jù)反相和延遲而獲得。

附圖說明

圖1為示出了在加強(qiáng)操作和無加強(qiáng)操作的情況下，傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)傳輸電路中的增益的示圖。

圖2為示出根據(jù)傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)傳輸電路中的加強(qiáng)操作的數(shù)據(jù)波形的示圖。

圖3示出用于執(zhí)行加強(qiáng)操作的傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)傳輸電路的配置。

圖4A至圖4C示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的配置。

圖5為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的立體圖。

圖6A至圖6C為示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的配置的部分的示圖。

圖7為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝體MCP的框圖。

具體實(shí)施方式

在下文中，將參照附圖來描述各種實(shí)施例。然而，要注意的是，本發(fā)明可以以不同的形式來實(shí)施，并且不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于本文所闡述的實(shí)施例。確切地說，提供這些實(shí)施例使得本公開將是徹底與完整的。貫穿本公開，相同的附圖標(biāo)記在本發(fā)明的各種附圖和實(shí)施例中用于指相同的部分。

附圖不一定成比例，并且在某些情況下，可能夸大附圖中的至少一些結(jié)構(gòu)的比例以清楚地圖示實(shí)施例的某些特征。當(dāng)提及第一層在第二層“上”或在襯底“上”時(shí)，第一層可以直接形成在第二層上或在襯底上，還可以形成在第一層與第二層或襯底之間的第三層上。

圖4A至圖4C示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的配置。

圖4A示出了層疊有兩個(gè)金屬線的半導(dǎo)體器件的配置。

參見圖4A，半導(dǎo)體器件可以包括：第一金屬線410、第二金屬線420、第一驅(qū)動(dòng)單元430和第二驅(qū)動(dòng)單元440。

第一金屬線410和第二金屬線420可以用作數(shù)據(jù)輸出焊盤，以用于將數(shù)據(jù)輸出至與半導(dǎo)體器件耦接的外部設(shè)備。第一金屬線410可以為輸出焊盤，其用于將數(shù)據(jù)輸出至與半導(dǎo)體器件耦接的外部設(shè)備。第一金屬線410可以層疊在第二金屬線420之上。絕緣層401可以形成在第一金屬線410與第二金屬線420之間。第一金屬線410、絕緣層401和第二金屬線420可以形成電容器結(jié)構(gòu)C。

第一驅(qū)動(dòng)單元430可以耦接至第一金屬線410，并且可以響應(yīng)于從初始驅(qū)動(dòng)單元450接收到的輸出數(shù)據(jù)OUT_DATA來驅(qū)動(dòng)第一金屬線410。當(dāng)輸出數(shù)據(jù)OUT_DATA為高數(shù)據(jù)時(shí)，第一驅(qū)動(dòng)單元430可以上拉驅(qū)動(dòng)第一金屬線410，而當(dāng)輸出數(shù)據(jù)OUT_DATA為低數(shù)據(jù)時(shí)，第一驅(qū)動(dòng)單元430可以下拉驅(qū)動(dòng)第二金屬線420。第一驅(qū)動(dòng)單元430可以是用于輸出數(shù)據(jù)的輸出驅(qū)動(dòng)器。

第二驅(qū)動(dòng)單元440可以耦接至第二金屬線420，并且可以響應(yīng)于從初始驅(qū)動(dòng)單元450接收到的加強(qiáng)數(shù)據(jù)EM_DATA來驅(qū)動(dòng)第二金屬線420。當(dāng)加強(qiáng)數(shù)據(jù)EM_DATA為高數(shù)據(jù)時(shí)，第二驅(qū)動(dòng)單元440可以上拉驅(qū)動(dòng)第二金屬線420，而當(dāng)加強(qiáng)數(shù)據(jù)EM_DATA為低數(shù)據(jù)時(shí)，第二驅(qū)動(dòng)單元440可以下拉驅(qū)動(dòng)第二金屬線420。第二驅(qū)動(dòng)單元440可以是用于 加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)的加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)器。

