專利名稱：一種tn型陣列基板及其制作方法、顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種TN型陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
背景技術(shù)：
顯示面板在制造過程中，利用掩膜板進行曝光是重要的步驟。曝光不但是液晶面板中最精密的步驟之一，也是設(shè)備投資及運營費用最高的步驟之一。因此通過減少利用掩膜板及曝光的次數(shù)，降低制造成本及提高設(shè)備生產(chǎn)力，始終是顯示面板制造的一種探索?，F(xiàn)有的TN(Twist Nematic，扭曲向列)型顯示面板，包括陣列基板。其中，如圖1、圖2所示，TN型顯示面板的陣列基板包括:透明基板1、依次設(shè)置在透明基板I上的第一金屬層、柵絕緣層7、有源層8、第二金屬層、鈍化層9以及透明導(dǎo)電層，其中，第一金屬層包括:柵線2和柵極31，第二金屬層包括:數(shù)據(jù)線4、源極32和漏極33，透明導(dǎo)電層包括:像素電極5。如圖1所示，柵線2和數(shù)據(jù)線4交叉設(shè)置，在柵線2和數(shù)據(jù)線4圍成的區(qū)域形成有薄膜晶體管3和像素電極5。陣列基板還包括位于陣列基板邊緣用于連接電路板的柵線端子區(qū)和數(shù)據(jù)線端子區(qū)，如圖3所示，柵線端子區(qū)bb，的柵線2通過在其上面的柵絕緣層7和鈍化層9上設(shè)置過孔與電路板相連，數(shù)據(jù)線端子區(qū)cc'的數(shù)據(jù)線4通過在其上面的鈍化層9上設(shè)置過孔與電路板相連，通過電路板控制柵線和數(shù)據(jù)線的電壓輸入?，F(xiàn)有技術(shù)在制作陣列基板過程中，第一金屬層、鈍化層和像素電極層分別利用一張普通掩膜板經(jīng)過一次曝光形成；有源層和第二金屬層利用半灰度或半色調(diào)掩膜板經(jīng)過一次曝光形成。即需要進行四次曝光，其曝光次數(shù)多、生產(chǎn)周期長、成本高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例提供一種TN型陣列基板及其制作方法、顯示裝置，形成所述陣列基板可減少利用掩膜板和曝光的次數(shù)，縮短生產(chǎn)周期、降低成本。為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案:本發(fā)明提供了一種TN型陣列基板的制作方法，包括:在基板上形成第一金屬層、柵絕緣層、有源層、第二金屬層以及透明導(dǎo)電層的步驟，其中，所述第一金屬層包括柵極，所述第二金屬層包括數(shù)據(jù)線，所述透明導(dǎo)電層包括:像素電極；其中，形成所述第二金屬層和所述透明導(dǎo)電層具體包括:在基板上依次形成透明導(dǎo)電薄膜和金屬薄膜；利用一次構(gòu)圖工藝，形成TFT溝道區(qū)、透明導(dǎo)電層和第二金屬層?？蛇x的，所述第二金屬層包括數(shù)據(jù)線但不包括源漏極，相應(yīng)的，所述透明導(dǎo)電層包括像素電極、源漏極，以及位于所述第二金屬層下方的部分；或者，所述第二金屬層包括數(shù)據(jù)線和源極圖案但不包括漏極，相應(yīng)的，所述透明導(dǎo)電層包括像素電極和漏極，以及位于所述第二金屬層下方的部分；或者，所述第二金屬層包括數(shù)據(jù)線和漏極但不包括源極，相應(yīng)的，所述透明導(dǎo)電層包括像素電極和源極，以及位于所述第二金屬層下方的部分；或者，所述第二金屬層包括數(shù)據(jù)線和源漏極，相應(yīng)的，所述透明導(dǎo)電層包括像素電極，以及位于所述第二金屬層下方的部分?？蛇x的，所述一次構(gòu)圖工藝包括:半色調(diào)掩膜板工藝和光刻膠回流工藝。可選的，所述光刻膠回流工藝包括:對光刻膠進行熱處理，利用光刻膠回流特性使其回流至固定的區(qū)域?？