專利名稱：基板處理裝置和基板處理方法
基板處理裝置和基板處理方法
技術(shù)區(qū)域本發(fā)明涉及利用基板輸送機(jī)構(gòu)將基板從一個(gè)模塊向其它的模塊輸送并進(jìn)行處理的基板處理裝置和基板處理方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體器件和IXD基板的制造工藝中，在裝置內(nèi)設(shè)置有多個(gè)對(duì)基板進(jìn)行處理的模塊，利用基板輸送裝置向這些模塊依次輸送基板，進(jìn)行規(guī)定的處理。上述基板輸送裝置構(gòu)成為，例如保持基板的叉沿基臺(tái)自由進(jìn)退地設(shè)置，并且上述基臺(tái)圍繞鉛垂軸旋轉(zhuǎn)自如并升降自如。此時(shí)，保持于叉的基準(zhǔn)位置的基板被交接到接著要輸送的模塊的載置區(qū)域的基準(zhǔn)位置。上述基準(zhǔn)位置是例如基板的中心與叉、模塊的載置區(qū)域的中心一致的位置。所以，從前模塊在叉的基準(zhǔn)位置接收基板時(shí)，基板以該狀態(tài)被交接至下一模塊的基準(zhǔn)位置。但是，在發(fā)生地震的情況下、也存在叉從模塊接收基板時(shí)，基板跳動(dòng)、從正常的位置較大地偏離地接收的情況等的在從基準(zhǔn)位置偏離的狀態(tài)下，叉接收基板的情況。上述基板跳動(dòng)的現(xiàn)象例如為了在圍入基板的背面?zhèn)鹊乃幰汉洼d置面之間施加拉力，進(jìn)行交接而將基板舉起時(shí)容易發(fā)生。在這些情況下繼續(xù)進(jìn)行基板的輸送時(shí)，從基準(zhǔn)位置脫離的狀態(tài)下對(duì)下一模塊交接基板，存在交接時(shí)基板與模塊發(fā)生沖撞，或者輸送途中基板從叉落下的問(wèn)題。因此，在現(xiàn)有技術(shù)中，停止基板的輸·送，操作人員進(jìn)入裝置內(nèi)，進(jìn)行將基板重置于叉的基準(zhǔn)位置，或除去基板的作業(yè)。此時(shí)，作業(yè)者不得不進(jìn)行裝置的停止、基板的重置、除去、和裝置的恢復(fù)作業(yè)，作業(yè)者的負(fù)擔(dān)增大之外，從裝置的停止至恢復(fù)需要一定程度的時(shí)間，所以這成為導(dǎo)致裝置的工作率的降低的主要原因之一。另外，專利文獻(xiàn)I中記載有對(duì)從第一位置向第二位置輸送基板時(shí)產(chǎn)生的基板的位置偏移進(jìn)行檢測(cè)，根據(jù)對(duì)偏差量進(jìn)行補(bǔ)正而進(jìn)行校準(zhǔn)(fine alignment)的技術(shù)。但是，SP使采用該技術(shù)，也沒有設(shè)想在位置偏差量大的情況下，向基板輸送裝置和輸送目的地的模塊的正常的位置交接基板的情況，所以不能解決本發(fā)明的課題。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1:日本特開平10-163302號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明想要解決的問(wèn)題本發(fā)明是基于這樣的情況下而完成的，提供一種當(dāng)從一個(gè)模塊向其它的模塊輸送基板時(shí)，能夠取得保持部件上的基板的偏差量，在偏差量處于容許范圍的狀態(tài)下，向其它的模塊交接基板的技術(shù)。
用于解決問(wèn)題的方法因此，本發(fā)明的基板處理裝置，其特征在于，包括:基板輸送機(jī)構(gòu)，其具有保持基板并在水平方向上移動(dòng)自如的保持部件，用于將基板從一個(gè)模塊交接至其它的模塊；檢測(cè)部，在保持部件從一個(gè)模塊接收基板之后，向其它的模塊輸送之前，對(duì)保持部件上的基板的位置進(jìn)行檢測(cè)；運(yùn)算部，根據(jù)所述檢測(cè)部的檢測(cè)結(jié)果，求出保持部件上的基板相對(duì)于基準(zhǔn)位置的偏差量；暫置模塊，用于暫置所述基板輸送機(jī)構(gòu)從所述一個(gè)模塊接收的基板；和控制部，其輸出控制信號(hào)，該控制信號(hào)用于對(duì)由所述運(yùn)算部獲得的偏差量的檢測(cè)值和偏差量的容許范圍進(jìn)行比較，當(dāng)檢測(cè)值處于容許范圍時(shí)，利用基板輸送機(jī)構(gòu)將基板輸送至其它的模塊，當(dāng)檢測(cè)值脫離容許范圍時(shí)，基板輸送機(jī)構(gòu)將該基板交接至?xí)褐媚K，接著進(jìn)行接收，以使得所述檢測(cè)值處于容許范圍。另外，本發(fā)明的基板處理方法，其為利用具有保持基板并在水平方向上移動(dòng)自如的保持部件的基板輸送機(jī)構(gòu)，將基板從一個(gè)模塊輸送至其它的模塊進(jìn)行處理的基板處理方法，所述基板處理方法的特征在于，包括:在所述保持部件從一個(gè)模塊接收到基板之后，在向其它的模塊輸送之前，對(duì)保持部件上的基板的位置進(jìn)行檢測(cè)的工序；基于所述檢測(cè)結(jié)果，求出保持部件上的基板相對(duì)于基準(zhǔn)位置的偏差量的工序；對(duì)所述偏差量的檢測(cè)值和偏差量的容許范圍進(jìn)行比較，當(dāng)檢測(cè)值處于容許范圍時(shí)，利用基板輸送機(jī)構(gòu)將基板向其它的模塊輸送的工序；和對(duì)所述偏差量的檢測(cè)值和偏差量的容許范圍進(jìn)行比較，當(dāng)檢測(cè)值脫離容許范圍時(shí)，基板輸送機(jī)構(gòu)將該基板交接至?xí)褐媚K，接著進(jìn)行接收的工序方式，以使得所述檢測(cè)值處于容許范圍。 發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，保持部件從一個(gè)模塊接收到基板時(shí)，求出距離保持部件上的基準(zhǔn)位置的偏差量，當(dāng)該偏差量處于容許范圍時(shí)，利用基板輸送機(jī)構(gòu)將基板向其它的模塊輸送，當(dāng)檢測(cè)值脫離容許范圍時(shí)，向暫置模塊輸送。在暫置模塊中，基板輸送機(jī)構(gòu)交接該基板，接著接收，以使得上述偏差量處于容許范圍，所以能夠在偏差量處于容許范圍的狀態(tài)下，將基板交接到其它的模塊。


圖1是表示本發(fā)明的抗蝕劑圖案形成裝置的實(shí)施方式的俯視圖。圖2是表示抗蝕劑圖案形成裝置的立體圖。圖3是表示抗蝕劑圖案形成裝置的側(cè)部截面圖。圖4是表示設(shè)置于抗蝕劑圖案形成裝置的第三區(qū)塊的概略立體圖。圖5是表示設(shè)置于第三區(qū)塊的輸送臂的立體圖。圖6是表不輸送臂的俯視圖。圖7是表示輸送臂的側(cè)視圖。圖8是表示設(shè)置于輸送臂的檢測(cè)部的俯視圖。圖9是表示設(shè)置于抗蝕劑圖案形成裝置的控制部的構(gòu)成圖。圖10是表示由檢測(cè)部進(jìn)行晶片的周邊部的位置檢測(cè)的一個(gè)例子的俯視圖。圖11是表示暫置模塊的一個(gè)例子的立體圖。圖12是表示暫置模塊的其它的例子的立體圖。