初始驅(qū)動(dòng)單元450可以通過發(fā)送沒有任何變化(例如，沒有任何延遲或反相)的輸入數(shù)據(jù)DATA來產(chǎn)生輸出數(shù)據(jù)OUT_DATA，或者可以通過改變輸入數(shù)據(jù)DATA(例如，通過將輸入數(shù)據(jù)DATA延遲和反相中的至少一種)來產(chǎn)生加強(qiáng)數(shù)據(jù)EM_DATA。加強(qiáng)數(shù)據(jù)EM_DATA可以具有與通過將輸出數(shù)據(jù)OUT_DATA延遲和反相所獲得的數(shù)據(jù)相同的相位。

在圖4A的半導(dǎo)體器件中，第二驅(qū)動(dòng)單元440不直接耦接至與輸出焊盤相對(duì)應(yīng)的第一金屬線410。第二驅(qū)動(dòng)單元440可以通過第二金屬線420來執(zhí)行加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)，所述第二金屬線420與第一金屬線410一起形成電容器結(jié)構(gòu)C。由于第二金屬線420和第一金屬線410耦接，所以第一金屬線410的電壓受到第二金屬線420的電壓影響。因此，第二驅(qū)動(dòng)單元440可以使用這種現(xiàn)象而通過第二金屬線420來間接驅(qū)動(dòng)第一金屬線410。

如果如上所述使用電容器結(jié)構(gòu)C來執(zhí)行加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)，則由于第二驅(qū)動(dòng)單元440(即，加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)器)引起的負(fù)載可以從第一金屬線410(即，輸出焊盤)中去除，由此降低輸出焊盤上的負(fù)載。此外，半導(dǎo)體可以包括要用作輸出焊盤的多個(gè)金屬線。因此，使用這種金屬線，即使在不形成單獨(dú)的電容器的情況下，也可以如上所述地執(zhí)行加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)。

圖4B示出了層疊有三個(gè)金屬線的半導(dǎo)體器件的配置。

參見圖4B，半導(dǎo)體器件可以包括：第一金屬線410、第二金屬線420、第一驅(qū)動(dòng)單元430、第二驅(qū)動(dòng)單元440、初始驅(qū)動(dòng)單元450和第三金屬線460。

第一金屬線至第三金屬線410、420和460中的每個(gè)可以用作數(shù)據(jù)輸出焊盤以用于將數(shù)據(jù)輸出至與半導(dǎo)體器件耦接的外部設(shè)備。第一金屬線410可以為用于將數(shù)據(jù)輸出至與半導(dǎo)體器件耦接的外部設(shè)備的輸出焊盤。第一金屬線410可以層疊在第二金屬線420之上。第一絕緣層401可以形成在第一金屬線410與第二金屬線420之間。此外，第二金屬線420可以層疊在第三金屬線460之上。第二絕緣層402可以形成在第二金屬線420與第三金屬線460之間。

第一金屬線410和第三金屬線460可以通過響應(yīng)于控制信號(hào)CON來導(dǎo)通/關(guān)斷的開關(guān)SW而耦接。如果第一金屬線410(即，輸出焊盤)與第二驅(qū)動(dòng)單元440(即，加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)器)之間的電容需要增加，則控制信號(hào)CON可以被使能。當(dāng)控制信號(hào)CON被使能時(shí)，開關(guān)SW可以導(dǎo)通，從而將第一金屬線410與第三金屬線460電耦接。

當(dāng)開關(guān)SW關(guān)斷時(shí)，第一金屬線410、第一絕緣層401和第二金屬線420可以形成第一電容器結(jié)構(gòu)C1。當(dāng)開關(guān)SW導(dǎo)通時(shí)，第一金屬線4190、第三金屬線460、第一絕緣 層401、第二絕緣層402和第二金屬線420可以形成第二電容器結(jié)構(gòu)C2。在這種情況下，第二電容器結(jié)構(gòu)C2可以具有比第一電容器結(jié)構(gòu)C1高的電容值。