蛇x的，利用一次構(gòu)圖工藝，形成TFT溝道區(qū)域、透明導(dǎo)電層和第二金屬層具體包括:在制作有透明導(dǎo)電薄膜和第二金屬薄膜的基板上，涂布光刻膠；采用半色調(diào)掩膜板進行曝光，對曝光后的基板進行顯影和刻蝕形成TFT溝道區(qū)域；采用光刻膠回流技術(shù)使光刻膠覆蓋所述TFT溝道區(qū)域；對光刻膠進行灰化工藝，并形成透明導(dǎo)電層；去除剩余部分的光刻膠，形成第二金屬層?？蛇x的，在形成透明導(dǎo)電薄膜和第二金屬薄膜之前還包括:在基板上形成第一金屬層和柵絕緣層?？蛇x的，在所述去除剩余部分的光刻膠，形成第二金屬層之前，還包括:去除露出的柵絕緣薄膜，至少使位于柵線端子區(qū)的柵線露出。可選的，在形成第二金屬層后還包括:在基板上形成柵絕緣層和第一金屬層。本發(fā)明實施例提供了一種TN型陣列基板，包括:基板，設(shè)置在所述基板上的第一金屬層、柵絕緣層、有源層、第二金屬層以及透明導(dǎo)電層，其中，所述第二金屬層和所述透明導(dǎo)電層通過一次構(gòu)圖工藝形成，所述透明導(dǎo)電層包括位于第二金屬層下方的部分和像素電極?？蛇x的，所述第二金屬層包括:數(shù)據(jù)線但不包括源漏極，所述透明導(dǎo)電層包括源漏極；或者，所述第二金屬層包括:數(shù)據(jù)線和源極但不包括漏極，所述透明導(dǎo)電層包括漏極；或者，所述第二金屬層包括:數(shù)據(jù)線和漏極但不包括源極，所述透明導(dǎo)電層還包括源極；或者，所述第二金屬層包括:數(shù)據(jù)線和源漏極?？蛇x的，至少在數(shù)據(jù)線端子區(qū)，所述數(shù)據(jù)線上面無柵絕緣層。可選的，所述第一金屬層包括:柵極、柵線和公共電極線，其中，至少在柵線端子區(qū)，所述柵線上面無柵絕緣層。本發(fā)明實施例提供了一種TN型顯示裝置，包括本發(fā)明實施例提供的任一所述的TN型陣列基板。本發(fā)明實施例提供的一種TN型陣列基板及其制作方法、顯示裝置，所述TN型陣列基板的透明導(dǎo)電層和第二金屬層，通過一次構(gòu)圖工藝形成，且所述TN型陣列基板無需設(shè)置鈍化層，相對于現(xiàn)有技術(shù)，減少了構(gòu)圖工藝的次數(shù)、縮短了生產(chǎn)周期、降低了成本。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的一種TN型陣列基板局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖1所示陣列基板的剖視示意圖；圖3為圖1所示陣列基板的柵線端子區(qū)和數(shù)據(jù)線端子區(qū)的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明實施例提供的一種底柵型的TN型陣列基板的制作方法；圖5為本發(fā)明實施例提供的一種利用一次構(gòu)圖工藝形成第一金屬層的方法示意圖；圖6為本發(fā)明實施例提供的一種利用一次構(gòu)圖工藝形成半導(dǎo)體層的方法示意圖；圖7為本發(fā)明實施例提供的一種利用一次構(gòu)圖工藝形成第二金屬層和透明導(dǎo)電層的方法示意圖；圖8為利用半色調(diào)掩膜板對基板進行曝光、顯影、刻蝕，形成TFT溝道區(qū)域的方法示意圖；圖9為制作圖16所示TN型陣列基板過程中，光刻膠顯影后的示意圖；圖10為制作圖16所示TN型陣列基板過程中，去除光刻膠完全去除部分的金屬薄膜和透明導(dǎo)電薄膜后的示意圖；圖11為制作圖16所示TN型陣列基板過程中，去除半導(dǎo)體層中溝道區(qū)第二子層后的不意圖；圖12為制作圖16所示TN型陣列基板過程中，光刻膠回流后的示意圖；圖13為制作圖16所示TN型陣列基板過程中，對光刻膠進行灰化處理后的示意圖；圖14為制作圖16所示TN型陣列基板過程中，去除光刻膠半保留部分的金屬薄膜后的不意圖；圖15為制作圖16所示TN型陣列基板過程中，去除柵絕緣層后的示意圖；圖16為本發(fā)明實施例提供的一種TN型陣列基板剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖17為本發(fā)明實施例提供的一種制作頂柵型的TN型陣列基板的方法示意圖；圖18為本發(fā)明實施例提供的一種利用一次構(gòu)圖工藝形成第一金屬層的方法示意圖；附圖標記:1-基板；2_柵線；3_薄膜晶體管；4_數(shù)據(jù)線；5_像素電極；6_公共電極線；7_柵絕緣層；8_有源層；9_鈍化層；11_第一金屬層；12_第二金屬層；13_透明導(dǎo)電層；31_柵極；32_源極；33_漏極；101光刻膠完全保留部分；102_光刻膠半保留部分。