圖13是表示偏差量的容許范圍和能夠檢測(cè)范圍的俯視圖。圖14是表示暫置模塊的另一的例子的立體圖。圖15是表示溫度調(diào)節(jié)模塊的一個(gè)例子的俯視圖。圖16是表示溫度調(diào)節(jié)模塊的一個(gè)例子的側(cè)部截面圖。圖17是表示溫度調(diào)節(jié)模塊的冷卻板和輸送臂的俯視圖。圖18是表示溫度調(diào)節(jié)模塊的冷卻板和輸送臂的俯視圖。圖19是表示抗蝕劑圖案形成裝置的作用的側(cè)部截面圖。圖20是表示抗蝕劑圖案形成裝置的作用的側(cè)部截面圖。圖21是表示抗蝕劑圖案形成裝置的作用的側(cè)部截面圖。圖22是表示抗蝕劑圖案形成裝置的作用的側(cè)部截面圖。圖23是表示抗蝕劑圖案形成裝置的作用的流程圖。圖24是表示抗蝕劑圖案形成裝置的作用的工序圖。圖25是表示抗蝕劑圖案形成裝置的作用的工序圖。圖26是表示抗蝕劑圖案形成裝置的作用的工序圖。圖27是表示抗蝕劑圖案形成裝置的作用的工序圖。圖28是表示檢測(cè)部的其它的例子的側(cè)視圖。圖29是表示檢測(cè)部的另一的例子的側(cè)視圖。圖30是表示檢測(cè)部的另一的例子的側(cè)視圖。圖31是表示溫度調(diào)節(jié)模塊的冷卻板和輸送臂的俯視圖。符號(hào)說(shuō)明W半導(dǎo)體晶片C交接單元Al A4輸送臂D交接臂E往復(fù)移動(dòng)臂F 接口臂3A、3B 叉30A 30D保持爪5檢測(cè)部

6控制部61偏差量檢測(cè)程序62判定程序63補(bǔ)正程序71、74 76暫置模塊
具體實(shí)施例方式下面，以將具有本發(fā)明的基板輸送裝置的基板處理裝置應(yīng)用于涂敷、顯影裝置的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。首先，參照附圖，對(duì)上述涂敷、顯影裝置與曝光裝置連接的抗蝕劑圖案形成裝置簡(jiǎn)單地進(jìn)行說(shuō)明。圖1表示上述抗蝕劑圖案形成裝置的一個(gè)實(shí)施方式的俯視圖，圖2是該裝置的略立體圖。該裝置設(shè)置有載體區(qū)塊CB，在該載體區(qū)塊CB中，交接單元C從載置于載置臺(tái)21上的密閉型的載體20取出作為基板的半導(dǎo)體晶片W(下面稱為“晶片W”)，將其交接至與該載體區(qū)塊CB相鄰的處理區(qū)塊PB，并且上述交接單元C接收被處理區(qū)塊PB處理過(guò)的處理完成的晶片W，返回上述載體20。如圖2所示，上述處理區(qū)塊PB構(gòu)成為，在該例中從下方開始依次疊層有用于進(jìn)行顯影處理的第一區(qū)塊(DEV層)B1、用于進(jìn)行在抗蝕劑膜的下層側(cè)形成的反射防止膜的形成處理的第二區(qū)塊(BCT層)B2、用于進(jìn)行抗蝕劑液的涂敷處理的第三區(qū)塊(C0T層)B3、和用于進(jìn)行在抗蝕劑膜的上層側(cè)形成的反射防止膜的形成處理的第四區(qū)塊(TCT層)B4。第二區(qū)塊(BCT層)B2和第四區(qū)塊(TCT層)B4各自具有:利用旋涂法涂敷用于形成反射防止膜的藥液的涂敷模塊；加熱 冷卻系的處理模塊組，其用于進(jìn)行在該涂敷模塊中進(jìn)行的處理的前處理和后處理；和設(shè)置于上述涂敷模塊和處理模塊組之間，在它們之間進(jìn)行晶片W的交接的輸送臂A2、A4。即使在第三區(qū)塊(C0T層)B3中，除了上述藥液是抗蝕劑液之外，也具有同樣的構(gòu)成。另一方面，關(guān)于第一處理區(qū)塊(DEV層)BI，在一個(gè)DEV層BI內(nèi)兩層地疊層有顯影模塊22。而且，在該DEV層BI內(nèi)設(shè)置有用于對(duì)該兩層的顯影模塊22輸送晶片W的輸送臂Al。即，形成為對(duì)兩層的顯影模塊22共用輸送臂Al的結(jié)構(gòu)。并且，如圖1和圖3所示，在處理區(qū)塊PB設(shè)置有架單元U1，在該架單元Ul的各部彼此之間，通過(guò)設(shè)置在上述架單元Ul的附近的升降自如的交接臂D來(lái)輸送晶片W。在此，當(dāng)對(duì)晶片W的流動(dòng)簡(jiǎn)單地進(jìn)行說(shuō)明時(shí)，來(lái)自載體區(qū)塊CB的晶片W由交接單元C依次輸送至上述架單元Ul的一個(gè)交接模塊、例如第二區(qū)塊(BCT層)B2的對(duì)應(yīng)的交接模塊CPL2。第二區(qū)塊(BCT層)B2內(nèi)的輸送臂A2從該交接模塊CPL2接收晶片W并將其向各模塊(反射防止膜模塊和加熱 冷卻系的處理模塊組)輸送，在晶片W形成有反射防止膜。之后，晶片W經(jīng)由架單元`Ul的交接模塊BF2、交接臂D、架單元Ul的交接模塊CPL3和輸送臂A3搬入至第三區(qū)塊(C0T層)B3,形成抗蝕劑膜。這樣，形成有抗蝕劑膜的晶片W通過(guò)輸送臂A3被交接至架單元Ul的交接模塊BF3。另外，形成有抗蝕劑膜的晶片W有時(shí)進(jìn)一步在第四區(qū)塊(TCT層)B4形成反射防止膜。在該情況下，晶片W經(jīng)由交接模塊CPL4被交接至輸送臂A4，在形成有反射防止膜之后，通過(guò)輸送臂A4被交接至交接模塊TRS4。另一方面，DEV層BI內(nèi)的上部設(shè)置有作為專用的輸送構(gòu)件的往復(fù)移動(dòng)臂E，其從設(shè)置于架單元Ul的交接模塊CPLll向設(shè)置于架單元U2的交接模塊CPL12直接輸送晶片W。形成有抗蝕劑膜并且形成有反射防止膜的晶片W通過(guò)交接臂D經(jīng)由交接模塊BF3、TRS4被交接至交接模塊CPLl I，從交接模塊CPLll通過(guò)往復(fù)移動(dòng)臂E直接輸送至架單元U2的交接模塊CPL12，被放入接口區(qū)塊IB。其中，圖3中的標(biāo)注有CPL的交接模塊兼作為溫度調(diào)節(jié)用的冷卻模塊，標(biāo)注有BF的交接模塊兼作為能夠載置多個(gè)晶片W的緩沖模塊。接著，晶片W被接口臂F輸送至曝光裝置EX，在進(jìn)行過(guò)規(guī)定的曝光處理后，被載置于架單元U2的交接模塊TRS6，返回處理區(qū)塊PB。返回的晶片W在第一區(qū)塊(DEV層)BI中進(jìn)行顯影處理，通過(guò)輸送臂Al被輸送至架單元Ul中的交接單元C的訪問(wèn)范圍的交接臺(tái)，借助交接單元C返回載體20。輸送臂Al A4、交接單元C、交接臂D、接口臂F分別是與本發(fā)明的基板輸送裝置相當(dāng)?shù)臉?gòu)件。在此，圖4表示第三區(qū)塊(C0T層)B3，但在圖1和圖4中，U3是疊層設(shè)置有多個(gè)模塊的架單元，該模塊包括加熱模塊和冷卻模塊等的熱類模塊組。該架單元U3與涂敷模塊23相對(duì)地排列，在涂敷模塊23和架單元U3之間配置有輸送臂A3。圖4中24是用于在各模塊和輸送臂A3之間交接晶片W的輸送口。接著，對(duì)上述輸送臂Al A4進(jìn)行說(shuō)明，但由于這些輸送臂Al A4具有相同的結(jié)構(gòu)，所以以設(shè)置于第三區(qū)塊(C0T層)B3的輸送臂A3為例進(jìn)行說(shuō)明。