圖4C示出了層疊有四個(gè)金屬線的半導(dǎo)體器件的配置。

參見圖4C，半導(dǎo)體器件可以包括：第一金屬線410、第二金屬線420、第一驅(qū)動(dòng)單元430、第二驅(qū)動(dòng)單元440、初始驅(qū)動(dòng)單元450、第三金屬線460和第四金屬線470。

第一金屬線至第四金屬線410、420、460和470中的每個(gè)可以用作數(shù)據(jù)輸出焊盤以用于將數(shù)據(jù)輸出至與半導(dǎo)體器件耦接的外部設(shè)備。第一金屬線410可以為用于將數(shù)據(jù)輸出至與半導(dǎo)體器件耦接的外部設(shè)備的輸出焊盤。第一金屬線410可以層疊在第二金屬線420之上。第一絕緣層401可以形成在第一金屬線410與第二金屬線420之間。此外，第二金屬線420可以層疊在第三金屬線460之上。第二絕緣層402可以形成在第二金屬線420與第三金屬線460之間。此外，第三金屬線460可以層疊在第四金屬線470之上。第三絕緣層403可以形成在第三金屬線460與第四金屬線470之間。

第一金屬線410和第三金屬線460可以通過響應(yīng)于控制信號(hào)CON來導(dǎo)通/關(guān)斷的第一開關(guān)SW1而耦接。第二金屬線420和第四金屬線470可以通過響應(yīng)于控制信號(hào)CON來導(dǎo)通/關(guān)斷的第二開關(guān)SW2而耦接。當(dāng)?shù)谝唤饘倬€410(即，輸出焊盤)與第二驅(qū)動(dòng)單元440(即，加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)器)之間的電容需要增加，則控制信號(hào)CON可以被使能。當(dāng)控制信號(hào)CON被使能時(shí)，第一開關(guān)SW1可以導(dǎo)通，從而將第一金屬線410與第三金屬線460電耦接。此外，當(dāng)控制信號(hào)CON被使能時(shí)，第二開關(guān)SW2可以導(dǎo)通，從而將第二金屬線420與第四金屬線470電耦接。

當(dāng)?shù)谝婚_關(guān)SW1和第二開關(guān)SW2關(guān)斷時(shí)，第一金屬線410、第一絕緣層401和第二金屬線420可以形成第一電容器結(jié)構(gòu)C1。當(dāng)?shù)谝婚_關(guān)SW1和第二開關(guān)SW2導(dǎo)通時(shí)，第一金屬線410、第三金屬線460、第一絕緣層401至第三絕緣層403、第二金屬線420以及第四金屬線470可以形成第二電容器結(jié)構(gòu)C2。在這種情況下，第二電容器結(jié)構(gòu)C2可以具有比第一電容器結(jié)構(gòu)C1高的電容值。

圖5為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的立體圖。

參見圖5，半導(dǎo)體器件可以包括用于輸入和輸出數(shù)據(jù)的多個(gè)焊盤組PAD_GRP0至PAD_GRPn。

半導(dǎo)體器件包括硅襯底510之上的多個(gè)層，絕緣層501介于所述多個(gè)層之間。沿著X方向延伸并且沿Y方向布置的多個(gè)金屬線可以形成在每個(gè)層中。沿Z方向?qū)盈B在同一行的多個(gè)金屬線可以形成單個(gè)焊盤組。

在這種情況下，由于絕緣層介于包括在同一焊盤組中的多個(gè)金屬線之間，所以包括在同一焊盤組中的多個(gè)金屬線可以通過金屬/絕緣材料/金屬結(jié)構(gòu)而形成電容器結(jié)構(gòu)。