具體實施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。本發(fā)明提供了一種TN型陣列基板的制作方法，包括:在基板上形成第一金屬層、柵絕緣層、有源層、第二金屬層以及透明導(dǎo)電層的步驟，其中，所述第一金屬層包括柵極，所述第二金屬層包括數(shù)據(jù)線，所述透明導(dǎo)電層包括:像素電極；其特征在于，形成所述第二金屬層和所述透明導(dǎo)電層具體包括:
在基板上依次形成透明導(dǎo)電薄膜和金屬薄膜；利用一次構(gòu)圖工藝，形成TFT溝道區(qū)、透明導(dǎo)電層和第二金屬層。在本發(fā)明所有實施例中，需要闡明“薄膜”、“層”以及“圖案”的定義，以及之間的關(guān)系。其中，“薄膜”是指利用某一種材料在基板上利用沉積或其他工藝制作出的一層薄膜。若在整個制作過程當中該“薄膜”無需構(gòu)圖工藝，則該“薄膜”還可以稱為“層”;若在整個制作過程當中該“薄膜”還需構(gòu)圖工藝，則在構(gòu)圖工藝前稱為“薄膜”，構(gòu)圖工藝后稱為“層”。經(jīng)過構(gòu)圖工藝后的“層”中包含至少一個薄膜“圖案”。示例的，上述的柵絕緣層可以是在透明基板上沉積SiNx (氮化硅)薄膜所制得的。柵絕緣層一般無需構(gòu)圖工藝。又示例的，半導(dǎo)體層是半導(dǎo)體薄膜經(jīng)構(gòu)圖工藝后形成的。第一金屬層是金屬薄膜經(jīng)構(gòu)圖工藝后形成的，包括柵極、柵線和公共電極線。其中，柵極、柵線和公共電極線即為薄膜“圖案”。第二金屬層是金屬薄膜經(jīng)構(gòu)圖工藝后形成的，包括數(shù)據(jù)線。透明導(dǎo)電層是透明導(dǎo)電薄膜經(jīng)構(gòu)圖工藝后形成的，包括像素電極。所謂“構(gòu)圖工藝”是將薄膜形成包含至少一個圖案的層的工藝；本發(fā)明中所提到的構(gòu)圖工藝包含:在薄膜上涂膠，利用掩膜板對所述光刻膠進行曝光，再利用顯影液將需去除的光刻膠沖蝕掉，再刻蝕掉未覆蓋光刻膠的薄膜部分，最后將剩下的光刻膠剝離。本發(fā)明實施例提供了一種TN型陣列基板的制作方法，利用一次構(gòu)圖工藝形成第一金屬層；利用一次構(gòu)圖工藝形成有源層；利用一次構(gòu)圖工藝，形成透明導(dǎo)電層和第二金屬層，而無需鈍化層，相對于現(xiàn)有技術(shù)，減少了構(gòu)圖工藝的次數(shù)，縮短了生產(chǎn)周期、降低了成本?？蛇x的，所述第二金屬層包括數(shù)據(jù)線但不包括源漏極，相應(yīng)的，所述透明導(dǎo)電層包括像素電極、源漏極，以及位于所述第二金屬層下方的部分；這樣，第二金屬層上無漏極，可以增大像素開口率?；蛘?，所述第二金屬層包括數(shù)據(jù)線和源極但不包括漏極，相應(yīng)的，所述透明導(dǎo)電層包括像素電極和漏極，以及位于所述第二金屬層下方的部分；這樣，第二金屬層上無漏極，可以增大像素開口率?；蛘撸龅诙饘賹影〝?shù)據(jù)線和漏極但不包括源極，相應(yīng)的，所述透明導(dǎo)電層包括像素電極和源極，以及位于所述第二金屬層下方的部分；由于第二金屬層的導(dǎo)電性比透明導(dǎo)電層的導(dǎo)電性好，則第二金屬層包括源級，可以更快的導(dǎo)通像素電極實現(xiàn)顯示。且第二金屬層上無漏極，可以增大像素開口率?；蛘撸龅诙饘賹影〝?shù)據(jù)線和源漏極，相應(yīng)的，所述透明導(dǎo)電層包括像素電極，以及位于所述第二金屬層下方的部分。需要說明的是，第二金屬層和透明導(dǎo)電層為以上四種情況時均在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)，本發(fā)明附圖實施例僅以所述第二金屬層包括數(shù)據(jù)線和源極且不包括漏極，所述透明導(dǎo)電層包括像素電極和漏極，以及位于所述第二金屬層下方的部分為例進行詳細說明。需要說明的是，如圖1、圖2所示，源極32、漏極33和柵極31是陣列基板上的薄膜晶體管3的三個電極，其中，柵極31可以位于源極32和漏極33的下面，我們稱之為頂柵型陣列基板；柵極31也可以位于源極32和漏極33的上面，我們稱之為底柵型陣列基板。本發(fā)明實施例提供的TN型陣列基板的制作方法可適用于這兩種類型，下面也將對這兩種類型分別進行詳細說明。