如圖4 圖8如所示，該輸送臂A3構(gòu)成為，以包圍晶片W的周圍的方式設(shè)置的形成保持框的多個(gè)例如2個(gè)叉3 (3A、3B)各自沿基臺(tái)31進(jìn)退自如(圖4和圖5中X軸方向上自由移動(dòng))，并且上述基臺(tái)31通過(guò)旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)32圍繞鉛垂軸旋轉(zhuǎn)自如。上述叉3A、3B的基端側(cè)分別支承于進(jìn)退機(jī)構(gòu)33A、33B，這些進(jìn)退機(jī)構(gòu)33A、33B構(gòu)成為通過(guò)設(shè)置于基臺(tái)31內(nèi)部的使用同步皮帶的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(未圖示)沿基臺(tái)31移動(dòng)。這樣，叉3A、3B構(gòu)成為，在位于進(jìn)退機(jī)構(gòu)33A、33B前進(jìn)到基臺(tái)31的前端側(cè)的位置的晶片W的交接位置、和位于進(jìn)退機(jī)構(gòu)33A、33B后退到基臺(tái)31的基端側(cè)的位置的待機(jī)位置之間進(jìn)退自如。上述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)32的下方側(cè)設(shè)置有升降臺(tái)34，該升降臺(tái)34設(shè)置為沿在上下方向(圖4和圖5中Z軸方向)上直線狀延伸的未圖示的Z軸導(dǎo)軌，通過(guò)構(gòu)成驅(qū)動(dòng)部的升降機(jī)構(gòu)升降自如。例如作為升降機(jī)構(gòu)能夠使用滾珠絲杠機(jī)構(gòu)或使用同步皮帶的機(jī)構(gòu)等的公知的構(gòu)成。這些滾珠絲杠機(jī)構(gòu)或使用同步皮帶的機(jī)構(gòu)，均構(gòu)成為通過(guò)電動(dòng)機(jī)M的旋轉(zhuǎn)使升降臺(tái)34升降自如。在該例中，Z軸導(dǎo)軌和升降機(jī)構(gòu)分別被罩體35覆蓋，這些罩體35例如在上部側(cè)連接成為一體。另外，如圖4所示，上述罩體35構(gòu)成為沿在Y軸方向上直線狀延伸的Y軸導(dǎo)軌36滑動(dòng)移動(dòng)。其中，在后述的圖9中為了圖示方便，省略升降臺(tái)34，在基臺(tái)31的下方側(cè)描繪有升降機(jī)構(gòu)37。該例的升降機(jī)構(gòu)37構(gòu)成為，利用電動(dòng)機(jī)M使設(shè)置于上述Z軸導(dǎo)軌的內(nèi)部的未圖示的升降軸旋轉(zhuǎn)，由此，使基臺(tái)31沿Z軸導(dǎo)軌升降。上述叉3A、3B形 成為圓弧狀，如圖5、圖6和圖8所示，設(shè)置有3個(gè)以上的構(gòu)成保持部的保持爪30，該保持爪30從該叉3A、3B的內(nèi)邊緣分別向內(nèi)側(cè)突出，并沿該內(nèi)邊緣相互隔開間隔地設(shè)置，用于載置上述晶片W的背面?zhèn)戎苓叢?。在該例中，為了保持晶片W的周邊部的4處，設(shè)置有4個(gè)保持爪30A、30B、30C、30D。該例的輸送臂A3以真空吸附晶片W的方式構(gòu)成，如圖8所示，各保持爪30A 30D的各自設(shè)置有吸附孔41A 41D。這些吸附孔41A 41D例如經(jīng)由在叉3A、3B的內(nèi)部、上表面或下表面形成的真空配管42A，42B (圖6參照)，與未圖示的真空排氣部連接。這樣，晶片W的背面?zhèn)戎苓叢勘晃奖３钟诒３肿?0A 30D。另外，輸送臂A3具備檢測(cè)部5。檢測(cè)部5是用于例如各個(gè)叉3A、3B在保持有晶片W的狀態(tài)下位于上述待機(jī)位置時(shí)，在周向的3處以上的位置對(duì)叉3A、3B所保持的晶片W的周邊部(輪廓)的位置進(jìn)行光學(xué)的檢測(cè)。在該例中，設(shè)置有3個(gè)以上例如4個(gè)的檢測(cè)部5A 5D，這些4個(gè)檢測(cè)部5A 5D，當(dāng)叉3A、3B位于上述待機(jī)位置時(shí)，沿叉3A、3B所保持的晶片W的外周相互隔開間隔地設(shè)置。檢測(cè)部5 (5A OT)例如包括一對(duì)光源51 (51A 51D)和受光部52 (52A 52D)。作為光源51 (51A 51D)，能夠使用直線狀地排列有多個(gè)LED的光源或者直線狀延伸的單一的LED等。另外，作為受光部52(52A 52D)，能夠使用直線狀地配列有受光元件的線性圖象傳感器。作為該線性圖象傳感器，例如可以使用CCD線傳感器、光纖線傳感器、光電傳感器等的各種傳感器。下面，以使用CCD線傳感器的情況為例進(jìn)行說(shuō)明。上述光源51 (51A 51D)和受光部52 (52A 52D)設(shè)置為，對(duì)應(yīng)的一對(duì)光源51(51A 51D)和受光部52 (52A 52D)彼此隔著位于待機(jī)位置的晶片W的周邊部相互相對(duì)。具體而言，光源51 (5IA 5ID)和受光部52 (52A 52D)的一方設(shè)置于2個(gè)叉3A、3B的下方側(cè)，另一方設(shè)置于2個(gè)叉3A、3B的上方側(cè)。圖5 圖7表不,光源51 (51A 51D)安裝于基臺(tái)31，受光部52 (52A 52D)借助支承部材53安裝于基臺(tái)31的例子。而且，如圖5和圖8所示，受光部52 (52A 52D)在晶片W的徑向上直線狀地排列有受光元件，光源51 (51A 51D)構(gòu)成為，能夠向?qū)?yīng)的受光部52 (52A 52D)的長(zhǎng)邊方向整體照射光。這樣，在光源51 (5IA 5ID)和受光部52 (52A 52D)之間，形成有與受光部52 (52A 52D)的受光元件的排列區(qū)域?qū)?yīng)的光軸40。另外，在位于待機(jī)位置的叉3A、3B上沒有晶片W的情況下，上述光軸40未被遮蔽，但上述叉3A、3B上具有晶片W的情況下，以光軸40被該晶片W的周邊部遮蔽的方式，配置光源51 (51A 51D)和受光部52 (52A 52D)。而且，被叉3A、3B上的晶片W的位置遮斷光軸40的程度不同，入射到受光部52的光量發(fā)生變化，所以能夠檢測(cè)晶片W的周邊部的位置。如上所述，受光元件沿晶片W的徑向例如并列100個(gè)，產(chǎn)生與受光的受光元件的數(shù)量對(duì)應(yīng)的大小的量的電壓下降，該電壓下降量的電壓值，經(jīng)由圖9所示的A/D (模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換部)60被傳送到控制部6。這樣，例如通過(guò)基于作為各像素的各CXD的檢測(cè)值，決定受光的像素和沒受光的像素的邊界的位置，能夠求出晶片W的周邊部的4個(gè)部位的位置。叉3A和叉3B結(jié)構(gòu)相同，所以下面以叉3A為例進(jìn)行說(shuō)明時(shí)，例如如圖10所示，以晶片W保持于叉3A上的基準(zhǔn)位置時(shí)的晶片W的中心0為原點(diǎn)設(shè)定X軸和Y軸。該基準(zhǔn)位置為例如叉3A的載置區(qū)域的中心與晶片W的中心一致的位置。由此，例如當(dāng)設(shè)與檢測(cè)部5A 對(duì)應(yīng)的晶片W的周邊部的4個(gè)部位的位置為Pl P4時(shí),能夠以XY坐標(biāo)求出各位置Pl P4的位置坐標(biāo)。