圖6A至圖6C為示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的配置的部分的示圖。

圖6A圖示了半導(dǎo)體器件包括在焊盤組中的兩個(gè)層疊的金屬線的示例。

參見圖6A，半導(dǎo)體器件可以包括：第一金屬線610、第二金屬線620、第一驅(qū)動(dòng)單元630、第二驅(qū)動(dòng)單元640、初始驅(qū)動(dòng)單元650、硅襯底510、以及形成在第一金屬線610與第二金屬線620之間的絕緣層601。圖5中的半導(dǎo)體器件(多達(dá)焊盤組PAD_GRP0至PAD_GRPn)可以包括圖6A的配置。即，焊盤組PAD_GRP0至PAD_GRPn中的每個(gè)可以具有圖6A的配置。圖6A的配置的操作與圖4A的半導(dǎo)體器件的操作相同。

圖6B圖示了半導(dǎo)體器件包括在焊盤組中的三個(gè)層疊的金屬線的示例。

參見圖6B，半導(dǎo)體器件可以包括：第一金屬線610、第二金屬線620、第一驅(qū)動(dòng)單元630、第二驅(qū)動(dòng)單元640、初始驅(qū)動(dòng)單元650、硅襯底510、第三金屬線660、形成在第一金屬線610與第二金屬線620之間的第一絕緣層601、形成在第二金屬線620與第三金屬線660之間的第二絕緣層602、以及開關(guān)SW。圖5中的半導(dǎo)體器件(多達(dá)焊盤組PAD_GRP0至PAD_GRPn)可以包括圖6B的配置。即，焊盤組PAD_GRP0至PAD_GRPn中的每個(gè)可以具有圖6B的配置。圖6B的配置的操作與圖4B的半導(dǎo)體器件的操作相同。

圖6C圖示了半導(dǎo)體器件包括在焊盤組中的四個(gè)層疊的金屬線的示例。

參見圖6C，半導(dǎo)體器件可以包括：第一金屬線610、第二金屬線620、第一驅(qū)動(dòng)單元630、第二驅(qū)動(dòng)單元640、初始驅(qū)動(dòng)單元650、硅襯底510、第三金屬線660、第四金屬線670、形成在第一金屬線610與第二金屬線620之間的第一絕緣層601、形成在第二金屬線620與第三金屬線660之間的第二絕緣層602、形成在第三金屬線660與第四金屬線670之間的第三絕緣層603、第一開關(guān)SW1以及第二開關(guān)SW2。圖5中的半導(dǎo)體器件(多達(dá)焊盤組PAD_GRP0至PAD_GRPn)可以包括圖6C的配置。即，焊盤組PAD_GRP0至PAD_GRPn中的每個(gè)可以具有圖6C的配置。圖6C的配置的操作與圖4C的半導(dǎo)體器件的操作相同。

圖7為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝體MCP的框圖。

參見圖7，半導(dǎo)體封裝體MCP可以包括層疊在硅襯底710之上的多個(gè)半導(dǎo)體器件CHIP0至CHIPm。硅襯底710可以包括封裝襯底。半導(dǎo)體芯片CHIP0至CHIPm中的每個(gè)可以包括多個(gè)數(shù)據(jù)輸出焊盤。數(shù)據(jù)輸出焊盤可以在半導(dǎo)體器件CHIP0至CHIPm之 間共享。圖7中的半導(dǎo)體器件CHIP0至CHIPm中的每個(gè)可以具有與圖5的半導(dǎo)體器件相同的配置。

如上所述，由于半導(dǎo)體器件通過電容器來對(duì)其輸出焊盤執(zhí)行預(yù)加強(qiáng)驅(qū)動(dòng)，所以可以降低輸出焊盤的負(fù)載電容。此外，形成為用作輸出焊盤的金屬線的層疊結(jié)構(gòu)還可以用作電容器。因此，半導(dǎo)體器件可以執(zhí)行預(yù)加強(qiáng)，而不占用電容器的單獨(dú)面積。

盡管已經(jīng)出于說明性的目的描述了各種實(shí)施例，但是對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員將顯然的是，在不脫離如所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以進(jìn)行各種改變和修改。