當柵極位于源漏極的下面，如圖4所示，形成所述TN型陣列基板具體包括:步驟S101、在透明基板上形成第一金屬薄膜，利用一次構(gòu)圖工藝，在所述透明基板上形成第一金屬層。具體的，形成所述第一金屬層的材料優(yōu)選采用鑰。當然形成所述第一金屬層的材料也不局限于此，本發(fā)明僅以這種材料為例進行說明。例如也可以是其他導(dǎo)電金屬材料，如鉻、鋁等。并利用沉積的方式在透明基板上形成一層金屬薄膜，并利用一次構(gòu)圖工藝形成第
一金屬層。步驟S102、在透明基板上形成柵絕緣層。具體的，形成所述柵絕緣層的材料優(yōu)選采用SiNx(氮化硅)。當然形成所述柵絕緣層的材料也不局限于此，本發(fā)明僅以這種材料為例進行說明。例如還可以是二氧化硅等。并利用沉積的方式在所述基板上形成SiNx薄膜，形成柵絕緣層。步驟S103、在透明基板上形成半導(dǎo)體薄膜，并利用一次構(gòu)圖工藝，在所述透明基板上形成有源層。具體的，在所述基板上利用沉積的方式形成半導(dǎo)體薄膜，經(jīng)過一次構(gòu)圖工藝形成所述有源層。步驟S104、在透明基板上依次形成透明導(dǎo)電薄膜和金屬薄膜，并利用一次構(gòu)圖工藝，在所述透明基板上形成TFT溝道區(qū)、透明導(dǎo)電層和第二金屬層。具體的，形成所述透明導(dǎo)電層的材料優(yōu)選采用IT0(Indium tin oxide,氧化銦錫)，形成所述第二金屬層的材料優(yōu)選采用鑰。當然，形成所述透明導(dǎo)電層和第二金屬層的材料也不局限于此，本發(fā)明僅以這種材料為例進行說明。且優(yōu)選采用沉積的方式形成所述
透明導(dǎo)電薄膜和第二金屬薄膜。可選的，所述一次構(gòu)圖工藝包括:半色調(diào)掩膜板工藝和光刻膠回流工藝。且所述光刻膠回流工藝包括:對光刻膠進行加熱處理，利用光刻膠回流特性使其回流至固定的區(qū)域。具體的，光刻膠回流工藝可以是對光刻膠的局部進行加熱，產(chǎn)生升溫回流。例如可以是對薄膜晶體管區(qū)域的光刻膠進行熱處理，使其回流至溝道區(qū)域。當然，也可以是對基板上的一層光刻膠進行熱處理。具體的，如圖5所示，上述步驟SlOl在透明基板上形成第一金屬薄膜，利用一次構(gòu)圖工藝，在所述透明基板上形成第一金屬層具體包括以下步驟:步驟S1011、在制作有第一金屬薄膜的基板上涂布光刻膠。其中，所述光刻膠分為正性光刻膠和負性光刻膠。光照后形成不可溶物質(zhì)的是負性膠；反之，光照后變成可溶物質(zhì)的即為正性膠。其中，所述可溶不可溶是相對于特定的顯影液而言。本發(fā)明實施例中以光刻膠為正性光刻膠為例進行詳細說明。步驟S1012、利用掩膜板對所述基板進行曝光和顯影，顯影后形成光刻膠完全保留部分和光刻膠去除部分。具體的，所述掩膜板為普通掩膜板，分為透光區(qū)和不透光區(qū)。對于正性光刻膠而言，經(jīng)透光區(qū)被光照的區(qū)域，形成可溶性物質(zhì)；未被光照的區(qū)域，形成不可溶型物質(zhì)。然后可利用顯影液對光刻膠進行顯影，將需要去除的光刻膠去除掉。具體的，利用顯影液將光刻膠被光照的區(qū)域去除掉，留下光刻膠未被光照的區(qū)域，即對應(yīng)柵極、柵線和公共電極線的光刻膠。