當(dāng)將說(shuō)明返回至COT層B3時(shí)，在COT層B3內(nèi)，在輸送臂A3能夠訪問(wèn)的位置例如架單元U3的一個(gè)設(shè)置有用于暫置晶片W的第一暫置模塊71 (以下稱為暫置模塊71)。例如如圖11所示，該暫置模塊71構(gòu)成為在支承部72的上部具有載置晶片W的工作臺(tái)部73。上述工作臺(tái)部73構(gòu)成為如下形狀，即使在從上述基準(zhǔn)位置偏移的狀態(tài)下在叉3A上保持有晶片W時(shí)，也能夠以該叉3A和晶片W也不與工作臺(tái)部73碰撞的方式，對(duì)該工作臺(tái)部73交接晶片W。上述工作臺(tái)部73例如由前端構(gòu)成為圓弧狀的板狀體構(gòu)成，以在該工作臺(tái)部73和叉3A之間進(jìn)行晶片W的交接時(shí)，叉3A隔著規(guī)定的空間包圍工作臺(tái)部73的方式，決定其形狀和大小。并且，在該實(shí)施方式中，對(duì)于交接單元C、交接臂D和接口臂F，也設(shè)置上述的檢測(cè)部5，并且對(duì)于這些交接單元C、交接臂D和接口臂F的每一個(gè)，設(shè)置有用于暫置晶片W的第二 第四暫置模塊74 76。例如如圖12所示，上述接口臂F構(gòu)成為保持晶片W的保持部件81沿基臺(tái)82進(jìn)退自如，并且上述基臺(tái)82升降自如，圍繞鉛垂軸旋轉(zhuǎn)自如，而且在圖1中X方向上移動(dòng)自如。并且，在保持部件81后退到基臺(tái)82的基端側(cè)的待機(jī)位置，利用檢測(cè)部5A 測(cè)量晶片W的周邊部的多個(gè)部位例如4個(gè)部位的位置。上述保持部件81例如由保持晶片W的背面?zhèn)戎醒氩康陌鍫铙w構(gòu)成，在圖12中，檢測(cè)部5省略圖示。
上述交接臂D構(gòu)成為，保持部件80a沿基臺(tái)80b進(jìn)退自如，并且上述基臺(tái)80b構(gòu)成為升降自如，例如保持部件80a構(gòu)成為與接口臂F的保持部件81大致同樣的形狀。另外，交接單元C對(duì)于保持部件83的平面形狀多少不同之外，與接口臂F大致同樣構(gòu)成。交接單元C的保持部件83，例如如圖1所示，例如由保持晶片W的背面?zhèn)戎醒氩康母┮晻r(shí)呈叉狀的板狀體構(gòu)成。在該例中，上述第二 第四暫置模塊74 76具有同樣的構(gòu)成，例如在圖12中以第四暫置模塊76為代表所示的那樣，構(gòu)成為在支承部77的上部具有載置有晶片W的工作臺(tái)部78。上述工作臺(tái)部78構(gòu)成為如下的形狀，即使在從基準(zhǔn)位置偏移的狀態(tài)下，在保持部件81上保持有晶片W時(shí)，也能夠以該保持部件81和晶片W不與工作臺(tái)部78碰撞的方式，對(duì)該工作臺(tái)部78交接晶片W。在該例中，工作臺(tái)部78由構(gòu)成為俯視時(shí)呈口字狀的板狀體構(gòu)成，以在該工作臺(tái)部78和保持部件81之間進(jìn)行晶片W的交接時(shí)，由工作臺(tái)部78隔著規(guī)定的空間包圍保持部件81的方式，決定其形狀和大小。上述第二暫置模塊74組裝到交接單元C能夠訪問(wèn)的位置例如架單元Ul (參照?qǐng)D3)。另外，第三暫置模塊75組裝到交接臂D能夠訪問(wèn)的位置例如架單元U1。并且，第四暫置模塊76組裝到接口臂F能夠訪問(wèn)的位置例如架單元U2。接著，參照?qǐng)D9，對(duì)設(shè)置于上述抗蝕劑圖案形成裝置的控制部6進(jìn)行說(shuō)明。該控制部6例如包括計(jì)算機(jī)，并具備包括程序、存儲(chǔ)器、CPU的數(shù)據(jù)處理部，上述程序中組裝有命令(各步驟)，以從控制部6對(duì)抗蝕劑圖案形成裝置的各部發(fā)送控制信號(hào)，進(jìn)行抗蝕劑圖案形成處理和后述的晶片W的位置檢測(cè)。該程序收納于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì)例如軟盤、光盤、硬盤、MO(磁光盤)等的存儲(chǔ)部，安裝到控制部6。上述程序中包含 偏差量檢測(cè)程序61、判定程序62、補(bǔ)正程序63、和輸送控制程序64等。另外，控制部6包括基準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部65，構(gòu)成為能夠?qū)︼@示部66、警報(bào)發(fā)生部67、輸送臂Al A4、交接單元C、交接臂D、接口臂F的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)發(fā)送規(guī)定的控制信號(hào)。下面，作為保持部件以叉3A為例進(jìn)行說(shuō)明。上述偏差量檢測(cè)程序61形成運(yùn)算部，構(gòu)成為當(dāng)叉3A接收到晶片W時(shí)，基于上述檢測(cè)部5的檢測(cè)結(jié)果，求出叉3A上的晶片W的對(duì)基準(zhǔn)位置的偏差量。具體而言，構(gòu)成為例如基于由檢測(cè)部5A 檢測(cè)出的叉3A上的晶片W的4個(gè)部位的周邊位置數(shù)據(jù)，通過(guò)運(yùn)算取得晶片W的中心位置，并且通過(guò)運(yùn)算求出該取得中心位置與基準(zhǔn)中心位置的偏差量。上述取得中心位置是根據(jù)晶片W的位置的檢測(cè)結(jié)果通過(guò)運(yùn)算求出的晶片W的中心位置，基準(zhǔn)中心位置是晶片W位于叉3A上的上述基準(zhǔn)位置時(shí)的晶片W的中心位置。在此，在檢測(cè)部5中，如圖10所示，將晶片W的周邊部的4個(gè)部位的位置Pl P4的位置分別作為坐標(biāo)(xl、yl)、(x2、y2)、(x3、y3)、(x4、y4)進(jìn)行檢測(cè)，根據(jù)該4個(gè)部位的位置數(shù)據(jù)，通過(guò)運(yùn)算求出晶片W的中心PO的位置坐標(biāo)(x0、y0)(參照?qǐng)D10)。此時(shí)，例如位置Pl P4中任一個(gè)相當(dāng)于晶片W的切口部(缺口 notch)時(shí)，能夠根據(jù)剩余的3個(gè)部位的位置數(shù)據(jù)求出晶片W的中心PO的位置坐標(biāo)(x0、y0)。在該例中，基準(zhǔn)中心位置的位置坐標(biāo)如上所述是原點(diǎn)(0、0)，因此，取得中心位相對(duì)于基準(zhǔn)中心位置的偏差量相當(dāng)于(x0、y0)。這樣，取得中心位相對(duì)于基準(zhǔn)中心位置的偏差量在X方向、Y方向上被求出。如后文所述，判定程序62是比較對(duì)每個(gè)模塊設(shè)定的偏差量的容許范圍和由位置偏差量檢測(cè)程序61取得的偏差量的檢測(cè)值，而判定是將晶片W向下一模塊輸送還是向暫置模塊71輸送的程序。