步驟S1013、去除未覆蓋光刻膠的金屬薄膜。具體的，可以是利用刻蝕液將金屬薄膜未覆蓋光刻膠的區(qū)域刻蝕掉。步驟S1014、將剩下的光刻膠剝離。將光刻膠剝離，在襯底基板上形成包括柵線、柵極和公共電極線的第一金屬層。具體的，如圖6所示，上述步驟S103利用一次構(gòu)圖工藝，在所述透明基板上形成有源層具體包括以下步驟:步驟S1031、在所述半導(dǎo)體薄膜上涂布光刻膠。對于光刻膠的具體描述，可參照上述步驟S1011，在這里不作贅述。步驟S1032、利用掩膜板對所述基板進行曝光和顯影，顯影后形成光刻膠完全保留部分和光刻膠去除部分。具體的，利用掩膜板對所述基板進行曝光和顯影可參照上述步驟S1012的描述，在這里不作贅述。步驟S1033、去除未覆蓋光刻膠的半導(dǎo)體薄膜。具體的，可以是利用刻蝕液將半導(dǎo)體薄膜未覆蓋光刻膠的區(qū)域刻蝕掉。步驟S1034、將剩下的光刻膠剝離。將光刻膠剝離，在所述基板上形成有源層。具體的，如圖7所示，上述步驟S104利用一次構(gòu)圖工藝，在透明基板上形成TFT溝道區(qū)、透明導(dǎo)電層和第二金屬層具體包括以下步驟:步驟S1041、在制作有透明導(dǎo)電薄膜和第二金屬薄膜的基板上，涂布光刻膠。其中，對于光刻膠的描述可參照上述步驟S1012，在這里不作贅述。步驟S1042、采用半色調(diào)掩膜板進行曝光，對曝光后的基板進行顯影和刻蝕形成TFT溝道區(qū)域。如圖8-圖10所示，具體的可參照下面步驟S10421-步驟S10423。步驟S1043、采用光刻膠回流技術(shù)使光刻膠覆蓋所述TFT溝道區(qū)域。如圖12所示，光刻膠回流至溝道，即覆蓋溝道處露出的半導(dǎo)體薄膜，進而對其形成保護，而不受后面步驟S1045的影響。具體的，由于半導(dǎo)體層和柵絕緣層均為非金屬，采用等離子體刻蝕柵絕緣薄膜也會刻蝕裸露出來的半導(dǎo)體薄膜，因此需要光刻膠進一步保護溝道處露出的半導(dǎo)體薄膜。步驟S1044、對光刻膠進行灰化工藝，并形成透明導(dǎo)電層。對所述光刻膠完全保留部分和所述光刻膠半保留部分進行灰化工藝，去除所述光刻膠半保留部分，且光刻膠完全保留部分的光刻膠變薄。具體的，所述“灰化工藝”，即將光刻膠整體打薄。這樣，光刻膠半保留部分的光刻膠被去除，光刻膠完全保留部分的光刻膠變薄，但仍然保留，如圖13所示。如圖14所示，在對所述光刻膠進行灰化工藝之后，優(yōu)選的采用刻蝕的方法去除位于光刻膠半保留部分的第二金屬薄膜，形成所述透明導(dǎo)電層。步驟S1045、去除露出的柵絕緣薄膜，至少使位于柵線端子區(qū)的柵線露出。如圖15所示，優(yōu)選采用干法等離子體刻蝕的方法去除柵絕緣薄膜。當然也可以不去除露出的柵絕緣薄膜，進而柵線端子區(qū)的柵線可以通過在柵絕緣層設(shè)置過孔與驅(qū)動電路連接。
步驟S1046、去除剩余部分的光刻膠，形成第二金屬層。如圖16所示，為光刻膠剝離后的TN型陣列基板的示意圖。具體的，如圖8所示，上述步驟S1042采用半色調(diào)掩膜板進行曝光，對曝光后的基板進行顯影和刻蝕形成TFT溝道區(qū)域具體包括:S10421、采用半色調(diào)掩膜板對所述基板進行曝光和顯影，顯影后形成光刻膠完全保留部分、光刻膠半保留部分和光刻膠完全去除部分，其中，所述光刻膠完全保留部分至少對應(yīng)數(shù)據(jù)線區(qū)域、光刻膠半保留部分至少對應(yīng)所述像素電極區(qū)域、源漏極區(qū)域、其他區(qū)域的光刻膠完全去除；或者，所述光刻膠完全保留部分至少對應(yīng)數(shù)據(jù)線區(qū)域和源極區(qū)域、光刻膠半保留部分至少對應(yīng)所述像素電極區(qū)域和漏極區(qū)域、其他區(qū)域的光刻膠完全去除；或者，所述光刻膠完全保留部分至少對應(yīng)數(shù)據(jù)線區(qū)域和漏極區(qū)域、光刻膠半保留部分至少對應(yīng)所述像素電極區(qū)域和源極區(qū)域、其他區(qū)域的光刻膠完全去除；或者，所述光刻膠完全保留部分至少對應(yīng)數(shù)據(jù)線區(qū)域和源漏極區(qū)域、光刻膠半保留部分至少對應(yīng)所述像素電極區(qū)域、其他區(qū)域的光刻膠完全去除。如圖9所示，本發(fā)明實施例附圖以所述光刻膠完全保留部分101對應(yīng)數(shù)據(jù)線區(qū)域和源極區(qū)域、光刻膠半保留部分102對應(yīng)所述像素電極區(qū)域和漏極區(qū)域、其他區(qū)域的光刻膠完全去除為例進行詳細說明，其中，如圖9所示，光刻膠被完全去除的區(qū)域包括溝道區(qū)以及柵極端子區(qū)bb'。需要說明的是，本發(fā)明實施例中，光刻膠半保留部分是指光刻膠的厚度小于光刻膠完全保留部分，而不僅限于是光刻膠完全保留部分厚度的一半。S10422、去除位于光刻膠完全去除部分的第二金屬薄膜和透明導(dǎo)電薄膜。如圖10所示，具體可以是利用刻蝕液將第二金屬薄膜和透明導(dǎo)電薄膜去除。S10423、去除溝道區(qū)域露出的第二子層。具體的，所述有源層包括:依次形成的第一子層和第二子層，其中，第一子層位于第二子層的下面為半導(dǎo)體層，第二子層為導(dǎo)體層。具體的，有源層在后期制作過程中，為了降低有源層與金屬薄膜層或透明導(dǎo)電薄膜層的接觸電阻，摻雜了磷等五價元素，因此形成了第二子層，由于第二子層為導(dǎo)體層，因此需要將有源層溝道區(qū)域的第二子層去除，只留下第一子層，如圖11所不。當柵極位于源漏極的上面，如圖17所示，形成所述TN型陣列基板具體包括:步驟S201、在透明基板上依次形成透明導(dǎo)電薄膜和第二金屬薄膜，并利用一次構(gòu)圖工藝，在所述透明基板上形成透明導(dǎo)電層和第二金屬層。具體的，在透明基板上優(yōu)選采用沉積的方式形成透明導(dǎo)電薄膜和金屬薄膜。利用一次構(gòu)圖工藝，在所述透明基板上形成透明導(dǎo)電層和第二金屬層依次包括上述步驟S1041、步驟S1042、步驟S1043、步驟S1044、步驟S1045和步驟S1046。步驟S202、在透明基板上形成半導(dǎo)體薄膜，并利用一次構(gòu)圖工藝，在所述透明基板上形成有源層。具體的，在透明基板上形成半導(dǎo)體薄膜，并利用一次構(gòu)圖工藝，在所述透明基板上形成有源層可參照上述步驟S103。步驟S203、在透明基板上形成柵絕緣層。具體的，在透明基板上形成柵絕緣層可參照上述步驟S102。步驟S204、在透明基板上形成第一金屬薄膜，利用一次構(gòu)圖工藝，在所述透明基板上形成第一金屬層。
其中，如圖18所示，利用一次構(gòu)圖工藝，在所述透明基板上形成第一金屬層具體包括:步驟S2031、在制作有所述第一金屬薄膜的基板上涂布光刻膠。步驟S2032、利用半灰度或半色調(diào)掩膜板對所述基板進行曝光和顯影，顯影后形成光刻膠完全保留部分、光刻膠半保留部分和光刻膠完全去除部分，其中，所述光刻膠完全保留部分對應(yīng)柵線、柵極、公共電極線區(qū)域以及數(shù)據(jù)線端子區(qū)兩邊的區(qū)域、光刻膠去除部分對應(yīng)數(shù)據(jù)線端子區(qū)、其他區(qū)域的光刻膠半保留。步驟S2033、去除位于數(shù)據(jù)線端子區(qū)的柵絕緣層。步驟S2034、對光刻膠實施熱處理，使光刻膠回流至數(shù)據(jù)線端子區(qū)。步驟S2035、對所述光刻膠完全保留部分和所述光刻膠半保留部分進行灰化工藝，去除所述光刻膠半保留部分，且回流至數(shù)據(jù)線端子區(qū)的光刻膠仍然保留。步驟S2036、去除露出的第一金屬薄膜。步驟S2037、將剩下的光刻膠剝離。則第一金屬層上的柵線和第二金屬層至少數(shù)據(jù)線端子區(qū)的數(shù)據(jù)線上面無覆蓋層。本發(fā)明實施例提供了一種TN型陣列基板，如圖16所示，包括:基板1，設(shè)置在所述基板I上的第一金屬層11、柵絕緣層7、有源層8、第二金屬層12以及透明導(dǎo)電層13，其中，所述第二金屬層12和所述透明導(dǎo)電層13通過一次構(gòu)圖工藝形成，所述透明導(dǎo)電層13包括位于所述第二金屬層下方的部分和像素電極。具體的，所述第二金屬層包括:數(shù)據(jù)線但不包括源漏極，所述透明導(dǎo)電層還包括源漏極；這樣，第二金屬層上無漏極，可以增大像素開口率?；蛘?，如圖16所示，所述第二金屬層12包括:數(shù)據(jù)線和源極但不包括漏極，所述透明導(dǎo)電層還包括漏極；由于第二金屬層的導(dǎo)電性比透明導(dǎo)電層的導(dǎo)電性好，則第二金屬層包括源級，可以更快的導(dǎo)通像素電極實現(xiàn)顯示。且第二金屬層上無漏極，可以增大像素開口率。本發(fā)明實施例的附圖僅以這一種為例。或者，所述第二金屬層包括:數(shù)據(jù)線和漏極但不包括源極，所述透明導(dǎo)電層還包括源極；由于第二金屬層的導(dǎo)電性比透明導(dǎo)電層的導(dǎo)電性好，則第二金屬層包括漏極，可以更快的導(dǎo)通像素電極實現(xiàn)顯示?