上述輸送臂A3以將保持于叉3A的基準(zhǔn)位置的晶片W交接到下一模塊的基準(zhǔn)位置的方式構(gòu)成。下一模塊的基準(zhǔn)位置是下一模塊的晶片W的載置區(qū)域的基準(zhǔn)位置，例如是載置區(qū)域的中心與晶片W的中心一致的位置。S卩，以叉3A的中心與晶片W的中心一致的方式由叉3A保持的晶片W，以下一模塊的載置區(qū)域的中心和晶片W的中心一致的方式，從叉3A被交接到上述載置區(qū)域。而且，在從基準(zhǔn)位置偏移的狀態(tài)下，在叉3A上保持晶片W時(shí)，如后所述，當(dāng)對(duì)下一模塊交接晶片W時(shí)，輸送臂A3側(cè)對(duì)交接位置進(jìn)行補(bǔ)正，以使得該偏差量減小。偏差量減小，除了對(duì)下一模塊的基準(zhǔn)位置交接晶片W的情況除外，也包含在靠近基準(zhǔn)位置的狀態(tài)下交接晶片W的情況。在此，圖13中、X軸和Y軸的交點(diǎn)0表示晶片W位于叉3A上的基準(zhǔn)位置時(shí)的晶片W的中心，實(shí)線LI所示的范圍表示按模塊設(shè)定的偏差量的容許范圍。該容許范圍表示，當(dāng)晶片W的中心位于該范圍內(nèi)時(shí),對(duì)下一模塊輸送晶片W時(shí),能夠以叉3A不與下一模塊的載置區(qū)域碰撞得方式進(jìn)行晶片W的交接的范圍。另外，點(diǎn)線L2所示的范圍是由檢測(cè)部5能夠檢測(cè)的范圍，表示當(dāng)晶片W的中心在該范圍內(nèi)時(shí)，能夠檢測(cè)晶片W的周邊部的范圍。上述容許范圍如上所述按模塊設(shè)定。例如以輸送臂A3為例進(jìn)行說(shuō)明時(shí)，作為利用該輸送臂A3進(jìn)行晶片W的交接時(shí)載置晶片W的載置區(qū)域，具有:在對(duì)晶片W進(jìn)行加熱處理的加熱模塊9設(shè)置的加熱板90的突出銷機(jī)構(gòu)91(參照?qǐng)D9)、設(shè)置在于液處理模塊旋轉(zhuǎn)卡盤92 (參照?qǐng)D14)、和在對(duì)晶片W進(jìn)行溫度調(diào)整處理的溫度調(diào)節(jié)模塊93設(shè)置的冷卻板等(參照?qǐng)D15和圖16)。接著，簡(jiǎn)單對(duì)加熱模塊9和溫度調(diào)節(jié)模塊93進(jìn)行說(shuō)明。如圖9所示，加熱模塊構(gòu)成為在處理容器9a內(nèi)具備載置晶片W并對(duì)其進(jìn)行加熱的加熱板90。該加熱板90設(shè)置有突出銷機(jī)構(gòu)91，該突出銷機(jī)構(gòu)91在與輸送臂A3之間進(jìn)行晶片W的交接時(shí)，從加熱板90突出，對(duì)晶片W的背面?zhèn)鹊睦? 個(gè)部位的位置進(jìn)行保持。另外，如圖15和圖16所示，溫度調(diào)節(jié)模塊93構(gòu)成為在處理容器93a的內(nèi)部具備冷卻板94和加熱板95。上述冷卻板94構(gòu)成為，在與輸送臂A3之間進(jìn)行晶片W的交接的位置和對(duì)加熱板95交接晶片W的位置之間，通過(guò)進(jìn)退機(jī)構(gòu)94a移動(dòng)自如。圖16中94b是用于抑制冷卻板94的溫度上升的風(fēng)扇機(jī)構(gòu)。在加熱板95設(shè)置有與冷卻板94之間交接晶片W的交接的突出銷機(jī)構(gòu)95b，并且冷卻板94在與該突出銷對(duì)應(yīng)的位置形成有切口部94c。另外，在冷卻板94的周邊部形成有與輸送臂A3的保持爪30A 30D對(duì)應(yīng)的切口部96。這樣，在溫度調(diào)節(jié)模塊93中，從輸送臂A3交接至冷卻板94的晶片W，通過(guò)冷卻板94交接至加熱板95，被加熱板95加熱的晶片W再次經(jīng)由冷卻板94交接至輸送臂A3。在上述突出銷機(jī)構(gòu)91、旋轉(zhuǎn)卡盤92中，交接時(shí)的叉3A的間隙量(能夠移動(dòng)用的空間)變大。因此，上述偏差量變大，即使在交接時(shí)的輸送臂A3的補(bǔ)正量大的情況下，也能夠防止叉3A和加熱板90等的碰撞，因此容許范圍大。另一方面，如圖17如所示，溫度調(diào)節(jié)模塊93的冷卻板94 (切口部94c未圖示)構(gòu)成為，在叉3A的保持爪30A 30D進(jìn)入到切口部96的狀態(tài)下進(jìn)行晶片W的交接。在該情況下，如圖17所示，在晶片W位于叉3A的基準(zhǔn)位置的情況下，能夠向冷卻板94的基準(zhǔn)位置交接晶片W。但是，如圖18所示，上述偏差量大、叉3A側(cè)的交接時(shí)的補(bǔ)正量大時(shí)，交接時(shí)保持爪30A 30D不進(jìn)入切口部96，叉3A與冷卻板94發(fā)生碰撞，因此容許范圍小。在圖18中，由點(diǎn)畫線表不冷卻板94,表不保持爪30c與切口部96碰撞的樣子。這樣,容許范圍按每個(gè)模塊不同，所以對(duì)于每個(gè)模塊，將上述容許范圍作為晶片W的距基準(zhǔn)中心位置的中心位置PO的偏差量預(yù)先求出。而且，判定程序62具有基于偏差量的檢測(cè)值，判定是向下一模塊輸送、還是向暫置模塊71輸送、或者輸出警報(bào)顯示的功能。在該例中，圖13如所示，在偏差量超過(guò)L2的范圍，不能由檢測(cè)部5檢測(cè)周邊部的位置的情況下，判定為輸出警報(bào)顯示。如上所述，在檢測(cè)部5中，檢測(cè)周邊部的邊界的位置，但例如通過(guò)4個(gè)檢測(cè)部5A 的至少一個(gè)檢測(cè)部5A 5D不能檢測(cè)上述邊界的位置的情況下，判定為晶片W超過(guò)L2的范圍。另外，基于檢測(cè)部5A 的檢測(cè)結(jié)果利用偏差量檢測(cè)程序61取得偏差量時(shí)，該偏差量的檢測(cè)值處于下一模塊的容許范圍時(shí)，判定為能夠?qū)ο乱荒K進(jìn)行輸送。另一方面，上述檢測(cè)值脫離下一模塊的容許范圍時(shí)，判定為不對(duì)下一模塊進(jìn)行輸送，而對(duì)暫置模塊71進(jìn)行輸送。該判定是在叉3A從前模塊接收晶片W，進(jìn)行了晶片W的周邊部的位置檢測(cè)之后，輸送至下一模塊的時(shí)刻進(jìn)行的。此時(shí)，也可以是使叉3A移動(dòng)到待機(jī)位置，進(jìn)行了晶片W的周邊部的位置檢測(cè)之后，開始輸送臂A3的移動(dòng)之后的時(shí)刻。補(bǔ)正程序63具有如下功 能，當(dāng)輸送臂A3對(duì)下一模塊交接晶片W時(shí)，進(jìn)行輸送臂A3側(cè)的交接位置補(bǔ)正，以使得偏差量變小。例如，以下一模塊的載置區(qū)域的中心的坐標(biāo)為(0，0)，取得的晶片W的中心的坐標(biāo)為(X0、y0)時(shí)，進(jìn)行補(bǔ)正，使得相對(duì)補(bǔ)正之前的交接位置，使輸送臂A3的交接位置在X方向移動(dòng)一 x0的量、在Y方向移動(dòng)一 y0的量。這樣,叉3A上的晶片W被交接到下一模塊的載置區(qū)域的基準(zhǔn)位置。另外，補(bǔ)正程序63具有，當(dāng)叉3A接收到暫置模塊71上的晶片W時(shí)，對(duì)叉3A的交接位置進(jìn)行補(bǔ)正，以使得上述檢測(cè)值處于容許范圍的功能。在該情況下，輸送臂A3能夠補(bǔ)正交接位置的X方向和Y方向的移動(dòng)量存在制限，在超過(guò)該制限值的情況下，進(jìn)行制限值部分補(bǔ)正。上述基準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)部65中，按每個(gè)上述模塊設(shè)定的容許范圍的數(shù)據(jù)與下一模塊對(duì)應(yīng)地進(jìn)行儲(chǔ)存。上述顯示部66構(gòu)成為，例如包括計(jì)算機(jī)的畫面，能夠進(jìn)行規(guī)定的基板處理的選擇、各處理中的參照數(shù)的輸入操作。并且，警報(bào)發(fā)生部67具有在警報(bào)顯示時(shí)，例如進(jìn)行燈的點(diǎn)亮、警報(bào)音的發(fā)生、對(duì)顯示部66的警報(bào)顯示等的功能。輸送控制程序64是按預(yù)先決定的模塊的輸送順序，以將晶片W從一個(gè)模塊(前模塊)依次向其它的模塊(下一模塊)輸送的方式，控制輸送臂Al A4、交接單元C、交接臂D和接口臂F等的方案，具有例如以向由判定程序62判定的輸送地輸送晶片W的方式，控制輸送臂Al A4等的驅(qū)動(dòng)的功能。另外，具有對(duì)暫置模塊71輸送晶片W時(shí)，與將晶片W對(duì)下一模塊輸送時(shí)相比，輸送臂Al A4的動(dòng)作速度變慢(小)的方式進(jìn)行控制的功能。動(dòng)作速度是指叉3A、3B的進(jìn)退動(dòng)作、輸送臂A3的移動(dòng)動(dòng)作等、使輸送臂A3動(dòng)作時(shí)的速度。這樣，控制部6構(gòu)成為，輸出控制信號(hào)，該控制信號(hào)用于比較偏差量的檢測(cè)值和偏差量的容許范圍，當(dāng)檢測(cè)值處于容許范圍時(shí)，利用輸送臂A3將晶片W向下一模塊輸送，當(dāng)檢測(cè)值脫離容許范圍時(shí)，使輸送臂A3將該晶片W交接至?xí)褐媚K71，并接著進(jìn)行接收，以使得上述檢測(cè)值處于容許范圍。此時(shí)，對(duì)于“使輸送臂A3將該晶片W交接至?xí)褐媚K71，并接著進(jìn)行接收，以使得上述檢測(cè)值處于容許范圍”，如后述所述，包括進(jìn)行一次晶片W對(duì)暫置模塊71的交接，上述檢測(cè)值處于容許范圍的情況；和進(jìn)行多次晶片W對(duì)暫置模塊71的交接，上述檢測(cè)值處于容許范圍的情況。接著，以使加熱模塊為前模塊，使溫度調(diào)節(jié)模塊93為下一模塊的情況為例，對(duì)本發(fā)明的作用進(jìn)行說(shuō)明。這些加熱模塊和溫度調(diào)節(jié)模塊93，在第一區(qū)塊(DEV層)B1、第二區(qū)塊(BCT層)B2、第三區(qū)塊(C0T層)B3、第四區(qū)塊(TCT層)B4的各個(gè)中，如上所述，組裝到架單元U3。例如圖19所示，在加熱模塊中，利用突出銷機(jī)構(gòu)91抬起晶片W，使晶片W上浮至加熱板90的上方位置。接著，如圖20所示，使叉3A向晶片W的下方側(cè)前進(jìn)，然后使叉3A上升，從下方側(cè)舉起晶片W，使其保持于保持爪30A 30D。然后，如圖21所示，使叉3A從晶片W的下方側(cè)上升至突出銷91的上方側(cè)，由此，從突出銷91接收晶片W，利用保持爪30A 30D進(jìn)行吸附保持，然后進(jìn)行后退的動(dòng)作。接著，如圖22所示，當(dāng)叉3A移動(dòng)至待機(jī)位置時(shí)，如上所述，利用檢測(cè)部5A 取得晶片W的周邊部的位置數(shù)據(jù)，判定輸送地為作為下一模塊的溫度調(diào)節(jié)模塊還是暫置模塊71。此時(shí)，叉3A從前模塊(加熱模塊)接收到晶片W之后(圖23中、步驟SI)，例如判定晶片W的周邊部利用檢測(cè)部5A 是否能夠檢測(cè)(步驟S2)，當(dāng)晶片W的周邊部超過(guò)能夠檢測(cè)的范圍L2時(shí)為不能進(jìn)行檢測(cè)，輸出警報(bào)(步驟S3)、例如停止輸送(步驟S4)。另一方面，當(dāng)不超過(guò)上述范圍L2時(shí)為能夠進(jìn)行檢測(cè)，基于取得的位置數(shù)據(jù)，如上所述，利用運(yùn)算求出晶片W的中心的位置坐標(biāo)(X0、y0)，這樣，取得對(duì)于基準(zhǔn)位置的X方向和Y方向的偏差量的檢測(cè)值(步驟S5)。接著，讀出下一模塊(溫度調(diào)節(jié)模塊93)的容許范圍，判斷偏差量的檢測(cè)值是否處于容許范圍(步驟S6)。當(dāng)處于容許范圍時(shí)，如圖24所示，判定輸送地為下一模塊，對(duì)下一模塊進(jìn)行輸送(步驟S7)。而且，如上所述，在X方向和Y方向上對(duì)輸送臂A3側(cè)的交接位置進(jìn)行補(bǔ)正，將晶片W交接到下·一模塊的基準(zhǔn)位置(步驟S8)。此時(shí)，在對(duì)下一模塊的載置區(qū)域交接晶片W之前，解除保持爪30A 30D的吸附。另一方面，當(dāng)偏差量脫離容許范圍時(shí)，判定輸送地為暫置模塊71，如圖25所示，對(duì)暫置模塊71進(jìn)行輸送(步驟S9)。此時(shí)，與將晶片W輸送至下一模塊時(shí)相比，在使輸送臂A3的動(dòng)作速度較小的狀態(tài)下，進(jìn)行輸送。而且，如圖26 (b)所示，以晶片W被交接至?xí)褐媚K71的基準(zhǔn)位置的方式，即以使晶片W的中心與暫置模塊71的載置區(qū)域(工作臺(tái)部73)的中心一致的方式，在X方向和Y方向上對(duì)叉3A的交接位置進(jìn)行補(bǔ)正，將晶片W交接至?xí)褐媚K71 (步驟S10)。然后，通過(guò)叉3A再次從暫置模塊71接收晶片W，但此時(shí)，如圖26 (C)所示，例如以晶片W保持于叉3A的基準(zhǔn)位置的方式，在X方向和Y方向上對(duì)叉3A的接收位置進(jìn)行補(bǔ)正，將晶片W接收至叉3A，以使得偏差量處于容許范圍內(nèi)(圖26 (d)、步驟S11)。然后，當(dāng)叉3A移動(dòng)至待機(jī)位置時(shí)，通過(guò)檢測(cè)部5A 取得晶片W的周邊部的位置數(shù)據(jù)，如上述方式求出偏差量(圖26 (e)、步驟S2)。這樣，反復(fù)步驟S2 步驟Sll的動(dòng)作，直到偏差量處于溫度調(diào)節(jié)模塊93的容許范圍，將晶片W輸送至溫度調(diào)節(jié)模塊93。如上所述，在上述的實(shí)施方式中，叉3A從前模塊接收到晶片W時(shí)，檢測(cè)晶片W的周邊部的3個(gè)部位以上的位置，基于該檢測(cè)值，求出距離叉3A上的基準(zhǔn)位置的偏差量。然后，比較偏差量的檢測(cè)值和偏差量的容許范圍，判定晶片W的輸送地是下一模塊還是暫置模塊71。由此，僅當(dāng)偏差量處于容許范圍時(shí)向下一模塊輸送，所以對(duì)下一模塊交接晶片W時(shí)，能夠抑制叉3A和下一模塊的碰撞,能夠可靠地向下一模塊交接晶片W。