；蛘?，所述第二金屬層包括:數(shù)據(jù)線和源漏極。這樣可以更快的實現(xiàn)像素電極的導(dǎo)通，實現(xiàn)顯示?？蛇x的，至少在數(shù)據(jù)線端子區(qū)，所述數(shù)據(jù)線上面無柵絕緣層。具體的，如圖16所示，對于底柵型的TN型陣列基板，由于數(shù)據(jù)線4位于最上面一層，則所述數(shù)據(jù)線4完全露出；對于頂柵型的TN型陣列基板，至少在數(shù)據(jù)線端子區(qū)的數(shù)據(jù)線露出。這樣，數(shù)據(jù)線在端子區(qū)直接與電路板相連，而無需過孔，減小數(shù)據(jù)線與電路板之間的接觸電阻，降低了功耗。可選的，所述第一金屬層包括:柵極、柵線和公共電極線，其中，至少在柵線端子區(qū)，所述柵線上面無柵絕緣層，所述公共電極線與所述透明導(dǎo)電層形成存儲電容。具體的對于頂柵型的TN型陣列基板，由于柵線位于最上面一層，則所述柵線完全露出；對于底柵型的TN型陣列基板，如圖16所示，至少在柵線端子區(qū)的柵線2露出。這樣，柵線在端子區(qū)直接與電路板相連，而無需過孔，減小了柵線與電路板之間的接觸電阻，降低了功耗。且無論是底柵型的TN型陣列基板還是頂柵型的TN型陣列基板，所述公共電極線與所述透明導(dǎo)電層形成存儲電容，且在公共電極線與所述透明導(dǎo)電層之間只存在柵絕緣層，相對于現(xiàn)有技術(shù)，提高了存儲電容；且在與現(xiàn)有技術(shù)存儲電容相同的情況下，可以減小公共電極線的寬度，進而提高像素的開口率。本發(fā)明提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實施例提供的任一所述的TN型陣列基板。其中，所述顯示裝置可以為液晶顯示器、液晶電視、數(shù)碼相機、手機、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或者部件。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式
，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護范圍為準。
權(quán)利要求
1.一種TN型陣列基板的制作方法，包括:在基板上形成第一金屬層、柵絕緣層、有源層、第二金屬層以及透明導(dǎo)電層的步驟，其中，所述第一金屬層包括柵極，所述第二金屬層包括數(shù)據(jù)線，所述透明導(dǎo)電層包括:像素電極；其特征在于，形成所述第二金屬層和所述透明導(dǎo)電層具體包括: 在基板上依次形成透明導(dǎo)電薄膜和金屬薄膜； 利用一次構(gòu)圖工藝，形成TFT溝道區(qū)、透明導(dǎo)電層和第二金屬層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于， 所述第二金屬層包括數(shù)據(jù)線但不包括源漏極，相應(yīng)的，所述透明導(dǎo)電層包括像素電極、源漏極，以及位于所述第二金屬層下方的部分；或者， 所述第二金屬層包括數(shù)據(jù)線和源極圖案但不包括漏極，相應(yīng)的，所述透明導(dǎo)電層包括像素電極和漏極，以及位于所述第二金屬層下方的部分；或者， 所述第二金屬層包括數(shù)據(jù)線和漏極但不包括源極，相應(yīng)的，所述透明導(dǎo)電層包括像素電極和源極，以及位于所述第二金屬層下方的部分；或者， 所述第二金屬層包括數(shù)據(jù)線和源漏極，相應(yīng)的，所述透明導(dǎo)電層包括像素電極，以及位于所述第二金屬層下方的部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述一次構(gòu)圖工藝包括:半色調(diào)掩膜板工藝和光刻膠回流工藝。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述光刻膠回流工藝包括:對光刻膠進行熱處理，利用光刻膠回流特性使其回流至固定的區(qū)域。