所以，對(duì)于每個(gè)模塊，輸送臂A3等的交接時(shí)的間隙不同，即使在該間隙小的情況下，如上所述，也能夠抑制叉3A和模塊的碰撞，因此輸送臂A3的輸送停止的機(jī)會(huì)大幅度減少，工作率提高。另外，在偏差量大到引起與下一模塊的碰撞的程度的情況下，將晶片W向暫置模塊71輸送，對(duì)叉3A的交接位置進(jìn)行補(bǔ)正，以使得偏差量處于容許范圍。所以，即使在偏差量大的情況下，能夠自動(dòng)地實(shí)施補(bǔ)正作業(yè)，所以作業(yè)者的負(fù)擔(dān)被大幅度減輕。此時(shí)，在偏差量大的情況下，通過(guò)對(duì)暫置模塊71進(jìn)行多次晶片W的交接和接收，能夠多次實(shí)施對(duì)叉3A的交接位置的補(bǔ)正。因此，在對(duì)交接位置進(jìn)行補(bǔ)正時(shí)，即使一次的補(bǔ)正范圍具有限制，通過(guò)反復(fù)補(bǔ)正，也能夠使大的偏差量逐漸減小。這樣，即使在偏差量大的情況下，通過(guò)多次的補(bǔ)正，最終能夠在偏差量處于容許范圍的狀態(tài)下，對(duì)下一模塊交接晶片W。所以，在發(fā)生地震的情況下、或從模塊接收晶片W時(shí)發(fā)生晶片W跳動(dòng)的現(xiàn)象的情況下等，即使在從叉3A的基準(zhǔn)位置較大偏移的狀態(tài)下，接收到晶片W的情況下，也能夠可靠地向下一模塊輸送。另外，當(dāng)對(duì)暫置模塊71輸送晶片W時(shí)，與將晶片W對(duì)下一模塊輸送時(shí)相比，輸送臂A3的動(dòng)作速度變慢，所以即使在從叉3A的基準(zhǔn)位置較大偏移地保持晶片W的情況下，也能夠在抑制晶片W的落下的狀態(tài)下進(jìn)行輸送。以上，如圖27所示，可以在對(duì)暫置模塊71交接晶片W時(shí)，不進(jìn)行用于將晶片W交接至?xí)褐媚K71的基準(zhǔn)位置的補(bǔ)正，直接交接(圖27(b))、而僅在從暫置模塊71接收晶片W時(shí)，對(duì)叉3A的交接位置進(jìn)行補(bǔ)正，以使得偏差量處于容許范圍。距離暫置模塊71的基準(zhǔn)位置的偏差量，與距離叉 3A的基準(zhǔn)位置的偏差量相同。因此，通過(guò)從暫置模塊71接收晶片W時(shí)，在X方向和Y方向上對(duì)叉3A的交接位置進(jìn)行補(bǔ)正(圖27 (c)、(d))，能夠在偏差量處于容許范圍的狀態(tài)下，將晶片W接收至叉3A上。接著，參照?qǐng)D28 圖30，對(duì)檢測(cè)部的其它的例子簡(jiǎn)單地進(jìn)行說(shuō)明。圖28所示的例子是不將檢測(cè)部5A 安裝到輸送臂A3而設(shè)置于前模塊的晶片W的輸送口附近的例子。在該例中，叉3A從前模塊接收晶片W，當(dāng)晶片W被搬出到前模塊的外側(cè)時(shí)，通過(guò)檢測(cè)部5A 檢測(cè)晶片W的周邊部的4個(gè)部位的位置。檢測(cè)部5A 與上述的實(shí)施方式同樣構(gòu)成。圖29是作為檢測(cè)部使用CXD照相機(jī)500的例子。例如CXD照相機(jī)500構(gòu)成為，通過(guò)保持部件501安裝到輸送臂A3的基臺(tái)31，當(dāng)叉3A、3B位于交接位置時(shí)，對(duì)叉3A、3B上的晶片W進(jìn)行光學(xué)的照相，來(lái)對(duì)叉3A、3B上的晶片W的位置進(jìn)行檢測(cè)。進(jìn)而，圖30是作為檢測(cè)部例如使用利用激光的距離傳感器510的例子。距離傳感器510例如配置為從晶片W的上方側(cè)和下方側(cè)的一方朝向晶片W的周邊部在徑向上輸出大量激光，例如設(shè)置于與圖8所示的受光部52A 52D同樣的位置。在該情況下，激光的一部分被晶片W的周邊部遮蔽，在與晶片W的周邊部對(duì)應(yīng)的位置，距離傳感器510的測(cè)定距離不同，所以能夠檢測(cè)叉3A、3B上的晶片W的位置。在上述中，也可以在叉3A、3B上的晶片W超出由檢測(cè)部5能夠檢測(cè)的范圍L2的情況下，將晶片W對(duì)暫置模塊71進(jìn)行輸送，對(duì)叉3A、3B的交接位置進(jìn)行補(bǔ)正，以使得偏差量處于容許范圍。另外，也可以在暫置模塊71接收到晶片W之后，不進(jìn)行叉3A、3B上的晶片W的位置的檢測(cè)，而對(duì)下一模塊輸送晶片W。并且，在對(duì)下一模塊輸送時(shí)，用于對(duì)下一模塊的基準(zhǔn)位置交接晶片W的叉3A、3B的交接位置的補(bǔ)正并不一定必須進(jìn)行。這是因?yàn)槔绠?dāng)容許范圍設(shè)定較小時(shí)，即使不對(duì)叉3A、3B的交接位置進(jìn)行補(bǔ)正，也能夠在靠近下一模塊的基準(zhǔn)位置的位置交接晶片W。這樣，在不進(jìn)行叉3A、3B的交接位置的補(bǔ)正的情況下，以冷卻板94為例進(jìn)行說(shuō)明時(shí)，當(dāng)偏差量脫離容許范圍時(shí)，如圖31所示，以距離冷卻板94的基準(zhǔn)位置較大的方式交接晶片W。因此，如上所述，輸送臂A3將該晶片W交接到暫置模塊71，接著進(jìn)行接收，以使得偏差量處于容許范圍。在該例中，偏差量的容許范圍考慮例如為了良好地進(jìn)行模塊的基板處理而被容許的距離該模塊的基準(zhǔn)位置的偏差量等進(jìn)行設(shè)定。在上述中，偏差量的容許范圍也可以在全部的模塊中公用，也可以以基板輸送機(jī)構(gòu)中容許的偏差量的容許范圍作為基準(zhǔn)進(jìn)行設(shè)定?；遢斔蜋C(jī)構(gòu)的容許范圍是考慮例如防止輸送中的基板的落下和防止基板對(duì)壁部等的部件的碰撞而設(shè)定的。并且，利用保持部件吸附保持基板的機(jī)構(gòu)也可以利用靜電電容，這樣，當(dāng)為使保持部件吸附基板并進(jìn)行輸送的構(gòu)成時(shí)，利用吸附能夠抑制基板從保持部件落下，所以對(duì)暫置模塊輸送時(shí)，并不一定需要減小基板輸送機(jī)構(gòu)的動(dòng)作速度。進(jìn)而，對(duì)暫置模塊輸送時(shí)，通過(guò)減小基板輸送機(jī)構(gòu)的動(dòng)作速度，抑制基板的落下的情況下，也可以不通過(guò)保持部件吸附保持基板。在上述中，暫置模塊的形狀不限于上述的例子，只要是即使在從基準(zhǔn)位置偏移的狀態(tài)下，晶片W保持于保持部件上時(shí)，也能夠以該保持部件與晶片W不發(fā)生碰撞的方式，對(duì)該暫置模塊進(jìn)行交接的形狀即可。另外，在滿足該條件的情況下，作為暫置模塊，也可以使用旋轉(zhuǎn)卡盤、定位導(dǎo)向件、交接工作臺(tái)、緩沖裝置等。本發(fā)明的基板輸送機(jī)構(gòu)相當(dāng)于交接單元C、交接臂D、輸送臂Al A4、接口臂F和往復(fù)移動(dòng)臂E中的至少一個(gè)，可以將本發(fā)明應(yīng)用于這些基板輸送機(jī)構(gòu)的全部，也可以將本發(fā)明僅應(yīng)用于一部分的基板輸送機(jī)構(gòu)。并且，也可以以交接單元C和交接臂D、輸送臂Al A4和接口臂F的組合的 方式，利用多個(gè)基板輸送機(jī)構(gòu)將基板暫置于共用的暫置模塊。
權(quán)利要求
1.一種基板處理裝置，其特征在于，包括: 基板輸送機(jī)構(gòu)，其具有保持基板并在水平方向上移動(dòng)自如的保持部件，用于將基板從一個(gè)模塊交接至其它的模塊； 檢測(cè)部，在保持部件從一個(gè)模塊接收基板之后，向其它的模塊輸送之前，對(duì)保持部件上的基板的位置進(jìn)行檢測(cè)； 運(yùn)算部，根據(jù)所述檢測(cè)部的檢測(cè)結(jié)果，求出保持部件上的基板相對(duì)于基準(zhǔn)位置的偏差量; 暫置模塊，用于暫置所述基板輸送機(jī)構(gòu)從所述一個(gè)模塊接收的基板；和 控制部，其輸出控制信號(hào)，該控制信號(hào)用于對(duì)由所述運(yùn)算部獲得的偏差量的檢測(cè)值和偏差量的容許范圍進(jìn)行比較，當(dāng)檢測(cè)值處于容許范圍時(shí)，利用基板輸送機(jī)構(gòu)將基板輸送至其它的模塊，當(dāng)檢測(cè)值脫離容許范圍時(shí)，基板輸送機(jī)構(gòu)將該基板交接至?xí)褐媚K，接著進(jìn)行接收，以使得所述檢測(cè)值處于容許范圍。
2.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于: 具有存儲(chǔ)部，其對(duì)其 它的每個(gè)模塊設(shè)定所述偏差量的容許范圍，并將所述容許范圍與其它的模塊對(duì)應(yīng)地進(jìn)行存儲(chǔ)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的基板處理裝置，其特征在于: 所述檢測(cè)部設(shè)置于基板輸送機(jī)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于: 所述檢測(cè)部在沿周向相互隔開間隔的三個(gè)部位以上的位置對(duì)保持部件上的基板的周邊部的位置進(jìn)行光學(xué)的檢測(cè)。
5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于: 所述控制部至少在基板輸送機(jī)構(gòu)從暫置模塊接收基板時(shí)，對(duì)保持部件的交接位置進(jìn)行補(bǔ)正，以使得所述偏差量的檢測(cè)值處于所述偏差量的容許范圍。
6.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于: 所述檢測(cè)部在保持部件從暫置模塊接收到基板之后，在向其它的模塊輸送之前再次對(duì)保持部件上的基板的位置進(jìn)行檢測(cè)， 所述控制部輸出控制信號(hào)，該控制信號(hào)用于對(duì)基于該檢測(cè)結(jié)果由所述運(yùn)算部獲得的偏差量的檢測(cè)值和偏差量的容許范圍進(jìn)行比較，當(dāng)檢測(cè)值處于容許范圍時(shí)，利用基板輸送機(jī)構(gòu)將基板向其它的模塊輸送，當(dāng)檢測(cè)值脫離容許范圍時(shí)，基板輸送機(jī)構(gòu)將該基板再次交接至?xí)褐媚K，接著進(jìn)行接收，以使得所述檢測(cè)值處于容許范圍。
7.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于: 所述偏差量是位于保持部件上的基準(zhǔn)位置的基板的中心與基于檢測(cè)部的檢測(cè)結(jié)果取得的保持部件上的基板的中心的偏差量。
8.如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其特征在于: 當(dāng)利用基板輸送機(jī)構(gòu)將基板向暫置模塊輸送時(shí)，與將基板向其它的模塊輸送時(shí)相比，使基板輸送機(jī)構(gòu)的動(dòng)作速度較慢。
9.一種基板處理方法，其為利用具有保持基板并在水平方向上移動(dòng)自如的保持部件的基板輸送機(jī)構(gòu)，將基板從一個(gè)模塊輸送至其它的模塊進(jìn)行處理的基板處理方法，所述基板處理方法的特征在于，包括:在所述保持部件從一個(gè)模塊接收到基板之后，在向其它的模塊輸送之前，對(duì)保持部件上的基板的位置進(jìn)行檢測(cè)的工序； 基于所述檢測(cè)結(jié)果，求出保持部件上的基板相對(duì)于基準(zhǔn)位置的偏差量的工序； 對(duì)所述偏差量的檢測(cè)值和偏差量的容許范圍進(jìn)行比較，當(dāng)檢測(cè)值處于容許范圍時(shí)，利用基板輸送機(jī)構(gòu)將基板向其它的模塊輸送的工序；和 對(duì)所述偏差量的檢測(cè)值和偏差量的容許范圍進(jìn)行比較，當(dāng)檢測(cè)值脫離容許范圍時(shí)，基板輸送機(jī)構(gòu)將該基板交接至?xí)褐媚K，接著進(jìn)行接收，以使得所述檢測(cè)值處于容許范圍的工序。
10.如權(quán)利要求9所述的基板處理方法，其特征在于: 對(duì)其它的每個(gè)模塊設(shè)定所述偏差量的容許范圍，將所述容許范圍被與其它的模塊對(duì)應(yīng)地進(jìn)行存儲(chǔ)。
11.如權(quán)利要求9或10所述的基板處理方法，其特征在于: 對(duì)所述保持部件上的基板的位置進(jìn)行檢測(cè)的檢測(cè)部設(shè)置于基板輸送機(jī)構(gòu)。
12.如權(quán)利要求9至11中任一項(xiàng)所述的基板處理方法，其特征在于: 利用基板輸送機(jī)構(gòu)將基板向暫置模塊輸送時(shí)，與將基板向其它的模塊輸送時(shí)相比，使基板輸送機(jī)構(gòu)的動(dòng) 作速度較慢。
全文摘要
本發(fā)明提供一種基板處理裝置，通過(guò)獲得保通持部件上的基板的偏差量，在偏差量處于容許范圍的狀態(tài)下，將基板交接到其它的模塊。當(dāng)叉(3A)從一個(gè)模塊(加熱模塊)接收到晶片(W)時(shí)，求出距離叉(3A)上的基準(zhǔn)位置的偏差量，當(dāng)該偏差量處于容許范圍時(shí)，利用輸送臂(A3)將晶片(W)向其它的模塊(溫度調(diào)節(jié)模塊)輸送，當(dāng)檢測(cè)值在容許范圍外時(shí)，向暫置模塊(71)輸送。在暫置模塊(71)中，輸送臂(A3)交接該晶片(W)，接著進(jìn)行接收，所以能夠在偏差量處于容許范圍的狀態(tài)下向溫度調(diào)節(jié)模塊交接基板，以使得上述偏差量處于容許范圍。
文檔編號(hào)H01L21/66GK103247558SQ20131004134
公開日2013年8月14日 申請(qǐng)日期2013年2月1日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月9日
發(fā)明者寺本聰寬, 林德太郎 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社