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或 4所述的方法，其特征在于，利用一次構(gòu)圖工藝，形成TFT溝道區(qū)域、透明導(dǎo)電層和第二金屬層具體包括: 在制作有透明導(dǎo)電薄膜和第二金屬薄膜的基板上，涂布光刻膠； 采用半色調(diào)掩膜板進行曝光，對曝光后的基板進行顯影和刻蝕形成TFT溝道區(qū)域； 采用光刻膠回流技術(shù)使光刻膠覆蓋所述TFT溝道區(qū)域； 對光刻膠進行灰化工藝，并形成透明導(dǎo)電層； 去除剩余部分的光刻膠，形成第二金屬層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，在形成透明導(dǎo)電薄膜和第二金屬薄膜之前還包括: 在基板上形成第一金屬層和柵絕緣層。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，在所述去除剩余部分的光刻膠，形成第二金屬層之前，還包括:去除露出的柵絕緣薄膜，至少使位于柵線端子區(qū)的柵線露出。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，在形成第二金屬層后還包括:在基板上形成柵絕緣層和第一金屬層。
9.一種TN型陣列基板，包括:基板，設(shè)置在所述基板上的第一金屬層、柵絕緣層、有源層、第二金屬層以及透明導(dǎo)電層，其特征在于，所述第二金屬層和所述透明導(dǎo)電層通過一次構(gòu)圖工藝形成，所述透明導(dǎo)電層包括位于第二金屬層下方的部分和像素電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的TN型陣列基板，其特征在于，所述第二金屬層包括:數(shù)據(jù)線但不包括源漏極，所述透明導(dǎo)電層包括源漏極；或者， 所述第二金屬層包括:數(shù)據(jù)線和源極但不包括漏極，所述透明導(dǎo)電層包括漏極；或者，所述第二金屬層包括:數(shù)據(jù)線和漏極但不包括源極，所述透明導(dǎo)電層還包括源極；或者， 所述第二金屬層包括:數(shù)據(jù)線和源漏極。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的TN型陣列基板，其特征在于，至少在數(shù)據(jù)線端子區(qū)，所述數(shù)據(jù)線上面無柵絕緣層。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的TN型陣列基板，其特征在于，所述第一金屬層包括:柵極、柵線和公共電極線，其中，至少在柵線端子區(qū)，所述柵線上面無柵絕緣層。
13.一種顯示裝置，其特征在于 ，包括權(quán)利要求9-12任一項所述的TN型陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種TN型陣列基板及其制作方法、顯示裝置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，解決了現(xiàn)有技術(shù)中制作陣列基板曝光次數(shù)多、生產(chǎn)周期長、成本高的問題。一種TN型陣列基板的制作方法，包括在基板上形成第一金屬層、柵絕緣層、有源層、第二金屬層以及透明導(dǎo)電層的步驟，其中，所述第一金屬層包括柵極，所述第二金屬層包括數(shù)據(jù)線，所述透明導(dǎo)電層包括像素電極；其中，形成所述第二金屬層和所述透明導(dǎo)電層具體包括在基板上依次形成透明導(dǎo)電薄膜和金屬薄膜；利用一次構(gòu)圖工藝，形成TFT溝道區(qū)、透明導(dǎo)電層和第二金屬層。本發(fā)明適用于顯示裝置的制造領(lǐng)域。
文檔編號H01L21/77GK103137558SQ201310047920
公開日2013年6月5日 申請日期2013年2月6日 優(yōu)先權(quán)日2013年2月6日
發(fā)明者吳松, 包杰瓊 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 合肥鑫晟光電科技有限公司